JPS5877015A - 薄膜磁気ヘツドの製造法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造法Info
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- JPS5877015A JPS5877015A JP17302781A JP17302781A JPS5877015A JP S5877015 A JPS5877015 A JP S5877015A JP 17302781 A JP17302781 A JP 17302781A JP 17302781 A JP17302781 A JP 17302781A JP S5877015 A JPS5877015 A JP S5877015A
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- JP
- Japan
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- resistance value
- magnetic head
- film
- working
- conductor
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
- G11B5/3166—Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄Ｉ［磁気ヘッドの製造法に係シ、更に詳しく
社、薄＊ａ気ヘッドの製造過゛程における複数個の薄膜
磁気ヘッド素子を同一方向に°揃えて基板ブロックに形
成したブロックの磁気板との対向面を研摩加工する方法
に関するものである。
社、薄＊ａ気ヘッドの製造過゛程における複数個の薄膜
磁気ヘッド素子を同一方向に°揃えて基板ブロックに形
成したブロックの磁気板との対向面を研摩加工する方法
に関するものである。
最近、デニタ記録の高密度化の要求に対応して、薄膜磁
気ヘッドの研究が盛んに行なわれている。薄１［ｆｆｌ
気ヘッドの一例を第１図及び第２図に示す１図において
、２０が基板で、２１が薄膜磁気ヘッド素子部である。
気ヘッドの研究が盛んに行なわれている。薄１［ｆｆｌ
気ヘッドの一例を第１図及び第２図に示す１図において
、２０が基板で、２１が薄膜磁気ヘッド素子部である。
２０Ａが浮上して磁気板（ディスク）と対向する面であ
る。このヘッドは大きさは高さα９腸１幅４ ｍ （そ
のうちへ−ド嵩子部の輸４０μ罵）、長さ＆２ａｍであ
る。素子部・２１において、２２は下地、２３は磁性膜
、２４は導体コイ、ル、２５は端子、２６は保鰻膜、２
７Ｆｉギャップである。このようなｍｓ！ａ気ヘッドの
製造に際しては、複数個１例えば５〜１０個、の薄膜磁
気ヘッド素子を同一方向に揃えて基板ブロックに形成し
た後、ＷＢ磁気板の対向面を研摩加工して個々の薄膜磁
気ヘッドに切断することＫよって行われている。薄膜磁
気ヘッドの製造において重要な点の一つは、ギャップ深
さく第２図におけるＤ）を高精度に確保することである
。このギャップ深さの精度は、薄膜磁気ヘッド孝子を形
成した基板ブロックの磁気板との対向面の研゛摩加工精
［Ｋよる。従ってこの加工の精度が高％／−ｈことが必
要である。
る。このヘッドは大きさは高さα９腸１幅４ ｍ （そ
のうちへ−ド嵩子部の輸４０μ罵）、長さ＆２ａｍであ
る。素子部・２１において、２２は下地、２３は磁性膜
、２４は導体コイ、ル、２５は端子、２６は保鰻膜、２
７Ｆｉギャップである。このようなｍｓ！ａ気ヘッドの
製造に際しては、複数個１例えば５〜１０個、の薄膜磁
気ヘッド素子を同一方向に揃えて基板ブロックに形成し
た後、ＷＢ磁気板の対向面を研摩加工して個々の薄膜磁
気ヘッドに切断することＫよって行われている。薄膜磁
気ヘッドの製造において重要な点の一つは、ギャップ深
さく第２図におけるＤ）を高精度に確保することである
。このギャップ深さの精度は、薄膜磁気ヘッド孝子を形
成した基板ブロックの磁気板との対向面の研゛摩加工精
［Ｋよる。従ってこの加工の精度が高％／−ｈことが必
要である。
この研−加工には、通常ラッピング法、ボリシング法尋
が用いられているが、加工量の制御が難しい為、加工量
を測定するため種々の工夫がされている。加工量に比例
して長ざが変る目印を入れたシ１色の異なる樹脂を入れ
たシしているが、これらの方法で測定する為には、何度
も機械を停めて観察しなければならない欠点がある。
が用いられているが、加工量の制御が難しい為、加工量
を測定するため種々の工夫がされている。加工量に比例
して長ざが変る目印を入れたシ１色の異なる樹脂を入れ
たシしているが、これらの方法で測定する為には、何度
も機械を停めて観察しなければならない欠点がある。
機械を停止することなぐ加工量を測定する方法として次
の如き方法がある。゛□即ち、第５図に示すような抵抗
体を、基板ブロックの薄膜磁気ヘッド素子形成面の端部
に形成し、加工にＪる電気抵抗変化によシ加工量を測定
する方法である。第３図は該抵抗体の正面図、第４図は
第３図におけるα−α線矢視断面図である。基板ブロッ
ク１上に絶縁膜２を形成し、その上に適宜な間隔で加工
面ｉ／ｃｉ角な２個の導体４を形成し、２個の導体４０
間は、加工面に沿りて幅Ｗ、厚みｔの抵抗体３で接続し
である。導体４間の電気抵抗値ＲＩＢは次式で示される
。
の如き方法がある。゛□即ち、第５図に示すような抵抗
体を、基板ブロックの薄膜磁気ヘッド素子形成面の端部
に形成し、加工にＪる電気抵抗変化によシ加工量を測定
する方法である。第３図は該抵抗体の正面図、第４図は
第３図におけるα−α線矢視断面図である。基板ブロッ
ク１上に絶縁膜２を形成し、その上に適宜な間隔で加工
面ｉ／ｃｉ角な２個の導体４を形成し、２個の導体４０
間は、加工面に沿りて幅Ｗ、厚みｔの抵抗体３で接続し
である。導体４間の電気抵抗値ＲＩＢは次式で示される
。
ことで、ρは抵抗体３の比抵抗、ＬＶｃ導体４間の距離
、Ｘは矢印方向に加工した場合の加工量である。ｐ／を
及びＬは加工前後で変化しないため、Ｒ□１値を測定す
ることによシｘの値を求めることができる。
、Ｘは矢印方向に加工した場合の加工量である。ｐ／を
及びＬは加工前後で変化しないため、Ｒ□１値を測定す
ることによシｘの値を求めることができる。
しかしながら、この方式による場合は、切シ込み加工に
よる抵抗値の変化、即ち２の変化による九１値の変化が
少なく、又抵抗体そのものを切り込み加工する為、孝子
の形成精度や加工の影響を受は抵抗値の検出にばらつき
を生じ、高精度の加工量の制御社離しい。
よる抵抗値の変化、即ち２の変化による九１値の変化が
少なく、又抵抗体そのものを切り込み加工する為、孝子
の形成精度や加工の影響を受は抵抗値の検出にばらつき
を生じ、高精度の加工量の制御社離しい。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくシ、薄
膜磁気ヘッド素子を形成したブロックの磁気板との対向
面の研摩加工に際して、加工量を検知しながら加工量を
高精［Ｋ制御し、高精度の薄膜磁気ヘッドを能率よく製
造する方法を提供するにある。
膜磁気ヘッド素子を形成したブロックの磁気板との対向
面の研摩加工に際して、加工量を検知しながら加工量を
高精［Ｋ制御し、高精度の薄膜磁気ヘッドを能率よく製
造する方法を提供するにある。
本発明による薄膜磁気ヘッドの製造法は、複数個の薄膜
磁気ヘッド素子を同一方向に揃えて一面に形成した基板
ブロックＯａ気板との対向面を研摩加工後切断して個々
の薄ｌ！１！磁気へ門ドとする薄膜磁気ヘッドの製造法
において、基板ブロックの薄膜磁気ヘッド素子形成面の
端部に該ヘッドと関連させて絶縁膜を介して、加工面Ｋ
Ｎ角表複数個の縦の導体膜を形成し、該縦導体膜を加工
面よ〕離隔せる個所にて抵抗体で互に接続すると共に、
互に隣接する２個の縦導体膜の間をそれぞれ加工面よ゛
り異なる距離の横の導体膜にて接続し、加工の進行に伴
って切除される横導体膜の個数によ〕段階的に変化する
両端の縦導体膜間の電気抵抗値によシ加工量倉検知する
ことを特徴とする方法である。
磁気ヘッド素子を同一方向に揃えて一面に形成した基板
ブロックＯａ気板との対向面を研摩加工後切断して個々
の薄ｌ！１！磁気へ門ドとする薄膜磁気ヘッドの製造法
において、基板ブロックの薄膜磁気ヘッド素子形成面の
端部に該ヘッドと関連させて絶縁膜を介して、加工面Ｋ
Ｎ角表複数個の縦の導体膜を形成し、該縦導体膜を加工
面よ〕離隔せる個所にて抵抗体で互に接続すると共に、
互に隣接する２個の縦導体膜の間をそれぞれ加工面よ゛
り異なる距離の横の導体膜にて接続し、加工の進行に伴
って切除される横導体膜の個数によ〕段階的に変化する
両端の縦導体膜間の電気抵抗値によシ加工量倉検知する
ことを特徴とする方法である。
以下、本発明の方法を実九例に使用する導体膜パターン
を示す第５図及び第６図に基づいて説明する。
を示す第５図及び第６図に基づいて説明する。
との方法においては、先ず複数個の薄膜磁気ヘッドη子
を形成した基板ブロックの面の端部に、該ヘッド孝子と
関連させて、第５図及び第６５４に示すような導体膜パ
ターンを形成する。
を形成した基板ブロックの面の端部に、該ヘッド孝子と
関連させて、第５図及び第６５４に示すような導体膜パ
ターンを形成する。
第５図及び第６図に示すように、基板１１上に絶縁１［
１２を介して加工面（第６図に加工方向を矢印で示す、
）に直角な複数個の縦の導体膜１４（Ａ、為、・・・Ａ
ルーＨｅオル、 ＡＢ＠ ）が形成されている。
１２を介して加工面（第６図に加工方向を矢印で示す、
）に直角な複数個の縦の導体膜１４（Ａ、為、・・・Ａ
ルーＨｅオル、 ＡＢ＠ ）が形成されている。
縦導体膜１４は加工面よシ離隔せる個所で抵抗体１３で
接続されている。また、互に隣接する２個の縦導体＠１
４の間をそれぞれ加工面よシ異なる距離の横の導体［１
４′で接続しである。
接続されている。また、互に隣接する２個の縦導体＠１
４の間をそれぞれ加工面よシ異なる距離の横の導体［１
４′で接続しである。
基板ｔ１の例としては、セラミック、フェライト等、絶
縁体１２の例としては、二酸化けい素、アルきす等、抵
抗体１５の例説しては、パーマロイ、クロム等、導体１
４．１４’の例としては、アルミニラム、銅等があげら
れる。
縁体１２の例としては、二酸化けい素、アルきす等、抵
抗体１５の例説しては、パーマロイ、クロム等、導体１
４．１４’の例としては、アルミニラム、銅等があげら
れる。
ここで、抵抗体１３の抵抗値を、４４間がＲ１゜Ａ、
Ａ、間がＡｍ ＊ Ａｎ−ｓ Ａｎ 間がＲ１−１、
Ａ−３４１間がＲ，、ＡＩ Ａｎ ＋ｓ間がＲであると
し、矢印方向から加工し几場合の加工量をＸとする。ま
た、加工面からＡＨＡ２間、ＡＨＡ２間・・・＾＾＋１
間の横導体膜１４′の加工面より遠い側の側縁までの距
離をそれぞれ町ｓ ’Ｒ・・・ｘ３とする。
Ａ、間がＡｍ ＊ Ａｎ−ｓ Ａｎ 間がＲ１−１、
Ａ−３４１間がＲ，、ＡＩ Ａｎ ＋ｓ間がＲであると
し、矢印方向から加工し几場合の加工量をＸとする。ま
た、加工面からＡＨＡ２間、ＡＨＡ２間・・・＾＾＋１
間の横導体膜１４′の加工面より遠い側の側縁までの距
離をそれぞれ町ｓ ’Ｒ・・・ｘ３とする。
ここで、０く工＜ ｘｌのときは４１２１４１間は導体
で結ばれてい十ためＲζ０である− ’＊＜ ” ＜
％ＯときはＡ、 Ａ、間の導体が断線されるのでＲ＃Ｒ
１となる。同様にして＠＝５．（ｊ：＝１、λ・・・ル
）を境界として段階的に抵抗値が変化する。
で結ばれてい十ためＲζ０である− ’＊＜ ” ＜
％ＯときはＡ、 Ａ、間の導体が断線されるのでＲ＃Ｒ
１となる。同様にして＠＝５．（ｊ：＝１、λ・・・ル
）を境界として段階的に抵抗値が変化する。
導体パターンの抵抗値変化位置とギャップ深−さとの位
置関係をパターン形成時に決めておくこと。によシ、導
体パターンの抵抗値変化よシ、加工深さ即ちギャップ深
さ゛を知ることができる。。
置関係をパターン形成時に決めておくこと。によシ、導
体パターンの抵抗値変化よシ、加工深さ即ちギャップ深
さ゛を知ることができる。。
従って、ｓ：ｆ＆が求める加工位置を示す値とすればＲ
＝Ｒ，＋Ｒ，＋・・・＋Ｒルに６０た点で加工を停止す
ればよい、この場合、従来のように抵抗体を加工するこ
とがないので４、加工によ”る抵抗値のばらつきがない
ことによル、また抵抗値は断続的であるが大きく変化す
るため、測定が容易である。加工精度を高めるためには
、Ｊ＆とｘｉ七の段差を縮めればよい、粗加工用と仕上
加工用との区分には、横導体幅は一定とし、ｘｉとＪ＆
４１の段差を粗加工用には広く、仕上加工用には狭くす
ればよい。
＝Ｒ，＋Ｒ，＋・・・＋Ｒルに６０た点で加工を停止す
ればよい、この場合、従来のように抵抗体を加工するこ
とがないので４、加工によ”る抵抗値のばらつきがない
ことによル、また抵抗値は断続的であるが大きく変化す
るため、測定が容易である。加工精度を高めるためには
、Ｊ＆とｘｉ七の段差を縮めればよい、粗加工用と仕上
加工用との区分には、横導体幅は一定とし、ｘｉとＪ＆
４１の段差を粗加工用には広く、仕上加工用には狭くす
ればよい。
導体１４．１４’の形状を円弧状又は三角形状等信の形
状和しても差支えないことは勿論である。
状和しても差支えないことは勿論である。
落５図及び第６図の実施例においては、互Ｋ１１Ｉ接す
る２個の縦導体膜の間をそれぞれ加工面よシ異なる距離
の同一幅の横の導体膜圧て接続して、導体膜全体を同一
層とした離層Ｏ例を示している。横の導体膜の加工面よ
シの距離は、加工面より遠ざかる側の距離が異なればよ
いもので、加工面に、、近−い側の加工面よシの距離、
従ってその輪はどのようであってもよい、したがって、
第７．８図に示すように、横導体膜１４′を一体のもの
とし、縦導体膜１４に重ねて接続せしめ、隣接する２個
の縦導体＠１４の開缶に、横導体膜１４′の加工面よシ
遠ざかる側の距離が異なるように絶縁ｌｌ！１５を介在
せしめても同Ｉｓ＃／ｃ実施することができる。１６は
各種、薄膜を保賎する為の保躾膜である。絶縁膜１５を
用いることなく。
る２個の縦導体膜の間をそれぞれ加工面よシ異なる距離
の同一幅の横の導体膜圧て接続して、導体膜全体を同一
層とした離層Ｏ例を示している。横の導体膜の加工面よ
シの距離は、加工面より遠ざかる側の距離が異なればよ
いもので、加工面に、、近−い側の加工面よシの距離、
従ってその輪はどのようであってもよい、したがって、
第７．８図に示すように、横導体膜１４′を一体のもの
とし、縦導体膜１４に重ねて接続せしめ、隣接する２個
の縦導体＠１４の開缶に、横導体膜１４′の加工面よシ
遠ざかる側の距離が異なるように絶縁ｌｌ！１５を介在
せしめても同Ｉｓ＃／ｃ実施することができる。１６は
各種、薄膜を保賎する為の保躾膜である。絶縁膜１５を
用いることなく。
横導体１１１４’の加工面より遠ざかる側に段差をつけ
てもよい。
てもよい。
第７図において、矢印方向から加工してＳｌの位置まで
くると（第８図に示すＳ線）、縦導体Ｃ８とＣ８間の横
導体膜１４′の接続が切断されるので、縦導体Ｃ１とＣ
，間の抵抗はＣ１とＣ宜間の抵抗体１３の抵抗値°に等
しくなる（導体の抵抗値を無視する。）、同様にして、
加工が進み、Ｓ、、Ｓ、、Ｓ４の位置までくると、縦導
体ＭＩＣ＊とＣ４間の抵抗値が段階的に増加するので加
工量を検出すること汎できる。このように、２層又はそ
れ以上の多層と・した場合は、製造プロセスは豪雑にな
るが、検出素子形成時を少なく出来る効果がでてくる。
くると（第８図に示すＳ線）、縦導体Ｃ８とＣ８間の横
導体膜１４′の接続が切断されるので、縦導体Ｃ１とＣ
，間の抵抗はＣ１とＣ宜間の抵抗体１３の抵抗値°に等
しくなる（導体の抵抗値を無視する。）、同様にして、
加工が進み、Ｓ、、Ｓ、、Ｓ４の位置までくると、縦導
体ＭＩＣ＊とＣ４間の抵抗値が段階的に増加するので加
工量を検出すること汎できる。このように、２層又はそ
れ以上の多層と・した場合は、製造プロセスは豪雑にな
るが、検出素子形成時を少なく出来る効果がでてくる。
本発明の方法における磁気ヘッドの加工量を抵抗値の変
化に変換する方式においては、抵抗体を損傷することな
く抵抗値を変える為、加工に伴なう検出抵抗値のばらつ
きが少なく、また段階的に抵抗値が変化するため、検出
素子形成時に発生する膜厚の場所によるばらつき、及び
検出素子を所定形状に形成するためのエツチング精度に
帰因する微小な抵抗値のばらつきの影響を受は難い、即
ち、例えば抵抗体の形成において、Ｉ［Ｊｌｌのばらつ
きは厚みに対して５〜１０９６は避妙難く、長さ方向の
直線性については４００μｍの長さに対して１〜２μｍ
８区の曲シは避は難く、更に抵抗パターンの側縁と下地
材（絶縁膜）となす角（断面矩形とすることは製造工程
上困難で一般に台形をなす。）は、例えば４５〜６０度
と、１０％程度のけらつき、は避は難い、これらのばら
。つきは、従来法による抵抗値による検出の場合は、測
定抵抗値の誤差に著しく影響を及ぼし、また８度よく検
出する為には抵抗体の長さを充分長くとる必要がある。
化に変換する方式においては、抵抗体を損傷することな
く抵抗値を変える為、加工に伴なう検出抵抗値のばらつ
きが少なく、また段階的に抵抗値が変化するため、検出
素子形成時に発生する膜厚の場所によるばらつき、及び
検出素子を所定形状に形成するためのエツチング精度に
帰因する微小な抵抗値のばらつきの影響を受は難い、即
ち、例えば抵抗体の形成において、Ｉ［Ｊｌｌのばらつ
きは厚みに対して５〜１０９６は避妙難く、長さ方向の
直線性については４００μｍの長さに対して１〜２μｍ
８区の曲シは避は難く、更に抵抗パターンの側縁と下地
材（絶縁膜）となす角（断面矩形とすることは製造工程
上困難で一般に台形をなす。）は、例えば４５〜６０度
と、１０％程度のけらつき、は避は難い、これらのばら
。つきは、従来法による抵抗値による検出の場合は、測
定抵抗値の誤差に著しく影響を及ぼし、また８度よく検
出する為には抵抗体の長さを充分長くとる必要がある。
これに対して１本発明の方法においては、抵抗体は切シ
込まれないので、上述のばらつきは測定値に影響を与え
ない。
込まれないので、上述のばらつきは測定値に影響を与え
ない。
ま几、加工量に伴ない段階的に抵抗値が変化する為、加
工停止時の抵抗値の設定に幅をも几ぜることかでき、か
つ横導体膜の切断によシ一時に抵抗値が変化するため、
応答性がよく１寸法精度もよく加工できる効果がある。
工停止時の抵抗値の設定に幅をも几ぜることかでき、か
つ横導体膜の切断によシ一時に抵抗値が変化するため、
応答性がよく１寸法精度もよく加工できる効果がある。
従来法による加工量［（ばらつき）が±２〜３μｍであ
っｔのに対して１本発明の方法によるときは±α５μｍ
である。
っｔのに対して１本発明の方法によるときは±α５μｍ
である。
第１図は薄膜磁気ヘッドの一例の斜視図、第２図は第１
図におけるＡ−Ａ線矢視断面斜視図。 第３図は従来の検査用パターン図の一例、第４図は第３
図におけるα−α線矢視断面図、第５図及び第６図は本
発明の方法における検査用パターンの実施例の正面図及
び断面図、ｇＫ７図及び第８図は他の実施例の正面図及
び断面図である。 １、１１．２０・・・基板 ２．１２．１５・・・
絶縁膜ｔ３，１ｓ ｔ−抵抗体 ４・・・導体１
４・・・縦導体膜 １４′・・・横導体膜ＩＳ、
２６−・・保賎膜 ２１・・・薄膜磁気ヘッド素子部 ２２・・・下地 °２３・・・磁性膜２４・・・導
体コイル゛ ２５・・・端子２７・・・ギャップ □ 猶 １ 図 ２ｂ １３ ３０ 第４０ 率５ 図 率ら図 １７ 口 ＩＣ４ 第 ８ 口
図におけるＡ−Ａ線矢視断面斜視図。 第３図は従来の検査用パターン図の一例、第４図は第３
図におけるα−α線矢視断面図、第５図及び第６図は本
発明の方法における検査用パターンの実施例の正面図及
び断面図、ｇＫ７図及び第８図は他の実施例の正面図及
び断面図である。 １、１１．２０・・・基板 ２．１２．１５・・・
絶縁膜ｔ３，１ｓ ｔ−抵抗体 ４・・・導体１
４・・・縦導体膜 １４′・・・横導体膜ＩＳ、
２６−・・保賎膜 ２１・・・薄膜磁気ヘッド素子部 ２２・・・下地 °２３・・・磁性膜２４・・・導
体コイル゛ ２５・・・端子２７・・・ギャップ □ 猶 １ 図 ２ｂ １３ ３０ 第４０ 率５ 図 率ら図 １７ 口 ＩＣ４ 第 ８ 口
Claims (1)
- 複数個の薄膜磁気ヘッド素子を同一方向に揃えて一面に
形成した基−板ブロックの磁気板との対向面を研摩加工
後切断して個々の薄膜磁気ヘッドとする薄ｍ磁気ヘッド
の製造法において、基板ブロックの＃１１！磁気ヘッド
素子形成面の端部に該ヘッド孝子と関連させて絶縁製を
介して、加工面に直角な徴数個の縦の導体膜を形成し、
該縦導体膜を加工面よ）離隔せる個所にて抵抗体で互に
接続すると共に、互に隣接する２個の縦導体膜の間をそ
れぞれ加工面よシ異なる距離・の横の導体膜にて接続し
、加工の進行に伴って初成される横導体！ａＱ個数によ
〕段階的に変化する両端の縦導体膜自の電゛気抵抗値に
よシ加工撒を検知することを％黴とする￥＊＊磁気ヘッ
ドの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17302781A JPS5877015A (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 薄膜磁気ヘツドの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17302781A JPS5877015A (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 薄膜磁気ヘツドの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877015A true JPS5877015A (ja) | 1983-05-10 |
| JPS6313249B2 JPS6313249B2 (ja) | 1988-03-24 |
Family
ID=15952848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17302781A Granted JPS5877015A (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 薄膜磁気ヘツドの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5877015A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2534053A1 (fr) * | 1982-09-30 | 1984-04-06 | Magnetic Peripherals Inc | Prisme usine, procede pour sa fabrication, guide d'usinage et procede d'etalonnage de capteurs d'usinage |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5299806A (en) * | 1976-02-17 | 1977-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic head |
| JPS5548826A (en) * | 1978-09-28 | 1980-04-08 | Sharp Corp | Manufacture for thin film magnetic head |
-
1981
- 1981-10-30 JP JP17302781A patent/JPS5877015A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5299806A (en) * | 1976-02-17 | 1977-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic head |
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|---|---|---|---|---|
| FR2534053A1 (fr) * | 1982-09-30 | 1984-04-06 | Magnetic Peripherals Inc | Prisme usine, procede pour sa fabrication, guide d'usinage et procede d'etalonnage de capteurs d'usinage |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6313249B2 (ja) | 1988-03-24 |
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