JPH07121830A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH07121830A JPH07121830A JP26340593A JP26340593A JPH07121830A JP H07121830 A JPH07121830 A JP H07121830A JP 26340593 A JP26340593 A JP 26340593A JP 26340593 A JP26340593 A JP 26340593A JP H07121830 A JPH07121830 A JP H07121830A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gap depth
- processing
- patterns
- gap
- final
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は薄膜磁気ヘッドに関するもので、容
易にギャップデプスを検知しギャップデプス加工を行う
ことのできる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。 【構成】 ギャップデプス形成加工を行う際の加工位置
確認するギャップデプス検出用パターンが複数の長方形
形状を有し、且つ、最終ギャップデプス加工ラインに平
行に配置され、複数の長方形形状パターンの前記最終ギ
ャップデプス加工ラインに近接する一辺と最終ギャップ
デプス加工ラインとの距離が複数の長方形形状パターン
の各々で異なることを特徴とする。
易にギャップデプスを検知しギャップデプス加工を行う
ことのできる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。 【構成】 ギャップデプス形成加工を行う際の加工位置
確認するギャップデプス検出用パターンが複数の長方形
形状を有し、且つ、最終ギャップデプス加工ラインに平
行に配置され、複数の長方形形状パターンの前記最終ギ
ャップデプス加工ラインに近接する一辺と最終ギャップ
デプス加工ラインとの距離が複数の長方形形状パターン
の各々で異なることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はギャップデプス検出用パ
ターンを具備した薄膜磁気ヘッドに関するものである。
ターンを具備した薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録分野において、高記録密
度化に伴い、狭トラック，マルチトラック化された薄膜
磁気ヘッドが必要となっている。この薄膜磁気ヘッドは
ギャップデプスの加工に対して精度の高い加工が要求さ
れる。
度化に伴い、狭トラック，マルチトラック化された薄膜
磁気ヘッドが必要となっている。この薄膜磁気ヘッドは
ギャップデプスの加工に対して精度の高い加工が要求さ
れる。
【０００３】図６，図７に従来のマルチチャンネルを有
する薄膜磁気ヘッドの構造を示す。図６は平面図を、図
７には図６中のＡ−Ａ′断面図を示す。
する薄膜磁気ヘッドの構造を示す。図６は平面図を、図
７には図６中のＡ−Ａ′断面図を示す。
【０００４】この薄膜磁気ヘッドはＮｉ−Ｚｎ等のフェ
ライト基板６１を下部コアとし、この基板上にＳｉＯ2
等の絶縁層を介してコイル６２が形成され、さらに絶縁
層を介して上部コア６３が形成される。
ライト基板６１を下部コアとし、この基板上にＳｉＯ2
等の絶縁層を介してコイル６２が形成され、さらに絶縁
層を介して上部コア６３が形成される。
【０００５】フロントギャップ部６４では所定の厚みを
有するギャップ層６５を介してフェライト基板６１と上
部コア６３が対向している。この時のギャップ層６５の
厚みがギャップ長となる。
有するギャップ層６５を介してフェライト基板６１と上
部コア６３が対向している。この時のギャップ層６５の
厚みがギャップ長となる。
【０００６】薄膜形成後には保護基板６６が低融点ガラ
スあるいは接着剤によって接着され、この後に図６，図
７に示すように薄膜磁気ヘッドの媒体摺動面６７を所定
の形状に加工するとともにギャップデプスを所定の寸法
ｄに加工する。
スあるいは接着剤によって接着され、この後に図６，図
７に示すように薄膜磁気ヘッドの媒体摺動面６７を所定
の形状に加工するとともにギャップデプスを所定の寸法
ｄに加工する。
【０００７】この加工の際、加工量を検出するため、ギ
ャップデプス検出用パターン６８が上部コア６３の形成
時と同時に形成されている。このギャップデプス検出用
パターン６８は直角二等辺三角形形状を有し、その斜辺
が媒体摺動面６７と平行になるよう配置されている。媒
体摺動面６７がギャップデプス検出用パターン６８を横
切る部分のギャップデプス検出用パターン６８の幅Ｌと
したとき、ギャップデプス加工中にはその加工面６９が
ギャップデプス検出用パターン６８を横切る部分のギャ
ップデプス検出用パターン６８の幅Ｌ′を検出すれば、
（Ｌ′−Ｌ）／２が残り加工量となる。したがって、こ
のＬ′を加工中に検知しながら加工を行えば最終的に所
定のギャップデプスｄを得ることができる。
ャップデプス検出用パターン６８が上部コア６３の形成
時と同時に形成されている。このギャップデプス検出用
パターン６８は直角二等辺三角形形状を有し、その斜辺
が媒体摺動面６７と平行になるよう配置されている。媒
体摺動面６７がギャップデプス検出用パターン６８を横
切る部分のギャップデプス検出用パターン６８の幅Ｌと
したとき、ギャップデプス加工中にはその加工面６９が
ギャップデプス検出用パターン６８を横切る部分のギャ
ップデプス検出用パターン６８の幅Ｌ′を検出すれば、
（Ｌ′−Ｌ）／２が残り加工量となる。したがって、こ
のＬ′を加工中に検知しながら加工を行えば最終的に所
定のギャップデプスｄを得ることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のギャップデ
プス検出用パターンを用いてギャップデプスを精度よく
加工しようとすれば加工中のギャップデプス検出用パタ
ーン幅Ｌ′を正確に検出する必要があるが、Ｌ′を精度
よく検出するためには顕微鏡の倍率を上げる等する必要
があり、作業性が悪化するという問題点があった。
プス検出用パターンを用いてギャップデプスを精度よく
加工しようとすれば加工中のギャップデプス検出用パタ
ーン幅Ｌ′を正確に検出する必要があるが、Ｌ′を精度
よく検出するためには顕微鏡の倍率を上げる等する必要
があり、作業性が悪化するという問題点があった。
【０００９】本発明は上記問題点を解決し、容易にギャ
ップデプスを検知しギャップデプス加工を行うことので
きる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
ップデプスを検知しギャップデプス加工を行うことので
きる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明の薄膜磁気ヘッドはギャップデプス形成加工
を行う際の加工位置を確認するギャップデプス検出用パ
ターンが複数の長方形パターンを有し、且つ、長方形パ
ターンは最終ギャップデプス加工ラインに平行に配置さ
れ、複数の長方形パターンの前記最終ギャップデプス加
工ラインに近接する一辺と最終ギャップデプス加工ライ
ンとの距離が複数の長方形パターンの各々で異なること
を特徴とする。
め、本発明の薄膜磁気ヘッドはギャップデプス形成加工
を行う際の加工位置を確認するギャップデプス検出用パ
ターンが複数の長方形パターンを有し、且つ、長方形パ
ターンは最終ギャップデプス加工ラインに平行に配置さ
れ、複数の長方形パターンの前記最終ギャップデプス加
工ラインに近接する一辺と最終ギャップデプス加工ライ
ンとの距離が複数の長方形パターンの各々で異なること
を特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明は上記した構成により、ギャップデプス
加工時に加工面からギャップデプス検出用パターンを検
出する際、加工の進行度合に応じて加工面に露出したギ
ャップデプス検出用パターンの検知数が減少（増加）す
るため、ギャップデプスをパターンの検知数で管理する
ことができる。
加工時に加工面からギャップデプス検出用パターンを検
出する際、加工の進行度合に応じて加工面に露出したギ
ャップデプス検出用パターンの検知数が減少（増加）す
るため、ギャップデプスをパターンの検知数で管理する
ことができる。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の第１の実施例について説明す
る。
る。
【００１３】図１は本発明による薄膜磁気ヘッドの平面
図、図２は図１中Ａ−Ａ′の断面図である。
図、図２は図１中Ａ−Ａ′の断面図である。
【００１４】この薄膜磁気ヘッドはＮｉ−Ｚｎ等のフェ
ライト基板１を下部コアとし、この基板上にＳｉＯ2等
の絶縁層を介してコイル２が形成され、さらに絶縁層を
介して上部コア３が形成される。
ライト基板１を下部コアとし、この基板上にＳｉＯ2等
の絶縁層を介してコイル２が形成され、さらに絶縁層を
介して上部コア３が形成される。
【００１５】フロントギャップ部４では所定の厚みを有
するギャップ層５を介してフェライト基板と上部コアが
対向している。この時のギャップ層５の厚みがギャップ
長となる。
するギャップ層５を介してフェライト基板と上部コアが
対向している。この時のギャップ層５の厚みがギャップ
長となる。
【００１６】薄膜形成後には保護基板６が低融点ガラス
あるいは接着剤によって接着され、この後に薄膜磁気ヘ
ッドの媒体摺動面を所定の形状に加工するとともにギャ
ップデプスを所定の寸法ｄに加工する。この加工面を図
１，図２中の一点鎖線７に示し、このラインを以下最終
ギャップデプス加工ライン７と呼ぶ。
あるいは接着剤によって接着され、この後に薄膜磁気ヘ
ッドの媒体摺動面を所定の形状に加工するとともにギャ
ップデプスを所定の寸法ｄに加工する。この加工面を図
１，図２中の一点鎖線７に示し、このラインを以下最終
ギャップデプス加工ライン７と呼ぶ。
【００１７】この時のギャップデプス検出用パターン８
は図３（Ａ）にその拡大図を示すように、１０個の長方
形パターン８Ａ〜８Ｊで構成され、最終ギャップデプス
加工ライン７に平行に配置されている。さらに、長方形
パターン８Ａ〜８Ｊの最終ギャップデプス加工ライン７
に近接する一辺と最終ギャップデプス加工ライン７との
距離が各々の長方形パターン８Ａ〜８Ｊで異なってい
る。本実施例においては長方形パターン８Ａ〜８Ｊは、
そのパターンの最終ギャップデプス加工ライン７に近接
する一辺と最終ギャップデプス加工ライン７との距離を
パターン８Ａ，８Ｂではそれぞれ１．５、０．５μｍ最
終ギャップ加工面に対し加工側と逆方向に突出させ、パ
ターン８Ｃ〜８Ｊは１μｍ間隔で０．５〜７．５μｍの
範囲で最終ギャップ加工面７との間隔が大きくなるよう
に配置した。
は図３（Ａ）にその拡大図を示すように、１０個の長方
形パターン８Ａ〜８Ｊで構成され、最終ギャップデプス
加工ライン７に平行に配置されている。さらに、長方形
パターン８Ａ〜８Ｊの最終ギャップデプス加工ライン７
に近接する一辺と最終ギャップデプス加工ライン７との
距離が各々の長方形パターン８Ａ〜８Ｊで異なってい
る。本実施例においては長方形パターン８Ａ〜８Ｊは、
そのパターンの最終ギャップデプス加工ライン７に近接
する一辺と最終ギャップデプス加工ライン７との距離を
パターン８Ａ，８Ｂではそれぞれ１．５、０．５μｍ最
終ギャップ加工面に対し加工側と逆方向に突出させ、パ
ターン８Ｃ〜８Ｊは１μｍ間隔で０．５〜７．５μｍの
範囲で最終ギャップ加工面７との間隔が大きくなるよう
に配置した。
【００１８】このようなパターンを有するヘッドにギャ
ップデプス加工を行うとき、加工が図３（Ａ）に示す一
点鎖線９まで行われたとき、加工面からギャップデプス
検出用パターン８を検知すると、図３（Ｂ）に示すよう
に長方形パターン８Ａ〜８Ｈの８個パターンが加工面に
露出，検知され、さらに加工が進行し最終ギャップデプ
ス加工ライン７まで行われたときには図３（Ｃ）に示す
ように８Ａ，８Ｂの２個パターンが検出される。
ップデプス加工を行うとき、加工が図３（Ａ）に示す一
点鎖線９まで行われたとき、加工面からギャップデプス
検出用パターン８を検知すると、図３（Ｂ）に示すよう
に長方形パターン８Ａ〜８Ｈの８個パターンが加工面に
露出，検知され、さらに加工が進行し最終ギャップデプ
ス加工ライン７まで行われたときには図３（Ｃ）に示す
ように８Ａ，８Ｂの２個パターンが検出される。
【００１９】すなわち、加工面から検知するギャップデ
プス検出用パターンはギャップデプス加工が進行するに
したがい、検出されるパターン数が減少していく。
プス検出用パターンはギャップデプス加工が進行するに
したがい、検出されるパターン数が減少していく。
【００２０】したがって、検出される長方形パターンの
数を検知することによりその検知数でギャップデプスを
管理することができるため、従来必要であった高い精度
での寸法測定が不要であり、容易にそのギャップデプス
検知できる。
数を検知することによりその検知数でギャップデプスを
管理することができるため、従来必要であった高い精度
での寸法測定が不要であり、容易にそのギャップデプス
検知できる。
【００２１】本実施例においてはギャップデプスを±
０．５μｍの精度で加工することができた。
０．５μｍの精度で加工することができた。
【００２２】また、本第１の実施例において、前述した
ように最終ギャップデプス加工ライン７で加工が終了し
たとき、図３（Ｃ）に示すように長方形パターンが２個
検知されるようにギャップデプス検出用パターン８の長
方形パターンを配置しているが、これは加工が最終ギャ
ップデプス加工ライン７を越えて行われた時のデプス確
認のためである（実際の加工では、最終ギャップデプス
ラインを中心としたある範囲内での加工を行えば良いの
でこの範囲内でのギャップデプス確認が必要となる）。
ように最終ギャップデプス加工ライン７で加工が終了し
たとき、図３（Ｃ）に示すように長方形パターンが２個
検知されるようにギャップデプス検出用パターン８の長
方形パターンを配置しているが、これは加工が最終ギャ
ップデプス加工ライン７を越えて行われた時のデプス確
認のためである（実際の加工では、最終ギャップデプス
ラインを中心としたある範囲内での加工を行えば良いの
でこの範囲内でのギャップデプス確認が必要となる）。
【００２３】ギャップデプス検出用パターン８は上部コ
ア３を形成する際、同時に形成したが、上部コア３形成
工程以外の工程で形成しても良いことは言うまでもな
い。
ア３を形成する際、同時に形成したが、上部コア３形成
工程以外の工程で形成しても良いことは言うまでもな
い。
【００２４】本第１の実施例では長方形パターンの本数
を１０本、最終ギャップデプス加工ライン７との距離１
μｍ間隔で異ならしたが、長方形パターンの本数や、最
終ギャップデプス加工ラインとの距離は必要な加工精
度，加工機の送り精度に応じて最適な本数，距離を設定
することができる。
を１０本、最終ギャップデプス加工ライン７との距離１
μｍ間隔で異ならしたが、長方形パターンの本数や、最
終ギャップデプス加工ラインとの距離は必要な加工精
度，加工機の送り精度に応じて最適な本数，距離を設定
することができる。
【００２５】なお、ギャップデプス加工時における加工
初期の粗加工時には精度の高いパターン幅検知が不要で
あるため、従来の直角二等辺三角形状パターンを用い、
最終仕上げ加工時に本発明のギャップデプス検出用パタ
ーンを使用し、加工効率を上げることもできる。
初期の粗加工時には精度の高いパターン幅検知が不要で
あるため、従来の直角二等辺三角形状パターンを用い、
最終仕上げ加工時に本発明のギャップデプス検出用パタ
ーンを使用し、加工効率を上げることもできる。
【００２６】次に第２の実施例について図４，図５を用
いて説明する。図４に示すように第２の実施例において
はヘッドの構成、Ａ−Ａ′断面等については第１の実施
例と同一であるので説明を省略する。そして、ギャップ
デプス検出用パターン１０が薄膜磁気ヘッド上に構成さ
れている。
いて説明する。図４に示すように第２の実施例において
はヘッドの構成、Ａ−Ａ′断面等については第１の実施
例と同一であるので説明を省略する。そして、ギャップ
デプス検出用パターン１０が薄膜磁気ヘッド上に構成さ
れている。
【００２７】ギャップデプス検出用パターン１０の拡大
図を図５（Ａ）に示す。第２の実施例ではギャップデプ
ス検出用パターン１０は１０個の長方形パターン１０Ａ
〜１０Ｊから構成されており、最終ギャップデプス加工
ライン１７に平行に配置され、長方形パターン１０Ａ〜
１０Ｊの最終ギャップデプス加工ライン１７に近接する
一辺と最終ギャップデプス加工ライン１７との距離が各
々の長方形パターン１０Ａ〜１０Ｊで異なっている。
図を図５（Ａ）に示す。第２の実施例ではギャップデプ
ス検出用パターン１０は１０個の長方形パターン１０Ａ
〜１０Ｊから構成されており、最終ギャップデプス加工
ライン１７に平行に配置され、長方形パターン１０Ａ〜
１０Ｊの最終ギャップデプス加工ライン１７に近接する
一辺と最終ギャップデプス加工ライン１７との距離が各
々の長方形パターン１０Ａ〜１０Ｊで異なっている。
【００２８】本第２の実施例においては長方形パターン
１０Ａ〜１０Ｊにおいて、そのパターンの最終ギャップ
デプス加工ライン１７に近接する一辺と最終ギャップデ
プス加工ライン７との距離をパターン１０Ａ，１０Ｂで
はそれぞれ１．５、０．５μｍ最終ギャップデプス加工
ライン１７に対し加工側と逆方向に位置させ、パターン
１０Ｃ〜１０Ｊは１μｍ間隔で０．５〜７．５μｍの範
囲で最終ギャップ加工面７から加工面側に突出させ、間
隔が大きくなるように配置した。
１０Ａ〜１０Ｊにおいて、そのパターンの最終ギャップ
デプス加工ライン１７に近接する一辺と最終ギャップデ
プス加工ライン７との距離をパターン１０Ａ，１０Ｂで
はそれぞれ１．５、０．５μｍ最終ギャップデプス加工
ライン１７に対し加工側と逆方向に位置させ、パターン
１０Ｃ〜１０Ｊは１μｍ間隔で０．５〜７．５μｍの範
囲で最終ギャップ加工面７から加工面側に突出させ、間
隔が大きくなるように配置した。
【００２９】このようなパターンを有するヘッドにギャ
ップデプス加工を行うとき、加工が図５（Ａ）に示す一
点鎖線１９まで行われたとき、加工面側から加工面に露
出したギャップデプス検出用パターン１０を検出する
と、図５（Ｂ）に示すように１０Ｉ，１０Ｊの２個パタ
ーン検出され、さらに加工が進行し最終ギャップデプス
加工ライン１７までデプス加工行われたときには図５
（Ｃ）に示すように長方形パターン１０Ｃ〜１０Ｊの８
個パターンが検出され、加工の進行に応じて、その検出
本数が増加する。
ップデプス加工を行うとき、加工が図５（Ａ）に示す一
点鎖線１９まで行われたとき、加工面側から加工面に露
出したギャップデプス検出用パターン１０を検出する
と、図５（Ｂ）に示すように１０Ｉ，１０Ｊの２個パタ
ーン検出され、さらに加工が進行し最終ギャップデプス
加工ライン１７までデプス加工行われたときには図５
（Ｃ）に示すように長方形パターン１０Ｃ〜１０Ｊの８
個パターンが検出され、加工の進行に応じて、その検出
本数が増加する。
【００３０】本第２の実施例においても第１の実施例と
同様に、ギャップデプスを±０．５μｍの精度で加工す
ることができた。
同様に、ギャップデプスを±０．５μｍの精度で加工す
ることができた。
【００３１】さらに第１の実施例においては、ギャップ
デプス加工時において長方形パターンが消滅していく
が、この時、長方形パターンが加工時の衝撃により欠落
することがあり、誤差を生じる可能性があるが、本第２
の実施例においてはパターンが露出していくため、パタ
ーンの欠落は生ぜず、良好な加工を行うことができる。
デプス加工時において長方形パターンが消滅していく
が、この時、長方形パターンが加工時の衝撃により欠落
することがあり、誤差を生じる可能性があるが、本第２
の実施例においてはパターンが露出していくため、パタ
ーンの欠落は生ぜず、良好な加工を行うことができる。
【００３２】また、本第２の実施例において、前述した
ように最終ギャップデプス加工ライン７で加工が終了し
たとき、図５（Ｃ）に示すようにまだ露出していない長
方形パターン１０Ａ，１０Ｂがあるが、これは加工が最
終ギャップデプス加工ライン７を越えて行われた時のデ
プス確認のためである（実際の加工では、最終ギャップ
デプスラインを中心としたある範囲内での加工を行えば
良いのでこの範囲内でのギャップデプス確認が必要とな
る）。
ように最終ギャップデプス加工ライン７で加工が終了し
たとき、図５（Ｃ）に示すようにまだ露出していない長
方形パターン１０Ａ，１０Ｂがあるが、これは加工が最
終ギャップデプス加工ライン７を越えて行われた時のデ
プス確認のためである（実際の加工では、最終ギャップ
デプスラインを中心としたある範囲内での加工を行えば
良いのでこの範囲内でのギャップデプス確認が必要とな
る）。
【００３３】ギャップデプス検出用パターン１０は上部
コア３を形成する際、同時に形成したが、上部コア３形
成工程以外の工程で形成しても良いことは言うまでもな
い。
コア３を形成する際、同時に形成したが、上部コア３形
成工程以外の工程で形成しても良いことは言うまでもな
い。
【００３４】長方形パターンの本数や、最終ギャップデ
プス加工ラインとの距離は必要な加工精度，加工機の送
り精度に応じて最適な本数，距離を設定することができ
ること、ギャップデプス加工時における加工初期の粗加
工時には精度の高いパターン幅検知が不要であるため、
従来の直角二等辺三角形状パターンを用い、最終仕上げ
加工時に本発明のギャップデプス検出用パターンを使用
し、加工効率を上げることもできることも第１の実施例
と同様である。
プス加工ラインとの距離は必要な加工精度，加工機の送
り精度に応じて最適な本数，距離を設定することができ
ること、ギャップデプス加工時における加工初期の粗加
工時には精度の高いパターン幅検知が不要であるため、
従来の直角二等辺三角形状パターンを用い、最終仕上げ
加工時に本発明のギャップデプス検出用パターンを使用
し、加工効率を上げることもできることも第１の実施例
と同様である。
【００３５】また、本第１，第２の実施例において、ギ
ャップデプス検出用パターンはヘッドチップの片端に配
置したが、マルチトラックヘッドでのギャップデプスの
加工量の偏りを防ぐため、チップ両端にギャップデプス
用マーカーを配置し、良好なギャップデプス加工を行う
こともできる。
ャップデプス検出用パターンはヘッドチップの片端に配
置したが、マルチトラックヘッドでのギャップデプスの
加工量の偏りを防ぐため、チップ両端にギャップデプス
用マーカーを配置し、良好なギャップデプス加工を行う
こともできる。
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明による薄膜磁気ヘッ
ドはギャップデプス形成加工を行う際の加工位置を確認
するギャップデプス検出用パターンが複数の長方形パタ
ーンを有し、且つ、最終ギャップデプス加工ラインに平
行に配置され、前記複数の長方形パターンの前記最終ギ
ャップデプス加工ラインに近接する一辺と前記最終ギャ
ップデプス加工ラインとの距離が前記複数の長方形パタ
ーンで異なることにより、ギャップデプス加工の際、加
工面に露出した長方形パターンの数を検知することで容
易にギャップデプスを検知できるため、精度の高いギャ
ップデプス加工を行った薄膜磁気ヘッドを得ることがで
きる。
ドはギャップデプス形成加工を行う際の加工位置を確認
するギャップデプス検出用パターンが複数の長方形パタ
ーンを有し、且つ、最終ギャップデプス加工ラインに平
行に配置され、前記複数の長方形パターンの前記最終ギ
ャップデプス加工ラインに近接する一辺と前記最終ギャ
ップデプス加工ラインとの距離が前記複数の長方形パタ
ーンで異なることにより、ギャップデプス加工の際、加
工面に露出した長方形パターンの数を検知することで容
易にギャップデプスを検知できるため、精度の高いギャ
ップデプス加工を行った薄膜磁気ヘッドを得ることがで
きる。
【図１】本発明の第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの
平面図
平面図
【図２】本発明の第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの
断面図
断面図
【図３】本発明の第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの
ギャップデプス検出用パターンを示す図
ギャップデプス検出用パターンを示す図
【図４】本発明の第２の実施例による薄膜磁気ヘッドの
平面図
平面図
【図５】本発明の第２の実施例による薄膜磁気ヘッドの
ギャップデプス検出用パターンを示す図
ギャップデプス検出用パターンを示す図
【図６】従来の薄膜磁気ヘッドの平面図
【図７】従来の薄膜磁気ヘッドの断面図
１，６１ フェライト基板 ２，６２ コイル ３，６３ 上部コア ４，６４ フロントギャップ部 ５，６５ ギャップ層 ６，６６ 保護基板 ７，１７ 最終デプス加工ライン ６７ 媒体摺動面 ８，１０，６８ ギャップデプス検出用パターン ６９ 加工面
Claims (1)
- 【請求項１】 磁性基板または非磁性基板上に磁性薄膜
からなる磁気コアと、コイルを具備してなる薄膜磁気ヘ
ッド、または磁性基板または非磁性基板上に磁気抵抗効
果素子を電磁変換素子として使用する薄膜磁気ヘッドで
あって、ギャップデプス形成加工を行う際の加工位置を
確認するギャップデプス検出用パターンが複数の長方形
パターンを有し、且つ、前記長方形パターンは最終ギャ
ップデプス加工ラインに平行に配置され、前記複数の長
方形パターンの前記最終ギャップデプス加工ラインに近
接する一辺と前記最終ギャップデプス加工ラインとの距
離が前記複数の長方形パターンで異なることを特徴とし
た薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26340593A JPH07121830A (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26340593A JPH07121830A (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07121830A true JPH07121830A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17389051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26340593A Pending JPH07121830A (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07121830A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6403510B1 (en) | 1999-08-25 | 2002-06-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Aluminum nitride sintered body and manufacturing method thereof |
-
1993
- 1993-10-21 JP JP26340593A patent/JPH07121830A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6403510B1 (en) | 1999-08-25 | 2002-06-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Aluminum nitride sintered body and manufacturing method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0356126B1 (en) | Recording head to minimize undershoots in readback pulses | |
| JP2979509B2 (ja) | 非磁性のウェーハにキャビティを形成することによって、平坦な磁気ヘッドを製造する方法 | |
| US6515475B2 (en) | Determination of track width of magnetoresistive sensors during magnetic head fabrication using magnetic fields | |
| US5056353A (en) | Marker for detecting amount of working and process for producing thin film magnetic head | |
| KR100346287B1 (ko) | 박막자기헤드 및 그의 제조방법 | |
| US4768121A (en) | Magnetic head formed by composite main pole film and winding core for perpendicular magnetic recording | |
| JPH07121830A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| US5612843A (en) | Method for accurately setting the gap in an inductive magnetic head | |
| KR100307084B1 (ko) | 박막자기헤드 제조방법 및 그 방법으로 제조된 반제품 박막자기헤드 | |
| JPH07134811A (ja) | 磁気抵抗ヘッド素子ウェハ及び複合磁気ヘッド素子ウェハ | |
| JPH10172115A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0229913A (ja) | 加工量検知用マーカー及び該マーカーを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH03237607A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの検査方法 | |
| JPH0316097Y2 (ja) | ||
| JP2511868B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH09147323A (ja) | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 | |
| JPH0546944A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS6222219A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH11250417A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS6226618A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS62229510A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS60177416A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH01184613A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの抵抗モニタパターン | |
| JPS62232718A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP2001084524A (ja) | 磁気ヘッド及び磁気ヘッド装置 |