KR910019155A - 반도체 장치의 리드 포밍 방법 - Google Patents

반도체 장치의 리드 포밍 방법 Download PDF

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KR910019155A
KR910019155A KR1019910006575A KR910006575A KR910019155A KR 910019155 A KR910019155 A KR 910019155A KR 1019910006575 A KR1019910006575 A KR 1019910006575A KR 910006575 A KR910006575 A KR 910006575A KR 910019155 A KR910019155 A KR 910019155A
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KR
South Korea
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lead
semiconductor device
forming method
lead forming
preliminary bending
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Application number
KR1019910006575A
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Inventor
노부히로 후라다떼
미노루 도가시
Original Assignee
아오이 죠이찌
가부시끼가이샤 도시바
원본미기재
이와떼 도시바 일렉트로닉스 가부시끼가이샤
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 장치의 리드 포밍 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 장치의 리드 포밍 방법에 대해 도시한 개략도, 제2도는 본 발명의 리드 포밍 방법을 예를 들면 OFP 타입의 반도체 장치에 실시하기 위한 리드 포밍 금형의 일예를 도시한 측면도, 제3도는 본 발명에 따른 반도체 장치와 종래 기술에 따른 반도체 장치와의 리드 평탄성에 대해 비교하여 도시한 도면.

Claims (3)

  1. 봉지 수지에서 도출한 리드에 대해 그 근원으로 상부측 또는 하부측으로 예비 만곡을 행한 후, 상기 리드에 대한 최종 만곡 형상을 얻는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 리드 포밍 방법.
  2. 봉지 수지에서 도출한 리드에 대해 그 근원부터 상부측 또는 하부측으로 적어도 1회이상 예비 만곡을 행한후, 상기 리드에 대한 최종 만곡 형상을 얻는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 리드 포밍 방법.
  3. 제1 또는 제2항에 있어서, 상기 리드의 예비 만곡을 행한 후 상기 리드를 평평한 상태로 회복하고 나서 최종 만곡 형사을 얻는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 리드 포밍 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910006575A 1990-04-25 1991-04-24 반도체 장치의 리드 포밍 방법 KR910019155A (ko)

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EP0454053A3 (en) 1992-03-18
US5127447A (en) 1992-07-07
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