KR980005573A - 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 1차 금속 층간 절연막, SOG(또는 SOP) 막 및 O3-TEOS 산화막으로 된 금속 층간 절연막에서 1차 금속 층간 절연막을 형성한 후 SOG(또는 SOP) 막을 도포하고, SOG(또는 SOP) 막을 주변 회로 지역의 하층 금속 패턴의 상단부까지 전면 식각 공정으로 식각한 후 O3-TEOS 산화막을 형성하여 금속 층간의 절연막의 평탄화를 이루는 방법이 기술된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a 내지 1f 도는 본 발명의 실시 예에 의한 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법을 설명하기 위해 도시된 소자의 단면도.
Claims (5)
- 반도체 소자의 금속 층간 절연막 형성방법에 있어서 하부 구조층을 갖는 웨이퍼가 제공되는 단계; 셀지역과 주변회로 지역으로 된 하부 구조 층상에 하층 금속패턴을 다수개 형성하는 단계; 상기 다수의 하층 금속 패턴을 포함한 상기 하부구조 층상에 1차 금속층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 1차 금속층간 절연막 상에 평탄 절연막을 형성하는 단계; 상기 평탄 절연막을 상기 주변 회로 지역에 있는 상기 하층 금속 패턴 상단까지 전면 식각 하여 잔류 평탄 절연막을 남기므로, 상기주변 회로 지역이 평탄화 되는 단계; 및 상기 잔류 평탄 절연막 형성 후의 전체 구조상에 산화막을 증착하므로, 상기 주변 회로 지역뿐만 아니라 상기 셀 지역이 평탄화 되는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전면 식각 공정은 산소 플라즈마를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의금속 층간 절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 평탄 절연막은 SOG를 사용하여 회전 방식으로 도포하고, 450℃이하에서 열공정을 실시하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 층간 절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서 상기 평탄 절연막은 SOP를 사용하여 회정방식을 도포하고, 450℃이하에서 열공정을 실시하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서 상기 산화막은 O3-TEOS인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 층간 절연막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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