KR950021222A - 반도체 장치의 금속배선층 형성방법 및 금속 접촉부 - Google Patents

반도체 장치의 금속배선층 형성방법 및 금속 접촉부 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 장치에서 접촉홀을 통해 접촉층과 금속배선층간에 금속배선층을 구성하는 원소가 일부 포함된 반도체층을 개재하여 구성시키는 방법 및 그 구조에 관한 것으로, 공정은 접촉층상에 절연층을 형성하고 사진 식각하여 절연층에 접촉홀을 형성하여 접촉층을 노출시키는 단계와, 상기한 접촉홀 형성시 접촉홀의 잔유산화물을 에칭하여 제거하는 단계와, 기판 전면에 반도체층을 형성하고 식각방법으로 반도체층을 패터닝하므로서 접촉홀 내의 노출된 접촉층을 반도체층으로 덮는 단계와, 금속배선층을 접촉홀에 형성하고 금속 배선층을 이루는 원소의 일부가 반도체층에 확산되는 단계로 이루어져 접촉층과 금속배선층을 연결하도록 하며, 접촉층상에 형성한 절연층에 접촉홀이 형성되고 이 접촉홀을 통해 금속배선층을 형성하는 금속 배선접촉부는 접촉층과, 상기 접촉홀바닥의 접촉층위에 형성된 반도체층과, 상기 반도체층과 접한 금속배선층으로 구성되고, 상기 반도체층은 이에 확산된 금속배선층의 원소가 포함되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 장치의 금속배선층 형성방법 및 금속 접촉부
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(a) 내지 제2도(e)는 본 발명에 따른 반도체장치의 금속배선층형성 공정을 나타낸 도면이다.

Claims (8)

  1. 접촉층상에 절연층을 형성하고 사진식각하여 절연층에 접촉홀을 형성하는 단계; 상기한 접촉홀 형성시 접촉홀의 잔유산화물을 에칭하여 제거하는 단계; 기판 전면에 반도체층을 형성하고 사진식각방법으로 반도체층을 패터닝하므로 접촉홀내의 노출된 접촉층을 반도체층으로 덮는 단계; 금속 배선층을 접촉홀에 형성하고 금속 배선층을 이루는 원소의 일부가 반도체층에 확산되는 단계로 이루어져 접촉층과 금속배선층을 연결하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선층 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접촉층은 반도체층 또는 금속층인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속 배선층 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 잔유산화층의 제거는 불산용액으로 습식 에칭하여 제거함을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선층 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 접촉홀내의 반도체층은 ZnO인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선층 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기ZnO층은 (C2H5)Zn : H2O은 1:10 이상으로 하고, 증착온도는 350 내지 450℃, 압력은 200 내지 350Torr으로 형성되고, ZnO의 두께를 약 200Å이 되게 하며, 도핑된 Al의 원소는 1023개 미만인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선층 형성방법.
  6. 접촉층상에 형성한 절연층에 접촉홀이 형성되고 이 접촉홀을 통해 금속배선층을 형성한 금속 배선 접촉부는 접촉층과, 상기 접촉홀 바닥의 접촉층위에 형성된 반도체층과, 상기 반도체층과 접한 금속 배선층으로 구성되고, 상기 반도체층은 이에 확산되는 금속 배선층의 원소가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선 접촉부.
  7. 제5항에 있어서, 상기 접촉층은 반도체층 또는 금속층인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속 배선 접촉부.
  8. 제5항에 있어서, 상기 접촉홀내의 반도체층은 ZnO인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속 배선 접촉부.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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