KR890007364A - 반도체 소자 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 소자 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1내지 5도는 본 발명을 실시한 제조 단계의 절단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자 제조 방법에 있어서, 기핀을 제공하는 단계, 상기 기판의 표면상에 제1탄소 함유 스핀-온 유리층을 침전하는 단계, 상기 제1탄소 함유 스핀-온 유리층 표면상에 광 저항층을 침전하는 단계, 상기 광 저항을 마스크하고 형성하는 단계, 상기 기판과 상기 광 저항으로 설명된 영역에서의 제1탄소 함유 스핀-온 유리층 전체를 에칭하는 단계, 지향성 에칭 메타니즘을 사용한 상기 광 저항층을 제거하는 단계, 상기 제1탄소 함유 스핀-온 유리층의 상부 스킨으로부터 탄소 성분을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로하는 반도체 소자 제조 방법.
  2. 반도체 소자 제조 방법에 있어서, 금속 기판을 제공하는 단계와, 상기 금속 기판의 표면상에 제1화학적 증기침전 산화물층을 침전하는 단계, 상기 제1화학적 증기 침전 산화물층의 표면상에 제1탄소 함유 스핀-온 유리층을 침전하는 단계, 상기 제1탄소 함유 스핀-온 유리층상에 제2화학적 증기 침전층을 침전하는 단계, 상기 제2화학적 증기 침전 산화물층상에 제2탄소 함유 스핀-온 유리층을 침전하는 단계, 상기 제2탄소 함유 스핀-온 유리층상에 제3화학적 증기 침전 산화물층을 침전하는 단계, 상기 제3화학적 증기 침전 산화물층상에 제3탄소 함유 스핀-온 유리층을 침전하는 단계, 상기 제3탄소 함유 스핀-온 유리층의 표면상에 광 저항층을 침전하는 단계, 상기 광 저항을 마스크하고, 형성하는 단계, 상기 기판과 상기 광 저항으로 설명된 영역에서의 상기 제1탄소 함유 스핀-온 유리층 전체를 에칭하는 단계, 지향성 에칭 메카니즘을 사용한 상기 광 저항층을 제거하는 단계, 상기 탄소 함유 스핀-온 유리의 상부 스킨으로 부터 탄소 성분을 제거하는 단계, 상기 제1탄소 함유 스핀-온 유리층의 상기 상부스킨상에 금속층을 침전하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
  3. 반도체 소자 제조방법에 있어서, 금속 기판을 제공하는 단계, 상기 금속 기판 표면상에 제1화학적 증기 침전 산화물층을 침전하는단계, 상기 제1화학적 증기 침전 산화물층 표면상에 제1탄소 함유 스핀-온 유리층을 침전하는 단계, 상기 제1탄소 함유 스핀-온 유리층상에 제2화학적 증기 산화물층을 침전하는 단계, 상기 제2화학적 증기 침전 산화물층상에 제2탄소 함유 스핀-온 유리층을 침전하는 단계, 상기 제2탄소 함유 스핀-온 유리층상에 제3화학적 증기 침전 산화물층을 침전하는 단계, 상기 제3화학적 증기 침전 산화물층상에 제3탄소 함유 스핀-온 유리층을 침전하는 단계, 상기 제3탄소 함유 스핀-온 유리층 표면상에 광 저항층을 침전하는 단계, 상기 광 저항을 마스크하고 형성하는 단계, 상기 제1, 제2 및 제3탄소 함유 스핀-온 유리층과 상기 광 저항으로 설명된 영역에서의 상기 제1, 제2 및 제3화학적 증기 침전 산화물층을 에칭하는 단게, 다운스트림 에칭 메카니즘을 사용한 상기 광 저항층을 제거하는 단게, 상기 제3탄소 함유 스핀-온 유리층의 상부 스킨으로부터 탄소 성분을 제거하는 단게, 상기 제3탄소 함유 스핀-온 유리층의 상기 상부 스킨상에 금속층을 침전하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880012733A 1987-10-02 1988-09-30 반도체 소자 제조 방법 KR970007114B1 (ko)

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