KR930011267A - 마스크롬의 mos 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (1)
- 마스크롬의 메모리 셀을 구성하는 MOS트랜지스터의 게이트 전극 형성에 있어서, 기판위의 게이트 산화층상에 다결정 실리콘층을 형성하고 이 위에 WSi의 실리사이드 층을 상기 실리콘층보다 두껍게 형성하여 게이트 전극을 형성하고, 이 게이트 전극의 다결정 실리콘 층을 다른 영역의 반도체 층과 접촉하는 접촉부에 연결되어 있지 않는 것을 특징으로 하는 마스크롬의 MOS 트랜지스터 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
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Publications (2)
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| KR940009629B1 KR940009629B1 (ko) | 1994-10-15 |
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ID=19322940
Family Applications (1)
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| KR (1) | KR940009629B1 (ko) |
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1991
- 1991-11-16 KR KR1019910020420A patent/KR940009629B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|
| KR940009629B1 (ko) | 1994-10-15 |
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