JP3091404B2 - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

磁気ヘッドの製造方法

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JP3091404B2 JP07290892A JP29089295A JP3091404B2 JP 3091404 B2 JP3091404 B2 JP 3091404B2 JP 07290892 A JP07290892 A JP 07290892A JP 29089295 A JP29089295 A JP 29089295A JP 3091404 B2 JP3091404 B2 JP 3091404B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果型ヘ
ッド若しくは薄膜ヘッドの少なくとも一方を含む磁気ヘ
ッドをウエハ上に成膜するウエハ工程と、ウエハから複
数の磁気ヘッドが配列されたブロックを切り出す切り出
し工程と、ブロック単位で磁気抵抗効果型ヘッドの素子
高さ（磁気抵抗効果素子部の高さ）若しくは薄膜ヘッド
のギャップ深さを所定の値に加工する加工工程とを含む
磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高密度化に対応した再生ヘッドとして、
磁界の強さに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素
子を用いた磁気抵抗効果型ヘッドが知られている。磁気
抵抗効果型ヘッドは、一般にはＭＲヘッド（ＭＲはmagn
etoresistiveの略）と呼ばれ、異方性磁気抵抗効果を利
用したＡＭＲヘッド（ＡＭＲは anisotropic magnetore
sistiveの略）や、巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ
ヘッド（ＧＭＲは giantmagnetoresistiveの略）等があ
る。
【０００３】ＡＭＲヘッドは、例えば、ＮｉＦｅＣｒ
（ニッケル−鉄−クロム）等の磁化された磁性材料から
なるソフトアジャセント（soft adjusent）層と、Ｔａ
（タンタル）等の非磁性中間層と、ＮｉＦｅ（フェライ
ト）等の磁気抵抗層（ＭＲ層）と、反強磁性体であるＦ
ｅＭｎ（鉄−マンガン）で形成されて実質的に磁化され
た状態にあるＢＣＳ（boundary control stabilizatio
n）層と、記録トラック幅に相応する間隔をもってＢＣ
Ｓ層上に並設された一対のセンス電流供給用の導体層と
を、この順序で積層して磁気抵抗効果素子部を形成さ
せ、ＢＣＳ層により、磁気抵抗層に記録トラックの幅方
向の磁気バイアスを与え、ソフトアジャセント層によ
り、磁気抵抗層にＢＣＳ層の磁気バイアスと直角方向の
磁気バイアスを与えるようにしたものである。
【０００４】一方、ＧＭＲヘッドは、巨大磁気抵抗効果
を利用することで、ＡＭＲヘッドよりも、一層の高密度
化を可能にしたものである。ＧＭＲヘッドの磁気抵抗効
果素子部も、複数の磁性層を非磁性中間層を介して積層
した積層構造を有し、記録トラック幅に相応する間隔を
もって並設された一対のセンス電流供給用の導体層が、
この磁気抵抗効果素子部に取り付けられている。
【０００５】上記磁気抵抗効果型ヘッドは情報の再生の
み可能であり記録は行えない。このため、通常は、記録
を行う薄膜ヘッドと組み合わせて、複合型の磁気ヘッド
を構成する場合が多い。
【０００６】図１３はこの複合型の磁気ヘッドの主要部
を示す図、図１４は図１３中の磁気抵抗効果素子部及び
導体層を示す平面図である。これらの図において、１０
は磁気記録媒体のトラック、２０は磁気記録媒体への情
報の記録を行う薄膜ヘッドでなる記録ヘッド部、３０は
情報の読み出しを行う磁気抵抗効果型ヘッドでなる再生
ヘッド部である。記録ヘッド部２０は、ＮｉＦｅ等でな
る下部磁極（上部シールド層）２１と、トラックとの対
向部分が一定間隔をもって下部磁極２１と対向したＮｉ
Ｆｅ等でなる上部磁極２２と、これら磁極２１，２２を
励磁し、記録ギャップ部分にて、磁気記録媒体の記録ト
ラック１０に情報の記録を行わせるコイル２３等から構
成される。尚、コイル２３周辺の空間には、Ａｌ2Ｏ3等
でなる非磁性絶縁層２４が隙間なく設けられている。
【０００７】再生ヘッド部３０はＡＭＲヘッドやＧＭＲ
ヘッド等でもって構成されるものであり、その磁気抵抗
効果素子部３０Ａ上には、磁気抵抗効果素子部３０Ａに
センス電流を供給するための一対の導体層３１が記録ト
ラック幅に相応する間隔をもって設けられている。
【０００８】記録ヘッド部２０と再生ヘッド部３０の積
層状態を図１５を用いて説明する。図１５は図１３にお
ける磁気ヘッドを磁気記録媒体側から見たときのギャッ
プ近傍の積層構造を示す断面図である。図１５におい
て、２５はセラミック製の基板で、この基板２５上に
は、Ａｌ2Ｏ3等でなる非磁性絶縁層２６、ＮｉＦｅ等で
なる下部シールド層２７、Ａｌ2Ｏ3等でなる非磁性絶縁
層２８が、この順序で形成されており、再生ヘッド部３
０の磁気抵抗効果素子部３０Ａは、この非磁性絶縁層２
８上に形成されている。仮に、再生ヘッド部３０の磁気
抵抗効果素子部３０ＡをＡＭＲヘッドでもって構成する
のであれば、例えば、ソフトアジャセント層、Ｔａ等の
非磁性中間層、ＮｉＦｅ等の磁気抵抗層、ＦｅＭｎ等の
ＢＣＳ層が非磁性絶縁層２８上に順次形成されている。
この磁気抵抗効果素子部３０Ａ上には、磁気抵抗効果素
子部３０Ａにセンス電流を供給するために、一対の導体
層３１が記録トラック幅に相応する間隔をもって形成さ
れている。
【０００９】更に、磁気抵抗効果素子部３０Ａ及び導体
層３１上には、非磁性絶縁層３２が形成され、この上に
前述の記録ヘッド部２０が形成されている。即ち、Ｎｉ
Ｆｅ等でなる下部磁極（上部シールド層）２１、コイル
２３（図１５中には現れない）、Ａｌ2Ｏ3等でなる非磁
性絶縁層２４、ＮｉＦｅ等でなる上部磁極２２が、この
順序で形成されている。そして最後に記録ヘッド部２０
の表面を覆うため、上部磁極２２の外側にＡｌ2Ｏ3等で
なる保護層３３が形成されている。
【００１０】上記構成の磁気ヘッドを製造するに際して
は、多数の磁気ヘッドを、二次元的配列でもってウエハ
上に成膜するウエハ工程と、複数の磁気ヘッドが直線状
に配列されたブロックをウエハから切り出す切り出し工
程と、ブロック単位で磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さ
若しくは薄膜ヘッドのギャップ深さを所定の値に加工す
る加工工程と、この加工工程終了後のブロックを分割し
て個々の磁気ヘッドを作製する分割工程とを経る。
【００１１】ここで、磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さ
（図１３の磁気抵抗効果素子部３０Ａの上下方向の幅）
や薄膜ヘッドのギャップ深さ（図１３のギャップ部分の
上下方向の幅）は、磁気ヘッドの特性に重要な影響を与
えるため、研磨等により正確な値に加工する必要があ
る。この加工は上記加工工程で行われる。そこで、ブロ
ック単位で磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さや薄膜ヘッ
ドのギャップ深さを一定の値に研磨等で加工するため
に、加工が進むにつれて面積がほぼ直線的に減少する加
工基準用抵抗パターンを、ウエハ工程時にブロック上に
形成しておき、この加工基準用抵抗パターンの抵抗値が
所定の値に達した時点で加工を終了するようにした製造
方法が知られている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、加工基準用抵
抗パターンの膜厚や比抵抗には、かなりのバラツキがあ
る。特に、膜厚に関しては、同一ウエハ上であっても一
様に形成されない。このため、加工基準用抵抗パターン
の抵抗値が所定の値（目標抵抗値）になったとしても、
磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さや薄膜ヘッドのギャッ
プ深さを一定の値に加工できたことにはならず、上記構
成の磁気ヘッドの製造方法では、磁気抵抗効果型ヘッド
の素子高さや薄膜ヘッドのギャップ深さの加工精度を上
げることはできないという問題がある。
【００１３】一方、上記問題を解決するために、ブロッ
ク単位（ブロックは加工工程での加工単位、ワークとも
呼ばれる）で目標抵抗値を設定することが考えられる
が、現実的ではなく、自動化にも対応できない。又、抵
抗値の測定を行わずに、パターンの形状を直接測定し、
その寸法が所定の値になった時点で加工をやめる方法も
あるが、この製造方法では、加工を進める過程で、何度
も加工を中断してパターンの形状を測定しなければなら
ず、削り過ぎも生じ易く、実際には高精度の加工を行う
ことは困難であり、又、自動化にも対応できない。
【００１４】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、抵抗パターンの膜厚や比抵抗の変動
の影響を受けずに、磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さや
薄膜ヘッドのギャップ深さを所定の値に正確に加工で
き、且つ、自動化にも対応できる磁気ヘッドの製造方法
を実現することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する磁気
抵抗効果型ヘッドを含む磁気ヘッドの製造方法に関する
本発明は、磁気抵抗効果型ヘッドを含む磁気ヘッドをウ
エハ上に成膜するウエハ工程と、前記ウエハから複数の
磁気ヘッドが配列されたブロックを切り出す切り出し工
程と、前記ブロック単位で前記磁気抵抗効果型ヘッドの
磁気抵抗効果素子部を所定の高さに加工する加工工程と
を含む磁気ヘッドの製造方法において、前記磁気抵抗効
果型ヘッドの素子高さを低くする方向の加工が進むにつ
れて面積がほぼ直線的に減少する第１の抵抗パターン
と、前記磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さを低くする方
向の加工が進むにつれて面積がほぼ折線的に減少する第
２の抵抗パターンとからなる抵抗モニタパターンを、前
記ウエハ工程時に、ウエハのブロック上に形成しておく
ことを第１の特徴とするものである。
【００１６】この発明によれば、磁気抵抗効果型ヘッド
の素子高さを低くする方向の加工が進むにつれて、第１
の抵抗パターンの面積がほぼ直線的に減少し、第２の抵
抗パターンの面積がほぼ折線的に減少する。第２の抵抗
パターンの面積変化が折点を示す位置は既知であり、こ
の位置まで加工が進んだか否かは、面積変化の折点が抵
抗値変化の折点として現れるため、抵抗値変化の折点の
発生を検出することで容易且つ正確に知ることができ
る。
【００１７】そこで、第２の抵抗パターンの抵抗値変化
における折点の発生と、この折点発生時における第１の
抵抗パターンの抵抗値とを対応させ、素子高さを低くす
る加工を終了するタイミングを、第１の抵抗パターンの
抵抗値に基づいて求めることができる。これにより、抵
抗パターンの膜厚や比抵抗の変動の影響を受けずに、磁
気抵抗効果型ヘッドの素子高さを所定の値に正確に加工
でき、且つ、自動化にも対応できる。
【００１８】この加工を終了するタイミングの求め方と
しては、例えば、第２の抵抗パターンの抵抗値変化が折
点を示す時刻での第１の抵抗パターンの抵抗値を、少な
くとも複数の折点にて求め、この複数点の抵抗値から、
磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さの加工位置と第１の抵
抗パターンの抵抗値との関係を予測し、この関係に基づ
き、加工を終了するタイミングを決定する方法がある。
【００１９】より具体的には、第２の抵抗パターンの抵
抗値変化が折点を示す時刻での第１の抵抗パターンの抵
抗値を、少なくとも３つの折点にて求め、３個の折点で
の抵抗値を用いて、磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さの
加工位置と第１の抵抗パターンの抵抗値との関係を２次
曲線で予測し、この予測した２次曲線に基づき、目標と
する素子高さでの第１の抵抗パターンの抵抗値を算出
し、この算出した抵抗値に第１の抵抗パターンの実測抵
抗値が到達したタイミングとほぼ同期して、加工工程に
おける素子高さを低くする加工を終了する。この方法は
高精度な加工を行う上で好ましい。
【００２０】上記課題を解決する薄膜ヘッドを含む磁気
ヘッドの製造方法に関する本発明は、薄膜ヘッドを含む
磁気ヘッドをウエハ上に成膜するウエハ工程と、前記ウ
エハから複数の磁気ヘッドが配列されたブロックを切り
出す切り出し工程と、前記ブロック単位で前記薄膜ヘッ
ドのギャップを所定の深さに加工する加工工程とを含む
磁気ヘッドの製造方法において、前記薄膜ヘッドのギャ
ップ深さを浅くする方向の加工が進むにつれて面積がほ
ぼ直線的に減少する第１の抵抗パターンと、前記薄膜ヘ
ッドのギャップ深さを浅くする方向の加工が進むにつれ
て面積がほぼ折線的に減少する第２の抵抗パターンとか
らなる抵抗モニタパターンを、前記ウエハ工程時に、ウ
エハのブロック上に形成しておくことを第１の特徴とす
るものである。
【００２１】この発明によれば、薄膜ヘッドのギャップ
深さを浅くする方向の加工が進むにつれて、第１の抵抗
パターンの面積がほぼ直線的に減少し、第２の抵抗パタ
ーンの面積がほぼ折線的に減少する。第２の抵抗パター
ンの面積変化が折点を示す位置は既知であり、この位置
まで加工が進んだか否かは、面積変化の折点が抵抗値変
化の折点として現れるため、抵抗値変化の折点の発生を
検出することで容易且つ正確に知ることができる。
【００２２】そこで、第２の抵抗パターンの抵抗値変化
における折点の発生と、この折点発生時における第１の
抵抗パターンの抵抗値とを対応させ、ギャップ深さを浅
くする加工を終了するタイミングを、第１の抵抗パター
ンの抵抗値に基づいて求めることができる。これによ
り、抵抗パターンの膜厚や比抵抗の変動の影響を受けず
に、薄膜ヘッドのギャップ深さを所定の値に正確に加工
でき、且つ、自動化にも対応できる。
【００２３】この加工を終了するタイミングの求め方と
しては、例えば、第２の抵抗パターンの抵抗値変化が折
点を示す時刻での第１の抵抗パターンの抵抗値を、少な
くとも複数の折点にて求め、この複数点の抵抗値から、
薄膜ヘッドのギャップ深さの加工位置と第１の抵抗パタ
ーンの抵抗値との関係を予測し、この関係に基づき、加
工を終了するタイミングを決定する方法がある。
【００２４】より具体的には、第２の抵抗パターンの抵
抗値変化が折点を示す時刻での第１の抵抗パターンの抵
抗値を、少なくとも３つの折点にて求め、３個の折点で
の抵抗値を用いて、薄膜ヘッドのギャップ深さの加工位
置と第１の抵抗パターンの抵抗値との関係を２次曲線で
予測し、この予測した２次曲線に基づき、目標とするギ
ャップ深さでの第１の抵抗パターンの抵抗値を算出し、
この算出した抵抗値に第１の抵抗パターンの実測抵抗値
が到達したタイミングとほぼ同期して、加工工程におけ
るギャップ深さを浅くする加工を終了する。この方法は
高精度な加工を行う上で好ましい。
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【００３０】
【００３１】上記各発明における磁気ヘッドは、再生用
の磁気抵抗効果型ヘッド上に記録用の薄膜ヘッドを積層
した記録／再生用の複合型の磁気ヘッドである場合が多
い。又、抵抗モニタパターンは、ブロックの双方の端部
と中央部とに設けることが、加工精度上好ましい。
【００３２】
【実施の形態】本発明は何れの請求項の発明次において
も製造工程として次の〜の工程をとる。ウエハ工
程；二次元的配列でもって磁気抵抗効果型ヘッド及び／
又は薄膜ヘッドを含む磁気ヘッドをウエハ上に成膜す
る。切り出し工程；複数の磁気ヘッドが直線状に配列
されたブロックをウエハから切り出す。加工工程；ブ
ロック単位で磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さ及び／又
は薄膜ヘッドのギャップ深さを所定の値に加工する。
分割工程；加工工程終了後のブロックを分割して個々の
磁気ヘッドを作製する。
【００３３】各工程について具体的に説明すると、ま
ず、ウエハは例えば図２の符号１で示すようにほぼ円板
状のもので、上記ウエハ工程においては、この表面に、
二次元的配列でもって磁気ヘッド（磁気抵抗効果型ヘッ
ド及び／又は薄膜ヘッドからなる）が成膜される。
【００３４】この磁気ヘッド成膜後のウエハ１からは、
切り出し工程において、複数のブロックが切り出され
る。図２の例においては、ブロック２は２列にわたって
多数形成されており、この区画にそってブロックが切り
出されることになる。
【００３５】各ブロック２は、例えば図３に示すよう
に、磁気ヘッド３が直線状に配列されたもので、この例
では、加工監視用の抵抗モニタパターン４がブロック２
の左右の端部（双方の端部）と中央部とに設けられてい
る。磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さ方向や薄膜ヘッド
のギャップ深さ方向は、図３の上方向である。ブロック
２をラッピングにより仕上げる場合、図３中のブロック
２における下面２Ａが加工面（ラップ面）となる。
【００３６】ラッピングは、工作物とラップ盤（工具）
との間にダイヤモンドスラリー等の微細な粒子をラップ
剤として供給し、適当な圧力の下に工作物とラップ盤と
を相対運動させ、ラップ剤粒子の切刃によって工作物を
微小量ずつ削り取って、工作物表面を滑らかに且つ寸法
精度よく加工する精密加工法の一種である。
【００３７】ブロック２をラッピングにより加工する場
合、加工監視用の抵抗モニタパターン４の抵抗値に基づ
き、ブロック２の左右の端部と中央部の合計３箇所のラ
ップ圧を独立に制御しながら、ブロック２をラップ盤側
に押圧することが好ましい。これにより、ブロック２の
左端部，中央部，右端部のバランスをとった加工を行え
る。
【００３８】抵抗モニタパターン４の外側には、加工マ
ーカー５が設けられている。この加工マーカー５は、抵
抗モニタパターン４を用いた精密な加工の前段階での加
工において用いられるものである。加工工程終了後の各
ブロック２は、分割工程において個々の磁気ヘッドに分
割される。
【００３９】ここで、本発明で用いる加工監視用の抵抗
モニタパターンについて説明する。図１は本発明で用い
る抵抗モニタパターンの一例を示すもので、加工が進む
につれて面積がほぼ直線的に減少する第１の抵抗パター
ンと、加工が進むにつれて面積がほぼ折線的に減少する
第２の抵抗パターンとからなる抵抗モニタパターンの一
例を示している。
【００４０】図１において、抵抗モニタパターン４０
は、第１の抵抗パターン４１と第２の抵抗パターン４２
とからなる。第１の抵抗パターン４１は、外形がほぼ矩
形であり、ラップ面Ｐ方向から加工が進むにつれて面積
がほぼ直線的に減少する。第２の抵抗パターン４２も、
外形がほぼ矩形であるが、その内側には、矩形状の空白
窓（抵抗パターンが形成されていない部分；本例のもの
では、４３〜４７の５個）が設けられている。
【００４１】空白窓４３，４４，４５，４６，４７のラ
ップ面Ｐ側の枠部（辺；折点発生位置）と測定基準線
（この例では第１の抵抗パターン４１の上端）との間隔
Ｐａ＝Ｐａ１，Ｐａ２，Ｐａ３，Ｐａ４，Ｐａ５は、図
１に示すように、この順序で小さくなるように設定され
ている。このため、第２の抵抗パターン４２は、ラップ
面Ｐ方向から加工が進むにつれて、面積がほぼ折線的に
減少する。面積変化の折点は、空白窓４３，４４，４
５，４６，４７のラップ面Ｐ側の枠部に加工量が到達し
た時点で発生する。
【００４２】抵抗パターン４１の抵抗値（以下、これを
アナログ抵抗値と呼ぶ）は端子４８，４９間で測定し、
抵抗パターン４２の抵抗値（以下、これをディジタル抵
抗値と呼ぶ）は端子４９，５０間で測定する。抵抗パタ
ーン４１，４２の抵抗値は抵抗パターン４１，４２の面
積の逆数に比例する。従って、第２の抵抗パターン４２
のように面積変化に折点がある場合、ディジタル抵抗値
の変化にも折点が現れることになる。
【００４３】次に、ディジタル抵抗値の変化について詳
細に説明する。まず空白窓４３に注目すると、空白窓４
３の真上（空白窓４３から見てラップ面Ｐと反対側）の
抵抗パターンと真下（ラップ面Ｐ側）の抵抗パターンと
を合わせた空白窓４３の上下部分の抵抗値は、空白窓４
３の真上の抵抗パターンの抵抗値をＲ１とし真下の抵抗
パターンの抵抗値をＲＶ１とすると、抵抗値Ｒ１と抵抗
値ＲＶ１との合成抵抗値となる。ここで、空白窓４３の
真上の抵抗パターンと真下の抵抗パターンとは、電気的
には並列接続されている。よって、空白窓４３の上下部
分の抵抗値は、抵抗値Ｒ１の抵抗と抵抗値ＲＶ１の抵抗
とを並列接続したものに相当し、Ｒ１・ＲＶ１／（Ｒ１
＋ＲＶ１）となる。
【００４４】加工が進むにつれてＲＶ１は減少し、空白
窓４３のラップ面Ｐ側の枠部にまで加工が進むと（折点
発生位置・測定基準線間の間隔Ｐａ＝Ｐａ１になる
と）、空白窓４３の真下の抵抗パターンは全て削られる
ためＲＶ１は零になる。このため、この時点での空白窓
４３の上下部分の抵抗値はＲ１となる。この抵抗値は、
この後は、空白窓４３の存在により、加工の進展に拘わ
らずＲ１を維持する。従って、空白窓４３の上下部分の
抵抗値は、加工の進展により、急増状態から一転して一
定値に変わり、そこで折点が発生することになる。
【００４５】この状況は他の空白窓４４，４５，４６，
４７でも同様である。即ち、空白窓４４，４５，４６，
４７の真上の抵抗パターンの抵抗値をそれぞれＲ２，Ｒ
３，Ｒ４，Ｒ５とし、真下の抵抗パターンの抵抗値をそ
れぞれＲＶ２，ＲＶ３，ＲＶ４，ＲＶ５とすると、空白
窓４４，４５，４６，４７の上下部分の抵抗値は、当初
は、それぞれＲ２・ＲＶ２／（Ｒ２＋ＲＶ２），Ｒ３・
ＲＶ３／（Ｒ３＋ＲＶ３），Ｒ４・ＲＶ４／（Ｒ４＋Ｒ
Ｖ４），Ｒ５・ＲＶ５／（Ｒ５＋ＲＶ５）となる。
【００４６】しかし、加工が進むにつれてＲＶ２，ＲＶ
３，ＲＶ４，ＲＶ５が減少し、空白窓４４，４５，４
６，４７のラップ面Ｐ側の枠部にまで加工が進むと（折
点発生位置・測定基準線間の間隔ＰａがＰａ２，Ｐａ
３，Ｐａ４，Ｐａ５になると）、空白窓４４，４５，４
６，４７の真下の抵抗パターンがそれぞれ削られ、空白
窓４４，４５，４６，４７の上下部分の抵抗値は、それ
ぞれＲ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５となる。従って、空白窓４
４，４５，４６，４７の上下部分の抵抗値も、加工の進
展により、所定のタイミングで急増状態から一転して一
定値に変わり、そこで折点が発生することになる。
【００４７】ここで、第２の抵抗パターン４２は、空白
窓４３，４４，４５，４６，４７の上下部分（抵抗）を
直列に接続したものである。このため、空白窓４３，４
４，４５，４６，４７のそれぞれのラップ面Ｐ側の枠部
にまで加工が進み、間隔ＰａがそれぞれＰａ１，Ｐａ
２，Ｐａ３，Ｐａ４，Ｐａ５に到達する度に、端子４
９，５０間で測定したディジタル抵抗値の変化に、折点
が現れることになる。
【００４８】図４は素子高さの加工位置（間隔Ｐａ）に
対するアナログ抵抗値Ｒａの変化（近似）及びディジタ
ル抵抗値Ｒｄの変化を示す図で、曲線Ｆ１が端子４８，
４９間で測定されるアナログ抵抗値Ｒａを示し、曲線Ｆ
２が端子４９，５０間で測定したディジタル抵抗値Ｒｄ
を示している。
【００４９】本発明においては、この抵抗モニタパター
ン４０のディジタル抵抗値Ｒｄの変化における折点の検
出により、磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さ及び／又は
薄膜ヘッドのギャップ深さの加工の進み具合を知る。そ
こで、この折点を正確に求めることは、加工精度を一層
向上させる上で重要である。
【００５０】このためには、折点が明確に現れるように
すること、例えば、Ｒ１〜Ｒ５とＲＶ１〜ＲＶ５の初期
値との関係を考慮して、ＲＶ１〜ＲＶ５の初期値をＲ１
〜Ｒ５の３分の１程度に選ぶこと等も効果的である。Ｒ
１〜Ｒ５とＲＶ１〜ＲＶ５との大小関係を変えるには、
例えば、空白窓４３から見てラップ面Ｐ側のパターン部
分、即ち、ＲＶ１〜ＲＶ５を形成するパターン部分（図
１中のハッチング部分）に、低抵抗の材料でなる抵抗低
下層を重ねて形成して、ＲＶ１〜ＲＶ５を小さくする方
法がある。ここで、抵抗低下層の横幅を空白窓４３〜４
７の横幅よりも若干狭く形成すると、各空白窓４３〜４
７のラップ面Ｐ側の枠部にまで加工が進んだ時点で抵抗
低下層が残っていても、ＲＶ１〜ＲＶ５がこの影響を受
けずに零になる。
【００５１】又、ディジタル抵抗値Ｒｄを示す信号から
折点の発生タイミングを求めるには、ディジタル抵抗
値Ｒｄのレベルを一定の間隔（例えば、０．１μｍ以下
のラップ量を加工する時間間隔）で監視し、ディジタル
抵抗値Ｒｄが大きく変化した時、その時刻から折点の発
生タイミングを決める方法や、ディジタル抵抗値Ｒｄ
を示す信号を微分し、この微分信号のピークの時刻から
折点の発生タイミングを決める方法等がある。何れの決
め方によっても、正確に折点を求めることができる。
【００５２】尚、抵抗モニタパターンは磁気ヘッド（磁
気抵抗効果型ヘッド及び／又は薄膜ヘッド）と正確な位
置関係で形成されねばならない。このためには、抵抗モ
ニタパターンをウエハ工程において磁気抵抗効果素子等
と同一工程で成膜すると共に、パターン精度が実際の磁
気抵抗効果素子等と同じになるように、磁気抵抗効果素
子等と同一プロセスで同一マスクを使用してパターニン
グすることが好ましい。
【００５３】又、上記抵抗低下層の成膜を行うには、抵
抗モニタパターン上に、抵抗低下層の形成領域を除いて
絶縁層を成膜し、この上に抵抗低下層をスパッタ又はメ
ッキ等で成膜すればよい。この抵抗低下層のパターンと
しては、図１に示したものに限らず、図５中にハッチン
グで示したように、各空白窓４３〜４７に対応した抵抗
低下層を連続して形成するものを用いることもできる。
このようにすれば、抵抗低下層のパターン形成が容易に
なる。
【００５４】磁気ヘッドとして、再生用の磁気抵抗効果
型ヘッド上に記録用の薄膜ヘッドを積層した複合型の磁
気ヘッドを用いる場合には、磁気抵抗効果素子部と同一
の材料で磁気抵抗効果素子部と同時に抵抗モニタパター
ンを形成し、磁気抵抗効果型ヘッドと薄膜ヘッドとの間
に位置する上部シールド層を抵抗低下層とすることがで
きる。図６〜図８は、この場合の製造プロセスを示して
いる。
【００５５】この製造プロセスにおいては、まず、基板
７１上に基板保護膜７２を成膜し（ステップ１）、その
上に、ＮｉＦｅ等でなる下部シールド層７３、Ａｌ2Ｏ3
等でなる非磁性の絶縁層７４を、この順序で形成する
（ステップ２，３）。次に、磁気抵抗効果素子部７５を
絶縁層７４上に形成する（ステップ４）。仮に、磁気抵
抗効果素子部７５をＡＭＲヘッドでもって構成するので
あれば、例えば、ソフトアジャセント層、Ｔａ等の非磁
性中間層、ＮｉＦｅ等の磁気抵抗層、ＦｅＭｎ等のＢＣ
Ｓ層を絶縁層７４上に順次形成する。この例では、同一
プロセスで、パターン７５Ａを成膜し、これを抵抗モニ
タパターンとして利用する。
【００５６】この磁気抵抗効果素子部７５上には、セン
ス電流を供給するために、一対の端子層７６が記録トラ
ック幅に相応する間隔をもって形成する。アナログ抵抗
値及びディジタル抵抗値を検出する端子層７６Ａも同時
に形成する（ステップ５）。更に、磁気抵抗効果素子部
７５及び端子層７６上に非磁性の絶縁層７７を形成し
（ステップ６）、この上に後述の如く薄膜ヘッドを形成
する。
【００５７】まず、ＮｉＦｅ等でなる上部シールド層
（下部磁極）７８を形成する。この上部シールド層７８
の一部７８Ａはパターン７５Ａ上にも成膜され（ステッ
プ７）、７８Ａ部分が前述の成膜抵抗低下層を形成す
る。次に、薄膜ヘッドのギャップ層７９を形成し（ステ
ップ８）、コイル（図７中には現れない）、ＮｉＦｅ等
でなる上部磁極８０を形成する（ステップ９）。そして
磁気ヘッド及び抵抗モニタパターン用の各端子を形成後
（ステップ１０）、薄膜ヘッドの表面を覆うため、外側
にＡｌ2Ｏ3等でなる保護層８２を形成する。以上で、図
６〜図８に示したパターン形成の製造プロセスが終了す
る。
【００５８】ところで、抵抗モニタパターンの寸法（例
えば、図１中に示した折点発生位置・測定基準線間の間
隔Ｐａ＝Ｐａ１，Ｐａ２，Ｐａ３，Ｐａ４，Ｐａ５や、
磁気抵抗効果型ヘッドであれば、磁気抵抗効果素子部５
１のラップ面Ｐとは反対側の端部と測定基準線との間隔
σ）は、予め計測しておく必要がある。この計測は、ウ
エハ工程の途中（例えば、磁気抵抗効果素子部５１と抵
抗モニタパターン４０の成膜直後）に行うことが、正確
な寸法計測を行う上で好ましい。又、この計測はウエハ
の全ブロックについて行ってもよいが、代表的なブロッ
クについて計測し、この値を周辺のブロックの計測値と
しても用いるようにしてよい。
【００５９】本発明では、上記の如き抵抗モニタパター
ンを用いて、磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さ及び／又
は薄膜ヘッドのギャップ深さの加工を行う。以下、磁気
ヘッドが磁気抵抗効果型ヘッドである場合を例にとり、
上記抵抗モニタパターン４０を用いて素子高さを低くす
る加工を終了するタイミングを決定する方法について、
具体的に説明する。
【００６０】（Ａ）第１及び第２の抵抗パターン４１，
４２を用いる方法（その１） 図１において、磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さを低く
する方向の加工が進むにつれて、ウエハ工程時に形成し
ておいた抵抗モニタパターン４０も削られ、抵抗パター
ン４１及び抵抗パターン４２の面積が減少していく。そ
して、抵抗パターン４２の空白窓４３のラップ面Ｐ側の
枠部にまで加工が進み、折点発生位置・測定基準線間の
間隔ＰａがＰａ１に減少すると、図４に示したように、
ディジタル抵抗値Ｒｄ＝Ｒｄ１において折点が発生す
る。そこで、この折点を検出し、その発生時点での抵抗
パターン４１におけるアナログ抵抗値Ｒａ＝Ｒａ１を検
出する。
【００６１】更に、抵抗パターン４２の空白窓４４のラ
ップ面Ｐ側の枠部にまで加工が進み、折点発生位置・測
定基準線間の間隔ＰａがＰａ２にまで減少すると、ここ
でも折点が発生するので、この折点（ディジタル抵抗値
Ｒｄ＝Ｒｄ２）の発生時点でのアナログ抵抗値Ｒａ＝Ｒ
ａ２を検出する。以下同様に、折点発生位置・測定基準
線間の間隔ＰａがＰａ３，Ｐａ４，……となり、次々に
折点（ディジタル抵抗値Ｒｄ＝Ｒｄ３，Ｒｄ４，……）
が発生する都度、折点発生時のアナログ抵抗値Ｒａ＝Ｒ
ａ３，Ｒａ４，……を検出する。
【００６２】一方、３個の折点を検出すると、これらの
折点でのアナログ抵抗値Ｒａを用いて、素子高さの加工
位置（折点発生位置・測定基準線間の間隔Ｐａ）とアナ
ログ抵抗値Ｒａとの関係を２次曲線で予測する。
【００６３】即ち、アナログ抵抗値Ｒａを、Ｒａ＝Ａ・
Ｐａ2＋Ｂ・Ｐａ＋Ｃ （ただし、Ａ，Ｂ，Ｃは定数）で
仮定し、この式に、実測値であるＰａ＝Ｐａ１の時Ｒａ
＝Ｒａ１、Ｐａ＝Ｐａ２の時Ｒａ＝Ｒａ２、Ｐａ＝Ｐａ
３の時Ｒａ＝Ｒａ３を代入する。これらの数値代入によ
り得られたＡ，Ｂ，Ｃに関する３つの関係式から、Ａ，
Ｂ，Ｃの数値を具体的に求め、２次曲線Ｒａ＝Ａ・Ｐａ
2＋Ｂ・Ｐａ＋Ｃを確定する。
【００６４】次に、この予測した２次式中のＰａに、加
工の仕上位置と測定基準線との間隔の目標値ＴＡ（目標
の素子高さＭＲｈと上記間隔σとの和）を代入し、目標
値ＴＡでのアナログ抵抗値Ｒａｆ＝Ｒｆ３を計算する。
この間も加工を継続する。この例では、次の折点が折点
発生位置・測定基準線間の間隔ＰａがＰａ４になったと
ころで発生する。そこで、この折点の発生時点でのアナ
ログ抵抗値Ｒａ＝Ｒａ４を検出後、最新の２次曲線を得
るために、２次曲線Ｒａ＝Ａ・Ｐａ2＋Ｂ・Ｐａ＋Ｃ
に、実測値であるＰａ＝Ｐａ２の時Ｒａ＝Ｒａ２、Ｐａ
＝Ｐａ３の時Ｒａ＝Ｒａ３、Ｐａ＝Ｐａ４の時Ｒａ＝Ｒ
ａ４を代入する。
【００６５】新たな数値代入により得られたＡ，Ｂ，Ｃ
に関する３つの関係式から、Ａ，Ｂ，Ｃの数値を具体的
に求め、新たな２次曲線Ｒａ＝Ａ・Ｐａ2＋Ｂ・Ｐａ＋
Ｃを確定し、この更新した２次式中のＰａに、加工の仕
上位置と測定基準線との間隔の目標値ＴＡを代入し、目
標値ＴＡでの新たなアナログ抵抗値Ｒａｆ＝Ｒｆ４を計
算する。
【００６６】そして、この再計算した抵抗値Ｒｆ４に第
１の抵抗パターン４１の実測抵抗値Ｒａｘが到達するか
否かを注視しながら、更に加工を続ける。抵抗パターン
４１の実測抵抗値ＲａｘがＲ４ｆに到達すると、到達の
タイミングと同期して、加工工程における素子高さを低
くする加工を終了する。
【００６７】この例で、新たなアナログ抵抗値Ｒｆ４を
再計算している間に、第１の抵抗パターン４１の実測抵
抗値Ｒａｘが前のアナログ抵抗値Ｒｆ３に到達すること
があり得る。この場合には、Ｒｆ３に到達した時点で加
工を終了する。又、新たなアナログ抵抗値Ｒｆ４を再計
算により求めた結果、新たな抵抗値Ｒｆ４が前のアナロ
グ抵抗値Ｒｆ３よりも小さく、且つ、新たなアナログ抵
抗値Ｒｆ４を再計算により求めた時点では、第１の抵抗
パターン４１の実測抵抗値Ｒａｘが既に新たなアナログ
抵抗値Ｒｆ４を越えていた場合には、第１の抵抗パター
ン４１の実測抵抗値Ｒａｘが前のアナログ抵抗値Ｒｆ３
に到達した時点で加工を終了する（加工を即時終了する
ようにしてもよい）。図９は上記手順を示す流れ図であ
る。
【００６８】上記決定方法によれば、抵抗パターンの膜
厚や比抵抗の変動の影響を受けずに、加工を終了するタ
イミングを決定できる。しかも、目標の加工量に到達す
るタイミングを第１の抵抗パターン４１の抵抗値から細
かく予測できるので、素子高さを所定の値に正確に加工
でき、且つ、自動化にも対応できる。
【００６９】（Ｂ）第１及び第２の抵抗パターン４１，
４２を用いる方法（その２） 高精度な加工を行うには、２次以上の曲線でアナログ抵
抗値の変化を近似することが好ましいが、折点間隔が狭
い場合には、２点を結ぶ直線、Ｒａ＝Ｂ・Ｐａ＋Ｃで近
似しても、高精度な加工を行える。この場合には、まず
上式に、実測値であるＰａ＝Ｐａ２の時Ｒａ＝Ｒａ２、
Ｐａ＝Ｐａ３の時Ｒａ＝Ｒａ３を代入し、得られたＢ，
Ｃに関する２つの関係式から、Ｂ，Ｃの数値を具体的に
求め、直線Ｒａ＝Ｂ・Ｐａ＋Ｃを確定する。
【００７０】次に、この予測した１次式中のＰａに、加
工の仕上位置と測定基準線との間隔の目標値ＴＡを代入
し、目標値ＴＡでのアナログ抵抗値Ｒａｆ＝Ｒｆ３を計
算する。この間も加工を継続する。次の折点が折点発生
位置・測定基準線間の間隔Ｐａ＝Ｐａ４にて発生する
と、この折点の発生時点でのアナログ抵抗値Ｒａ＝Ｒａ
４を検出後、最新の直線を得るために、直線Ｒａ＝Ｂ・
Ｐａ＋Ｃに、実測値であるＰａ＝Ｐａ３の時Ｒａ＝Ｒａ
３、Ｐａ＝Ｐａ４の時Ｒａ＝Ｒａ４を代入する。そし
て、新たな数値代入により得られたＢ，Ｃに関する２つ
の関係式から、Ｂ，Ｃの数値を具体的に求め、新たな直
線Ｒａ＝Ｂ・Ｐａ＋Ｃを確定し、この更新した１次式中
のＰａに、加工の仕上位置と測定基準線との間隔の目標
値ＴＡを代入し、目標値ＴＡでの新たなアナログ抵抗値
Ｒａｆ＝Ｒｆ４を計算する。アナログ抵抗値Ｒｆ３，Ｒ
ｆ４の用い方は、２次曲線の場合と全く同様である。
【００７１】尚、判断を簡単にするために、Ｒｆ４だけ
を求めて、これだけを判断の基準とする方法もある。こ
の場合、４番目の折点の検出をもって、Ｒｆ４を計算
し、実測したアナログ抵抗値がこれを越えたら加工を中
止するというものである。図１０はこの手順を示す流れ
図である。
【００７２】（Ｃ）第２の抵抗パターン４２を用いる方
法。 第２の抵抗パターン４２のみを用いて、加工を終了する
タイミングを決定することもできる。
【００７３】この方法では、抵抗パターン４２の抵抗値
変化が折点を示す加工位置にて仕切られた加工区間の
内、素子高さが目標値に到達する加工区間よりも手前の
加工区間における加工速度を求め、この加工速度から、
目標とする素子高さに到達する時間を算出し、この時間
が経過するタイミングとほぼ同期して、素子高さを低く
する加工を終了する。
【００７４】具体的には、磁気抵抗効果型ヘッドの素子
高さを低くする方向の加工が進むにつれて、ウエハ工程
時に形成しておいた抵抗モニタパターン４０も削られ、
抵抗パターン４１及び抵抗パターン４２の面積が減少し
ていく。そして、抵抗パターン４２の空白窓４３のラッ
プ面Ｐ側の枠部にまで加工が進み、折点発生位置・測定
基準線間の間隔ＰａがＰａ１に減少すると、ディジタル
抵抗値Ｒｄ＝Ｒｄ１において折点が発生する。
【００７５】次に、抵抗パターン４２の空白窓４４のラ
ップ面Ｐ側の枠部にまで加工が進み、折点発生位置・測
定基準線間の間隔ＰａがＰａ２にまで減少すると、ディ
ジタル抵抗値Ｒｄ＝Ｒｄ２において折点が発生する。更
に、抵抗パターン４２の空白窓４５のラップ面Ｐ側の枠
部にまで加工が進み、折点発生位置・測定基準線間の間
隔ＰａがＰａ３となると、ディジタル抵抗値Ｒｄ＝Ｒｄ
３において折点が発生する。この折点発生位置・測定基
準線間の間隔ＰａがＰａ３になったことを認識すると、
ラップ時間の計数を開始する。
【００７６】そして、抵抗パターン４２の空白窓４６の
ラップ面Ｐ側の枠部にまで加工が進み、折点発生位置・
測定基準線間の間隔ＰａがＰａ４になると、ディジタル
抵抗値Ｒｄ＝Ｒｄ４において折点が発生する。この折点
発生位置・測定基準線間の間隔ＰａがＰａ４になったこ
とを認識すると、ラップ時間の計数を終了する。これに
より計数した時間は、抵抗パターン４２の抵抗値変化が
折点を示す加工位置にて仕切られた加工区間の内、素子
高さが目標値に到達する加工区間よりもひとつ手前の加
工区間におけるラップ時間Ｔ43である。
【００７７】次にラップ速度Ｓ43＝（Ｐａ３−Ｐａ４）
／Ｔ43の計算をする。素子高さが目標値に到達する加工
区間でのラップ速度も、この加工速度Ｓ43とほぼ等しい
とみなせるので、加工の仕上位置と測定基準線との間隔
の目標値ＴＡ（目標素子高さＭＲｈと上記間隔σとの
和）に到達するまでの時間Ｔｆ＝（Ｐａ４−ＴＡ）／Ｓ
43を計算すると共に、この時間Ｔｆ経過後に加工が終了
するように、タイマーをセットする。そして、Ｔｆ経過
後に加工を終了する。時間Ｔｆを計算により求めた時点
で、既にこの時間Ｔｆが経過していた場合には、加工を
即時終了する。図１１は上記手順を示す流れ図である。
【００７８】上記決定方法によっても、抵抗パターンの
膜厚や比抵抗の変動の影響を受けずに、加工を終了する
タイミングを決定できる。しかも、目標値に到達する時
間を予測して、加工を終了するタイミングを決定できる
ので、素子高さを所定の値に正確に加工でき、且つ、自
動化にも対応できる。
【００７９】上記説明は１個の抵抗モニタパターンを用
いて加工を制御する場合を説明したが、ブロックをラッ
ピングにより加工する場合、前述のように、加工監視用
の抵抗モニタパターンの抵抗値に基づき、ブロックの双
方の端部と中央部の合計３箇所のラップ圧を独立に制御
しながらブロックをラップ盤側に押圧することが好まし
い。図１２は３箇所のラップ圧を独立に制御しながらブ
ロックをラップ盤側に押圧し、加工を行う場合の構成図
である。
【００８０】図１２において、抵抗モニタパターン６０
Ｌ，６０Ｃ，６０Ｒは上記抵抗モニタパターン４０と全
く同一の構成を有し、それぞれ、加工中のブロック７０
の左端部，中央部，右端部に形成されている。抵抗検出
回路６１Ｌ，６１Ｃ，６１Ｒは、それぞれ、抵抗モニタ
パターン６０Ｌ，６０Ｃ，６０Ｒのアナログ抵抗値及び
ディジタル抵抗値を検出する回路で、抵抗モニタパター
ン６０Ｌ，６０Ｃ，６０Ｒの端子に接触している。ディ
ジタル信号プロセッサ６２Ｌ，６２Ｃ，６２Ｒは、それ
ぞれ、抵抗検出回路６１Ｌ，６１Ｃ，６１Ｒのアナログ
抵抗値及びディジタル抵抗値に関する信号からノイズや
異常値を除去し、ディジタルデータに変換して、中央処
理装置（ＣＰＵ）６３に送るものである。
【００８１】ディジタル信号プロセッサ６２Ｌ，６２
Ｃ，６２Ｒは、例えば、抵抗検出回路６１Ｌ，６１Ｃ，
６１Ｒの出力信号を決められて時間内に複数回サンプリ
ングし、アナログ抵抗値及びディジタル抵抗値のそれぞ
れについて、平均値を出力するものであるが、抵抗検出
回路６１Ｌ，６１Ｃ，６１Ｒの出力信号には、ラップ剤
の影響によるノイズ、機械的ノイズ、電気的ノイズが含
まれていることから、例えば、抵抗検出回路６１Ｌ，６
１Ｃ，６１Ｒの出力信号をサンプリングしてＡ／Ｄ変換
した後、まずバンドパスフィルタ（ディジタルフィル
タ）に通し、次にサンプリングデータの最大値側及び最
小値側からそれぞれ所定個数ずつサンプリングデータを
除去し、残ったサンプリングデータの平均値を求めて出
力する。
【００８２】中央処理装置（ＣＰＵ）６３は、ディジタ
ル信号プロセッサ６２Ｌ，６２Ｃ，６２Ｒの各出力デー
タを取り込み、入出力装置（Ｉ／Ｏ）６４を介して、圧
力発生機構６５Ｌ，６５Ｃ，６５Ｒに、それぞれ、ブロ
ック７０の左端部，中央部，右端部のラップ圧の目標値
を出力する。又、加工終了時には、ラップ制御盤６６に
終了信号を出力する。
【００８３】ブロック７０は、貼り付け治具６７の下面
に貼り付けられており、貼り付け治具６７によってラッ
プ盤に押圧され、加工される。一方、貼り付け治具６７
は、二股状の固定爪６８によって、左端及び右端を支持
されている。上記圧力発生機構６５Ｌ，６５Ｃ，６５Ｒ
は、ピエゾ，エアシリンダ，ステッピングモータ等によ
り押圧力を発生するもので、圧力発生機構６５Ｌによっ
て、貼り付け治具６７の左端を介してブロック７０の左
端部がラップ盤側に押圧され、圧力発生機構６５Ｒによ
って、貼り付け治具６７の右端を介してブロック７０の
右端部がラップ盤側に押圧され、圧力発生機構６５Ｃに
よって、貼り付け治具６７のスリット６７Ａよりも下方
部分（ブロック７０側部分）がラップ盤側に押圧され
る。圧力発生機構６５Ｃは貼り付け治具６７の一部を湾
曲させ、ブロック７０の中央部をラップ盤に押圧させ
る。
【００８４】ブロック７０には、切り出し寸法のバラツ
キに起因するブロック７０左右端部の寸法差や、貼り付
け治具６７への取り付け状態のバラツキに起因するブロ
ック７０中央部の凹凸等が存在する。そこで、実際の加
工では、当初、圧力発生機構６５Ｌ，６５Ｃ，６５Ｒを
独立に駆動して、ブロック７０の左端部，中央部，右端
部の各ラップ圧を個々に制御し、抵抗モニタパターン６
０Ｌ，６０Ｃ，６０Ｒから得られるディジタル抵抗値変
化における折点の発生タイミングを合わせる作業を行
う。
【００８５】例えば、折点が５個ある前述の抵抗モニタ
パターンを用いる場合には、４番目と５番目の折点の間
に目標値があるので、少なくとも４番目の折点が発生す
るまでには、折点発生のタイミング調整を済ませておく
必要がある。具体的には、２番目の折点の発生をまでに
粗調整を済ませ、このデータを基に、３番目の折点の発
生までに微調整をし、それ以降は全面が均等に加工され
るように、ブロック７０の左端部，中央部，右端部の各
ラップ圧を制御する必要がある。
【００８６】ここで、折点発生位置・測定基準線間の間
隔Ｐａやアナログ抵抗値Ｒａの実測値は、ブロック７０
の左端部，中央部，右端部で異なるが、前述の近似式に
代入する場合等は、左端部，中央部，右端部の各値の平
均値を用いる。従って、加工を終了する信号を例にとれ
ば、左端部，中央部，右端部のアナログ抵抗値Ｒａの平
均値が、左端部，中央部，右端部の目標値の平均値に到
達した時点で、中央処理装置６３からラップ制御盤６６
に終了信号が出力される。
【００８７】尚、上記説明では、折点を５個設けたが、
これに限る必要がないことは言うまでもない。又、磁気
抵抗効果型ヘッドの素子高さを例にとって説明したが、
薄膜ヘッドのギャップ深さを所定の値に加工する場合に
ついても、全く同様である。
【００８８】
【発明の効果】以上説明したように、磁気抵抗効果型ヘ
ッドを含む磁気ヘッドの製造方法に関する第１の発明に
よれば、磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さを低くする方
向の加工が進むにつれて、第１の抵抗パターンの面積が
ほぼ直線的に減少し、第２の抵抗パターンの面積がほぼ
折線的に減少する。第２の抵抗パターンの面積変化が折
点を示す位置は既知であり、この位置まで加工が進んだ
か否かは、面積変化の折点が抵抗値変化の折点として現
れるため、抵抗値変化の折点の発生を検出することで容
易且つ正確に知ることができる。
【００８９】そこで、第２の抵抗パターンの抵抗値変化
における折点の発生と、この折点発生時における第１の
抵抗パターンの抵抗値とを対応させ、素子高さを低くす
る加工を終了するタイミングを、第１の抵抗パターンの
抵抗値に基づいて求めることができるので、抵抗パター
ンの膜厚や比抵抗の変動の影響を受けずに、磁気抵抗効
果型ヘッドの素子高さを所定の値に正確に加工でき、且
つ、自動化にも対応できる。
【００９０】特に、第２の抵抗パターンの抵抗値変化が
折点を示す時刻での第１の抵抗パターンの抵抗値を、少
なくとも３つの折点にて求め、３個の折点での抵抗値を
用いて、磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さの加工位置と
第１の抵抗パターンの抵抗値との関係を２次曲線で予測
し、この予測した２次曲線に基づき、目標とする素子高
さでの第１の抵抗パターンの抵抗値を算出し、この算出
した抵抗値に第１の抵抗パターンの実測抵抗値が到達し
たタイミングとほぼ同期して、加工工程における素子高
さを低くする加工を終了すると、高精度な加工を行うこ
とができる。
【００９１】薄膜ヘッドを含む磁気ヘッドの製造方法に
関する第２の発明によっても、薄膜ヘッドのギャップ深
さを浅くする方向の加工が進むにつれて、第１の抵抗パ
ターンの面積がほぼ直線的に減少し、第２の抵抗パター
ンの面積がほぼ折線的に減少する。第２の抵抗パターン
の面積変化が折点を示す位置は既知であり、この位置ま
で加工が進んだか否かは、面積変化の折点が抵抗値変化
の折点として現れるため、抵抗値変化の折点の発生を検
出することで容易且つ正確に知ることができる。
【００９２】そこで、第２の抵抗パターンの抵抗値変化
における折点の発生と、この折点発生時における第１の
抵抗パターンの抵抗値とを対応させ、ギャップ深さを浅
くする加工を終了するタイミングを、第１の抵抗パター
ンの抵抗値に基づいて求めることができるので、抵抗パ
ターンの膜厚や比抵抗の変動の影響を受けずに、薄膜ヘ
ッドのギャップ深さを所定の値に正確に加工でき、且
つ、自動化にも対応できる。
【００９３】特に、第２の抵抗パターンの抵抗値変化が
折点を示す時刻での第１の抵抗パターンの抵抗値を、少
なくとも３つの折点にて求め、３個の折点での抵抗値を
用いて、薄膜ヘッドのギャップ深さの加工位置と第１の
抵抗パターンの抵抗値との関係を２次曲線で予測し、こ
の予測した２次曲線に基づき、目標とするギャップ深さ
での第１の抵抗パターンの抵抗値を算出し、この算出し
た抵抗値に第１の抵抗パターンの実測抵抗値が到達した
タイミングとほぼ同期して、加工工程におけるギャップ
深さを浅くする加工を終了すると、高精度な加工を行う
ことができる。
【００９４】
【００９５】
【００９６】
【００９７】
【００９８】上記各発明において、抵抗モニタパターン
をブロックの双方の端部と中央部とに設ければ、一層加
工精度を上げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明で用いる抵抗モニタパターンの一例を示
す図である。
【図２】磁気ヘッド成膜後のウエハを示す図である。
【図３】ブロックの形状を示す図である。
【図４】素子高さの加工位置に対するアナログ抵抗値の
変化及びディジタル抵抗値の変化を示す図である。
【図５】抵抗低下層の他のパターンを示す図である。
【図６】製造プロセスを示す図である。
【図７】製造プロセスを示す図である。
【図８】製造プロセスを示す図である。
【図９】加工の終了タイミングの決定手順を示す流れ図
である。
【図１０】加工の終了タイミングの他の決定手順を示す
流れ図である。
【図１１】加工の終了タイミングの他の決定手順を示す
流れ図である。
【図１２】３箇所のラップ圧を独立に制御しながらブロ
ックをラップ盤側に押圧し、加工を行う場合の構成図で
ある。
【図１３】複合型の磁気ヘッドの主要部を示す図であ
る。
【図１４】図１３中の磁気抵抗効果素子部及び導体層を
示す平面図である。
【図１５】図１３における磁気ヘッドを磁気記録媒体側
から見たときのギャップ近傍の積層構造を示す断面図で
ある。
【符号の説明】 Ｐ：ラップ面 １：ウエハ ２：ブロック ３：磁気ヘッド ４：抵抗モニタパターン ５：加工マーカー ４０：抵抗モニタパターン ４１，４２：抵抗パターン ４３〜４７：空白窓 ４８〜５０：端子 ５１：磁気抵抗効果素子部 ６０Ｌ，６０Ｃ，６０Ｒ：抵抗モニタパターン ６１Ｌ，６１Ｃ，６１Ｒ：抵抗検出回路 ６２Ｌ，６２Ｃ，６２Ｒ：ディジタル信号プロセッサ ６３：中央処理装置 ６５Ｌ，６５Ｃ，６５Ｒ：圧力発生機構 ６６：ラップ制御盤 ６７：貼り付け治具 ６８：固定爪 ７０：ブロック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/39 G11B 5/187 G11B 5/31

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気抵抗効果型ヘッドを含む磁気ヘッド
    をウエハ上に成膜するウエハ工程と、前記ウエハから複
    数の磁気ヘッドが配列されたブロックを切り出す切り出
    し工程と、前記ブロック単位で前記磁気抵抗効果型ヘッ
    ドの磁気抵抗効果素子部を所定の高さに加工する加工工
    程とを含む磁気ヘッドの製造方法において、 前記磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さを低くする方向の
    加工が進むにつれて面積がほぼ直線的に減少する第１の
    抵抗パターンと、前記磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さ
    を低くする方向の加工が進むにつれて面積がほぼ折線的
    に減少する第２の抵抗パターンとからなる抵抗モニタパ
    ターンを、前記ウエハ工程時に、ウエハのブロック上に
    形成しておき、 前記第２の抵抗パターンの抵抗値変化が折点を示す時刻
    での前記第１の抵抗パターンの抵抗値を、少なくとも３
    つの折点にて求め、３個の折点での抵抗値を用いて、前
    記磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さの加工位置と前記第
    １の抵抗パターンの抵抗値との関係を２次曲線で予測
    し、この予測した２次曲線に基づき、目標とする素子高
    さでの前記第１の抵抗パターンの抵抗値を算出し、この
    算出した抵抗値に前記第１の抵抗パターンの実測抵抗値
    が到達したタイミングとほぼ同期して、前記加工工程に
    おける素子高さを低くする加工を終了する ことを特徴と
    する磁気ヘッドの製造方法。
  2. 【請求項２】 薄膜ヘッドを含む磁気ヘッドをウエハ上
    に成膜するウエハ工程と、前記ウエハから複数の磁気ヘ
    ッドが配列されたブロックを切り出す切り出し工程と、
    前記ブロック単位で前記薄膜ヘッドのギャップを所定の
    深さに加工する加工工程とを含む磁気ヘッドの製造方法
    において、 前記薄膜ヘッドのギャップ深さを浅くする方向の加工が
    進むにつれて面積がほぼ直線的に減少する第１の抵抗パ
    ターンと、前記薄膜ヘッドのギャップ深さを浅くする方
    向の加工が進むにつれて面積がほぼ折線的に減少する第
    ２の抵抗パターンとからなる抵抗モニタパターンを、前
    記ウエハ工程時に、ウエハのブロック上に形成してお
    き、 前記第２の抵抗パターンの抵抗値変化が折点を示す時刻
    での前記第１の抵抗パ ターンの抵抗値を、少なくとも３
    つの折点にて求め、３個の折点での抵抗値を用いて、前
    記薄膜ヘッドのギャップ深さの加工位置と前記第１の抵
    抗パターンの抵抗値との関係を２次曲線で予測し、この
    予測した２次曲線に基づき、目標とするギャップ深さで
    の前記第１の抵抗パターンの抵抗値を算出し、この算出
    した抵抗値に前記第１の抵抗パターンの実測抵抗値が到
    達したタイミングとほぼ同期して、前記加工工程におけ
    るギャップ深さを浅くする加工を終了するようにしたこ
    とを特徴とする 磁気ヘッドの製造方法。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5545186A (en) 1995-03-30 1996-08-13 Medtronic, Inc. Prioritized rule based method and apparatus for diagnosis and treatment of arrhythmias
DE69702845T2 (de) 1996-05-14 2000-12-21 Medtronic Inc Sich auf prioritätsregeln beziehendes gerät für diagnose und behandlung von herzarhythmie
JPH10289413A (ja) * 1997-04-10 1998-10-27 Fujitsu Ltd 磁気ヘッドの製造方法
JPH10286766A (ja) * 1997-04-10 1998-10-27 Fujitsu Ltd 薄膜素子の自動ラッピング方法及びその装置
JP3439129B2 (ja) 1998-08-25 2003-08-25 富士通株式会社 磁気ヘッドの製造方法
US6344951B1 (en) * 1998-12-14 2002-02-05 Alps Electric Co., Ltd. Substrate having magnetoresistive elements and monitor element capable of preventing a short circuit
US6347983B1 (en) 1999-06-09 2002-02-19 Seagate Technology Llc ELG for both MRE sensor height and resistance monitoring
US6567691B1 (en) 2000-03-22 2003-05-20 Medtronic, Inc. Method and apparatus diagnosis and treatment of arrhythias
JP4119751B2 (ja) 2000-11-28 2008-07-16 メドトロニック・インコーポレーテッド 埋め込み可能な医療装置
JP3437834B2 (ja) * 2001-01-19 2003-08-18 ティーディーケイ株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドにおける薄膜パターンの形成方法
US6700738B1 (en) 2001-03-16 2004-03-02 Kyusik Sin Read/write head coil tap having upper and lower portions
KR100390908B1 (ko) * 2001-04-30 2003-07-10 주식회사 하이닉스반도체 선택적 에피택셜 성장 공정 평가용 마스크
US6718204B2 (en) * 2001-07-30 2004-04-06 Medtronic, Inc. Method and apparatus to control delivery of high-voltage and anti-tachy pacing therapy in an implantable medical device
US6892094B2 (en) * 2002-04-30 2005-05-10 Medtronic, Inc. Combined anti-tachycardia pacing (ATP) and high voltage therapy for treating ventricular arrhythmias
US7076298B2 (en) * 2002-06-14 2006-07-11 Medtronic, Inc. Method and apparatus for prevention of arrhythmia clusters using overdrive pacing
US6786803B2 (en) 2002-11-19 2004-09-07 International Business Machines Corporation Onboard multiphase electronic lapping guide design for MR heads
US7149577B2 (en) * 2002-12-02 2006-12-12 Medtronic, Inc. Apparatus and method using ATP return cycle length for arrhythmia discrimination
JP2006216719A (ja) * 2005-02-02 2006-08-17 Fujitsu Ltd チップ実装用基板の製造方法およびめっき膜の形成方法
US7536773B2 (en) * 2005-09-19 2009-05-26 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method of configuring a sensor for a hard disk drive
US9442171B2 (en) * 2008-01-09 2016-09-13 Seagate Technology Llc Magnetic sensing device with reduced shield-to-shield spacing
US7974047B2 (en) * 2008-09-02 2011-07-05 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Current perpendicular to plane differential magnetoresistance read head design using a current confinement structure proximal to an air bearing surface

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4511942A (en) * 1982-05-07 1985-04-16 Computer & Communications Technology Corp. Automatic throat height control for film heads
JPS61182618A (ja) * 1985-02-07 1986-08-15 Fujitsu Ltd 薄膜磁気ヘツドのギヤツプ深さ検出法
JPS6212911A (ja) * 1985-07-10 1987-01-21 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘツドの製造法
KR890016509A (ko) * 1988-04-06 1989-11-29 이우에 사또시 박막 자기헤드의 가공량 검지용 마커 및 이 마커를 사용한 박막 자기헤드의 제조 방법
US5023991A (en) * 1988-08-31 1991-06-18 Digital Equipment Corporation Electrical guide for tight tolerance machining
US5175938A (en) * 1988-08-31 1993-01-05 Digital Equipment Corporation Electrical guide for tight tolerance machining
US5331495A (en) * 1990-06-11 1994-07-19 Fuji Photo Film Co., Ltd. Thin film magnetic head and methods for producing same
US5523539A (en) * 1993-11-12 1996-06-04 Conner Peripherals, Inc. Process for manufacturing recording heads for magnetic storage devices
US5612843A (en) * 1994-12-06 1997-03-18 Packard; Edward L. Method for accurately setting the gap in an inductive magnetic head
US5722155A (en) * 1996-01-11 1998-03-03 Seagate Technology, Inc. Machining guide method for magnetic recording reproduce heads
US5742995A (en) * 1996-05-24 1998-04-28 Seagate Technology, Inc. Method to predict an accurate MR sensor dimension when viewed from abs
US5738566A (en) * 1997-03-31 1998-04-14 Seagate Technology, Inc. Lapping guide system, method and article of manufacture

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