KR100230656B1 - 자기헤드의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

블록을 웨이퍼로부터 절단하여 블록단위로 자기저항 효과형헤드의 소자높이 또는 박막헤드의 갭깊이를 소정 값으로 가공하는 자기헤드의 제조방법에 관한 것으로, 저항패턴의 막 두께나 비저항의 변동의 영향을 받지 않고 자기저항 효과형헤드의 소자 높이나 박막헤드의 갭깊이를 소정의 값으로 정확히 가공할 수 있고, 또, 자동화에도 대응할 수 있는 자기헤드의 제조방법을 실현하는 것을 목적으로 한다. 해결수단은 자기저항 효과형헤드의 소자 높이를 낮게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서 면적이 거의 직선적으로 감소하는 제 1 저항패턴(41)과, 소자높이를 낮게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서 면적이 거의 절선적으로 감소하는 제 2 저항패턴(42)으로 되는 소자높이 가공감시용 저항모니터 패턴(4)을 웨이퍼공정시에 웨이퍼의 블록상에 형성해 놓고, 가공공정에서의 소자높이를 낮게하는 공정을 종료하는 타이밍을, 이 저항모니터패턴(40)의 저항치에 준하여 구하도록 구성한다.

Description

자기헤드의 제조방법
본 발명은, 자기저항 효과형 헤드 또는 박막헤드의 적어도 한쪽을 포함하는 자기헤드를 2차원적 배열로서 웨이퍼상에 성막하는 웨이퍼공정과, 복수의 자기헤드가 직선상으로 배열된 블록을 웨이퍼로부터 절단하는 절단공정과, 블록단위로 자기저항 효과형 헤드의 소자 높이(자기저항효과 소자부의 높이) 또는 박막헤드의 갭깊이를 소정 값으로 가공하는 가공공정과, 이 가공 공정종료후의 블록을 분할하여 개개의 자기헤드를 제작하는 분할공정을 거치는 자기헤드의 제조방법에 관한 것이다.
고밀도화에 대응하는 재생헤드로서, 자계의 강도에 따라서 전기 저항이 변화하는 자기저항 효과소자를 사용한 자기저항 효과형 헤드가 알려져 있다. 자기저항 효과형 헤드는, 일반적으로는 MR헤드(MR은 magneto resistive의 약어임)라고 불리고, 이방성자기저항 효과를 이용한 AMR헤드(AMR은 anisotropic magneto resistive의 약어임)나, 거대 자기저항 효과를 이용한 GMR헤드(GMR은 giant magneto resistive의 약어임)등이 있다.
AMR 헤드는, 예를들어, NiFeCr (니켈-철-크롬)등의 자화된 자성재료로 되는 소프트어드제이션트(soft adjacent)층과, Ta(탄탈) 등의 비자성중간층과, NiFe(페라이트)등의 자기저항층(MR층)과, 반강자성체인 FeMn(철-망간)으로 형성되어 실질적으로 자화된 상태에 있는 BCS (boundary control stabilization) 층과, 기록트랙폭에 상응 하는 간격을 갖고 BCS 층상에 병설된 한쌍의 센스전류공급용의 도체층을 이 순서로 적층하여 자기저항 효과소자부를 형성시키고, BCS 층에 의해서, 자기저항층에 기록트랙의 폭방향의 자기바이어스를 부여하고, 소프트 어드제이선트층에 의해, 자기저항층에 BCS 층의 자기바이어스와 직각방향의 자기바이어스를 주도록 한 것이다.
한편, GMR 헤드는 거대 자기저항 효과를 이용함으로써, AMR 헤드보다도 한층 고밀도화를 가능하게 한 것이다. GMR 헤드의 자기저항효과 소자부도, 복수의 자성층을 비자성중간층을 거쳐서 적층한 적층구조를 갖고, 기록트랙폭에 상응하는 간격을 갖고 병설된 한쌍이 센스전류공급용의 도체층이 이 자기저항 효과소자부에 부착되어 있다.
상기 자기저항 효과형헤드는 정보의 재생만 가능하고 기록은 할 수 없다. 이 때문에, 통상은 기록을 하는 박막헤드와 조합하여 복합형 자기헤드를 구성하는 경우가 많다.
도 13은 이 복합형 자기헤드의 주요부를 나타낸 도면이고, 도 14는 도 13 중의 자기저항효과소자부 및 도체층을 나타낸 평면도이다.
이들 도면에 있어서, 10은 자기기록매체의 트랙, 20은 자기기록매체로 정보 기록을 행하는 박막헤드로 되는 기록헤드부, 30은 정보의 판독을 행하는 자기저항효과형 헤드로 되는 재생헤드부이다. 기록헤드부(20)는 NiFe 등으로 되는 하부자극(상부실드층)(21)과, 트랙과의 대향부분이 일정간격을 갖고 하부자극(21)과 대향한 NiFe 등으로 되는 상부자극(22)과, 이들 자극(21, 22)을 여자하여, 기록갭부분으로서 자기기록매체의 기록트랙(10)에 정보의 기록을 행하게 하는 코일(23)등으로 구성된다. 또, 코일(23) 주변의 공간에는, Al2O3등으로 된 비자성절연층(24)이 간극없이 구비되어 있다.
재생헤드부(30)는 AMR 헤드나 GMR 헤드등으로 구성되어 있고, 이 자기저항 효과소자부(30A)상에는 자기저항 효과소자부(30A)에 센스전류를 공급하기 위한 한쌍의 도체층(31)이 기록트랙폭에 상응하는 간격으로 구비되어 있다.
기록헤드부(20)와 재생헤드부(30)의 적층상태를 도 15를 이용하여 설명한다. 도 15는 도 13의 자기 헤드를 자기기록매체측에서 보았을 때의 갭근처의 적층구조를 나타낸 단면도이다. 도 15에 있어서, 25는 세라믹제의 기판으로, 이 기판(25)상에는, Al2O3등으로 된 비자성 절연층(26), NiFe 등으로 된 하부실드층(27), Al2O3등으로 된 비자성층(28)이 순차로 형성되어 있고, 재생헤드부(30)의 자기저항 효과소자부(30A)는, 이 비자성절연층(28)상에 형성되어 있다. 가령, 재생헤드부(30)의 자기저항효과소자부(30A)를 AMR 헤드로 구성한 것이면, 예를들어, 소프트 어드제이션트층, Ta 등의 비자성중간층, NiFe 등의 자기저항층, FeMn 등의 BCS 층이 비자성 절연층(28)상에 순차 형성되어 있다. 이 자기저항 효과소자부(30A)상에는, 자기저항 효과소자부(30A)에 센스 전류를 공급하기 위해서, 한쌍의 도체층(31)이 기록트랙폭에 상응하는 간격으로 형성되어 있다.
또, 자기저항효과소자부(30A) 및 도체층(31)상에는, 비자성절연층(32)이 형성되고, 이 위에 전술한 기록헤드부(20)가 형성되어 있다. 즉, NiFe 등으로 된 하부자극(상부실드층)(21), 코일(23) (도 15중에는 도시하지 않음), Al2O3등으로 된 비자성 절연층(24), NiFe 등으로 된 상부자극(22)이 순서에 따라 형성되어 있다. 그리고 마지막으로 기록헤드부(20)의 표면을 덮기 위해서, 상부자극(22)의 외측에 Al2O3등으로 된 보호층(33)이 형성되어 있다.
상기한 구성의 자기헤드를 제조 할 때에는, 다수의 자기헤드를, 2차원적 배열로 웨이퍼상에 성막하는 웨이퍼공정과, 복수의 자기헤드가 직선상으로 배열된 블록을 웨이퍼로부터 절단하는 절단 공정과, 블록 단위로 자기 저항 효과형헤드의 소자높이 또는 박막헤드의 갭깊이를 소정 값으로 가공하는 가공공정과, 이 가공공정 종료후의 블록을 분할하여 개개의 자기헤드를 제작하는 분할공정을 거친다.
여기서, 저기저항효과형헤드의 소자 높이(도 13의 자기저항효과 소자부(30A)의 상하방향의 폭)이나 박막헤드의 갭깊이(도 13의 갭부분의 상하방향의 폭)은 자기헤드의 특성에 중요한 영향을 미치기 때문에, 연남등에 의해 정확한 값으로 가공할 필요가 있다. 이 가공은 상기 가공공정으로 행해진다. 따라서, 블록단위로 자기저항효과형헤드의 소자 높이나 박막헤드의 갭깊이를 일정한 값으로 연마등으로 가공하기 때문에, 가공이 진행함에 따라서 면적이 거의 직선적으로 감소하는 가공기준용 저항패턴을 웨이퍼공정시에 블록상에 형성해 놓고, 이 가공기준용 저항패턴의 저항치가 소정 값에 도달한 시점에서 가공을 종료하도록 한 제조방법이 알려져 있다.
그러나, 가공기준용 저항패넌의 막두께나 비저항에는 상당한 불균형이 있다. 특히, 막두께에 대해서는, 동일한 웨이퍼상이어도 균일하게 형성되지 않는다. 이 때문에 가공기준용 저항패턴의 저항치가 소정값(목표저항치)이 되어도, 저기저항효과형헤드의 소자 높이나 박막헤드의 갭깊이를 일정한 값으로 가공되지 않는다. 상기 구성의 자기헤드의 제조방법에서는 자기저항 효과형헤드의 소자 높이나 박막헤드의 갭깊이의 가공정밀도를 올릴 수 없다는 문제가 있다.
한편, 상기한 문제를 해결하기 위해서, 블록단위(블록은 가공공정에서의 가공단위, 워크라고도 함)로 목표 저항치를 설정하는 것이 고려되나, 현실적이지 않고, 자동화에도 대응할 수 없다. 또, 저항치의 측정을 행하지 않고, 패턴의 형상을 직접 측정하여, 이 치수가 소정값이 된 시점에서 가공을 중단하는 방법도 있으나, 이 제조방법에서는 가공을 진행시키는 과정에서 여러번 가공을 중단하여 패턴의 형상을 측정해야 하고, 지나치게 깍여지는 경우도 발생하기 쉽고, 실제로는 고정밀도의 가공을 행하는 것이 곤란하고, 또, 자동화에도 대응할 수 없다.
본 발명은, 상기한 문제점에 비추어서 행해진 것으로서, 그 목적은 저항패턴의 막두께나 비저항의 변동의 영향을 받지 않고, 자기저항 효과형헤드의 소자 높이나 박막헤드의 갭깊이를 소정 값으로 정확히 가공할 수 있고, 또, 자동화에도 대응할 수 있는 자기헤드의 제조방법을 실현하는 것에 있다.
도 1은 본 발명에서 사용하는 저항 모니터패턴의 일예를 나타낸 도면.
도 2는 자기헤드성막 후의 웨이퍼를 나타낸 도면.
도 3은 블록 형상을 나타낸 도면.
도 4는 소자높이의 가공위치에 대한 아날로그 저항치의 변화 및 디지털저항치의 변화를 나타낸 도면.
도 5는 저항저하층의 다른 패턴을 나타낸 도면.
도 6은 제조공정을 나타낸 도면.
도 7은 제조공정을 나타낸 도면.
도 8은 제조공정을 나타낸 도면.
도 9는 가공 종료타이밍의 결정순서를 나타낸 흐름도.
도 10은 가공 종료타이밍의 다른 결정순서를 나타낸 흐름도.
도 11은 가공 종료타이밍의 다른 결정순서를 나타낸 흐름도.
도 12는 3개소의 래핑압을 독립적으로 제어하면서 블록을 래핑선반측으로 누르고, 가공을 행하는 경우의 구성도.
도 13은 복합형의 자기헤드의 주요부를 나타낸 도면.
도 14는 도 13 중의 자기저항효과소자부 및 도체층을 나타낸 평면도.
도 15는 도 13의 자기헤드를 자기기록매체측에서 볼때의 갭 근처의 적층구조를 나타낸 단면도.
상기 과제를 해결할 자기저항 효과형헤드를 포함하는 자기헤드의 제조방법에 대한 본 발명은 2차원적 배열로서 적어도 자기저항 효과형헤드를 포함하는 자기헤드를 웨이퍼상에 성막하는 웨이퍼공정과, 복수의 자기헤드가 직선상으로 배열된 블록을 웨이퍼로부터 절단하는 절단 공정과, 블록단위로 상기 자기저항 효과형헤드의 자기저항효과소자부를 소정 높이로 가공하는 가공공정과, 이 가공공정종료후의 블록을 분할하여 개개의 자기헤드를 제작하는 분할공정을 거치는 자기헤드의 제조방법에 있어서, 상기 자기저항 효과형헤드의 소자높이를 낮게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서 면적이 거의 직선적으로 감소하는 제 1 저항패턴과, 상기 자기저항효과형헤드의 소자높이를 낮게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라 면적이 거의 절선적으로 감소하는 제 2 저항패턴으로 된 소자높이 가공감시용이 저항모니터패턴을, 상기 웨이퍼공정시에, 웨이퍼의 블록상에 형성해 놓고 상기 가공공정의 소자 높이를 낮게 하는 가공을 종료하는 타이밍을, 이 저항모니터 패턴의 저항치에 준해서 구하는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 의하면, 자기저항 효과형헤드의 소자높이를 낮게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서, 제 1 저항패턴의 면적이 거의 직선적으로 감소하고, 제 2 저항패턴의 면적이 거의 절선적으로 감소한다. 제 2 저항패턴의 면적변화가 절점을 나타낸 위치는 기지이며, 이 위치까지 가공이 진행했는지 여부는, 면적변화의 절점이 저항치 변화의 절점으로서 나타나기 때문에, 저항치변화의 절점 발생을 검출함으로써 용이하고, 또한 정확하게 알 수 있다.
따라서, 제 2 저항패턴의 저항치 변화의 절점의 발생과, 이 절점 발생시의 제 1 저항패턴의 저항치를 대응시켜 소자높이를 낮게 하는 가공을 종료하는 타이밍을, 제 1 저항패턴의 저항치에 근거하여 구할 수 있다. 이에 의해서, 저항패턴의 막두께나 비저항 변동의 영향을 받지 않고, 자기저항 효과형헤드의 소자높이를 소정값으로 정확히 가공할 수 있고, 또 자동화에도 대응할 수 있다.
이 가공을 종료하는 타이밍을 구하는 방법으로는, 예를들어, 제 2 저항패턴의 저항치 변화가 절점을 나타낸 시각에서의 제 1 저항패턴의 저항치를, 적어도 복수의 절점으로 구하고, 이 복수점의 저항치으로부터 자기저항 효과형헤드의 소자높이의 가공위치와 제 1 저항패턴의 저항치의 관계를 예측하고 이 관계에 근거하여 가공을 종료하는 타이밍을 결정하는 방법이 있다.
보다 구체적으로는 제 2 저항패턴의 저항치 변화가 절점을 나타낸 시각에서의 제 1 저항패턴의 저항치를 적어도 3개의 절점으로서 구하고, 3개의 절점에서의 저항치를 사용하여, 자기저항 효과형헤드의 소자 높이의 가공위치와 제 1 저항패턴의 저항치와의 관계를 2차 곡선에서 예측하고, 이 예측한 2차 곡선에 근거하여 목표로 하는 소자 높이에서의 제 1 저항패턴의 저항치를 산출하여, 이 산출한 저항치에 제 1 저항패턴의 실측 저항치가 도달한 타이밍과 거의 동기하여, 가공공정의 소자높이를 낮게 하는 가공을 종료한다. 이 방법은 고정밀도의 가공을 행함에 있어서 바람직하다.
상기 과제를 해결할 박막헤드를 포함하는 자기헤드의 제조방법에 대한 본 발명은, 2차원적 배열로 적어도 박막헤드를 포함하는 자기헤드를 웨이퍼상에 성막하는 웨이퍼공정과, 복수의 자기헤드가 직선상으로 배열된 블록을 웨이퍼로부터 절단하는 절단 공정과, 블록단위로 상기 박막헤드의 갭을 소정 깊이로 가공하는 가공공정과, 이 가공공정 종료후의 블록을 분할하여 개개의 자기헤드를 제작하는 분할공정을 거치는 자기헤드의 제 1 제조방법에 있어서, 상기 박막헤드의 갭깊이를 얕게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서 면적이 거의 직선적으로 감소하는 제 1 저항패턴과, 상기 박막헤드의 갭깊이를 얕게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서 면적이 거의 절선적으로 감소하는 제 2 저항패턴으로 된 갭깊이 감시용 저항 모니터 패턴을 상기 웨이퍼공정시에 웨이퍼의 블록상에 형성해 놓고, 상기 가공공정에서의 갭깊이를 얕게 하는 가공을 종료하는 타이밍을, 이 저항모니터패턴의 저항치에 근거하여 구하는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 의하면,박막헤드의 갭깊이를 얕게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서, 제 1 저항패턴의 면적이 거의 직선적으로 감소하고, 제 2 저항패턴의 면적이 거의 절선적으로 감소한다. 제 2 저항패턴의 면적변화가 절점을 나타낸 위치는 기지이며, 이 위치까지 가공이 진행했는지 여부는 면적 변화의 절점이 저항치 변화의 절점으로서 나타나기 때문에, 저항치 변화의 절점의 발생을 검출함으로서 용이하고, 또한 정확하게 알 수 있다.
따라서, 제 2 저항패턴의 저항치 변화의 절점의 발생과, 이 절점발생시의 제 1 저항패턴의 저항치를 대응시켜, 갭깊이를 얕게 하는 가공을 종료하는 타이밍을 제 1 저항패턴의 저항치에 근거하여 구할 수 있다. 이에 의해서, 저항패턴의 막두께나 비저항의 변동의 영향을 받지 않고, 박막헤드의 갭깊이를 소정의 값으로 정확히 가공할 수 있고, 또 자동화에도 대응할 수 있다.
이 가공을 종료하는 타이밍을 구하는 방법으로는, 예를들어, 제 2 저항패턴의 저항치 변화가 절점을 나타낸 시각에서의 제 1 저항패턴의 저항치를 적어도 복수의 절점에서 구하고, 이 복수점의 저항치으로부터 박막헤드의 갭깊이의 가공위치와 제 1 저항패턴의 저항치와의 관계를 예측하고, 이 관계에 근거하여, 가공을 종료하는 타이밍을 결정하는 방법이 있다.
보다 구체적으로는, 제 2 저항패턴의 저항치 변화가 절점을 나타낸 시각에서의 제 1 저항패턴의 저항치를 적어도 3개의 절점에서 구하고, 3개의 절점에서의 저항치를 사용하여, 박막헤드의 갭깊이의 가공위치와 제 1 저항패턴의 저항치와의 관계를 2차 곡선으로 예측하고, 이 예측한 2차곡선에 근거하여, 목표로 하는 갭깊이에서의 제 1 저항패턴의 저항치를 산출하고, 이 산출한 저항치에 제 1 저항패턴의 실측저항치가 도달한 타이밍과 거의 동기하여, 가공공정에서의 갭깊이를 얕게 하는 가공을 종료한다. 이 방법은 고정밀도로 가공을 행하는데 바람직하다.
상기한 과제를 해결할 자지저항 효과형헤드를 포함하는 자기헤드의 제조방법에 대한 다른 방법은, 2차원적 배열로 적어도 자기저항 효과형헤드를 포함하는 자기헤드를 웨이퍼상에 성막하는 웨이퍼공정과, 복수의 자기헤드가 직선상으로 배열된 블록을 웨이퍼로부터 절단하는 절단 공정과, 블록 단위로 상기 자기저항 효과형헤드의 자기저항 효과소자부를 소정의 높이로 가공하는 가공공정과, 이 가공공정 종료후의 블록을 분할하고 개개의 자기헤드를 제작하는 분할공정을 거치는 자기헤드의 제조방법에 있어서, 상기 웨이퍼 공정시에, 상기 자기저항 효과형헤드의 소자높이를 낮게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서 면적이 거의 절선적으로 감소하는 저항패턴으로 되는 소자 높이 가공감시용의 저항모니터패턴을, 웨이퍼 블록상에 형성해 놓고, 상기 가공공정시에는, 상기 저항패턴의 저항치 변화가 절점을 나타낸 가공위치로써 칸막이 된 가공구간 중에서, 상기 자기저항효과형 헤드의 소자높이가 목표치에 도달하는 가공구간보다 앞의 가공구간에서의 가공속도를 구하고, 이 가공속도로부터, 목표로 하는 소자높이에 도달하는 시간을 산출하고, 이 시간이 경과하는 타이밍과 거의 동기하여, 소자높이를 낮게 하는 가공을 종료하도록 한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 자기저항 효과형헤드의 소자높이를 낮게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서, 저항패턴의 면적이 거의 절선적으로 감소한다. 저항패턴의 면적 변화가 절점을 나타낸 위치는 기지이며, 이 위치까지 가공이 진행했는지 여부는, 면적 변화의 절점이 저항치 변화의 절점으로서 나타나기 때문에, 저항치 변화의 절점발생을 검출함으로서 용이하게 또 정확히 알 수 있다.
그리고, 저항패턴의 저항치 변화가 절점을 나타낸 가공위치로써 칸막이 된 가공구간 중에서, 자기저항 효과형헤드의 소자 높이가 목표치에 도달하는 가공구간 보다도 앞의 가공구간의 가공속도를 구한다. 그리고, 이 가공속도로부터, 목표로 하는 소자높이에 도달하는 시간을 산출하고, 이 시간이 경과하는 타이밍과 거의 동기하여, 소자높이를 낮게 하는 가공을 종료한다. 이것에 의해, 저항패턴의 막 두께나 비저항의 변동의 영향을 받지 않고, 자기저항효과형 헤드의 소자높이를 소정 값으로 정확히 가공할 수 있고, 또, 자동화에도 대응 할 수 있다.
상기 과제를 해결할 박막헤드를 포함하는 자기헤드의 제조방법에 대한 다른 발명은, 2차원적배열로 적어도 박막헤드를 포함하는 자기헤드를 웨이퍼상에 성막하는 웨이퍼공정과, 복수의 자기헤드가 직선상으로 배열된 블록을 웨이퍼로부터 절단하는 절단 공정과, 블록단위로 상기 박막헤드의 갭을 소정 깊이로 가공하는 가공공정과, 이 가공공정 종료후의 블록을 분할하여 개개의 자기헤드를 제작하는 분할공정을 거치는 자기헤드의 제조방법에 있어서, 상기 웨이퍼공정시에, 상기 박막헤드의 갭깊이를 얕게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서 면적이 거의 절선적으로 감소하는 저항패턴으로 되는 갭깊이 가공 감시용의 저항모니터의 패턴을, 웨이퍼의 블록상에 형성해 놓고, 상기 가공공정시에는, 상기 저항패턴의 저항치 변화가 절점을 나타낸 가공위치로써 칸막이 된 가공구간 중에서, 상기 박막 헤드의 갭깊이가 목표치에 도달하는 가공구간보다 앞의 가공구간의 가공속도를 구하고, 이 가공속도로부터, 목표로 하는 갭깊이에 도달하는 시간을 산출하고, 이 시간이 경과하는 타이밍과 거의 동기하여, 갭깊이를 얕게 하는 가공을 종료하도록 한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 박막헤드의 갭깊이를 얕게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서, 저항패턴의 면적이 거의 절선적으로 감소한다. 저항패턴의 면적변화가 절점을 나타낸 위치는 기지이며, 이 위치까지 가공이 진행했는지 여부는, 면적변화의 절점이 저항치변화의 절점으로서 나타나기 때문에, 저항치 변화의 절점 발생을 검출함으로서 용이하고 또 정확히 알 수 있다.
그리고, 저항패턴의 저항치 변화가 절점을 나타낸 가공위치로써 칸막이된 가공구간 중에서, 박막헤드의 갭깊이가 목표치에 도달하는 가공구간보다 앞의 가공구간에서의 가공속도를 구한다. 그리고, 이 가공속도로부터, 목표로 하는 갭깊이에 도달하는 시간을 산출하고, 이 시간이 경과하는 타이밍과 거의 동기하여, 갭깊이를 얕게하는 가공을 종료한다. 이에 의해서, 저항패턴의 막두께나 비저항의 변동의 영향을 받지 않고서, 박막헤드의 갭깊이를 소정 값으로 정확히 가공할 수 있고, 또 자동화에도 대응할 수 있다.
상기 각 발명에 있어서의 자기헤드는, 재생용의 자기저항효과형 헤드상에 기록용의 박막헤드를 적층한 기록/재생용의 복합형 자기헤드인 경우가 많다. 또, 저항모니터패턴은 블록 양쪽의 단부와 중앙부에 구비하는 것이 가공정밀도를 향상 시킬 수 있다.
본 발명은 모든 청구항의 발명에 있어서 제조공정으로서 다음 ①∼④의 공정을 거친다.
① 웨이퍼공정 : 2차원적 배열로서 자기저항효과형헤드 및/또는 박막헤드를 포함하는 자기헤드를 웨이퍼상에 성막한다.
② 절단 공정 : 복수의 자기헤드가 직선상으로 배열된 블록을 웨이퍼로부터 절단한다.
③ 가공공정 : 블록단위로 자기저항 효과형헤드의 소자높이 및/또는 박막헤드의 갭깊이를 소정 값으로 가공한다.
④ 분할공정 : 가공공정종료후의 블록을 분할하여 개개의 자기헤드를 제작한다.
각 공정에 대해서 구체적으로 설명하면, 먼저, 웨이퍼는 예를들어 도 2의 부호 1로 나타낸 바와같이 대략 원판상의 것으로, 상기 웨이퍼공정에서는 이 표면에, 2차원적배열로 자기헤드(자기저항 효과형헤드 및/또는 박막헤드로 됨)가 성막된다.
이 자기헤드 성막후의 웨이퍼(1)로부터는, 절단 공정에서, 복수의 블록이 절단된다. 도 2의 예에서는 블록이 2열에 걸쳐서 다수개 형성되어 있고, 이 구획에 따라서 블록이 절단되게 된다.
각 블록(2)은 예를들어 도 3에 나타낸 바와같이, 자기헤드(3)가 직선상으로 배열된 것으로, 이 예에서는 가공감시용의 저항모니터패턴(4)이 블록(2)의 좌우 단부(양쪽의 단부)와 중앙부에 구비되어 있다. 자기저항효과형 헤드의 소자 높이방향이나 박막헤드의 갭깊이 방향은 도 3의 위방향이다. 블록(2)을 래핑에 의해서 마무리하는 경우, 도 3 중의 블록(2)의 하면(2A)이 가공면(랩핑면)이 된다.
래핑은 공작물과 래핑선반(공구)의 사이에 다이아몬드슬러리등의 미세한 입자를 래핑제로서 공급하고, 적당한 압력하에서 공작물과 래핑선반을 상대운동시켜, 래핑제입자의 절삭에 의해서 공작물을 미소량씩 깍아 내어, 공작물 표면을 매끈매끈하고 또한 치수정밀도가 우수하도록 가공하는 정밀가공법의 일종이다.
블록(2)을 래핑에 의해 가공하는 경우, 가공감시용의 저항모니터 패턴(4)의 저항치에 근거하여, 블록(2)의 좌우 단부와 중앙부의 합계 3개소의 래핑압을 독립적으로 제어하면서, 블록(2)을 래핑선반측으로 누르는 것이 바람직하다. 이에 의해서, 블록(2)의 좌단부, 중앙부, 우단부가 균형을 이룬 가공을 행할 수 있다.
저항모니터패턴(4)의 외측에는, 가공마커(5)가 구비되어 있다. 이 가공마터(5)는 저항모니터패턴(4)을 사용한 정밀 가공의 전단계 가공에서 사용되는 것이다. 가공공정 종료후의 각 블록(2)은 분할공정에서 개개의 자기헤드로 분할된다.
여기서, 본 발명에서 사용되는 가공감시용 저항모니터패턴에 대해서 설명한다.
도 1은 본 발명에서 사용되는 저항모니터패턴의 일례를 나타낸 것으로, 가공이 진행함에 따라서 면적이 대략 직선적으로 감소하는 제 1 저항패턴과, 가공이 진행함에 따라서 면적이 거의 절선적으로 감소하는 제 2 저항패턴으로 되는 저항모니터 패턴의 일례를 나타내고 있다.
도 1에 있어서, 저항모니터패턴(40)은 제 1 저항패턴(41)과 제 2 저항패턴(42)으로 된다. 제 1 저항패턴(41)은 외형은 거의 사각형이고, 래핑면(P) 방향에서 가공이 진행함에 따라서 면적이 대략 직선적으로 감소한다. 제 2 저항패턴(42)도, 외형이 거의 사각형이지만, 그 안쪽에는 사각형상의 공백창(저항패턴이 형성되어 있지 않은 부분 ; 본예에서는, 43∼47의 5개)가 구비되어 있다.
공백창(43, 44, 45, 46, 47)의 래핑면(P) 측의 프레임부(창측 ; 절점발생위치)와 측정기준선(이 예에서는 제 1 저항패턴(41)의 상단)의 간격 Pa=Pa1, Pa2, Pa3, Pa4, Pa5는 도 1에 나타낸 바와같이, 이 순서로 작아 지도록 설정되어 있다. 이 때문에, 제 2 저항패턴(42)은 래핑면(P) 방향에서 가공이 진행함에 따라서, 면적이 거의 절선적으로 감소한다. 면적변화의 절점은 공백창(43, 44, 45, 46, 47)의 래핑면(P) 측의 프레임부에 가공량이 도달한 시점에서 발생한다.
저항패턴(41)의 저항치(이하, 이것을 아날로그 저항치라 함)은 단자(48, 49) 사이에서 측정하고, 저항패턴(42)의 저항치(이하, 이것을 디지털 저항치라 함)는 단자(49, 50) 사이에서 측정한다. 저항패턴(41, 42)의 저항치는 저항패턴(41, 42)의 면적의 역수에 비례한다. 따라서, 제 2 저항패턴(42)과 같이 면적변화에 절점이 있는 경우에는 디지털 저항치의 변화에도 절점이 나타나게 된다.
다음에 디지털저항치의 변화에 대해서 상세히 설명한다. 우선 공백창(43)을 주목하면, 공백창(43)의 바로위(공백창(43)으로부터 보아 랩핑면(P)과 반대측)의 저항패턴과 바로아래(래핑면(P) 측)의 저항패턴을 합한 공백창(43)의 상하부분의 저항치는 공백창(43)의 바로위의 저항패턴의 저항치를 R1으로 하고 바로 아래의 저항패턴의 저항치를 RV1로 하면, 저항치(R1)과 저항치(RV1)의 합성저항치로 된다. 여기서, 공백창(43)의 바로 위의 저항패턴과 바로 아래의 저항패턴은, 전기적으로는 병렬접속되어 있다. 따라서, 공백창(43)의 상하부분의 저항치는 저항치(R1)의 저항과 저항치(RV1)의 저항을 병렬 접속한 것에 상당하고, R1, RV1/(R1+RV1)으로 된다.
가공이 진행함에 따라서 RV1는 감소하고, 공백창(43)의 래핑면(P) 측의 프레임부까지 가공이 진행하면 (절점발생위치·측정기준선간의 간격 Pa=Pa1이 되면), 공백창(43)의 바로 아래의 저항패턴은 모두 깎이기 때문에 RV1은 영이 된다. 이 때문에 이 시점에서의 공백창(43)의 상하부분의 저항치는 R1이 된다. 이 저항치는 이후에 공백창(43)의 존재에 의해서, 가공의 진전에 관계없이 R1을 유지한다. 따라서, 공백창(43)의 상하부분의 저항치는 가공의 진전에 의해서, 급증상태로부터 급변하여 일정값으로 변화되고, 따라서 절점이 발생하게 된다.
이 상황은 다른 공백창(44, 45, 46, 47)에서도 동일하다. 즉, 공백창(44, 45, 46, 47)의 바로 위의 저항패턴의 저항치를 각각 R2, R3, R4, R5로 하고 바로 아래의 저항패턴의 저항치를 각각 RV2, RV3, RV4, RV5로 하면, 공백창(44, 45, 46, 47)의 상하부분의 저항치는 당초는, 각각 R2·RV2/(R2+RV3), R3·RV3/(R3+RV3), R4·RV4/(R4+RV4), R5·RV5/(R5+RV5)로 된다.
그러나, 가공이 진행함에 따라서 RV2, RV3, RV4, RV5가 감소하고, 공백창(44, 45, 46, 47)의 랩핑면(P) 측의 프레임부까지 가공이 진행하면 (절점발생위치·측정기준선간의 간격(Pa)이 Pa2, Pa3, Pa4, Pa5로 되면), 공백창(44, 45, 46, 47)의 바로 아래의 저항패턴이 각각 깎여, 공백창(44, 45, 46, 47)의 상하부분의 저항치는 각각 R2, R3, R4, R5로 된다. 따라서, 공백창(44, 45, 46, 47)의 상하부분의 저항치도 가공의 진전에 의해서, 소정의 타이밍으로 급증상태로부터 급변하여 일정값으로 변하고, 여기서 절점이 발생하게 된다.
여기서, 제 2 저항패턴(42)은 공백창(43, 44, 45, 46, 47)의 상하부분(제 2 저항)을 직렬로 접속한 것이다. 이 때문에, 공백창(43, 44, 45, 46, 47)의 각각의 랩핑면(P) 측의 프레임부까지 가공이 진행하고, 간격(Pa)이 각각 Pa1, Pa2, Pa3, Pa4, Pa5에 도달하는 때에, 단자(49, 50)사이에서 측정한 디지털 저항치의 변화로 절점이 나타나게 된다.
도 4는 소자높이의 가공위치(간격 Pa)에 대한 아날로그 저항치(Ra)의 변화(근사) 및 디지털 저항치(Rd)의 변화를 나타낸 도면으로, 곡선(F1)이 단자(48, 49) 사이에서 측정되는 아날로그 저항치(Ra)를 나타내고, 곡선(F2)이 단자(49, 50)사이에서 측정된 디지털 저항치(Rd)을 나타내고 있다.
본 발명에 있어서는 이 저항모니터패턴(40)의 디지털저항치(Rd)의 변화의 절점의 검출에 의해서, 자기저항 효과형 헤드의 소자 높이 및/또는 박막헤드의 갭깊이의 가공의 진행상황을 파악할 수 있다. 따라서, 이 절점을 정확히 구하는 것은, 가공정밀도를 한층 향상시키는데 중요하다.
이 때문에 절점이 명확하게 나타나도록, 예를들어, R1∼R5와 RV1∼RV5의 초기값의 관계를 고려하여, RV1∼RV5의 초기값을 R1∼R5의 3분의 1 정도로 선택하는 것도 효과적이다. R1∼R5와 RV1∼RV5의 대소관계를 변경하기 위해서는, 예를들어, 공백창(43)으로 부터 보아 래핑면(P)측의 패턴부분, 즉, RV1, RV5을 형성하는 패턴부분(도 1 중의 해칭부분)에, 저저항 재료로 되는 저항 저하층을 겹쳐 형성하여, RV1∼RV5을 작게 하는 방법이 있다. 여기서, 저항저하층의 횡폭을 공백창(43∼47)의 횡폭보다도 약간 좁게 형성하면, 각 공백창(43∼47)의 랩핑면(P)측의 프레임부까지 가공이 진행한 시점에서 저항저하층이 남아있더라도, RV∼RV5가 영향을 받지 않고 0이 된다.
또, 디지털저항치(Rd)을 나타내는 신호로부터 절점의 발생타이밍을 구하기 위해서는, ① 디지털저항치(Rd)의 수준을 일정한 간격(예를들어, 0.1㎛ 이하의 래핑량을 가공하는 시간간격)으로 감시하고, 디지털 저항치(Rd)가 크게 변화할 때, 이 시각에서 절점의 발생타이밍을 정하는 방법이나, ② 디지털저항치(Rd)을 나타내는 신호를 미분하여, 이 미분신호의 피크 시각에서 절점의 발생타이밍을 정하는 방법등이 있다. 어떠한 결정방법에 의해서도, 정확히 절점을 구할 수 있다.
또, 저항모니터패턴은 자기헤드(자기저항효과형 헤드 및/또는 박막헤드)와 정확한 위치관계로 형성해야 한다. 이 때문에 저항모니터패턴을 웨이퍼공정에서 자기저항효과소자등과 동일공정으로 성막하는 동시에, 패턴정밀도가 실제의 자기저항 효과소자등과 동일하게 되도록, 자기저항 효과소자등과 동일한 공정에서 동일 마스크를 사용하여 패턴닝하는 것이 바람직하다.
또, 상기 저항저하층의 성막을 행하는데는, 저항모니터 패턴상에, 저항저하층의 형성영역을 제외하고 절연층을 성막하고, 이 위에 저항저하층을 스퍼터 또는 도금등으로 성막하면 좋다. 이 저항저하층의 패턴으로서는, 도 1에 나타낸 바와 같은 것에 한정되지 않고, 도 5중 해칭으로 나타낸 바와 같이, 각 공백창(43∼47)에 대응한 저항저하층을 연속하여 형성하는 것을 사용할 수 있다. 이와 같이 하면, 저항저하층의 패턴형성이 용이하게 된다.
자기헤드로서, 재생용의 자기저항효과형 헤드상에 기록용의 박막헤드를 적층한 복합형의 자기헤드를 사용할 경우에는, 자기저항 효과소자부와 동일한 재료로 자기저항효과 소자부와 동시에 저항 모니터패턴을 형성하여, 자기저항효과형 헤드와 박막헤드 사이에 위치하는 상부실드층을 저항저하층으로 할 수 있다. 도 6∼도 8은 이러한 경우의 제조공정을 나타내고 있다.
이 제조 공정에 있어서는, 우선, 기판(71)상에 기판 보호막(72)을 성막하고(스텝 1), 그 위에 NiFe 등으로 된 하부실드층(73)과, Al2O3등으로 된 비자성의 절연층(74)을, 이 순서로 형성한다(스텝 2, 3). 다음에, 자기저항 효과소자부(75)를 절연층(74)상에 형성한다(스텝 4). 가령 자기저항효과 소자부(75)를 AMR 헤드로 구성한 것이면, 예를들어, 소프트 어드제이션트층, Ta등의 비자성 중간층, NiFe 등의 자기저항층, FeMn 등의 BCS 층을 절연층(74)상에 순차 형성한다. 이 예에서는, 동일공정으로, 패턴(75A)을 성막하고, 이것을 저항모니터패턴으로서 이용한다.
이 자기저항효과 소자부(75)상에는 센스전류를 공급하기 위해서, 한쌍의 단자층(76)이 기록트랙폭에 상응하는 간격을 두고 형성한다. 아날로그 저항치 및 디지털 저항치를 검출하는 단자층(76A)도 동시에 형성한다(스텝 5). 또, 자기저항 효과소자부(75) 및 단자층(76)상에 비자성의 절연층(77)을 형성하고(스텝 6), 이 위에 후술한 바와같은 박막헤드를 형성한다.
우선, NiFe 등으로 된 상부실드층(하부자극)(78)을 형성한다. 이 상부실드층(78)의 일부(78A)는 패턴(75A)상에도 성막하고(스텝 7), 78A부분이 전술한 성막저항저하층을 형성한다. 다음에, 박막헤드의 갭층(79)을 형성하고(스텝 8), 코일(도 7 중에는 도시하지 않음), NiFe 등으로 된 상부자극(80)을 형성한다(스텝 9). 그리고 자기헤드 및 저항모니터패턴용의 각 단자를 형성한 후(스텝 10), 박막헤드의 표면을 덮기 위해서, 외측에 Al2O3등으로 된 보호층(82)을 형성한다. 이상으로, 도 6∼도 8에 나타낸 바와같은 패턴형성의 제조공정이 종료한다.
그런데, 저항모니터패턴의 치수(예를들어, 도 1 중에 나타낸 절점발생위치·측정기준선간이 간격 Pa=Pa1, Pa2, Pa3, Pa4, Pa5 이나, 자기저항효과형 헤드이면, 자기저항효과 소자부(51)의 래핑면(P)과는 반대측의 단부와 측정기준선과의 간격(σ))는 미리 계측해 놓을 필요가 있다. 이 계측은, 웨이퍼공정의 도중(예를들어, 자기저항 효과소자부(51)와 저항모니터 패턴(40)의 성막 직후)에 행하는 것이, 정확한 치수계측을 하는데 바람직하다. 또 이 계측은 웨이퍼의 전블록에 대해서 행하더라도 좋으나, 대표적인 블록에 대해서 계측하여, 이 값을 주변의 블록 계측치로서 사용해도 좋다.
본 발명에서는, 상기한 바와같이 저항모니터 패턴을 사용하고, 자기저항 효과형헤드의 소자 높이 및/또는 박막헤드의 갭깊이의 가공을 행한다. 이하, 자기헤드가 자기저항 효과형헤드인 경우를 예로 들어, 상기 저항모니터패턴(40)을 사용하여 소자높이를 낮게 하는 가공을 종료하는 타이밍을 결정하는 방법에 대해서, 구체적으로 설명한다.
(A) 제 1 및 제 2 저항패턴(41, 42)을 사용하는 방법(도 1)
도 1에 있어서, 자기저항효과형 헤드의 소자높이를 낮게하는 방향의 가공이 진행함에 따라서, 웨이퍼공정시에 형성해 놓은 저항 모니터패턴(40)도 깎여, 저항패턴(41) 및 저항패턴(42)의 면적이 감소되어 간다. 그리고, 저항패턴(42)의 공백창(43)의 래핑면(P) 측의 프레임부까지 가공이 진행하여, 절점발생위치, 측정기준선간의 간격(Pa)이 Pa1으로 감소하면, 도 4에 나타낸 바와같이, 디지털저항치 Rd=Rd에서 절점이 발생한다. 따라서, 이 절점을 검출하여, 그 발생시점에서의 저항패턴(41)의 아날로그 저항치 Ra=Ra1을 검출한다.
또, 저항패턴(42)의 공백창(44)의 랩핑면(P) 측의 프레임부까지 가공이 진행하여 절점발생위치·측정기준선간의 간격(Pa)이 Pa2까지 감소하면, 여기서도 절점이 발생하므로, 이 절점(디지털 저항치 Rd=Rd2)의 발생시점에서의 아날로그 저항치 Ra=Ra2을 검출한다. 이와같이, 절점발생위치·측정기준선간의 간격(Pa)이 Pa3, Pa4, … 로 되고, 다음에 절점(디지털저항치 Rd=Rd3, Rd4, …… )이 발생할 때마다, 절점발생시의 아날로그 저항치 Ra=Ra3, Ra4, …… 을 검출한다.
한편, 3개의 절점을 검출하면, 이들의 절점에서의 아날로그 저항치(Ra)을 사용하여 소자높이의 가공위치(절점발생위치·측정기준선간의 간격(Pa)와 아날로그 저항치(Ra)의 관계를 2차곡선으로 예측한다.
즉, 아날로그저항치(Ra)을 Ra=A·Pa2+B·Pa+C (단, A, B, C는 정수)로 가정하고, 이 식에 실측치인 Pa=Pa1일때 Ra=Ra1, Pa=Pa2일때 Ra=Ra2, Pa=Pa3일때 Ra=Ra3을 대입한다. 이들의 수치대입에 의해 얻은 A, B, C에 대한 3개의 관계식으로부터, A, B, C의 수치를 구체적으로 구하여, 2차곡선 Ra=A·Pa2+B·Pa+C를 확정한다.
다음에, 이 예측된 2차식 중의 Pa에, 가공 마무리 위치와 측정기준선과의 간격의 목표치(TA)(목표 소자높이(MRh)와 상기 간격(σ)과의 합)을 대입하여, 목표치(TA)에서의 아날로그 저항치 Raf=Rf3을 계산한다. 이 사이에도 가공을 계속한다. 이 예에서는, 다음 절점의 절점발생위치·측정기준선간의 간격(Pa)이 Pa4가 된 경우 발생한다. 따라서, 이 절점의 발생시점에서의 아날로그 저항치 Ra=Ra4를 검출한 후, 최신의 2차곡선을 얻기 위해서, 2차곡선 Ra=A·Pa2+B·Pa+C에 실측값인 Pa=Pa2일때 Ra=Ra2, Pa=Pa3일때 Ra=Ra3, Pa=Pa4일때 Ra=Ra4를 대입한다.
새로운 수치대입에 의해 얻어진 A, B, C에 대한 3개이 관계식으로부터, A, B, C의 수치를 구체적으로 구하고, 새로운 2차곡선 Ra=A, Pa2+B, Pa+C를 확정하고, 이 갱신한 2차식중의 Pa에, 가공의 마무리위치와 측정기준선의 간격 목표치(TA)을 대입하여, 목표치(TA)에서의 새로운 아날로그 저항치 Raf=Rf4를 계산한다.
그리고, 이 재계산한 저항치(Rf4)에 제 1 저항패턴(41)의 실측저항치(Rax)가 도달하는지 여부를 주시하면서, 더 가공을 계속한다. 저항패턴(41)의 실측저항치(Rax)이 R4f에 도달하면, 도달 타이밍과 동기하여, 가공공정에서의 소자높이를 낮게 하는 가공을 종료한다.
이 예에서, 새로운 아날로그 저항치(Rf4)을 재계산하고 있는 사이에, 제 1 저항패턴(41)의 실측저항치(Rax)가 전의 아날로그 저항치(Rf3)에 도달할 수 있다. 이 경우에는, Rf3에 도달한 시점에서 가공을 종료한다. 또, 새로운 아날로그 저항치(Rf4)을 재계산에 의해 구한 결과, 새로운 저항치(Rf4)가 전의 아날로그 저항치(Rf3)보다도 작고, 또 새로운 아날로그 저항치(Rf4)을 재계산에 의해 구한 시점에서는, 제 1 저항패턴(41)의 실측저항치(Rax)가 이미 새로운 아날로그 저항치(Rf4)을 초과한 경우에는, 제 1 저항패턴(41)의 실측저항치(Rax)가 전의 아날로그 저항치(Rf3)에 도달한 시점에서 가공을 종료한다(가공을 즉시 종료하도록 해도 좋다). 도 9는 상기 순서를 나타낸 흐름도이다.
상기 결정방법에 의하면, 저항패턴의 막두께나 비저항의 변동의 영향을 받지 않고, 가공을 종료하는 타이밍을 결정할 수 있다. 또, 목표 가공량에 도달하는 타이밍을 제 1 저항패턴(41)의 저항치로부터 미세하게 예측할 수 있으므로, 소자높이를 소정의 값으로 정확히 가공할 수 있고, 또 자동화에도 대응할 수 있다.
(B) 제 1 및 제 2 저항패턴(41, 42)을 사용하는 방법(도 2)
고정밀도 가공을 행하는데는, 2차이상의 곡선으로 아날로그 저항치의 변화를 근사하는 것이 바람직하지만, 절점간격이 좁은 경우에는, 2점을 맺는 직선, Ra=B·Pa+C에 근사하더라도, 고정밀도의 가공을 행할 수 있다. 이 경우에는, 우선 상기 식에서, 실측치인 Pa=Pa2일때 Ra=Ra2, Pa=Pa3일때 Ra=Ra3를 대입하여 얻은 B, C에 대한 2개의 관계식으로부터, B, C의 수치를 구제적으로 구하여, 직선 Ra=B·Pa+C를 확정한다.
다음에 이 예측된 다음식 중의 Pa에, 가공 마무리 위치와 측정기준선 간격의 목표치(TA)을 대입하여, 목표치(TA)에서의 아날로그 저항치 Raf=Rf3을 계산한다. 이 사이에도 가공을 계속한다. 다음 절점이 절점발생위치·측정기준선간의 간격 Pa=Pa4에서 발생하면, 이 절점의 발생시점에서의 아날로그 저항치 Ra=Ra4를 검출한후, 최신의 직선을 얻기 위해서, 직선 Ra=B·Pa+C에 실측치인 Pa=Pa3일때 Ra=Ra3, Pa=Pa4일때 Ra=Ra4를 대입한다. 그리고, 새로운 수치대입에 의해서 얻은 B, C에 대한 2개의 관계식으로부터 B, C의 수치를 구체적으로 구하여, 새로운 직선 Ra=B·Pa+C를 확정하고, 이 갱신한 1차식중의 Pa에, 가공 마무리 위치와 측정기준선의 간격의 목표치(TA)를 대입하여, 목표치(TA)에서의 새로운 아날로그 저항치 Raf=Rf4를 계산한다. 아날로그 저항치 Rf3, Rf4의 사용방법은, 2차곡선의 경우와 완전히 동일하다.
또, 판단을 간단히 하기 위해서, Rf4만을 구하고, 이것만을 판단 기준으로 하는 방법도 있다. 이 경우에, 4번째의 절점의 검출로서, Rf4를 계산하고, 실측한 아날로그 저항치가 이것을 초과하면 가공을 중지하는 것이다. 도 10은 이 순서를 나타낸 흐름도이다.
(C) 제 2 저항패턴(42)을 사용하는 방법.
제 2 저항패턴(42)만을 사용하여, 가공을 종료하는 타이밍을 결정할 수도 있다.
이 방법에서는, 저항패턴(42)의 저항치 변화가 절점을 나타낸 가공위치로써 칸막이 된 가공구간 중에서, 소자높이가 목표치에 도달하는 가공구간 보다 앞의 가공구간에서의 가공속도를 구하고, 이 가공속도로부터 목표로 하는 소자높이에 도달하는 시각을 산출하여, 이 시간이 경과하는 타이밍과 거의 동기하여, 소자높이를 낮게하는 가공을 종료한다.
구체적으로는, 자기저항 효과형헤드의 소자높이를 낮게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서, 웨이퍼 공정시에 형성해 놓은 저항모니터패턴(40)도 깎이고, 저항패턴(41) 및 저항패턴(42)의 면적이 감소해 간다. 그리고, 저항패턴(42)의 공백창(430의 랩핑면(P) 측의 프레임부까지 가공이 진행하여, 절점발생위치·측정기준선간의 간격(Pa)이 Pa1으로 감소하면, 디지털저항치 Rd=Rd1 에서 절점이 발생한다.
다음에 저항패턴(42)의 공백창(44)의 랩핑면(P) 측의 프레임부까지 가공이 진행하여, 절점발생위치·측정기준선간의 간격(Pa)이 Pa2까지 감소하면, 디지털 저항치 Rd=Rd2에서 절점이 발생한다. 또, 저항패턴(42)의 공백창(45)의 랩핑면(P) 측의 프레임부까지 가공이 진행하여, 절점발생위치·측정기준선간의 간격(Pa)이 Pa3로 되면, 디지털저항치 Rd=Rd3에서 절점이 발생한다. 이 절점발생위치·측정기준선간의 간격(Pa)이 Pa3가 된 것을 인식하면, 래핑시간의 계수를 개시한다.
그리고, 저항패턴(42)의 공백창(46)의 래핑면(P) 측의 프레임부까지 가공이 진행하여, 절점발생위치·측정기준선간의 간격(Pa)이 Pa4가 되면, 디지털 저항치 Rd=Rd4에서 절점이 발생한다. 이 절점발생위치·측정기준선간의 간격(Pa)이 Pa4가 된 것을 인식하면, 래핑시간의 계수를 종료한다. 이것에 의해서 계수한 시간은, 저항패턴(42)의 저항치변화가 절점을 나타낸 가공위치로써 칸막이 된 가공구간 중에서, 소자높이가 목표치에 도달하는 가공구간 보다 하나 앞의 가공구간의 래핑시간(T43)이다.
다음에 래핑속도 S43=(Pa3-Pa4)/T43의 계산을 한다. 소자높이가 목표치에 도달하는 가공구간에서의 래핑속도도, 이 가공속도(S43)와 거의 동일한 것으로 간주할 수 있으므로, 가공 마무리위치와 측전기준선의 간격의 목표치(TA) (목표소자높이(MRh)와 상기 간격(σ)의 합)에 도달 할 때까지의 시간 Tf=(Pa4-TA)/S43을 계산하는 동시에, 이 시간(Tf) 경과후에 가공이 종료하도록, 타이머를 설정한다. 그리고, Tf 경과후에 가공을 종료한다. 시간(Tf)을 계산에 의해 구한 시점에서, 이미 이 시간(Tf)이 경과한 경우에는, 가공을 즉시 종료한다. 도 11은 상기 순서를 나타낸 흐름도이다.
상기 결정방법에 의해서도, 저항패턴의 막두께나 비저항의 변동 영향을 받지 않고, 가공을 종료하는 타이밍을 결정할 수 있다. 더구나, 목표치에 도달하는 시간을 예측하여, 가공을 종료하는 타이밍을 결정할 수 있기 때문에, 소자높이를 소정의 값으로 정확히 가공할 수 있고, 또 자동화에도 대응할 수 있다.
상기 설명은 1개의 저항모니터패턴을 사용하여 가공을 제어하는 경우를 설명했으나, 블록을 래핑에 의해서 가공하는 경우, 전술한 바와같이, 가공감시용의 저항모니터패턴의 저항치에 근거하여, 블록 양쪽의 단부와 중앙부의 합계 3개소의 래핑압을 독립적으로 제어하면서 블록을 래핑선반측으로 압압하는 것이 바람직하다. 도 12는 3개소의 래핑압을 독립으로 제어하면서 블록을 래핑선반측으로 압압하여, 가공을 행하는 경우의 구성도이다.
도 12에 있어서, 저항모니터패턴(60L, 60C, 60R)은 상기 저항 모니터 패턴(40)과 완전히 동일한 구성을 갖고, 각각, 가공중의 블록(70)의 좌단부, 중앙부, 우단부에 형성되어 있다. 저항검출회로(61L, 61C, 61R)는 각각, 저항 모니터패턴(60L, 60C, 60R)의 아날로그 저항치 및 디지털 저항치를 검출하는 회로로 저항모니터패턴(60L, 60C, 60R)의 단자에 접촉하고 있다. 디지털신호프로세서(62L, 62C, 62R)는 각각, 저항검출회로(61L, 61C, 61R)의 아날로그저항치 및 디지털저항치에 대한 신호로부터 노이즈나 이상값을 제거하여, 디지털데이터로 변환하여, 중앙처리장치(CPU)(63)로 전송하는 것이다.
디지털신호프로세서(62L, 62C, 62R)는 예를들어, 저항검출회로(61L, 61C, 61R)의 출력신호를 결정하여 시간내에 복수회 샘플링하여, 아날로그 저항치 및 디지털 저항치의 각각에 대해서, 평균치를 출력하는 것이지만, 저항검출회로(61L, 61C, 61R)의 출력신호에는 래핑제의 영향에 의한 노이즈, 기계적 노이즈, 전기적 노이즈가 포함되어 있으므로, 예를들어, 저항검출회로(61L, 61C, 61R)의 출력신호를 샘플링하여 A/D 변환하고 난후, 우선 밴드패스필터(디지털 필터)를 통과시키고, 다음에 샘플링데이터의 최대치측 및 최소치 측에서 각각 소정개수씩 샘플링데이터를 제거하여, 남은 샘플링데이터의 평균치를 구하여 출력한다.
중앙처리장치(CPU)(63)는 디지털신호 프로세서(62L, 62C, 62R)의 각 출력데이터를 취입하여 입출력장치(I/O)(64)를 거쳐서 압력발생기구(65L, 65C, 65R)에, 각각, 블록(70)의 좌단부, 중앙부, 우단부의 래핑압의 목표치를 출력한다. 또, 가공종료시에는, 래핑제어선반(66)에 종료신호를 출력한다.
블록(70)은 부착구(67)의 하면에 부착되어 있고, 부착구(67)에 의해서 래핑선반에 눌려져 가공된다. 한편, 부착구(67)는 두 갈래상의 고정포크(68)에 의해서, 좌단 및 우단이 지지되어 있다. 상기 압력발생기구(65L, 65C, 65R)는 압전소자, 에어실린더, 스템핑모터등으로 압력을 발생함으로서, 압력발생기구(65L)에 의해서, 부착구(67)의 좌단을 거쳐서 블록(70)의 좌단부가 래핑선반측으로 눌리고, 압력발생기구(65R)에 의해서, 부착구(67)의 우단을 거쳐서 블록(70)의 우단부가 래핑선반측으로 눌리고, 압력발생기구(65C)에 의해서, 부착구(67)의 슬릿(67A)보다 아랫쪽 부분(블록(70)측 부분)이 래핑선반측으로 눌린다. 압력발생기구(65C)는 부착구(67)의 일부를 만곡시켜, 블록(70)의 중앙부를 래핑선반으로 누른다.
블록(70)에는, 절단 치수의 불균형에 기인하는 블록(70)좌우단부의 치수차나, 부착구(67)로의 부착 상태의 불균형에 기인하는 블록(70)중앙부의 요철등이 존재한다. 따라서, 실제 가공에서는, 당초, 압력발생기구(65L, 65C, 65R)를 독립적으로 구동 하고, 블록(70)의 좌단부, 중앙부, 우단부의 각 래핑압을 개개로 제어하고, 저항모니터 패턴(60L, 60C, 60R)에서 얻은 디지털 저항치 변화에서의 절점의 발생타이밍을 맞추는 작업을 행한다.
예를들어, 절점이 5개 있는 전술한 저항모니터 패턴을 사용하는 경우에는, 4번째와 5번째의 절점 사이에 목표치가 있으므로, 적어도 4번째의 절점이 발생하기 까지는 절점발생의 타이밍조정을 마쳐 놓을 필요가 있다. 구체적으로는, 2번째 절점 발생까지로 거친 조정을 끝내고, 이 데이터를 기초로, 3번째의 절점 발생까지로 미조정을 하고, 이후는 전면이 균등하게 가공되도록, 블록(70)의 좌단부, 중앙부, 우단부의 각 래핑압을 제어할 필요가 있다.
여기서, 절점발생위치·측정기준선간의 간격(Pa)이나 아날로그 저항치(Ra)의 실측치는 블록(70)의 좌단부, 중앙부, 우단부에서 다르지만, 전술한 근사식에 대입할 경우 등은 좌단부, 중앙부, 우단부의 각값의 평균치를 사용한다. 따라서, 가공을 종료하는 신호를 예로들면, 좌단부, 중앙부, 우단부의 아날로그 저항치(Ra)의 평균치가 좌단부, 중앙부, 우단부의 목표치의 평균치에 도달한 시점에서, 중앙처리장치(63)로부터 래핑제어선반(66)에 종료신호가 출력된다.
또, 상기 설명에서는, 절점을 5개 설비했지만, 이에 한정할 필요가 없는 것은 말할 것도 없다. 또, 자기저항 효과형헤드의 소자 높이를 예로 들어 설명했지만, 박막헤드의 갭깊이를 소정의 값으로 가공하는 경우에 대해서도, 완전히 동일하다.
이상 설명한 바와같이, 자기저항효과형 헤드를 포함하는 자기헤드의 제조방법에 관한 제 1 발명에 의하면, 자기저항효과형 헤드의 소자높이를 낮게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서, 제 1 저항패턴의 면적이 직선적으로 감소하고, 제 2 저항패턴의 면적은 거의 절선적으로 감소한다. 제 2 저항패턴의 면적변화가 절점을 나타낸 위치는 기지이며, 이 위치까지 가공이 진행했는지 여부는 면적변화의 절점이 저항치 변화의 절점으로서 나타나기 때문에, 저항치 변화의 절점 발생을 검출함으로서 용이하고 또 정확히 알 수 있다.
따라서, 제 2 저항패턴의 저항치 변화에서의 절점 발생과, 이 절점발생시의 제 1 저항패턴의 저항치를 대응시켜, 소자 높이를 낮게 하는 가공을 종료하는 타이밍을, 제 1 저항패턴의 저항치에 따라서 구할 수 있기 때문에, 저항패턴의 막두께나 비저항의 변동의 영향을 받지 않고, 자기저항효과형 헤드의 소자 높이를 소정치로 정확히 가공할 수 있고, 또 자동화에도 대응할 수 있다.
특히, 제 2 저항패턴의 저항치 변화가 절점을 나타낸 시각에서의 제 1 저항패턴의 저항치를, 적어도 3개의 절점에서 구하여, 3개의 절점에서의 저항치를 사용하여, 자기저항 효과형헤드의 소자높이의 가공위치와 제 1 저항패턴의 저항치의 관계를 2차곡선으로 예측하고, 이 예측된 2차곡선에 근거하여 목표로 하는 소자높이에서의 제 1 저항패턴의 저항치를 산출하고, 이 산출된 저항치에 제 1 저항패턴의 실측저항치가 도달한 타이밍과 대략 동기하여 가공공정에서의 소자높이를 낮게 하는 가공을 종료하면, 고정밀도로 가공을 할 수 있다.
박막헤드를 포함하는 자기헤드의 제조방법에 관한 제 2 발명에 의해서도, 박막헤드의 갭깊이를 얕게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서, 제 1 저항패턴의 면적이 거의 직선적으로 감소하고, 제 2 저항패턴의 면적이 거의 절선적으로 감소한다. 제 2 저항패턴의 면적변화가 절점을 나타낸 위치는 기지이며, 이 위치까지 가공이 진행했는지 여부는, 면적변화의 절점이 저항치 변화의 절점으로서 나타나기 때문에, 저항치 변화 절점의 발생을 검출함으로서 용이하게 또 정확히 알 수 있다.
따라서, 제 2 저항패턴의 저항치 변화의 절점의 발생과, 이 절점발생시에서의 제 1 저항패턴의 저항치를 대응시켜, 갭깊이를 얕게 하는 가공을 종료하는 타이밍을 제 1 저항패턴의 저항치에 따라서 구할 수 있기 때문에, 저항패턴의 막두께나 비저항의 변동의 영향을 받지 않고, 박막헤드의 갭깊이를 소정의 값으로 정확히 가공할 수 있고, 또한 자동화에도 대응할 수 있다.
특히, 제 2 저항패턴의 저항치 변화가 절점을 나타낸 시각에서의 제 1 저항패턴의 저항치를 적어도 3개의 절점으로써 구하고, 3개의 절점에서의 저항치를 사용하여, 박막헤드의 갭깊이의 가공위치와 제 1 저항패턴의 저항치의 관계를 2차곡선으로 예측하고, 이 예측한 2차곡선에 근거하여, 목표로 하는 갭깊이에서의 제 1 저항패턴의 저항치를 산출하고, 이 산출한 저항치로 제 1 저항패턴의 실측저항치가 도달한 타이밍과 거의 동기하여, 가공공정에서 갭깊이를 얕게 하는 가공을 종료하면, 고정밀도 가공을 행할 수 있다.
자기저항효과형 헤드를 포함하는 자기헤드의 제조방법에 관한 제 3 발명에 의하면, 자기저항효과형 헤드의 소자높이를 낮게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서, 저항패턴의 면적이 거의 절선적으로 감소한다. 저항패턴의 면적 변화가 절점을 나타낸 위치는 기지이며, 이 위치까지 가공이 진행했는지 여부는, 면적변화의 절점이 저항치 변화의 절점으로서 나타나기 때문에, 저항치 변화의 절점의 발생을 검출함으로서 용이하게 또 정확히 알 수 있다.
따라서, 저항패턴의 저항치변화가 절점을 나타낸 가공위치로써 칸막이 된 가공구간 중에서, 자기저항효과형헤드의 소자높이가 목표치에 도달하는 가공구간 보다도 앞의 가공구간에서의 가공속도를 구한다. 그리고, 이 가공속도로부터, 목표로 하는 소자높이에 도달하는 시간을 산출하고, 이 시간이 경과하는 타이밍과 거의 동기하여, 소자높이를 낮게 하는 가공을 종료한다. 이것에 의해, 저항패턴의 막두께나 비저항의 변동의 영향을 받지 않고, 자기저항 효과형헤드의 소자높이를 소정 값으로 정확히 가공할 수 있고, 또한, 자동화에도 대응할 수 있다.
박막헤드를 포함하는 자기헤드의 제조방법에 관한 제 4 발명에 의하면, 박막헤드의 갭깊이를 얕게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서, 저항패턴의 면적이 거의 절선적으로 감소한다. 저항패턴의 면적변화가 절점을 나타낸 위치는 기지이며, 이 위치까지 가공이 진행했는지의 여부는, 면적변화의 절점이 저항치 변화의 절점으로서 나타내기 때문에, 저항치 변화 절점의 발생을 검출함으로서 용이하게 또 정확히 알 수 있다.
따라서, 저항패턴의 저항치 변화가 절점을 나타낸 가공위치로써 칸막이 된 가공구간중에서, 박막헤드의 갭깊이가 목표치에 도달하는 가공구간 보다 앞의 가공구간의 가공속도를 구한다. 그리고, 이 가공속도로부터, 목표로 하는 갭깊이에 도달하는 시간을 산출하고, 이 시간이 경과하는 타이밍과 동기하여, 갭깊이를 얕게 하는 가공을 종료한다. 이것에 의해서, 저항패턴의 막두께나 비저항의 변동의 영향을 받지 않고, 박막헤드의 갭깊이를 소정 값으로 정확히 가공할 수 있고, 또 자동화에도 대응할 수 있다.
상기 각 발명에서, 저항모니터패턴을 블록의 양쪽단부와 중앙부에 설비하면 한층더 가공정밀도를 올릴 수 있다.

Claims (10)

  1. 2차원적배열로서 적어도 자기저항 효과형 헤드를 포함하는 자기헤드를 웨이퍼상에 성막하는 웨이퍼공정과, 복수의 자기헤드가 직선상으로 배열된 블록을 웨이퍼로부터 절단하는 절단 공정과, 블록단위로 상기 자기저항 효과형헤드의 자기저항효과 소자부를 소정 높이로 가공하는 가공공정과, 이 가공공정 종료후의 블록을 분할하여 개개의 자기헤드를 제작하는 분할공정을 거치는 자기헤드의 제조방법에 있어서, 상기 자기저항효과형 헤드의 소자높이를 낮게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서 면적이 거의 직선적으로 감소하는 제 1 저항패턴과, 상기 자기저항 효과형헤드의 소자높이를 낮게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서 면적이 거의 절선적으로 감소하는 제 2 저항패턴으로 되는 소자높이 가공감시용의 저항모니터패턴을, 상기 웨이퍼 공정시에, 웨이퍼 블록상에 형성해 놓고, 상기 가공공정에서의 소자높이를 낮게 하는 가공을 종료하는 타이밍을, 이 저항모니터패턴의 저항치에 근거하여 구하는 것을 특징으로 하는 자기헤드의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 저항패턴의 저항치변화가 절점을 나타낸 시각에서의 상기 제 1 저항패턴의 저항치를 적어도 복수의 절점에서 구하고, 이 복수점의 저항치로부터, 상기 자기 저항 효과형헤드의 소자높이의 가공위치와 상기 제 1 저항패턴의 저항치의 관계를 예측하여, 상기 가공공정에서의 소자높이를 낮게 하는 가공을 종료하는 타이밍을 이 관계에 따라서 결정하는 것을 특징으로 하는 자기헤드의 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 저항패턴의 저항치 변화가 절점을 나타낸 시각에서의 상기 제 1 저항패턴의 저항치를 적어도 3개의 절점으로서 구하고, 3개의 절점에서의 저항치를 사용하여, 상기 자기저항 효과형 헤드의 소자 높이의 가공위치와 상기 제 1 저항패턴의 저항치와의 관계를 2차 곡선으로 예측하고, 이 예측한 2차곡선에 근거하여, 목표로 하는 소자높이에서의 상기 제 1 저항패턴의 저항치를 산출하고, 이 산출한 저항치에 상기 제 1 저항패턴의 실측저항 값이 도달한 타이밍과 거의 동기하여, 상기 가공공정의 소자 높이를 낮게 하는 가공을 종료하도록 한 것을 특징으로 하는 자기헤드의 제조방법.
  4. 2차원적 배열로서 적어도 박막헤드를 포함하는 자기헤드를 웨이퍼상에 성막하는 웨이퍼공정과, 복수의 자기헤드가 직선상으로 배열된 블록을 웨이퍼로부터 절단하는 절단 공정과, 블록단위로 상기 박막헤드의 갭을 소정 깊이로 가공하는 가공공정과, 이 가공공정 종료후 블록을 분할하여 개개의 자기헤드를 제작하는 분할공정을 거치는 자기헤드의 제조방법에 있어서,
    상기 박막헤드의 갭깊이를 얕게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라 면적이 거의 직선적으로 감소하는 제 1 저항패턴과, 상기 박막헤드의 갭깊이를 얕게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서 면적이 거의 절선적으로 감소하는 제 2 저항패턴으로 된 갭깊이 감시용 저항모니터 패턴을, 상기 웨이퍼공정시에 웨이퍼의 블록상에 형성해 놓고, 상기 가공공정에서의 갭깊이를 얕게 하는 가공을 종료하는 타이밍을, 이 저항모니터패턴의 저항치에 근거하여 구하는 것을 특징으로 하는 자기헤드의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 저항패턴의 저항치변화가 절점을 나타낸 시각에서의 상기 제 1 저항패턴 저항치를 적어도 복수의 절점으로서 구하고, 이 복수점의 저항치로부터, 상기 박막헤드의 갭깊이의 가공위치와 상기 제 1 저항패턴의 저항치의 관계를 예측하여, 상기 가공공정에서의 갭깊이를 얕게 하는 가공을 종료하는 타이밍을, 이 관계에 따라서 결정하는 것을 특징으로 하는 자기헤드의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 제 2 저항패턴의 저항치 변화가 절점을 나타낸 시각에서의 상기 제 1 저항패턴의 저항치를 적어도 3개의 절점으로서 구하고, 3개의 절점에서의 저항치를 사용하여 상기 박막헤드의 갭깊이의 가공위치와 상기 제 1 저항패턴의 저항치의 관계를 2차곡선으로 예측하고, 이 예측된 2차 곡선에 근거하여 목표로 하는 갭깊이에서의 상기 제 1 저항패턴의 저항치를 산출하고, 이 산출한 저항치에 상기 제 1 저항패턴의 실측 저항치가 도달한 타이밍과 거의 동기하여, 상기 가공공정에서의 갭깊이를 얕게 하는 가공을 종료하도록 한 것을 특징으로 하는 자기헤드의 제조방법.
  7. 2차원적 배열로서 적어도 자기저항효과형 헤드를 포함하는 자기헤드를 웨이퍼상에 성막하는 웨이퍼공정과, 복수의 자기헤드가 직선상으로 배열된 블록을 웨이퍼로부터 절단하는 절단 공정과, 블록단위로 상기 자기저항 효과형 헤드의 자기저항효과 소자부를 소정 높이로 가공하는 가공공정과, 이 가공 공정종료후의 블록을 분할하여 개개의 자기헤드를 제작하는 분할공정을 거치는 자기헤드의 제조방법에 있어서, 상기 웨이퍼공정시에, 상기 자기저항효과형 헤드의 소자높이를 낮게 하는 방향의, 가공이 진행함에 따라서 면적이 거의 절선적으로 감소하는 저항패턴인 소자높이 가공감시용의 저항모니터패턴을, 웨이퍼의 블록상에 형성해 놓고, 상기 가공공정시에는 상기 저항패턴의 저항치변화가 절점을 나타낸 가공위치로써 칸막이 된 가공구간내, 상기 자기저항 효과형 헤드의 소자높이가 목표치에 도달하는 가공구간 보다도 앞 가공구간에서의 가공속도를 구하고, 이 가공속도로부터 목표로 하는 소자높이에 도달하는 시간을 산출하고, 이 시간이 경과하는 타이밍과 거의 동기하여, 소자높이를 낮게 하는 가공을 종료하도록 한 것을 특징으로 하는 자기헤드의 제조방법.
  8. 2차원적 배열로서, 적어도 박막헤드를 포함하는 자기헤드를 웨이퍼상에 성막하는 웨이퍼공정과, 복수의 자기헤드가 직선상으로 배열된 블록을 웨이퍼로부터 절단하는 절단 공정과, 블록단위로 상기 박막헤드의 갭을 소정 깊이로 가공하는 가공공정과, 이 가공공정 종료후의 블록을 분할하여 개개의 자기헤드를 제작하는 분할공정을 거치는 자기헤드의 제조방법에 있어서, 상기 웨이퍼공정시에, 상기 박막헤드의 갭깊이를 얕게 하는 방향의 가공이 진행함에 따라서 면적이 거의 절선적으로 감소하는 저항패턴으로 되는 갭깊이 가공감시용 저항모니터패턴을 웨이퍼의 블록상에 형성해 놓고, 상기 가공공정시에는 상기 저항패턴의 저항치 변화가 절점을 나타낸 가공위치로써 칸막이 된 가공구간 중에서, 상기 박막헤드의 갭깊이가 목표치에 도달하는 가공구간 보다도 앞쪽의 가공구간에서의 가공속도를 구하고, 이 가공속도로부터 목표로 하는 갭깊이에 도달하는 시간을 산출하고, 이 시간이 경과하는 타이밍과 거의 동기하여, 갭깊이를 얕게 하는 가공을 종료하도록 한 것을 특징으로 하는 자기헤드의 제조방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 자기헤드가 재생용 자기 저항효과형 헤드상에 기록용 박막헤드를 적층한 복합형의 자기헤드인 것을 특징으로 하는 기재의 자기헤드의 제조방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 저항모니터패턴이 블록의 양쪽 단부와 중앙부에 구비된 것을 특징으로 하는 자기헤드의 제조방법.
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