JPH0589432A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPH0589432A JPH0589432A JP25096891A JP25096891A JPH0589432A JP H0589432 A JPH0589432 A JP H0589432A JP 25096891 A JP25096891 A JP 25096891A JP 25096891 A JP25096891 A JP 25096891A JP H0589432 A JPH0589432 A JP H0589432A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 デジタル方式の磁気記録再生装置に使用され
る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、薄膜成分誤差，
膜厚，抵抗体断線等を解決し、複数のヘッドのギャップ
深さを高精度に均一に加工できるヘッド製造方法を提供
することを目的とする。 【構成】 マルチトラック薄膜磁気ヘッドバーの両端に
抵抗体Ｒ１〜Ｒ３を設け、研削加工前にＲ３の値を測定
し、理論値との比較を行い、Ｒ１・Ｒ２の抵抗値を矯正
する。研削加工に際して、Ｒ１を用いて制御を行い、加
工終了時の影響を受けないギャップの高精度で均一な研
削加工することのできるヘッドの製造方法が得られる。
る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、薄膜成分誤差，
膜厚，抵抗体断線等を解決し、複数のヘッドのギャップ
深さを高精度に均一に加工できるヘッド製造方法を提供
することを目的とする。 【構成】 マルチトラック薄膜磁気ヘッドバーの両端に
抵抗体Ｒ１〜Ｒ３を設け、研削加工前にＲ３の値を測定
し、理論値との比較を行い、Ｒ１・Ｒ２の抵抗値を矯正
する。研削加工に際して、Ｒ１を用いて制御を行い、加
工終了時の影響を受けないギャップの高精度で均一な研
削加工することのできるヘッドの製造方法が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッドのギャッ
プ深さを高精度に均一加工形成することのできる薄膜磁
気ヘッドの製造方法に関するものである。
プ深さを高精度に均一加工形成することのできる薄膜磁
気ヘッドの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】デジタル方式の磁気記録再生装置に適用
される薄膜磁気ヘッドにおいては、高密度化を実現する
ために、各トラックを構成する薄膜磁気ヘッド（以下、
ヘッドと称する。）の電磁変換ギャップ（以下、ギャッ
プと称する。）のギャップ深さを高密度に均一加工形成
することが必要である。一般的にヘッドの薄膜形成工程
では、図１に示すように複数のヘッドを配列したパター
ンを用い、薄膜形成技術により基板１上に複数個のヘッ
ド２（図１では４２個）を同時に形成する。このヘッド
２は基板１を行列方向に切断することにより、個々のマ
ルチトラックヘッドチップ（以下、チップと称する。）
に分離される。図８は該チップを示し、チップ基板上に
はトラック数相当のヘッド３（図８では１２トラック）
が配置されている。図８のＡ−Ａ断面図を示すと図９の
ようになり、ヘッド３上における上記ギャップ深さは図
９にＤで示される部分の長さに相当する。ここでギャッ
プ深さＤはチップ毎に高精度に均一形成されなければな
らないことはさきに述べたが、この加工に関しては従来
から種々の方法が示されている。例えば特公昭５９−２
２１９号公報にはヘッドの各ギャップ毎に複数個の研削
加工量検知用抵抗体（以下、抵抗体と称する。）を設
け、加工の進行に伴う上記抵抗体の抵抗値の変化を測定
し、加工時のギャップの傾きを補正する方法が開示され
ている。さらに特公昭６１−１１７７１７号公報には生
産性を向上させるために基板から各行に切断したマルチ
トラック薄膜磁気ヘッドバー（以下、バーと称する。）
の両端に抵抗体を設け、研摩加工の進行に伴う上記抵抗
体の抵抗値の変化を測定し、加工時のギャップの傾きを
補正する方法が開示されている。
される薄膜磁気ヘッドにおいては、高密度化を実現する
ために、各トラックを構成する薄膜磁気ヘッド（以下、
ヘッドと称する。）の電磁変換ギャップ（以下、ギャッ
プと称する。）のギャップ深さを高密度に均一加工形成
することが必要である。一般的にヘッドの薄膜形成工程
では、図１に示すように複数のヘッドを配列したパター
ンを用い、薄膜形成技術により基板１上に複数個のヘッ
ド２（図１では４２個）を同時に形成する。このヘッド
２は基板１を行列方向に切断することにより、個々のマ
ルチトラックヘッドチップ（以下、チップと称する。）
に分離される。図８は該チップを示し、チップ基板上に
はトラック数相当のヘッド３（図８では１２トラック）
が配置されている。図８のＡ−Ａ断面図を示すと図９の
ようになり、ヘッド３上における上記ギャップ深さは図
９にＤで示される部分の長さに相当する。ここでギャッ
プ深さＤはチップ毎に高精度に均一形成されなければな
らないことはさきに述べたが、この加工に関しては従来
から種々の方法が示されている。例えば特公昭５９−２
２１９号公報にはヘッドの各ギャップ毎に複数個の研削
加工量検知用抵抗体（以下、抵抗体と称する。）を設
け、加工の進行に伴う上記抵抗体の抵抗値の変化を測定
し、加工時のギャップの傾きを補正する方法が開示され
ている。さらに特公昭６１−１１７７１７号公報には生
産性を向上させるために基板から各行に切断したマルチ
トラック薄膜磁気ヘッドバー（以下、バーと称する。）
の両端に抵抗体を設け、研摩加工の進行に伴う上記抵抗
体の抵抗値の変化を測定し、加工時のギャップの傾きを
補正する方法が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述の方法には基板製
造時の薄膜成分誤差および薄膜形成時の寸法誤差の修
正、研削加工に伴い発生する研削クラックによる抵抗体
の切断による制御不良、抵抗体の初期抵抗値以外に外部
抵抗の影響等に問題がありその都度加工量の調整を行う
必要があった。
造時の薄膜成分誤差および薄膜形成時の寸法誤差の修
正、研削加工に伴い発生する研削クラックによる抵抗体
の切断による制御不良、抵抗体の初期抵抗値以外に外部
抵抗の影響等に問題がありその都度加工量の調整を行う
必要があった。
【０００４】本発明は従来のヘッド製造方法における上
述の問題点を解消し、複数のヘッドのギャップ深さを高
精度に均一に研削加工することのできるヘッド製造方法
を提供することである。
述の問題点を解消し、複数のヘッドのギャップ深さを高
精度に均一に研削加工することのできるヘッド製造方法
を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段は次のようになる。
の手段は次のようになる。
【０００６】本発明の薄膜磁気ヘッドは、前述のバーの
電極変換に必要とされるギャップ深さに対応する直線上
に、直線と直交する２列以上の抵抗体をバー両端に１対
配置し、研削加工量を抵抗体の抵抗値により測定し、そ
れぞれが理論的に設定された抵抗値より大きい場合、制
御する抵抗体を切換えることで、抵抗体の一部が切断さ
れても、ギャップ深さの研削加工を制御することができ
る。
電極変換に必要とされるギャップ深さに対応する直線上
に、直線と直交する２列以上の抵抗体をバー両端に１対
配置し、研削加工量を抵抗体の抵抗値により測定し、そ
れぞれが理論的に設定された抵抗値より大きい場合、制
御する抵抗体を切換えることで、抵抗体の一部が切断さ
れても、ギャップ深さの研削加工を制御することができ
る。
【０００７】またヘッドは、ギャップ深さ方向に複数列
の抵抗体を有する研削加工量検知素子を、ギャップ深さ
に対応する直線上に少なくとも１対以上配置し、加工前
に抵抗値を測定し、薄膜設計時の理論抵抗値と比較する
ことで、基板制御時の薄膜成分誤差および薄膜形成時の
寸法誤差を修正し、均一なギャップ深さを確保できる機
構を備えたものである。
の抵抗体を有する研削加工量検知素子を、ギャップ深さ
に対応する直線上に少なくとも１対以上配置し、加工前
に抵抗値を測定し、薄膜設計時の理論抵抗値と比較する
ことで、基板制御時の薄膜成分誤差および薄膜形成時の
寸法誤差を修正し、均一なギャップ深さを確保できる機
構を備えたものである。
【０００８】また、本発明はバーの電磁変換に必要とさ
れるギャップ深さに対応する直線上の両端に、電気的に
直列接続された複数の抵抗体からなる抵抗体列と、この
抵抗体列の各抵抗体に各一端が接続された引き出し電極
と、これらの引き出し電極の各他端間を前記端面に順次
偏移した位置で接続する偏移抵抗体と、前述抵抗体列の
両端に接続され、該抵抗体列の直列抵抗を測定するため
の測定用電極とを形成することで、抵抗体の初期抵抗値
を大きくし、抵抗体以外の外部抵抗の影響を排除するこ
とができる機構を備えたものである。
れるギャップ深さに対応する直線上の両端に、電気的に
直列接続された複数の抵抗体からなる抵抗体列と、この
抵抗体列の各抵抗体に各一端が接続された引き出し電極
と、これらの引き出し電極の各他端間を前記端面に順次
偏移した位置で接続する偏移抵抗体と、前述抵抗体列の
両端に接続され、該抵抗体列の直列抵抗を測定するため
の測定用電極とを形成することで、抵抗体の初期抵抗値
を大きくし、抵抗体以外の外部抵抗の影響を排除するこ
とができる機構を備えたものである。
【０００９】
【作用】本発明は上記したことによって、以下のことと
なる。
なる。
【００１０】通常はバーのギャップ深さに対応する直線
に直交する２列以上の抵抗体（一端の抵抗体は他端抵抗
体にそれぞれ対応する。）を同時に測定し、それぞれが
理論的に設定された抵抗値より大きい場合、読み取り値
を除外し残った１列を用い、研削加工量を抵抗体の抵抗
値により測定し、前記ギャップ深さを制御することとな
る。その結果抵抗体の一部が切断されても従来のよう
に、制御が困難にならず円滑な制御が可能となるのであ
る。
に直交する２列以上の抵抗体（一端の抵抗体は他端抵抗
体にそれぞれ対応する。）を同時に測定し、それぞれが
理論的に設定された抵抗値より大きい場合、読み取り値
を除外し残った１列を用い、研削加工量を抵抗体の抵抗
値により測定し、前記ギャップ深さを制御することとな
る。その結果抵抗体の一部が切断されても従来のよう
に、制御が困難にならず円滑な制御が可能となるのであ
る。
【００１１】加工前にギャップ深さ方向に複数列の抵抗
体を有する研削加工量検知素子（基板切断時に１列は切
断端面に露出するようにし、残りは切断時にその影響を
受けない位置に抵抗体を設定する。）の影響を受けない
位置の抵抗体の抵抗値を測定し、薄膜設計時の理論抵抗
値と比較の上、その遊離した値により変化曲線の係数を
矯正することで、前記ギャップ深さを制御することとな
る。この結果研削加工の初期段階より高精度にギャップ
深さを制御することが可能となる。
体を有する研削加工量検知素子（基板切断時に１列は切
断端面に露出するようにし、残りは切断時にその影響を
受けない位置に抵抗体を設定する。）の影響を受けない
位置の抵抗体の抵抗値を測定し、薄膜設計時の理論抵抗
値と比較の上、その遊離した値により変化曲線の係数を
矯正することで、前記ギャップ深さを制御することとな
る。この結果研削加工の初期段階より高精度にギャップ
深さを制御することが可能となる。
【００１２】前述のバーの電磁変換に必要とされるギャ
ップ深さに対応する直線上の両端に、電気的に直列接続
された複数の抵抗体からなる抵抗体列と、この抵抗体列
の各抵抗体に各一端が接続された引き出し電極と、これ
らの引き出し電極の各他端間を前記端面に順次偏移した
位置で接続する偏移抵抗体と、前記抵抗体列の両端に接
続され、該抵抗体列の直列抵抗を測定するための測定用
電極とを形成することで、従来の抵抗体に比べ同一研削
量で抵抗体の初期抵抗値を高く設定されるようになる。
この結果バーが取り付けられた状態で従来のように、バ
ー以外の外部の抵抗の影響を受けずに円滑な制御が可能
となるのである。
ップ深さに対応する直線上の両端に、電気的に直列接続
された複数の抵抗体からなる抵抗体列と、この抵抗体列
の各抵抗体に各一端が接続された引き出し電極と、これ
らの引き出し電極の各他端間を前記端面に順次偏移した
位置で接続する偏移抵抗体と、前記抵抗体列の両端に接
続され、該抵抗体列の直列抵抗を測定するための測定用
電極とを形成することで、従来の抵抗体に比べ同一研削
量で抵抗体の初期抵抗値を高く設定されるようになる。
この結果バーが取り付けられた状態で従来のように、バ
ー以外の外部の抵抗の影響を受けずに円滑な制御が可能
となるのである。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
説明する。
【００１４】図１は本発明の実施例を示すもので、基板
１上に配設されたヘッド２と抵抗体Ｒ１との位置関係を
示す説明図である。抵抗体Ｒ１は基板１上の各行のヘッ
ドの両外側に、図１に示すように各ヘッドの切断位置３
と同一直線上に配設されている。また、その他の位置関
係として、各行共に両端のヘッドとの間隔をＷ１、両抵
抗体Ｒ１の距離をＷ０とする。また、各抵抗体Ｒ１の初
期長さＬ１は、ヘッドナップの断面、図９に示したギャ
ップ深さＤに対し数１のような関係にある。
１上に配設されたヘッド２と抵抗体Ｒ１との位置関係を
示す説明図である。抵抗体Ｒ１は基板１上の各行のヘッ
ドの両外側に、図１に示すように各ヘッドの切断位置３
と同一直線上に配設されている。また、その他の位置関
係として、各行共に両端のヘッドとの間隔をＷ１、両抵
抗体Ｒ１の距離をＷ０とする。また、各抵抗体Ｒ１の初
期長さＬ１は、ヘッドナップの断面、図９に示したギャ
ップ深さＤに対し数１のような関係にある。
【００１５】
【数１】
【００１６】上記の構造を有する基板１は、まず各行に
切断され、行方向に一体化されたままでギャップ深さの
研削加工を行う。
切断され、行方向に一体化されたままでギャップ深さの
研削加工を行う。
【００１７】以下、本発明の一実施例について、 （実施例１）図２はギャップ深さの研削加工法を示す説
明図である。
明図である。
【００１８】図２の右外側の抵抗体をＲ２（Ｒ）、左外
側の抵抗体をＲ２（Ｌ）、同様に内側の抵抗体もそれぞ
れＲ３（Ｒ），Ｒ３（Ｌ）とする。
側の抵抗体をＲ２（Ｌ）、同様に内側の抵抗体もそれぞ
れＲ３（Ｒ），Ｒ３（Ｌ）とする。
【００１９】最終目標となるそれぞれの抵抗体長さをＤ
２・Ｄ３とし、その時の抵抗体の抵抗値は、それぞれΩ
２・Ω３となる。
２・Ｄ３とし、その時の抵抗体の抵抗値は、それぞれΩ
２・Ω３となる。
【００２０】ここで、加工途中（Ｂ−Ｂ断面）での抵抗
体Ｒ２（Ｒ）・Ｒ２（Ｌ）の長さの差ΔＬ２，抵抗体Ｒ
３（Ｒ）・Ｒ３（Ｌ）の長さの差ΔＬ３および該ΔＬ
２，ΔＬ３に相当する傾きΔθについて考える。
体Ｒ２（Ｒ）・Ｒ２（Ｌ）の長さの差ΔＬ２，抵抗体Ｒ
３（Ｒ）・Ｒ３（Ｌ）の長さの差ΔＬ３および該ΔＬ
２，ΔＬ３に相当する傾きΔθについて考える。
【００２１】抵抗体Ｒ２（Ｒ）・Ｒ２（Ｌ）・Ｒ３
（Ｒ）・Ｒ３（Ｌ）の抵抗値をそれぞれω２（Ｒ）・ω
２（Ｌ）・ω３（Ｒ）・ω３（Ｌ）、抵抗体の長さをそ
れぞれＬ２（Ｒ）・Ｌ２（Ｌ）・Ｌ３（Ｒ）・Ｌ３
（Ｌ）とし、抵抗体Ｒ２（Ｒ）・Ｒ２（Ｌ）の幅Ｗ２、
同様にＲ３（Ｒ）・Ｒ３（Ｌ）の幅をＷ３、抵抗体とヘ
ッド２の隙間をＷ４とすると次に関係式が得られる。
（Ｒ）・Ｒ３（Ｌ）の抵抗値をそれぞれω２（Ｒ）・ω
２（Ｌ）・ω３（Ｒ）・ω３（Ｌ）、抵抗体の長さをそ
れぞれＬ２（Ｒ）・Ｌ２（Ｌ）・Ｌ３（Ｒ）・Ｌ３
（Ｌ）とし、抵抗体Ｒ２（Ｒ）・Ｒ２（Ｌ）の幅Ｗ２、
同様にＲ３（Ｒ）・Ｒ３（Ｌ）の幅をＷ３、抵抗体とヘ
ッド２の隙間をＷ４とすると次に関係式が得られる。
【００２２】
【数２】
【００２３】
【数３】
【００２４】
【数４】
【００２５】
【数５】
【００２６】
【数６】
【００２７】
【数７】
【００２８】
【数８】
【００２９】これらの式において、Ｄ２・Ｄ３・Ω２・
Ω３・Ｗ０・Ｗ２は加工開始前に確認可能な既知数であ
る。
Ω３・Ｗ０・Ｗ２は加工開始前に確認可能な既知数であ
る。
【００３０】以上の数２〜数８に基づいて図２のギャッ
プ深さ方向に抵抗体Ｒ２（Ｒ）・Ｒ２（Ｌ）・Ｒ３
（Ｒ）・Ｒ３（Ｌ）の抵抗値を常時測定しつつ研削加工
を行い、加工の進行により全ての抵抗体に加工が及んだ
時点で加工の傾き角Δθを求める。Δθは抵抗体Ｒ２
（Ｒ）とＲ２（Ｌ）、Ｒ３（Ｒ）とＲ３（Ｌ）の抵抗値
により求められる。
プ深さ方向に抵抗体Ｒ２（Ｒ）・Ｒ２（Ｌ）・Ｒ３
（Ｒ）・Ｒ３（Ｌ）の抵抗値を常時測定しつつ研削加工
を行い、加工の進行により全ての抵抗体に加工が及んだ
時点で加工の傾き角Δθを求める。Δθは抵抗体Ｒ２
（Ｒ）とＲ２（Ｌ）、Ｒ３（Ｒ）とＲ３（Ｌ）の抵抗値
により求められる。
【００３１】Δθを求めた後、ヘッドの位置を調整し、
抵抗値がそれぞれΩ２・Ω３に達する迄研削加工を継続
し、Ω２・Ω３に達した時点で加工を終了する。
抵抗値がそれぞれΩ２・Ω３に達する迄研削加工を継続
し、Ω２・Ω３に達した時点で加工を終了する。
【００３２】しかし、加工の進行に伴い、図２のギャッ
プ深さ方向に基板１および薄膜部に研削クラック５（以
下、クラックと称する。）が発生する。図３は、ギャッ
プ深さ方向へ抵抗体上にクラック５が発生した状態を示
す説明図である。図３のクラックの幅ΔＷ、クラックの
深さをΔθとし、引き出し電極６の幅はＥ１、薄膜の比
抵抗をＦ１、薄膜をＴ１とすると、次の関係式が得られ
る。
プ深さ方向に基板１および薄膜部に研削クラック５（以
下、クラックと称する。）が発生する。図３は、ギャッ
プ深さ方向へ抵抗体上にクラック５が発生した状態を示
す説明図である。図３のクラックの幅ΔＷ、クラックの
深さをΔθとし、引き出し電極６の幅はＥ１、薄膜の比
抵抗をＦ１、薄膜をＴ１とすると、次の関係式が得られ
る。
【００３３】
【数９】
【００３４】クラック５の発生していない研削加工にお
いては、Ｒ２（Ｌ）の抵抗値はΩ２以下であるが、クラ
ック５が発生した状態ではＲ２（Ｌ）の抵抗値がΩ２よ
り大きくなる場合が発生する。Ｒ２（Ｌ）がΩ２より大
きくなった時点で、Ｒ２（Ｒ）・Ｒ２（Ｌ）による研削
加工の制御を中止し、Ｒ３（Ｒ）・Ｒ３（Ｌ）による制
御に切り換えることで研削加工終了する。
いては、Ｒ２（Ｌ）の抵抗値はΩ２以下であるが、クラ
ック５が発生した状態ではＲ２（Ｌ）の抵抗値がΩ２よ
り大きくなる場合が発生する。Ｒ２（Ｌ）がΩ２より大
きくなった時点で、Ｒ２（Ｒ）・Ｒ２（Ｌ）による研削
加工の制御を中止し、Ｒ３（Ｒ）・Ｒ３（Ｌ）による制
御に切り換えることで研削加工終了する。
【００３５】以上により抵抗体にクラック５が発生した
場合においてもバーのギャップ深さが正確に研削加工で
きる。
場合においてもバーのギャップ深さが正確に研削加工で
きる。
【００３６】（実施例２）図４は抵抗体の比較，矯正方
法を示す説明図である。
法を示す説明図である。
【００３７】図４の右上側の抵抗体をＲ２（Ｒ）、左上
側の抵抗体をＲ２（Ｌ）、同様に前述抵抗体のＬ４下方
の抵抗体もそれぞれＲ５（Ｒ）・Ｒ５（Ｌ）とする。ま
た、Ｒ２（Ｒ）・Ｒ２（Ｌ）の長さおよび幅をＬ２
（Ｒ）・Ｌ２（Ｌ）・Ｗ２とし、Ｒ５（Ｒ）・Ｒ５
（Ｌ）の長さおよび幅をＬ５，Ｗ５とする。
側の抵抗体をＲ２（Ｌ）、同様に前述抵抗体のＬ４下方
の抵抗体もそれぞれＲ５（Ｒ）・Ｒ５（Ｌ）とする。ま
た、Ｒ２（Ｒ）・Ｒ２（Ｌ）の長さおよび幅をＬ２
（Ｒ）・Ｌ２（Ｌ）・Ｗ２とし、Ｒ５（Ｒ）・Ｒ５
（Ｌ）の長さおよび幅をＬ５，Ｗ５とする。
【００３８】ここで薄膜抵抗素子の比抵抗をＦ２、薄膜
をＴ２とすると次の関係式が求められる。
をＴ２とすると次の関係式が求められる。
【００３９】
【数１０】
【００４０】
【数１１】
【００４１】
【数１２】
【００４２】なお、数１０〜数１２において、全ての数
値は薄膜構造を設計時に決定される数値である。
値は薄膜構造を設計時に決定される数値である。
【００４３】しかし、比抵抗Ｆ２は、薄膜形式の工程に
おいて、最も変動する要素を含んでいる。この比抵抗の
変動を図３の抵抗体Ｒ５（Ｒ）・Ｒ５（Ｌ）を加工前に
測定し、理論比抵抗Ｆ１との比αを数１１，数１２に乗
じることで、薄膜形式工程における誤差成分を吸収する
ことができる。（但し、抵抗体Ｒ５（Ｒ）・Ｒ５（Ｌ）
については、バー切断時に研削クラックの影響の受けな
い位置に設定する。）また、抵抗体Ｒ５（Ｒ）・Ｒ５
（Ｌ）と、Ｒ２（Ｒ）・Ｒ２（Ｌ）との隙間Ｌ４を可能
な限り小さくし、抵抗体Ｒ５（Ｒ）・Ｒ５（Ｌ）の加工
領域内にギャップ深さＤを設定することで、研削加工を
粗加工と仕上加工（精密加工）に区分することが可能と
なり、粗加工において切込量を大きく設定できることで
高効率な研削加工を行うことができる。
おいて、最も変動する要素を含んでいる。この比抵抗の
変動を図３の抵抗体Ｒ５（Ｒ）・Ｒ５（Ｌ）を加工前に
測定し、理論比抵抗Ｆ１との比αを数１１，数１２に乗
じることで、薄膜形式工程における誤差成分を吸収する
ことができる。（但し、抵抗体Ｒ５（Ｒ）・Ｒ５（Ｌ）
については、バー切断時に研削クラックの影響の受けな
い位置に設定する。）また、抵抗体Ｒ５（Ｒ）・Ｒ５
（Ｌ）と、Ｒ２（Ｒ）・Ｒ２（Ｌ）との隙間Ｌ４を可能
な限り小さくし、抵抗体Ｒ５（Ｒ）・Ｒ５（Ｌ）の加工
領域内にギャップ深さＤを設定することで、研削加工を
粗加工と仕上加工（精密加工）に区分することが可能と
なり、粗加工において切込量を大きく設定できることで
高効率な研削加工を行うことができる。
【００４４】実施例１において説明した抵抗体の配列と
本実施例の内容とを組み合わせた図５の構造を取ること
で、研削クラックの影響および比抵抗の変動を受けな
い、高効率の研削加工を行うこともできる。
本実施例の内容とを組み合わせた図５の構造を取ること
で、研削クラックの影響および比抵抗の変動を受けな
い、高効率の研削加工を行うこともできる。
【００４５】（実施例３）図６は抵抗体パターンの配置
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【００４６】図７は、図６の左側の抵抗体パターンを示
したものである。（右側は図７を反転した状態で配置す
る。）図７において、バーのギャップ深さに対応する直
線に平行で切断端面より深さＬ７の位置に電気的に直列
接続された複数の抵抗体Ｒ６からなる抵抗体列を形成す
る。この抵抗体列に垂直な方向に切断端面迄順次階段状
に偏移する偏移抵抗体Ｒ７からなる偏移抵抗体列を設け
る。また、引き出し電極７は、前述の抵抗体列における
抵抗体Ｒ６のそれぞれに各一端が接続され、各他端は偏
移抵抗体Ｒ７に接続される。そして、抵抗体列および偏
移抵抗体列の両端に抵抗値を測定するための測定用電極
６が接続する。
したものである。（右側は図７を反転した状態で配置す
る。）図７において、バーのギャップ深さに対応する直
線に平行で切断端面より深さＬ７の位置に電気的に直列
接続された複数の抵抗体Ｒ６からなる抵抗体列を形成す
る。この抵抗体列に垂直な方向に切断端面迄順次階段状
に偏移する偏移抵抗体Ｒ７からなる偏移抵抗体列を設け
る。また、引き出し電極７は、前述の抵抗体列における
抵抗体Ｒ６のそれぞれに各一端が接続され、各他端は偏
移抵抗体Ｒ７に接続される。そして、抵抗体列および偏
移抵抗体列の両端に抵抗値を測定するための測定用電極
６が接続する。
【００４７】ここで、抵抗体列を構成する幅Ｗ６，長さ
Ｌ７の抵抗体Ｒ６の抵抗値ｒ６および偏移抵抗体列を構
成する幅Ｗ６，長さＬ８の抵抗体Ｒ７の抵抗値ｒ７よ
り、比抵抗Ｆ２，膜厚Ｔ２抵抗体列の幅Ｗ２および全体
の抵抗値をｒとすると次の関係式が得られる。
Ｌ７の抵抗体Ｒ６の抵抗値ｒ６および偏移抵抗体列を構
成する幅Ｗ６，長さＬ８の抵抗体Ｒ７の抵抗値ｒ７よ
り、比抵抗Ｆ２，膜厚Ｔ２抵抗体列の幅Ｗ２および全体
の抵抗値をｒとすると次の関係式が得られる。
【００４８】
【数１３】
【００４９】
【数１４】
【００５０】
【数１５】
【００５１】
【数１６】
【００５２】
【数１７】
【００５３】
【数１８】
【００５４】数１８より、従来の抵抗に比べ同一研削量
で初期抵抗値を高く設定される。この結果バーが取り付
けられた状態で従来のように、バー以外の外部抵抗の影
響を受けずに円滑な制御が可能となる。
で初期抵抗値を高く設定される。この結果バーが取り付
けられた状態で従来のように、バー以外の外部抵抗の影
響を受けずに円滑な制御が可能となる。
【００５５】なお、抵抗体Ｒ６の幅Ｗ６，長さＬ７およ
び抵抗体Ｒ７の幅Ｗ６，長さＬ８の値をそれぞれ変化さ
せることで、要求特性に合わせた変化曲線を得ることも
可能である。
び抵抗体Ｒ７の幅Ｗ６，長さＬ８の値をそれぞれ変化さ
せることで、要求特性に合わせた変化曲線を得ることも
可能である。
【００５６】また、実施例１，実施例２に示した内容と
組み合わせることにより、研削クラックによる影響を受
けず、比抵抗の変動を矯正する高精度な研削加工を行う
こともできる。
組み合わせることにより、研削クラックによる影響を受
けず、比抵抗の変動を矯正する高精度な研削加工を行う
こともできる。
【００５７】
【発明の効果】以上のように本発明は複数のマルチトラ
ック薄膜磁気ヘッドのギャップ深さを形成する研削加工
において、以下の素子を設けることにより、その抵抗値
を制御変数とし研削加工を進行することで薄膜形成時の
成分誤差，研削クラック，外部抵抗の影響のないギャッ
プ深さの絶対加工量と、ヘッド毎の加工量の差の補正を
確保することができる優れた薄膜磁気ヘッドの製造方法
を実現できるものである。
ック薄膜磁気ヘッドのギャップ深さを形成する研削加工
において、以下の素子を設けることにより、その抵抗値
を制御変数とし研削加工を進行することで薄膜形成時の
成分誤差，研削クラック，外部抵抗の影響のないギャッ
プ深さの絶対加工量と、ヘッド毎の加工量の差の補正を
確保することができる優れた薄膜磁気ヘッドの製造方法
を実現できるものである。
【００５８】（１）ギャップ深さと平行な直線上に設け
た少なくとも２個以上の研削加工量検知用抵抗体素子。
た少なくとも２個以上の研削加工量検知用抵抗体素子。
【００５９】（２）ギャップ深さと直交する直線上に複
数の抵抗体素子を設け、その一方を薄膜形成時の成分誤
差矯正用とする研削加工量検知用抵抗体素子 （３）ギャップ深さと平行な直線上に複数の抵抗体から
なる抵抗体列を設け、ギャップ深さに伴い順次偏移する
偏移抵抗体列と各抵抗体毎に並列接続された研削加工量
検知用抵抗体素子。
数の抵抗体素子を設け、その一方を薄膜形成時の成分誤
差矯正用とする研削加工量検知用抵抗体素子 （３）ギャップ深さと平行な直線上に複数の抵抗体から
なる抵抗体列を設け、ギャップ深さに伴い順次偏移する
偏移抵抗体列と各抵抗体毎に並列接続された研削加工量
検知用抵抗体素子。
【図１】本発明の一実施例を示すヘッドと抵抗体の配置
された基板の構成図
された基板の構成図
【図２】本発明の一実施例における基板の加工プロセス
を説明するための図
を説明するための図
【図３】同実施例における研削クラックの状態を説明す
る説明図
る説明図
【図４】本発明の第２の実施例における各素子の配置を
説明する概略説明図
説明する概略説明図
【図５】本発明の第３の実施例を示す概略説明図
【図６】本発明の第４の実施例における薄膜磁気ヘッド
と抵抗体の配置を示した概略説明図
と抵抗体の配置を示した概略説明図
【図７】図６の抵抗体部の要部構成図
【図８】マルチトラックヘッドのヘッドチップの構成図
【図９】図８のＡ−Ａ断面図
１ 基板 ２ マルチトラックヘッドチップ ３ 基板切断位置 ４ ヘッド ５ 研削クラック ６ 測定用電極 ７ 引き出し電極 Ｄ ギャップ深さ Ｒ１〜Ｒ２ 抵抗体素子
Claims (3)
- 【請求項１】 複数個の薄膜により磁気ヘッド部を形成
した薄膜磁気ヘッドの製造方法において、マルチトラッ
ク薄膜磁気ヘッドバー両端に、磁気ヘッドと平行な一端
２列以上の研削加工量検知用抵抗体を配置し、研削加工
時研削加工量を抵抗体の抵抗値により測定し、抵抗値を
研削加工量の代用特性として、ギャップ深さの研削加工
を制御する手段を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、研削加工方向に複数列の抵抗体を有する研
削加工量検知用抵抗体を、マルチトラック薄膜磁気ヘッ
ドバーの両端に少なくとも１対以上配置し、加工前に抵
抗値を測定し、薄膜設計時の理論抵抗値と比較，矯正す
る機構を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法。 - 【請求項３】 薄膜磁気ヘッド素子が形成された基板の
磁気記録媒体側端面上に、前記端面に沿って、順次階段
状に偏移する抵抗体からなる偏移抵抗体列と、端面より
一定の深さの位置にギャップ深さと平行に配列された複
数の抵抗体からなる抵抗体列と、これらの抵抗体列の各
抵抗体をそれぞれ接続する引き出し電極と、前記抵抗体
列の両端に接続され該抵抗体列の直列抵抗を測定するた
めの測定用電極とを形成し、前記端面の加工に際して、
該加工に伴う前記偏移抵抗体の除去による抵抗の変化を
測定することにより、前記ギャップ深さを制御する機構
を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3250968A JP2988051B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 薄膜磁気ヘッドのギャップ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3250968A JP2988051B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 薄膜磁気ヘッドのギャップ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0589432A true JPH0589432A (ja) | 1993-04-09 |
| JP2988051B2 JP2988051B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=17215705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3250968A Expired - Fee Related JP2988051B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 薄膜磁気ヘッドのギャップ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2988051B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100347744C (zh) * | 2004-04-27 | 2007-11-07 | Tdk株式会社 | 利用多个电阻膜研磨薄膜磁性元件条的方法 |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP3250968A patent/JP2988051B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100347744C (zh) * | 2004-04-27 | 2007-11-07 | Tdk株式会社 | 利用多个电阻膜研磨薄膜磁性元件条的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2988051B2 (ja) | 1999-12-06 |
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|---|---|---|---|
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