JPS6313249B2 - - Google Patents
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- JPS6313249B2 JPS6313249B2 JP56173027A JP17302781A JPS6313249B2 JP S6313249 B2 JPS6313249 B2 JP S6313249B2 JP 56173027 A JP56173027 A JP 56173027A JP 17302781 A JP17302781 A JP 17302781A JP S6313249 B2 JPS6313249 B2 JP S6313249B2
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- Japan
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- processing
- thin film
- magnetic head
- film magnetic
- conductor films
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
- G11B5/3166—Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜磁気ヘツドの製造法に係り、更に
詳しくは、薄膜磁気ヘツドの製造過程における複
数個の薄膜磁気ヘツド素子を同一方向に揃えて基
板ブロツクに形成したブロツクの磁気板との対向
面を研摩加工する方法に関するものである。
詳しくは、薄膜磁気ヘツドの製造過程における複
数個の薄膜磁気ヘツド素子を同一方向に揃えて基
板ブロツクに形成したブロツクの磁気板との対向
面を研摩加工する方法に関するものである。
最近、データ記録の高密度化の要求に対応し
て、薄膜磁気ヘツドの研究が盛んに行なわれてい
る。薄膜磁気ヘツドの一例を第１図及び第２図に
示す。図において、２０が基板で、２１が薄膜磁
気ヘツド素子部である。２０Ａが浮上して磁気板
（デイスク）と対向する面である。このヘツドは
大きさは高さ0.9mm、幅４mm（そのうちヘツド素
子部の幅40μｍ）、長さ3.2mmである。素子部２１
において、２２は下地、２３は磁性膜、２４は導
体コイル、２５は端子、２６は保護膜、２７はギ
ヤツプである。このような薄膜磁気ヘツドの製造
に際しては、複数個、例えば５〜10個、の薄膜磁
気ヘツド素子を同一方向に揃えて基板ブロツクに
形成した後、磁気板との対向面を研摩加工して
個々の薄膜磁気ヘツドに切断することによつて行
われている。薄膜磁気ヘツドの製造において重要
な点の一つは、ギヤツプ深さ（第２図における
Ｄ）を高精度に確保することである。このギヤツ
プ深さの精度は、薄膜磁気ヘツド素子を形成した
基板ブロツクの磁気板との対向面の研摩加工精度
による。従つてこの加工の精度が高いことが必要
である。
て、薄膜磁気ヘツドの研究が盛んに行なわれてい
る。薄膜磁気ヘツドの一例を第１図及び第２図に
示す。図において、２０が基板で、２１が薄膜磁
気ヘツド素子部である。２０Ａが浮上して磁気板
（デイスク）と対向する面である。このヘツドは
大きさは高さ0.9mm、幅４mm（そのうちヘツド素
子部の幅40μｍ）、長さ3.2mmである。素子部２１
において、２２は下地、２３は磁性膜、２４は導
体コイル、２５は端子、２６は保護膜、２７はギ
ヤツプである。このような薄膜磁気ヘツドの製造
に際しては、複数個、例えば５〜10個、の薄膜磁
気ヘツド素子を同一方向に揃えて基板ブロツクに
形成した後、磁気板との対向面を研摩加工して
個々の薄膜磁気ヘツドに切断することによつて行
われている。薄膜磁気ヘツドの製造において重要
な点の一つは、ギヤツプ深さ（第２図における
Ｄ）を高精度に確保することである。このギヤツ
プ深さの精度は、薄膜磁気ヘツド素子を形成した
基板ブロツクの磁気板との対向面の研摩加工精度
による。従つてこの加工の精度が高いことが必要
である。
この研摩加工には、通常ラツピング法、ポリシ
ング法等が用いられているが、加工量の制御が難
しい為、加工量を測定するため種々の工夫がされ
ている。加工量に比例して長さが変る目印を入れ
たり、色の異なる樹脂を入れたりしているが、こ
れらの方法で測定する為には、何度も機械を停め
て観察しなければならない欠点がある。
ング法等が用いられているが、加工量の制御が難
しい為、加工量を測定するため種々の工夫がされ
ている。加工量に比例して長さが変る目印を入れ
たり、色の異なる樹脂を入れたりしているが、こ
れらの方法で測定する為には、何度も機械を停め
て観察しなければならない欠点がある。
機械を停止することなく加工量を測定する方法
として次の如き方法がある。即ち、第３図に示す
ような抵抗体を、基板ブロツクの薄膜磁気ヘツド
素子形成面の端部に形成し、加工による電気抵抗
変化により加工量を測定する方法である。第３図
は該抵抗体の正面図、第４図は第３図におけるａ
−ａ線矢視断面図である。基板ブロツク１上に絶
縁膜２を形成し、その上に適宜な間隔で加工面に
直角な２個の導体４を形成し、２個の導体４の間
は、加工面に沿つて幅Ｗ、厚みｔの抵抗体３で接
続してある。導体４間の電気抵抗値RABは次式で
示される。
として次の如き方法がある。即ち、第３図に示す
ような抵抗体を、基板ブロツクの薄膜磁気ヘツド
素子形成面の端部に形成し、加工による電気抵抗
変化により加工量を測定する方法である。第３図
は該抵抗体の正面図、第４図は第３図におけるａ
−ａ線矢視断面図である。基板ブロツク１上に絶
縁膜２を形成し、その上に適宜な間隔で加工面に
直角な２個の導体４を形成し、２個の導体４の間
は、加工面に沿つて幅Ｗ、厚みｔの抵抗体３で接
続してある。導体４間の電気抵抗値RABは次式で
示される。
RAB＝ρ・Ｌ／（Ｗ−ｘ）・ｔ
ここで、ρは抵抗体３の比抵抗、Ｌに導体４間
の距離、ｘは矢印方向に加工した場合の加工量で
ある。ρ／ｔ及びＬは加工前後で変化しないた
め、RAB値を測定することによりｘの値を求める
ことができる。
の距離、ｘは矢印方向に加工した場合の加工量で
ある。ρ／ｔ及びＬは加工前後で変化しないた
め、RAB値を測定することによりｘの値を求める
ことができる。
しかしながら、この方式による場合は、切り込
み加工による抵抗値の変化、即ちｘの変化による
RAB値の変化が少なく、又抵抗体そのものを切り
込み加工する為、素子の形成精度や加工の影響を
受け抵抗値の検出にばらつきを生じ、高精度の加
工量の制御は難しい。
み加工による抵抗値の変化、即ちｘの変化による
RAB値の変化が少なく、又抵抗体そのものを切り
込み加工する為、素子の形成精度や加工の影響を
受け抵抗値の検出にばらつきを生じ、高精度の加
工量の制御は難しい。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、薄膜磁気ヘツド素子を形成したブロツクの
磁気板との対向面の研摩加工に際して、加工量を
検知しながら加工量を高精度に制御し、高精度の
薄膜磁気ヘツドを能率よく製造する方法を提供す
るにある。
くし、薄膜磁気ヘツド素子を形成したブロツクの
磁気板との対向面の研摩加工に際して、加工量を
検知しながら加工量を高精度に制御し、高精度の
薄膜磁気ヘツドを能率よく製造する方法を提供す
るにある。
本発明による薄膜磁気ヘツドの製造法は、複数
個の薄膜磁気ヘツド素子を同一方向に揃えて一面
に形成した基板ブロツクの磁気板との対向面を研
摩加工後切断して個々の薄膜磁気ヘツドとする薄
膜磁気ヘツドの製造法において、基板ブロツクの
薄膜磁気ヘツド素子形成面の端部に該ヘツドと関
連させて絶縁膜を介して、加工面に直角な複数個
の縦の導体膜を形成し、該縦導体膜を加工面より
離隔せる個所にて抵抗体で互に接続すると共に、
互に隣接する２個の縦導体膜の間をそれぞれ加工
面より異なる距離の横の導体膜にて接続し、加工
の進行に伴つて切除される横導体膜の個数により
段階的に変化する両端の縦導体膜間の電気抵抗値
により加工量を検知することを特徴とする方法で
ある。
個の薄膜磁気ヘツド素子を同一方向に揃えて一面
に形成した基板ブロツクの磁気板との対向面を研
摩加工後切断して個々の薄膜磁気ヘツドとする薄
膜磁気ヘツドの製造法において、基板ブロツクの
薄膜磁気ヘツド素子形成面の端部に該ヘツドと関
連させて絶縁膜を介して、加工面に直角な複数個
の縦の導体膜を形成し、該縦導体膜を加工面より
離隔せる個所にて抵抗体で互に接続すると共に、
互に隣接する２個の縦導体膜の間をそれぞれ加工
面より異なる距離の横の導体膜にて接続し、加工
の進行に伴つて切除される横導体膜の個数により
段階的に変化する両端の縦導体膜間の電気抵抗値
により加工量を検知することを特徴とする方法で
ある。
以下、本発明の方法を実施例に使用する導体膜
パターンを示す第５図及び第６図に基づいて説明
する。
パターンを示す第５図及び第６図に基づいて説明
する。
この方法においては、先ず複数個の薄膜磁気ヘ
ツド素子を形成した基板ブロツクの面の端部に、
該ヘツド素子と関連させて、第５図及び第６図に
示すような導体膜パターンを形成する。
ツド素子を形成した基板ブロツクの面の端部に、
該ヘツド素子と関連させて、第５図及び第６図に
示すような導体膜パターンを形成する。
第５図及び第６図に示すように、基板１１上に
絶縁膜１２を介して加工面（第６図に加工方向を
矢印で示す。）に直角な複数個の縦の導体膜１４
（A1，A2，………Ao-1，Ao，Ao+1）が形成され
ている。縦導体膜１４は加工面より離隔せる個所
で抵抗体１３で接続されている。また、互に隣接
する２個の縦導体膜１４の間をそれぞれ加工面よ
り異なる距離の横の導体膜１４′で接続してある。
絶縁膜１２を介して加工面（第６図に加工方向を
矢印で示す。）に直角な複数個の縦の導体膜１４
（A1，A2，………Ao-1，Ao，Ao+1）が形成され
ている。縦導体膜１４は加工面より離隔せる個所
で抵抗体１３で接続されている。また、互に隣接
する２個の縦導体膜１４の間をそれぞれ加工面よ
り異なる距離の横の導体膜１４′で接続してある。
基板１１の例としては、セラミツク、フエライ
ト等、絶縁体１２の例としては、二酸化けい素、
アルミナ等、抵抗体１３の例としては、パーマロ
イ、クロム等、導体１４，１４′の例としては、
アルミニウム、銅等があげられる。
ト等、絶縁体１２の例としては、二酸化けい素、
アルミナ等、抵抗体１３の例としては、パーマロ
イ、クロム等、導体１４，１４′の例としては、
アルミニウム、銅等があげられる。
ここで、抵抗体１３の抵抗値を、A1A2間が
R1、A2A3間がR2、Ao-1Ao間がRo-1、AoAo+1間
がRo、A1Ao+1間がＲであるとし、矢印方向から
加工した場合の加工量をｘとする。また、加工面
からA1A2間、A2A3間………AoAo+1間の横導体
膜１４′の加工面より遠い側の側縁までの距離を
それぞれx1、x2………xoとする。
R1、A2A3間がR2、Ao-1Ao間がRo-1、AoAo+1間
がRo、A1Ao+1間がＲであるとし、矢印方向から
加工した場合の加工量をｘとする。また、加工面
からA1A2間、A2A3間………AoAo+1間の横導体
膜１４′の加工面より遠い側の側縁までの距離を
それぞれx1、x2………xoとする。
ここで、０＜ｘ＜x1のときはA1Ao+1間は導体
で結ばれているためＲ≒０である。x1＜ｘ＜x2の
ときはA1A2間の導体が断線されるのでＲ≒R1と
なる。同様にしてｘ＝xi（ｉ＝１、２、………ｎ）
を境界として段階的に抵抗値が変化する。
で結ばれているためＲ≒０である。x1＜ｘ＜x2の
ときはA1A2間の導体が断線されるのでＲ≒R1と
なる。同様にしてｘ＝xi（ｉ＝１、２、………ｎ）
を境界として段階的に抵抗値が変化する。
導体パターンの抵抗値変化位置とギヤツプ深さ
との位置関係をパターン形成時に決めておくこと
により、導体パターンの抵抗値変化により、加工
深さ即ちギヤツプ深さを知ることができる。従つ
て、xoが求める加工位置を示す値とすれば、Ｒ＝
R1＋R2＋………＋Roになつた点で加工を停止す
ればよい。この場合、従来のように抵抗体を加工
することがないので、加工による抵抗値のばらつ
きがないことにより、また抵抗値は断続的である
が大きく変化するため、測定が容易である。加工
精度を高めるためには、xiとxi+1の段差を縮めれ
ばよい。粗加工用と仕上加工用との区分には、横
導体幅は一定とし、xiとxi+1の段差を粗加工用に
は広く、仕上加工用には狭くすればよい。
との位置関係をパターン形成時に決めておくこと
により、導体パターンの抵抗値変化により、加工
深さ即ちギヤツプ深さを知ることができる。従つ
て、xoが求める加工位置を示す値とすれば、Ｒ＝
R1＋R2＋………＋Roになつた点で加工を停止す
ればよい。この場合、従来のように抵抗体を加工
することがないので、加工による抵抗値のばらつ
きがないことにより、また抵抗値は断続的である
が大きく変化するため、測定が容易である。加工
精度を高めるためには、xiとxi+1の段差を縮めれ
ばよい。粗加工用と仕上加工用との区分には、横
導体幅は一定とし、xiとxi+1の段差を粗加工用に
は広く、仕上加工用には狭くすればよい。
導体１４，１４′の形状を円弧状又は三角形状
等他の形状にしても差支えないことは勿論であ
る。
等他の形状にしても差支えないことは勿論であ
る。
第５図及び第６図の実施例においては、互に隣
接する２個の縦導体膜の間をそれぞれ加工面より
異なる距離の同一幅の横の導体膜にて接続して、
導体膜全体を同一層とした単層の例を示してい
る。横の導体膜の加工面よりの距離は、加工面よ
り遠ざかる側の距離が異なればよいもので、加工
面に近い側の加工面よりの距離、従つてその幅は
どのようであつてもよい。したがつて、第７，８
図に示すように、横導体膜１４′を一体のものと
し、縦導体膜１４に重ねて接続せしめ、隣接する
２個の縦導体膜１４の間毎に、横導体膜１４′の
加工面より遠ざかる側の距離が異なるように絶縁
膜１５を介在せしめても同様に実施することがで
きる。１６は各種薄膜を保護する為の保護膜であ
る。絶縁膜１５を用いることなく、横導体膜１
４′の加工面より遠ざかる側に段差をつけてもよ
い。
接する２個の縦導体膜の間をそれぞれ加工面より
異なる距離の同一幅の横の導体膜にて接続して、
導体膜全体を同一層とした単層の例を示してい
る。横の導体膜の加工面よりの距離は、加工面よ
り遠ざかる側の距離が異なればよいもので、加工
面に近い側の加工面よりの距離、従つてその幅は
どのようであつてもよい。したがつて、第７，８
図に示すように、横導体膜１４′を一体のものと
し、縦導体膜１４に重ねて接続せしめ、隣接する
２個の縦導体膜１４の間毎に、横導体膜１４′の
加工面より遠ざかる側の距離が異なるように絶縁
膜１５を介在せしめても同様に実施することがで
きる。１６は各種薄膜を保護する為の保護膜であ
る。絶縁膜１５を用いることなく、横導体膜１
４′の加工面より遠ざかる側に段差をつけてもよ
い。
第７図において、矢印方向から加工してS1の位
置までくると（第８図に示すＳ線）、縦導体C1と
C2間の横導体膜１４の接続が切断されるので、
縦導体C1とC4間の抵抗はC1とC2間の抵抗体１３
の抵抗値に等しくなる（導体の抵抗値を無視す
る。）。同様にして、加工が進み、S2，S3，S4の位
置までくると、縦導体膜C1とC4間の抵抗値が段
階的に増加するので加工量を検出することができ
る。。このように、２層又はそれ以上の多層とし
た場合は、製造プロセスは複雑になるが、検知用
素子形成面を少なく出来る効果がでてくる。
置までくると（第８図に示すＳ線）、縦導体C1と
C2間の横導体膜１４の接続が切断されるので、
縦導体C1とC4間の抵抗はC1とC2間の抵抗体１３
の抵抗値に等しくなる（導体の抵抗値を無視す
る。）。同様にして、加工が進み、S2，S3，S4の位
置までくると、縦導体膜C1とC4間の抵抗値が段
階的に増加するので加工量を検出することができ
る。。このように、２層又はそれ以上の多層とし
た場合は、製造プロセスは複雑になるが、検知用
素子形成面を少なく出来る効果がでてくる。
本発明の方法における磁気ヘツドの加工量を抵
抗値の変化に変換する方式においては、抵抗体を
損傷することなく抵抗値を変える為、加工に伴な
う検出抵抗値のばらつきが少なく、また段階的に
抵抗値が変化するため、検出素子形成時に発生す
る膜厚の場所によるばらつき、及び検出素子を所
定形状に形成するためのエツチング精度に帰因す
る微小な抵抗値のばらつきの影響を受け難い。即
ち、例えば抵抗体の形成において、膜厚のばらつ
きは厚みに対して５〜10％は避け難く、長さ方向
の直線性については400μｍの長さに対して１〜
2μｍ程度の曲りは避け難く、更に抵抗パターン
の側縁と下地材（絶縁膜）となす角（断面矩形と
することは製造工程上困難で一般に台形をなす。）
は、例えば45〜60度と、10％程度のばらつきは避
け難い。これらのばらつきは、従来法による抵抗
値による検出の場合は、測定抵抗値の誤差に著し
く影響を及ぼし、また精度よく検出する為には抵
抗体の長さを充分長くとる必要がある。これに対
して、本発明の方法においては、抵抗体は切り込
まれないので、上述のばらつきは測定値に影響を
与えない。
抗値の変化に変換する方式においては、抵抗体を
損傷することなく抵抗値を変える為、加工に伴な
う検出抵抗値のばらつきが少なく、また段階的に
抵抗値が変化するため、検出素子形成時に発生す
る膜厚の場所によるばらつき、及び検出素子を所
定形状に形成するためのエツチング精度に帰因す
る微小な抵抗値のばらつきの影響を受け難い。即
ち、例えば抵抗体の形成において、膜厚のばらつ
きは厚みに対して５〜10％は避け難く、長さ方向
の直線性については400μｍの長さに対して１〜
2μｍ程度の曲りは避け難く、更に抵抗パターン
の側縁と下地材（絶縁膜）となす角（断面矩形と
することは製造工程上困難で一般に台形をなす。）
は、例えば45〜60度と、10％程度のばらつきは避
け難い。これらのばらつきは、従来法による抵抗
値による検出の場合は、測定抵抗値の誤差に著し
く影響を及ぼし、また精度よく検出する為には抵
抗体の長さを充分長くとる必要がある。これに対
して、本発明の方法においては、抵抗体は切り込
まれないので、上述のばらつきは測定値に影響を
与えない。
また、加工量に伴ない段階的に抵抗値が変化す
る為、加工停止時の抵抗値の設定に幅をもたせる
ことができ、かつ横導体膜の切断により瞬時に抵
抗値が変化するため、応答性がよく、寸法精度も
よく加工できる効果がある。従来法による加工精
度（ばらつき）が±２〜3μｍであつたのに対し
て、本発明の方法によるときは±0.5μｍである。
る為、加工停止時の抵抗値の設定に幅をもたせる
ことができ、かつ横導体膜の切断により瞬時に抵
抗値が変化するため、応答性がよく、寸法精度も
よく加工できる効果がある。従来法による加工精
度（ばらつき）が±２〜3μｍであつたのに対し
て、本発明の方法によるときは±0.5μｍである。
第１図は薄膜磁気ヘツドの一例の斜視図、第２
図は第１図におけるＡ−Ａ線矢視断面斜視図、第
３図は従来の検査用パターン図の一例、第４図は
第３図におけるａ−ａ線矢視断面図、第５図及び
第６図は本発明の方法における検査用パターンの
実施例の正面図及び断面図、第７図及び第８図は
他の実施例の正面図及び断面図である。 １，１１，２０……基板、２，１２，１５……
絶縁膜、３，１３……抵抗体、４……導体、１４
……縦導体膜、１４′……横導体膜、１６，２６
……保護膜、２１……薄膜磁気ヘツド素子部、２
２……下地、２３……磁性膜、２４……導体コイ
ル、２５……端子、２７……ギヤツプ。
図は第１図におけるＡ−Ａ線矢視断面斜視図、第
３図は従来の検査用パターン図の一例、第４図は
第３図におけるａ−ａ線矢視断面図、第５図及び
第６図は本発明の方法における検査用パターンの
実施例の正面図及び断面図、第７図及び第８図は
他の実施例の正面図及び断面図である。 １，１１，２０……基板、２，１２，１５……
絶縁膜、３，１３……抵抗体、４……導体、１４
……縦導体膜、１４′……横導体膜、１６，２６
……保護膜、２１……薄膜磁気ヘツド素子部、２
２……下地、２３……磁性膜、２４……導体コイ
ル、２５……端子、２７……ギヤツプ。
Claims (1)
- １ 複数個の薄膜磁気ヘツド素子を同一方向に揃
えて一面に形成した基板ブロツクの磁気板との対
向面を研摩加工後切断して個々の薄膜磁気ヘツド
とする薄膜磁気ヘツドの製造法において、基板ブ
ロツクの薄膜磁気ヘツド素子形成面の端部に該ヘ
ツド素子と関連させて絶縁膜を介して、加工面に
直角な複数個の縦の導体膜を形成し、該縦導体膜
を加工面より離隔せる個所にて抵抗体で互に接続
すると共に、互に隣接する２個の縦導体膜の間を
それぞれ加工面より異なる距離の横の導体膜にて
接続し、加工の進行に伴つて切除される横導体膜
の個数により段階的に変化する両端の縦導体膜間
の電気抵抗値により加工量を検知することを特徴
とする薄膜磁気ヘツドの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17302781A JPS5877015A (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 薄膜磁気ヘツドの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17302781A JPS5877015A (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 薄膜磁気ヘツドの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877015A JPS5877015A (ja) | 1983-05-10 |
| JPS6313249B2 true JPS6313249B2 (ja) | 1988-03-24 |
Family
ID=15952848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17302781A Granted JPS5877015A (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 薄膜磁気ヘツドの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5877015A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2128747B (en) * | 1982-09-30 | 1985-11-06 | Magnetic Peripherals Inc | Machinable prism method of forming the same machining guide and method of calibrating a machining sensor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5299806A (en) * | 1976-02-17 | 1977-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic head |
| JPS5548826A (en) * | 1978-09-28 | 1980-04-08 | Sharp Corp | Manufacture for thin film magnetic head |
-
1981
- 1981-10-30 JP JP17302781A patent/JPS5877015A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5299806A (en) * | 1976-02-17 | 1977-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic head |
| JPS5548826A (en) * | 1978-09-28 | 1980-04-08 | Sharp Corp | Manufacture for thin film magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5877015A (ja) | 1983-05-10 |
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