KR980005834A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조방법을 제공하는 것으로, 금속층간 절연막으로 사용되는 오존 테오스계 산화막을 두껍게 형성한 후 소정의 두께가 되도록 전면식각하므로써 금속층간 절연막을 평탄화 시킬 뿐 아니라 이후 증착되는 금속층의 스텝 커버리지를 개선하여 먼저 형성된 금속층 패턴과의 접촉저항을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3a 내지 3c도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (4)
- 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 실리콘기판상에 절연막을 형성한 후 상기 절연막상에 제1 금속층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 실리콘기판의 전체 상부면에 제1 금속층간 절연막 및 제2 금속층간 절연막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제2 금속층간 절연막을 식각공정으로 소정두께 만큼 제거하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제1 금속층 패턴이 노출되도록 상기 제2 금속층간 절연막 및 제1 금속층간 절연막을 순차적으로 식각한 후 상기 제1 금속층 패턴과 접속되도록 제2 금속층 패턴을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각공정은 BOE 또는 HF용액중 하나를 사용하는 습식식각인것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 금속층간 절연막은 12,000 내지 16,000Å의 두께가 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각된 후 잔류된 제2 금속층간 절연막의 두께는 7,000 내지 9,000Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024975A KR980005834A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체 소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024975A KR980005834A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체 소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005834A true KR980005834A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024975A KR980005834A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체 소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005834A (ko) |
-
1996
- 1996-06-28 KR KR1019960024975A patent/KR980005834A/ko not_active Application Discontinuation
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