KR970003633A - 반도체 소자의 금속 층간 절연막 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속 층간 절연막 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속 층간 절연막 형성방법이 개시된다.
본 발명은 다수의 제1금속배선을 포함한 층간절연막상에 제1산화막을 형성하고, SOG막 도포후 식각공정으로 셀 지역의 제1금속배선 상부와 주변회로 지역의 비아홀이 형성될 부분의 제1금속배선 상부의 SOG막을 제거하고, 이후 제2산화막을 형성하여 금속 층간 절연막이 형성된다.
따라서, 본 발명은 비아흘 측벽에서 SOG막의 노출없이 양호한 식각형상을 갖는 비아흘을 형성할 수 있으며, 또한 셀 지역에서 SOG막의 단선을 가져오므로 웨이퍼상에 소자 제조공정을 완료한 후, 패캐지를 위해 웨이퍼 다이 절단시 주변회로 지역에서 노출되는 SOG막을 타고 셀 지역까지 수분이 침투되는 것이 방지되어 소자의 신뢰성을 증대시킨다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 제1E도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 금속 층간 절연막 형성방법을 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 금속 층간 절연막 형성방법에 있어서, 웨이퍼상에 층간 절연막을 형성하고, 셀 지역 및 주변회로 지역에 다수의 제1금속배선을 형성하고, 다수의 상기 제1금속배선을 포함한 상기 층간 절연막상에 제1산화막을 얇게 형성하는 단계와, 다수의 상기 제1금속배선간의 공간을 효율적으로 채우기 위하여 SOG막을 상기 제1산화막상에 도포한 후 열처리하여 평탄화하는 단계와, 포토리소그라피 공정으로 상기 셀 지역에 형성된 상기 제1금속배선의 윗부분과 상기 주변회로 지역에 형성된 상기 제1금속배선의 비아홀 형성부분이 개방된 포토레지스트 패턴을 상기 SOG막상에 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 SOG막의 노출된 부분을 식각하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 제1산화막과 상기 남아있는 SOG막으로 된 전체 표면상에 제2산화막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 층간 절연막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950017772A KR970003633A (ko) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 반도체 소자의 금속 층간 절연막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950017772A KR970003633A (ko) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 반도체 소자의 금속 층간 절연막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003633A true KR970003633A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66524320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950017772A KR970003633A (ko) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 반도체 소자의 금속 층간 절연막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003633A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100856948B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2008-09-04 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 제조방법 |
| KR100887082B1 (ko) * | 2002-09-26 | 2009-03-04 | 주식회사 포스코 | 미분탄 취입량 제어장치 |
| KR100973896B1 (ko) * | 2003-06-05 | 2010-08-03 | 주식회사 포스코 | 고로 송풍 온도에 따른 미분탄 취입량 제어장치 |
-
1995
- 1995-06-28 KR KR1019950017772A patent/KR970003633A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100887082B1 (ko) * | 2002-09-26 | 2009-03-04 | 주식회사 포스코 | 미분탄 취입량 제어장치 |
| KR100973896B1 (ko) * | 2003-06-05 | 2010-08-03 | 주식회사 포스코 | 고로 송풍 온도에 따른 미분탄 취입량 제어장치 |
| KR100856948B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2008-09-04 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 제조방법 |
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