JPH04362508A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ハードディスクに対し
て記録再生を行うのに好適な薄膜磁気ヘッドの製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜磁気ヘッドにおいては、フロントギ
ャップ部はギャップ磁界の磁束密度に大きく影響するた
め、このフロントギャップ部のデプスを高精度に制御す
ることが、高いヘッド効率を得る上で重要である。通常
、デプス出しは、ヘッドブロック上に下部磁性体、導体
コイル、上部磁性体を順次積層した後、フロントギャッ
プ部の先端側よりバック側へ亘って研磨して行われる。 このデプス出し工程では、研磨の指標となる基準を設け
なければ所定のデプスとすることができないことから、
導体コイルを形成する前に下部磁性体上に平坦化膜を形
成し、この平坦化膜の先端位置をデプス零位置としてい
る。

【０００３】ところで、デプス出しを行う場合、上記平
坦化膜の先端位置を顕微鏡等の光学的手段によって検出
する必要がある。しかしながら、顕微鏡による検出では
、測定時間が非常にかかるばかりか、目視によるため測
定者によりばらつきが生じ、必ずしも正確値な値が得ら
れない。したがって、不正確なデプス零位置を基準とし
てデプス加工を行えば、当然デプス精度が劣化し、ヘッ
ド効率の低下が避けられない。また、上記平坦化膜は、
フォトリソグラフィー技術によって形成されるが、マス
ク合わせの際の位置ずれや、露光条件或いはレジストへ
のハードキュアを行うことによって、ロット毎にその先
端位置がずれてしまう。このため、ロット毎に時間をか
けて平坦化膜の先端位置を検出しなければならず、生産
性の点で非常に不利である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、上述
の従来の実情に鑑みて提案されたものであって、デプス
零位置を簡単に且つ正確に検出することができ、しかも
デプスを高精度に規制することができる生産性に優れた
薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする
。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、下部磁性体上に平坦化膜が形成されこ
の平坦化膜の先端縁がデプス零位置となる薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法において、上記下部磁性体が形成されたヘ
ッドブロック上に上記平坦化膜の先端縁位置によって抵
抗値が変化する位置検出センサを設け、予めこの位置検
出センサの抵抗値によってデプス零位置を検出した後、
これを基準としてデプス出しを行うことを特徴とするも
のである。

【０００６】

【作用】本発明においては、下部磁性体が形成されたヘ
ッドブロック上に平坦化膜の先端位置によって抵抗値が
変化する位置検出センサが設けられているので、その平
坦化膜の先端位置に応じた抵抗値が検出され、この抵抗
値から瞬時にしてデプス零位置が検出される。上記デプ
ス零位置は、抵抗値の変化として検出されるので、目視
による場合に比べ極めて正確な値となる。したがって、
この正確なデプス零位置を基準としてデプス出しを行え
ば、正確なデプスが得られる。

【０００７】

【実施例】以下、本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの製
造方法の具体的な実施例について図面を参照しながら説
明する。薄膜磁気ヘッドを製造するには、先ず、図１に
示すように、Ａｌ２　Ｏ３　−ＴｉＣ等よりなるヘッド
ブロック１上にＦｅ−Ｎｉ等からなる強磁性金属材料を
被着し下部磁性体２を形成する。そしてこれと同時に、
上記ヘッドブロック１の数個所にデプス零位置を検出す
るための位置検出センサを形成する。位置検出センサは
、以下のようにして作製する。

【０００８】先ず、下部磁性体２が形成されていない部
分に、電気抵抗値の比較的高い材料、例えばＴａＳｉＯ
２　等をスパッタリングし、一対の抵抗センサ部３，４
を磁気ギャップのトラック方向で所定間隔となるように
形成する。上記抵抗センサ部３，４は、互いにデプス方
向（図１中矢印Ｘ方向）での長さが異なるように、且つ
単位長さ当たりの抵抗値を同じにするため同一幅として
平面長方形パターンに形成する。以下、長さの短い抵抗
センサ部３を第１の抵抗センサ部３と称し、長さの長い
抵抗センサ部４を第２の抵抗センサ部４と称する。上記
第２の抵抗センサ部４は、後工程でデプス零位置を規制
する平坦化膜をこれら抵抗センサ部３，４及び下部磁性
体２を覆って設けたときに、その先端部がわずかに平坦
化膜の外に出るような位置に形成する。

【０００９】次に、第１の抵抗センサ部３の長手方向で
の両端縁近傍部に上記下部磁性体２と対向する一側縁に
接続してその基端部５ａ，６ａの接続位置が所定間隔と
なるように一対の引き出し線５，６を形成する。上記引
き出し線５，６は、電気抵抗値の無視できるＡｕやＣｕ
等により形成し、基端部５ａ，６ａを抵抗センサ部３に
接続させ、端子として使用する先端部５ｂ，６ｂを磁気
ヘッドのバックギャップ側に導出するように導き全体と
して平面略Ｌ字状となるように形成する。また、第２の
抵抗センサ部４にも同様に、この第２の抵抗センサ部４
の長手方向での略中央部に上記第１の抵抗センサ３とは
反対側の一側縁にその基端部７ａを接続し、端子として
使用する先端部７ｂをバックギャップ側に引き出すよう
にして引き出し線７を平面略Ｌ字状に形成する。

【００１０】次に、図２に示すように、下部磁性体２の
先端部２ａ及び上部磁性体と接続されるバック部２ｂを
除いて下部磁性体２上にデプス零位置を規制するための
絶縁材料よりなる平坦化膜８を形成する。また、上記平
坦化膜８は、上記第１の抵抗センサ部３を完全に覆うよ
うに、且つ第２の抵抗センサ部４の先端部４ａが露出す
るように形成する。この結果、下部磁性体２の先端側に
設けられる平坦化膜８の先端縁８ａがデプス零位置を規
制することになる。

【００１１】次いで、図３に示すように、平坦化膜８の
外に露出した第２の抵抗センサ部４の先端部４ａを完全
に覆うようにして電気抵抗値の低い金属薄膜９を積層す
る。なお、上記金属薄膜９は、平坦化膜８の成膜による
ずれを考慮し、この平坦化膜８の先端縁８ａを跨ぐよう
に余裕を持って大きめに形成する。この結果、第２の抵
抗センサ部４と金属薄膜９とが電気的に接続されること
になる。そしてさらに、上記金属薄膜９の先端側のデプ
ス方向での一側縁に基端部１０ａを接続させて先に第２
の抵抗センサ部４に接続して形成した引き出し線７と同
様の引き出し線１０を形成する。上記引き出し線１０は
、先端部１０ｂをバック側に引き出すように平面略Ｌ字
状に形成し、その先端部１０ｂを端子として使用する。

【００１２】以上のようにして位置検出センサを形成し
た後、図４に示すように、下部磁性体２の先端部２ａ上
にギャップ膜１１を形成する。次いで、上記平坦化膜８
の上に第１のレジスト１２ａを形成した後、この第１の
レジスト層１２ａ上に金属導体を被着しエッチングして
スパイラル状の第１の導体コイル１３ａを形成する。そ
してさらに、この第１の導体コイル１３ａを埋め込むよ
うにして第２のレジスト層１２ｂを形成した後、先の第
１の導体コイル１３ａと同様にして上記第２のレジスト
層１２ｂ上にスパイラル状の第２の導体コイル１３ｂを
形成する。

【００１３】次いで、上記第２の導体コイル１３ｂを覆
って第３のレジスト層１２ｃを形成し、この上に上部磁
性体１４を積層形成する。上部磁性体１４は、スパイラ
ル状とされた第１の導体コイル１３ａ及び第２の導体コ
イル１３ｂの中心部で下部磁性体２と接続するように設
け、この中心部よりフロントギャップ側へ跨がるように
してそのフロントギャップ部でギャップ膜１１を介して
下部磁性体２と対向するように形成する。そして最後に
、上部磁性体１４を保護するためのＡｌ２　Ｏ３　より
なる保護膜１５を上記上部磁性体１４を覆って形成する
。

【００１４】このようにしてヘッドブロック１上に薄膜
磁気ヘッド素子を形成した後、当該ヘッドブロック１を
フロントギャップ部の先端側より研磨する。研磨を行う
に際しては、始めにデプス零位置を先の工程で作製した
位置検出センサで確認する。デプス零位置は、次のよう
にして確認することができる。図５に示すように、第１
の抵抗センサ部３に接続される一対の引き出し線５，６
の基端部５ａ，６ａ間のデプス方向での距離をＬｒ　、
引き出し線５，６の先端部５ｂ，６ｂ間に測定される電
気抵抗値をＲｒ　、第２の抵抗センサ部４の後端側の引
き出し線７の基端部７ａから平坦化膜８の先端縁８ａま
でのデプス方向での距離をＬｓ　、引き出し線７，１０
の先端部７ｂ，１０ｂ間に測定される電気抵抗値をＲｓ
　とした場合、各引き出し線５，６及び７，１０間の抵
抗値は、幅が同じであるから長さに比例する。また、引
き出し線５，６の基端部５ａ，６ａ間の距離Ｌｒ　は予
め設定されており、一方引き出し線７，１０の第２の抵
抗センサ部４への実質的な接続点間距離Ｌｓ　は平坦化
膜８の先端縁８ａの位置で決まる。したがって、測定さ
れる抵抗値は高電気抵抗膜である抵抗センサ部３，４で
決まり、引き出し線５，６，７，１０及び金属薄膜９の
抵抗は無視できるため、次式（１）が成り立つ。Ｌｒ　
：Ｌｓ　＝Ｒｒ　：Ｒｓ　　　・・・式（１）上記Ｒｒ
　、Ｒｓ　を測定すれば、Ｌｒ　は予め判っているから
式（１）より、引き出し線７の基端部７ａから平坦化膜
８の一側縁８ａまでの距離Ｌｓ　を知ることができる。 つまり、この位置検出センサにおいては、平坦化膜８の
成膜された位置に応じて変化する抵抗値により、デプス
零位置が瞬時にして確認される。 したがって、上記平坦化膜８が成膜の際にずれてしまっ
た場合でも、その平坦化膜８の先端縁８ａ位置に応じて
変化する抵抗値により、Ｌｓ　が求まりデプス零位置を
確認することができる。

【００１５】上記デプス零位置を確認したら、今度はこ
のデプス零位置を基準としてヘッドブロック１上に予め
形成しておいた研磨によって電気抵抗値が変化する研磨
用デプスセンサ１６を用いてデプス出しを行う。上記研
磨用デプスセンサ１６の形成位置は予め判っているので
、上記第２の抵抗センサ部４の後端側の引き出し線７の
基端部７ａより、研磨始めとなる研磨用デプスセンサ１
６の先端部１６ａまでの距離を知ることができる。また
、上記Ｌｓ　が既存値であることから、研磨用デプスセ
ンサ１６の先端部１６ａ位置よりデプス零位置までの距
離が判る。したがって、このデータを基に研磨を行えば
、所定の抵抗値となったところで研磨を終了することに
より、所定のデプスが得られる。

【００１６】以上のように、デプス出しをするに際して
は、研磨前に正確なデプス零位置が判っているため、よ
り正確な加工を行うことができるとともに、デプスのば
らつきを抑えることができる。したがって、歩留りはも
ちろんのこと生産性の大幅な向上が図れ、ヘッド効率の
極めて高い薄膜磁気ヘッドを製造することができる。

【００１７】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の製造方法においては、下部磁性体が形成されたヘッ
ドブロック上に平坦化膜の先端縁位置によって抵抗値が
変化する位置検出センサを設けているので、抵抗値の変
化として瞬時に正確なデプス零位置を検出することがで
きる。したがって、この正確に検出されたデプス零位置
を基準にデプス出しを行えば、より正確なデプスを得る
ことができ、歩留りよくヘッド効率の高い薄膜磁気ヘッ
ドを製造することができる。

【００１８】また、平坦化膜が成膜時にずれた場合でも
、そのずれに応じた抵抗値としてデプス零位置が検出さ
れるので、ロット毎にデプス零位置が異なってもこの正
確なデプス零位置を基準としてデプス出し工程で正確な
デプス出しを行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】薄膜磁気ヘッドの製造工程のうち、抵抗センサ
部形成工程を示す平面図である。

【図２】薄膜磁気ヘッドの製造工程のうち、平坦化膜形
成工程を示す平面図である。

【図３】薄膜磁気ヘッドの製造工程のうち、金属薄膜を
形成し位置検出センサを完成する工程を示す平面図であ
る。

【図４】薄膜磁気ヘッド素子形成工程を示す要部拡大断
面図である。

【図５】薄膜磁気ヘッドの製造工程のうち、デプス零位
置検出工程を示す平面図である。

【符号の説明】

１・・・ヘッドブロック ２・・・下部磁性体 ３・・・第１の抵抗センサ部 ４・・・第２の抵抗センサ部 ５，６，７，１０・・・引き出し線 ８・・・平坦化膜 ９・・・金属薄膜 １４・・・上部磁性体

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　下部磁性体上に平坦化膜が形成されこ
   の平坦化膜の先端縁がデプス零位置となる薄膜磁気ヘッ
   ドの製造方法において、上記下部磁性体が形成されたヘ
   ッドブロック上に上記平坦化膜の先端縁位置によって抵
   抗値が変化する位置検出センサを設け、予めこの位置検
   出センサの抵抗値によってデプス零位置を検出した後、
   これを基準としてデプス出しを行うことを特徴とする薄
   膜磁気ヘッドの製造方法。