JP2515035B2 - 半導体装置のリ―ドフォ―ミング方法 - Google Patents
半導体装置のリ―ドフォ―ミング方法Info
- Publication number
- JP2515035B2 JP2515035B2 JP2109871A JP10987190A JP2515035B2 JP 2515035 B2 JP2515035 B2 JP 2515035B2 JP 2109871 A JP2109871 A JP 2109871A JP 10987190 A JP10987190 A JP 10987190A JP 2515035 B2 JP2515035 B2 JP 2515035B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- semiconductor device
- forming method
- lead forming
- bending
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 29
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 11
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、QFP（Quad Flat Package）やSOP（Small O
utline Package）タイプの半導体装置のリードフォーミ
ング方法に関する。
utline Package）タイプの半導体装置のリードフォーミ
ング方法に関する。
（従来の技術） 従来、QFPやSOPタイプの半導体装置は、例えば第５図
（ａ）及び（ｂ）に示すような外観をしている。また、
前記半導体装置のリードフォーミングは、第６図（ａ）
及び（ｂ）に示すようなリードフォーミング金型により
行われている。ここで、１は封止樹脂（パッケージ）、
２はアウターリード、３は曲げポンチホルダ、４はスト
リッパ、５は曲げダイ、６はエジェクターピン、７はス
プリング、８は曲げポンチである。
（ａ）及び（ｂ）に示すような外観をしている。また、
前記半導体装置のリードフォーミングは、第６図（ａ）
及び（ｂ）に示すようなリードフォーミング金型により
行われている。ここで、１は封止樹脂（パッケージ）、
２はアウターリード、３は曲げポンチホルダ、４はスト
リッパ、５は曲げダイ、６はエジェクターピン、７はス
プリング、８は曲げポンチである。
つまり、従来のリードフォーミング方法は、第７図
（ａ）及び（ｂ）に示すように、アウターリード２がフ
ラットな状態から、直接リードフォーミングを行い、最
終曲げ形状を得ている。
（ａ）及び（ｂ）に示すように、アウターリード２がフ
ラットな状態から、直接リードフォーミングを行い、最
終曲げ形状を得ている。
しかしながら、前記第６図（ａ）及び（ｂ）に示すよ
うな金型により直接リードフォーミングを行う方法で
は、以下に示すような欠点がある。
うな金型により直接リードフォーミングを行う方法で
は、以下に示すような欠点がある。
即ち、リードフォーミング前においては、例えば第８
図に示すように、モールド工程での樹脂収縮や、バリ取
り工程等に起因して、封止樹脂１から導出したアウター
リード２は、その根元９から上下方向のバラツキαを有
している。このため、いわゆるリードのバタツキが発生
しており、この状態でリードフーミングにより最終曲げ
形状を得ると、リードフォーミング前のアウターリード
２のバラツキが、そのままリードフォーミング後に持ち
越されてしまう。よって、アウターリード２のリード平
坦性（Coplanarity）の向上、曲げ形状の安定化を達成
することが困難であった。
図に示すように、モールド工程での樹脂収縮や、バリ取
り工程等に起因して、封止樹脂１から導出したアウター
リード２は、その根元９から上下方向のバラツキαを有
している。このため、いわゆるリードのバタツキが発生
しており、この状態でリードフーミングにより最終曲げ
形状を得ると、リードフォーミング前のアウターリード
２のバラツキが、そのままリードフォーミング後に持ち
越されてしまう。よって、アウターリード２のリード平
坦性（Coplanarity）の向上、曲げ形状の安定化を達成
することが困難であった。
（発明が解決しようとする課題） このように、従来の半導体装置のリードフォーミング
方法では、リードフォーミング前におけるアウターリー
ドのバラツキがそのままリードフォーミング後に持ち越
されてしまうため、アウターリードのリード平坦性の向
上、曲げ形状の安定化を達成することができない欠点が
った。
方法では、リードフォーミング前におけるアウターリー
ドのバラツキがそのままリードフォーミング後に持ち越
されてしまうため、アウターリードのリード平坦性の向
上、曲げ形状の安定化を達成することができない欠点が
った。
本発明は、上記欠点を解決すべくなされたもので、リ
ードフォーミング前におけるアウターリードのバラツキ
を矯正した後、リードフォーミングを行うことにより、
アウターリードのリード平坦性の向上、曲げ形状の安定
化を可能にするリードフォーミング方法を提供すること
を目的とする。
ードフォーミング前におけるアウターリードのバラツキ
を矯正した後、リードフォーミングを行うことにより、
アウターリードのリード平坦性の向上、曲げ形状の安定
化を可能にするリードフォーミング方法を提供すること
を目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために、本発明の半導体装置のリ
ードフォーミング方法は、まず、封止樹脂から導出した
リードについて、その根元から上方又は下方に予備曲げ
を行い、この後に前記リードについての最終曲げ形状を
得るというものである。
ードフォーミング方法は、まず、封止樹脂から導出した
リードについて、その根元から上方又は下方に予備曲げ
を行い、この後に前記リードについての最終曲げ形状を
得るというものである。
また、封止樹脂から導出したリードについて、その根
元から上方及び下方に少なくとも１回以上予備曲げを行
い、この後に前記リードについての最終曲げ形状を得る
というものである。
元から上方及び下方に少なくとも１回以上予備曲げを行
い、この後に前記リードについての最終曲げ形状を得る
というものである。
さらに、前記リードの予備曲げを行った後に、前記リ
ードをフラットの状態に戻してから最終曲げ形状を得る
というものである。
ードをフラットの状態に戻してから最終曲げ形状を得る
というものである。
（作用） このような方法によれば、封止樹脂から導出したリー
ドの根元から上方又は下方に予備曲げを行っている。こ
のため、モールド工程での樹脂収縮や、バリ取り工程等
に起因するアウターリードのバラツキを矯正することが
できる。
ドの根元から上方又は下方に予備曲げを行っている。こ
のため、モールド工程での樹脂収縮や、バリ取り工程等
に起因するアウターリードのバラツキを矯正することが
できる。
また、予備曲げは、リードの根元から上方及び下方に
少なくとも１回以上行うのが良い。
少なくとも１回以上行うのが良い。
さらに、前記リードの予備曲げを行った後に、前記リ
ードをフラットの状態に戻せば、さらに効果的である。
ードをフラットの状態に戻せば、さらに効果的である。
（実施例） 以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図（ａ）乃至（ｄ）は、本発明の第１の実施例に
係わる半導体装置のリードフォーミング方法を、又第２
図（ａ）及び（ｂ）は、本発明のリードフォーミング方
法を例えばQEPタイプ（144ピン）の半導体装置について
実施するためのリードフォーミング金型をそれぞれ示し
ている。ここで、11は封止樹脂（パッケージ）、12はア
ウターリード、13は曲げポンチホルダ、14はストリッ
パ、15は曲げダイ、16はエジェクターピン、17は曲げポ
ンチ、18は予備曲げポンチ、19は予備曲げダイをそれぞ
れ示している。
係わる半導体装置のリードフォーミング方法を、又第２
図（ａ）及び（ｂ）は、本発明のリードフォーミング方
法を例えばQEPタイプ（144ピン）の半導体装置について
実施するためのリードフォーミング金型をそれぞれ示し
ている。ここで、11は封止樹脂（パッケージ）、12はア
ウターリード、13は曲げポンチホルダ、14はストリッ
パ、15は曲げダイ、16はエジェクターピン、17は曲げポ
ンチ、18は予備曲げポンチ、19は予備曲げダイをそれぞ
れ示している。
即ち、リードフォーミング前の半導体装置は、アウタ
ーリード12がフラットな状態となっており（第１図
（ａ）参照）、又この状態において封止樹脂11から導出
したアウターリード12は、その根元から上下方向のバラ
ツキを有している。そこで、この後、例えば第２図に示
す予備曲げ部の金型を用いて、全てのアウターリード12
について、その根元から上方（同図（ｂ）参照）又は下
方（同図（ｃ）参照）へ予備曲げを行う。これにより、
アウターリード12のバラツキを矯正する。そして、次
に、例えば第２図に示す最終曲げ部の金型を用いて、半
導体装置のリードフォーミングを行い、最終曲げ形状を
得る（同図（ｄ）参照）。
ーリード12がフラットな状態となっており（第１図
（ａ）参照）、又この状態において封止樹脂11から導出
したアウターリード12は、その根元から上下方向のバラ
ツキを有している。そこで、この後、例えば第２図に示
す予備曲げ部の金型を用いて、全てのアウターリード12
について、その根元から上方（同図（ｂ）参照）又は下
方（同図（ｃ）参照）へ予備曲げを行う。これにより、
アウターリード12のバラツキを矯正する。そして、次
に、例えば第２図に示す最終曲げ部の金型を用いて、半
導体装置のリードフォーミングを行い、最終曲げ形状を
得る（同図（ｄ）参照）。
このようなリードフォーミング方法によれば、アウタ
ーリード12の予備曲げにより、モールド工程での樹脂収
縮や、バリ取り工程等に起因するアウターリード12のバ
ラツキを矯正した後、最終曲げ形状を得ている。このた
め、最終曲げ形状については、リードフォーミング前の
アウターリード12のバラツキを、そのままリードフォー
ミング後に持ち越すということがなく、アウターリード
のリード平坦性の向上、曲げ形状の安定化を可能にす
る。
ーリード12の予備曲げにより、モールド工程での樹脂収
縮や、バリ取り工程等に起因するアウターリード12のバ
ラツキを矯正した後、最終曲げ形状を得ている。このた
め、最終曲げ形状については、リードフォーミング前の
アウターリード12のバラツキを、そのままリードフォー
ミング後に持ち越すということがなく、アウターリード
のリード平坦性の向上、曲げ形状の安定化を可能にす
る。
第３図は、本発明のリードフォーミング方法による半
導体装置と従来の方法による半導体装置とについて、リ
ード平坦性（バラツキの平均値ｘ（μｍ））及びその標
準偏差σn-1を示したものである。
導体装置と従来の方法による半導体装置とについて、リ
ード平坦性（バラツキの平均値ｘ（μｍ））及びその標
準偏差σn-1を示したものである。
即ち、リードフォーミング後のアウターリード12のバ
ラツキの平均値ｘは、従来と比較して1/2に減少してい
る。また、その標準偏差σn-1も小さくなっていること
がわかる。
ラツキの平均値ｘは、従来と比較して1/2に減少してい
る。また、その標準偏差σn-1も小さくなっていること
がわかる。
第４図（ａ）乃至（ｅ）は、本発明の第２の実施例に
係わる半導体装置のリードフォーミング方法を示してい
る。
係わる半導体装置のリードフォーミング方法を示してい
る。
本実施例では、アウターリード12について、その根元
から上方及び下方に少なくとも１回以上予備曲げを行っ
た後に、半導体装置のリードフォーミングを行い、最終
曲げ形状を得ている。例えば、まず、全てのアウターリ
ード12について、その根元から上方へ予備曲げを行う
（同図（ａ）及び（ｂ）参照）。また、全てのアウター
リード12について、その根元から下方へ予備曲げを行う
（同図（ｃ）参照）。この後、全てのアウターリード12
をフラットな状態に戻すことにより、アウターリード12
のバラツキを矯正する（同図（ｄ）参照）。この後、半
導体装置のリードフォーミングを行い、最終曲げ形状を
得る（同図（ｅ）参照）。なお、アウターリード12の予
備曲げによりそのバラツキを矯正し、この後、アウター
リード12をフラットな状態に戻すことなく、最終曲げ形
状を得てもよい。
から上方及び下方に少なくとも１回以上予備曲げを行っ
た後に、半導体装置のリードフォーミングを行い、最終
曲げ形状を得ている。例えば、まず、全てのアウターリ
ード12について、その根元から上方へ予備曲げを行う
（同図（ａ）及び（ｂ）参照）。また、全てのアウター
リード12について、その根元から下方へ予備曲げを行う
（同図（ｃ）参照）。この後、全てのアウターリード12
をフラットな状態に戻すことにより、アウターリード12
のバラツキを矯正する（同図（ｄ）参照）。この後、半
導体装置のリードフォーミングを行い、最終曲げ形状を
得る（同図（ｅ）参照）。なお、アウターリード12の予
備曲げによりそのバラツキを矯正し、この後、アウター
リード12をフラットな状態に戻すことなく、最終曲げ形
状を得てもよい。
このようなリードフォーミング方法でも、アウターリ
ード12の予備曲げにより、そのバラツキを矯正した後、
最終曲げ形状を得ている。よって、前記第１の実施例と
同様の効果を得ることができる。
ード12の予備曲げにより、そのバラツキを矯正した後、
最終曲げ形状を得ている。よって、前記第１の実施例と
同様の効果を得ることができる。
なお、本発明のリードフォーミング方法は、44ピン、
60ピン、100ピン、144ピン等のQFPタイプの半導体装置
の他、ほとんどの半導体装置について適用することがで
きる。
60ピン、100ピン、144ピン等のQFPタイプの半導体装置
の他、ほとんどの半導体装置について適用することがで
きる。
［発明の効果］ 以上、説明したように、本発明の半導体装置のリード
フォーミング方法によれば、次のような効果を奏する。
フォーミング方法によれば、次のような効果を奏する。
封止樹脂から導出したアウターリードについて、その
根元から上方又は下方に予備曲げを行うことにより、モ
ールド工程での樹脂収縮や、バリ取り工程等に起因する
アウターリードのバラツキを矯正している。よって、リ
ードフォーミング後においてアウターリードのリード平
坦性の向上、曲げ形状の安定化を図ることができる。
根元から上方又は下方に予備曲げを行うことにより、モ
ールド工程での樹脂収縮や、バリ取り工程等に起因する
アウターリードのバラツキを矯正している。よって、リ
ードフォーミング後においてアウターリードのリード平
坦性の向上、曲げ形状の安定化を図ることができる。
第１図は本発明の第１の実施例に係わる半導体装置のリ
ードフォーミング方法について示す概略図、第２図は本
発明のリードフォーミング方法を例えばQFPタイプの半
導体装置について実施するためのリードフォーミング金
型の一例を示す側面図、第３図は本発明に係わる半導体
装置と従来に係わる半導体装置とのリード平坦性につい
て比較して示す図、第４図は本発明の第２の実施例に係
わる半導体装置のリードフォーミング方法について示す
概略図、第５図はQFPタイプ及びSOPタイプの半導体装置
について示す外観図、第６図は従来のリードフォーミン
グ方法を実施するためのリードフォーミング金型の一例
を示す側面図、第７図は従来のリードフォーミング方法
について示す概略図、第８図は従来のリードフォーミン
グ前の半導体装置について示す概略図である。 11……封止樹脂（パッケージ）、12……アウターリー
ド、13……曲げポンチホルダ、14……ストリッパ、15…
…曲げダイ、16……エジェクターピン、17……曲げポン
チ、18……予備曲げポンチ、19……予備曲げダイ。
ードフォーミング方法について示す概略図、第２図は本
発明のリードフォーミング方法を例えばQFPタイプの半
導体装置について実施するためのリードフォーミング金
型の一例を示す側面図、第３図は本発明に係わる半導体
装置と従来に係わる半導体装置とのリード平坦性につい
て比較して示す図、第４図は本発明の第２の実施例に係
わる半導体装置のリードフォーミング方法について示す
概略図、第５図はQFPタイプ及びSOPタイプの半導体装置
について示す外観図、第６図は従来のリードフォーミン
グ方法を実施するためのリードフォーミング金型の一例
を示す側面図、第７図は従来のリードフォーミング方法
について示す概略図、第８図は従来のリードフォーミン
グ前の半導体装置について示す概略図である。 11……封止樹脂（パッケージ）、12……アウターリー
ド、13……曲げポンチホルダ、14……ストリッパ、15…
…曲げダイ、16……エジェクターピン、17……曲げポン
チ、18……予備曲げポンチ、19……予備曲げダイ。
Claims (3)
- 【請求項１】封止樹脂から導出したリードについて、そ
の根元から上方又は下方に予備曲げを行った後、前記リ
ードについての最終曲げ形状を得ることを特徴とする半
導体装置のリードフォーミング方法。 - 【請求項２】封止樹脂から導出したリードについて、そ
の根元から上方及び下方に少なくとも１回以上予備曲げ
を行った後、前記リードについての最終曲げ形状を得る
ことを特徴とする半導体装置のリードフォーミング方
法。 - 【請求項３】前記リードの予備曲げを行った後、前記リ
ードをフラットの状態に戻してから最終曲げ形状を得る
ことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置のリ
ードフォーミング方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2109871A JP2515035B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 半導体装置のリ―ドフォ―ミング方法 |
| EP19910106510 EP0454053A3 (en) | 1990-04-25 | 1991-04-23 | Method of bending outer leads of a semiconductor device |
| US07/690,272 US5127447A (en) | 1990-04-25 | 1991-04-24 | Method of bending outer leads of a semiconductor device |
| KR1019910006575A KR910019155A (ko) | 1990-04-25 | 1991-04-24 | 반도체 장치의 리드 포밍 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2109871A JP2515035B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 半導体装置のリ―ドフォ―ミング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH047862A JPH047862A (ja) | 1992-01-13 |
| JP2515035B2 true JP2515035B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=14521309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2109871A Expired - Lifetime JP2515035B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 半導体装置のリ―ドフォ―ミング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5127447A (ja) |
| EP (1) | EP0454053A3 (ja) |
| JP (1) | JP2515035B2 (ja) |
| KR (1) | KR910019155A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7288631B1 (ja) | 2022-10-21 | 2023-06-08 | 株式会社田中製作所 | 曲げ加工装置及び曲げ加工方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9100470A (nl) * | 1991-03-15 | 1992-10-01 | Asm Fico Tooling | Werkwijze en inrichting voor het uit op een leadframe opgenomen geintegreerde schakelingen vervaardigen van een enkelvoudig produkt. |
| JPH05102245A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-23 | Nippon Steel Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| EP0874149B1 (en) | 1997-04-25 | 2005-09-21 | Hitachi, Ltd. | Automotive control apparatus and method |
| US8310098B2 (en) | 2011-05-16 | 2012-11-13 | Unigen Corporation | Switchable capacitor arrays for preventing power interruptions and extending backup power life |
| US9601417B2 (en) * | 2011-07-20 | 2017-03-21 | Unigen Corporation | “L” shaped lead integrated circuit package |
| CN112804831B (zh) * | 2020-12-21 | 2023-03-10 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种用于轴向器件引线成形的装置 |
| CN112916760B (zh) * | 2021-01-25 | 2021-12-31 | 互创(东莞)电子科技有限公司 | 一种贴片二极管引脚成型设备及其成型工艺 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59215758A (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-05 | Yamada Seisakusho:Kk | 半導体リ−ド成形方法 |
| JPS6112052A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-20 | Hitachi Ltd | フラツトパツク部品のリ−ド矯正方法 |
| JPH0228262B2 (ja) * | 1984-09-03 | 1990-06-22 | Mitsubishi Electric Corp | Handotaisochinoriidotanshiorimagesochi |
| JPS62122159A (ja) * | 1985-11-21 | 1987-06-03 | Yamada Seisakusho:Kk | 外部リ−ドの成形方法 |
| JPS62122252A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Hitachi Ltd | リ−ド成形方法 |
| JPS62281362A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Toshiba Corp | リ−ド成形装置 |
| JPS6398136A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US4829669A (en) * | 1988-04-28 | 1989-05-16 | Nec Corporation | Method of manufacturing a chip carrier |
| US4957146A (en) * | 1989-03-06 | 1990-09-18 | Harris Corporation | Flatpack preparation machine |
| US5078186A (en) * | 1989-09-28 | 1992-01-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lead forming for electronic parts having gull wing type outer leads |
-
1990
- 1990-04-25 JP JP2109871A patent/JP2515035B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-04-23 EP EP19910106510 patent/EP0454053A3/en not_active Ceased
- 1991-04-24 US US07/690,272 patent/US5127447A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-24 KR KR1019910006575A patent/KR910019155A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7288631B1 (ja) | 2022-10-21 | 2023-06-08 | 株式会社田中製作所 | 曲げ加工装置及び曲げ加工方法 |
| JP2024061164A (ja) * | 2022-10-21 | 2024-05-07 | 株式会社田中製作所 | 曲げ加工装置及び曲げ加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0454053A2 (en) | 1991-10-30 |
| EP0454053A3 (en) | 1992-03-18 |
| KR910019155A (ko) | 1991-11-30 |
| US5127447A (en) | 1992-07-07 |
| JPH047862A (ja) | 1992-01-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5139969A (en) | Method of making resin molded semiconductor device | |
| JP2515035B2 (ja) | 半導体装置のリ―ドフォ―ミング方法 | |
| JP3048480B2 (ja) | リードフォーミング方法 | |
| KR940004149B1 (ko) | 패키지 리이드 성형장치 | |
| KR940004590Y1 (ko) | 리드프레임 | |
| JP2700902B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH0653399A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR970067813A (ko) | 절연형 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
| JPH0997866A (ja) | リード成形方法及びリード成形用金型 | |
| JPH04324968A (ja) | Ｉｃのリード成形金型 | |
| JPH0451551A (ja) | Ｉｃのリード切断成形金型 | |
| JPS60189956A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPH01111363A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0536879A (ja) | 外部リード成形方法 | |
| JPS63308359A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPH04263459A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH073645Y2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPS63204751A (ja) | リ−ドフレ−ムおよびこれを用いた半導体装置並びにこの半導体装置の製造方法 | |
| JPH05226534A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPS6436058A (en) | Lead frame of semiconductor device | |
| JPH07176667A (ja) | 表面実装型半導体装置 | |
| JPH1022432A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH02228052A (ja) | 半導体装置用リードフレームの製造方法 | |
| JPH01144661A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH0523753A (ja) | 半導体装置のリード切断方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080430 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100430 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |