KR920017211A - Ic 내 리액터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 공정 단면도, 제4도는 본 발명의 리액터 제조후의 평면도.
Claims (1)
- 기판위에 산화막을 성장시켜 사진/식각 공정으로 접촉창을 형성하는 공정과, 상기 접촉창에 리액터 패턴을 이룬 불순물을 주입하고 다시 산화막을 성장시켜 사진/식각 공정으로 접촉창을 형성하는 공정과, 상기 접촉창에 메탈을 증착하고 사진/식각을 통하여 리액터를 형성하는 공정을 포함하여서 이루어지는 IC 내 리액터 제조방법.※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910002347A KR100205440B1 (ko) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 아이씨 내 리액터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910002347A KR100205440B1 (ko) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 아이씨 내 리액터 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920017211A true KR920017211A (ko) | 1992-09-26 |
| KR100205440B1 KR100205440B1 (ko) | 1999-07-01 |
Family
ID=19311039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910002347A KR100205440B1 (ko) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 아이씨 내 리액터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100205440B1 (ko) |
-
1991
- 1991-02-12 KR KR1019910002347A patent/KR100205440B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100205440B1 (ko) | 1999-07-01 |
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