JPH0249212A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ＶＴＲなどに用いて好適な薄膜磁気ヘラ１−
に関する。

〔従来の技術〕

薄膜磁気ヘッドにおいては、ギャップ深さは記録再生特
性に大きな影響を与える。このために、ギャップ深さを
正確に測定することが非常に重要である。このギャップ
深さを測定することができるようにするために、ギャッ
プ近傍にギャップ深さ検出用のマーカを設けるようにし
た薄膜磁気ヘッドが特開昭６０−１７７４１６号公報に
開示されている。

かかる薄膜磁気ヘッドの概略を説明すると、ギャップの
最深部の位置（ヘッドギャップ深さ零位）は信号コイル
の最もテープ摺動面倒の巻線に関して設定され、テープ
摺動面からこのヘッド深さ零位までの距離がヘッド深さ
となる。上記マーカは直角二等辺三角形をなし、直角な
頂点がヘッドギャップのギャップ深さ零位上にあり、か
つこの頂点の対辺がこの零位に平行となるように形成さ
れている。テープ摺動面のための切削研摩加工により、
マーカもこの対辺に平行に研摩されて研摩面に現われる
が、マーカが二等辺三角形であることにより、研摩面に
現われるマーカの幅からギャップ深さが検出でき、した
がって、ギャップ深さを所定値に設定することができる
。

ここで、上記従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、形成さ
れた絶縁膜をエツチングしてヘッドギャップのためのエ
リアを形成する際、エツチングのためのマスクを用いる
が、このマスクにマーカのパターンもヘッドギャップの
ためのパターンに対して精度よく形成され、このマスク
によってヘッドギャップのエリアとマーカとが同時に絶
縁膜に形成されるから、マーカとギャップ深さ零位との
位置関係が、マスク合わせの精度に関係なく、精度良く
設定できる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、マスクによって所定のパターンをエツチ
ングする場合、オーバーエツチングにより、形成される
パターンの寸法とマスク上のパターンの寸法との間に誤
差が生ずることは避けられない。このために、上記従来
の薄膜磁気ヘッドでは、マスク上にマーカやヘッドギャ
ップエリアのパターンを精度よく形成しても、これを用
いたエツチングによって形成されるマーカの寸法は誤差
が生じ、これに基づいて測定されるギャップ深さに誤差
が生じてしまうという問題があった。

このためには、測定結果の補正が必要であるが、研摩加
工をしながらテープ摺動面のマーク測定値を補正するこ
とは全く不可能であり、マーカ形成後、すなわちウェハ
ープロセスの途中で補正を行なわなければならず、しか
も、全チップについて行なわなければならないという問
題がある。

本発明の目的は、かかる問題点を解消し、研摩加工時に
パターン寸法誤差の補正を行なうことができて、正確な
ギャップ深さを得ることができるようにした薄膜磁気ヘ
ッドを提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、本発明は、ギャップ深さａ
ｌｌｌ定用の三角形パターンとともに、研摩加工によっ
てテープ摺動面上での寸法が変化しない長方形パターン
を設ける。

〔作用〕

上記三角形パターン、長方形パターンは、ヘッドギャッ
プのエリアの形成の際、同一マスクを用いて形成される
。これにより、三角形パターンとギャップ深さ零位の位
置関係や三角形パターンの姿勢は精度良く設定される。

長方形パターンは、研摩量にかかわらず、テープ摺動面
での寸法が変化しないから、この寸法はいつでも精度良
く測定できる。この寸法は、オーバーエツチングにより
、マスク上の長方形パターンの寸法との間に誤差が生ず
るが、いずれの長方形パターンの寸法も高精度で既知と
なるから、テープ摺動面での長方形パターンの寸法を測
定し。

マスク上の長方形パターンの寸法と比較することにより
、オーバーエツチングによる寸法誤差を検出することが
でき、これによって三角形パターンの１ｉｌｌｌ定され
る寸法を補正することにより、ギャップ深さを精度良く
設定することができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面によって説明する。

第１図（ａ）は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例
を示す平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の分断線Ａ
−Ａ’　に沿う断面図であって、１は信号コイル、２は
上部コア、３は非磁性基板、４はスルーホール、５は下
部コア、６はギャップ深さ零位、７はへラドギャップ、
８は絶縁膜、９はギャップ深さ検知パターン、１０は寸
法補正パターン、１１は突起である。

第１図（ａ）、（ｂ）において、非磁性基板３上にセン
ダスト、パーマロイ、ＣＯ系非晶質合金等の磁性膜を、
スパッタリングあるいは蒸着法により、形成した後、エ
ツチングにより、ギャップ深さ零位６（破線で示す）を
規定する突起１２を形成して下部コア５を得る。さらに
、その上に絶蒜ｒｉｔＡ８、信号コイル１を積層した後
、絶縁膜８に開けられたスルーホール４により、下部コ
ア５と接続される上部コア２を形成する。ただし、フロ
ント部は上部コア２と下部コア５の間に絶縁膜が形成さ
れており、ベツドギャップ７を成している。

これとともに、ギャップ深さ検知パターン９と寸法補正
パターン１０は同一工程で形成される。

これらは、ギャップ深さ零位６を規定する下部コア５の
突起１１の形式後ならば、どの工程で形成してもよい。

たとえば、絶縁膜８の形成後、上部コア２の形成後など
が考えられる。

ギャップ深さ検知パターン９は、図示するように、直角
二等辺三角形かつ鋭角を持つ頂点の一つがギャップ深さ
零位６上にあり、斜辺以外の一辺が磁気媒体上のトラッ
ク（図示せず）と平行になるような構造である。この場
合、例えばＢ−Ｂ’線まで研摩したとき、研摩面でのギ
ャップ深さ検知パターン９の幅をＸ２　とすると、この
ときのギャップ深さ　Ｘ、はｘ、＝：ｘ２となる。すな
わち、この寸法　ｘ２をｄｌす定することにより、ギャ
ップ深さｘ３を知ることができるはずである。

しかし、実際には、オーバーエツチングによってこのギ
ャップ深さ検出パターン９の寸法とマスク（図示せず）
上でのパターンの寸法は異なる。

すなわち、寸法ｘ２はギャップ深さとはならず、正確な
ギャップ深さを得ることはできない。そこで、寸法補正
パターン１０の寸法からこの誤差の補正を行なう。この
実施例では１寸法補正パターン１０は長方形であり、ギ
ャップ深さ方向に研摩面での寸法の変化がない形状とし
ている。寸法補正パターン１０はギャップ深さ検知パタ
ーン９と同時に形成するから、ギャップ深さ検知パター
ン９と寸法補正パターン１０のオーバーエツチングによ
る寸法誤差量は同じである。ここで、第２図に示すよう
に、マスク上での寸法補正パターンの寸法をｘｏ　とす
ると、第１図における寸法補正パターン１０は（Ｘニー
Ｘ　４　）の寸法誤差が生じたことになる。この寸法誤
差値を用いてギャップ深さ検知パターン９の測定値ｘ２
　を補正することにより、正確はギャップ深さＸ、を得
ることができる。

すなわちｘ、＝ｘ２＋（ｘ、−ｘ、）という関係が成り
立つ。

以上のように、この実施例では、寸法補正をテープ摺動
面からの測定だけで行なうことができ、良品のヘッドチ
ップのみに限定して行なえばよく、生産性が良い。

第３図はギャップ深さ検知パターンと寸法補正パターン
との他の具体例を示すものであって、これらを一体とし
たものである。この具体例によると、ギャップ深さ方向
にパターン寸法が変化しない部分でオーバーエツチング
による寸法誤差量を求め、これでもってギャップ深さに
応じて寸法が変化する部分の寸法を補正することにより
、上記実施例と同様の効果が得られる。

また、第４図はギャップ深さ検知パターンと寸法補正パ
ターンとを一体とした他の具体例を示すものであり、二
等辺三角形のパターンの各辺を一定幅Ｘ４、ｘ、′　と
し、この寸法Ｘ、またはｘ４′　をＳ定することによっ
て寸法誤差を検出し、測定されるギャップ深さｘ２また
はｘ２′　をこれで補正する。

第５図は本発明による薄ｒｙｉ４ｍ気ヘッドの他の実施
例を示す要部平面図であって、第１図に対応する部分に
は同一符号をつけている。

この実施例では、薄膜磁気ヘッドの構成が第１図に示し
た実施例と同じである。この実施例が第１図に示した実
施例と異なる点は、ギャップ深さ零位６は下部コア５に
設けた突起１１で規定する４Ｗ造であるが、寸法補正パ
ターン１０、ギャップ深さ検知パターン９下部コア５の
突起１１は同一工程で形成する。従って、ギャップ深さ
検知パターン９とギ卒ツブ深さ零位６の位置ずれは零で
ある。

ｃ−ｃ’線まで研摩したとする。ギャップ深さ検知パタ
ーン９を直角二等辺三角形であって、斜辺以外の一辺が
トラックと平行にし、鋭角の一つがギャップ深さ零位６
上にある様な形状とすれば。

このときのギャップ深さ検知パターン９の幅Ｘ６ギャッ
プ深さ　ｘ７と等しいはずである。しかし。

実際には、オーバーエツチングにより寸法変化があるか
ら、第１図に示した実施例と同じ方法で寸法補正をしな
ければ正確なギャップ深さはわからない。そこで、寸法
補正パターン１０の寸法Ｘ。

と、第６図に示すマスク上でパターンの寸法　ｘ８とか
ら、第１図に示した実施例と同様の理由により、寸法誤
差量（ｘｓ−ｘｓ）を用いて補正すればよい。この値を
用いてギャップ深さ検知パターン９を補正することによ
り、正確にギャップ深さを求めることができる。すなわ
ち、Ｘ、＝Ｘ、＋（Ｘｓ　　Ｘ５）の関係が成り立つ。

これまでに述べた実施例では、ギャップ深さ零位６の規
定をすべて下部コア５を加工して形成した突起１１によ
って行う場合について述べたが、第７図に示す様に、ギ
ャップ深さ零位６の規定を絶縁膜９に開けられた、上部
コア２と下部コア５の接続用スルーホール４によって行
なう場合でも全く同様である。

以上はヘッド素子を１個ずつ研摩加工する場合であった
が、次に、ヘッド素子が横一列に並んだ短冊状の基板を
研摩することによって同時に複数個のへラドチップを仕
上げる場合について述べる。

この場合、各ベツドチップのギャップ深さを同一にする
には、研摩面はトラックと平行でなければならない。

第２図に示したギャップ深さ検知パターンを用いて研摩
面とトラックのずれを知ることができる。

すなわち、研摩を進めた後、−列に並んだヘッドチップ
の左右両端のギャップ深さ検知パターンの寸法を測定す
る。このとき、研摩面とトラックが・Ｖ行ならば、これ
らパターンの寸法は等しいはずであるから、寸法のずれ
があればその値を用いて研摩面のずれ量を知ることがで
きる。こうして。

ずれ旦を検知しながら研摩することにより複数個のへラ
ドチップのギャップ深さを等しくすることができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように１本発明によれば、研Ｊ求工程でギ
ャップ深さ検知パターンの測定寸法を補正をすることが
でき、ギャップ深さの精度を容易に高めることができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例
を示す平面図、同図（ｂ）はその断面図。 第２図は第１図（ａ）における寸法補正パターンを形成
するためのマスク上のパターンを示す図、第３図および
第４図は夫々ギャップ深さ検知パターンと寸法補正パタ
ーンの他の具体例を示す図、第５図は本発明による薄膜
磁気ヘッドの他の実施例を示す要部平面図、第６図は第
５図における寸法補正パターンを形成するためのマスク
上のパターンを示す図、第７図は本発明による薄膜磁気
ヘッドのさらに他の実施例を示す断面図である。 ２・・・・・上部コア、３・・・・・・非磁性基板、５
・・・・・下部コア、６・・・・・・ヘッド深さ零位、
７・・・・・・ヘッドギャップ、８・・・・・・絶縁膜
、９・・・・・・ギャップ深さ検知パターン、１０・・
・・・・寸法補正パターン、１１・・・・・突起。 （ｂ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、非磁性基板上に下部コア、絶縁膜、信号コイルが順
   次積層され、該絶縁膜からなるヘッドギャップを介して
   該下部コアと接続される上部コアがさらに積層されてな
   る薄膜磁気ヘッドにおいて、ギャップ深さ方向に幅が変
   化し、かつ頂点の１つがギャップ深さ零位にある三角形
   パターンと、一辺が該ギャップ深さ零位上にある長方形
   パターンとを設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２、請求項１において、前記ギャップ深さ零位を規定す
   るパターンと、前記三角形パターンと、前記長方形パタ
   ーンとが同時に形成されたことを特徴とする薄膜磁気ヘ
   ッド。 ３、非磁性基板上に下部コア、絶縁膜、信号コイルが順
   次積層され、該絶縁膜からなるヘッドギャップを介して
   該下部コアと接続される上部コアがさらに積層されてな
   る薄膜磁気ヘッドにおいて、一部にギャップ深さ方向に
   対して幅が変化しない部分を有し、かつ頂上の１つがギ
   ャップ深さ零位にある三角形パターンを設けたことを特
   徴とする薄膜磁気ヘッド。