KR100235961B1 - 금속배선마스크 및 반도체소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
금속배선마스크 및 반도체소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 금속배선마스크 및 반도체소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 특히 금속배선 바스크의 좌우측에 보조패턴을 형성하고 이를 이용하여 금속배선을 형성함으로써 금속배선의 측벽을 경사지게 형성하여 후속공정시 층간절연막 증착공정시 단차피복비를 향상시킬 수 있어 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 발명은 금속배선마스크 및 반도체소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 특히 경사진 측벽을 갖는 금속배선을 형성하여 후속공정을 용이하게 함으로써 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술이다.
일반적으로, 반도체소자는 트랜지스터(transistor), 워드라인, 비트라인 및 캐피시터를 형성하고 표면상부를 평탄화시킨 다음, 이들을 전기적으로 접속시키며 전력을 공급하는 금속배선을 형성하였다.
제1a 내지 제1d도는 종래기술에 따른 금속배선마스크 및 반도체소자의 금속 배선 형성방법을 도시한 것으로서, 제1a도는 금속배선마스크의 평면도이며 제1b도 와 제1c도는 상기 제1a도의 ⓑ-ⓑ 절단면 방향의 반도체소자의 금속배선 형성방법을 도시한 단면도이다.
종래기술에 따른 금속배선마스크의 평면도(제1a도)와 반도체소자의 금속배선 형성방법을 도시한 단면도(제1b도,제1c도)이다.
먼저, 투명기판(도시안됨) 상부에 금속배선을 형성하기 위한 차광패턴(21)이 형성된 금속배선마스크를 형성한다.(제1a도)
그리고, 트랜지스터(도시안됨), 워드라인(도시안됨), 비트라인(도시안됨) 및 캐피시터(도시안됨)가 형성된 판도체기판(23) 상부에 제1층간절연막(25)을 형성한다.
그 다음에, 상기 제1층간절연막(25) 상부에 금속배선(27)을 형성한다. (도1b)
그리고, 전체표면상부에 제2층간절연막(29)을 소정두께 증착한다. 이때, 상기 금속배선(27)은 반도체소자의 고집적화로 인하여 밀집되어 형성됨으로써 후속공정인 상기 제2층간절연막(29)은 증착시 단차피복비를 저하시켜 보이드(31)와 같은 단점을 유발한다.(제1c도)
상술한 바와 같이 종래기술에 따른 금속배선마스크 및 반도체소자의 금속배선 형성방법은, 금속배선이 밀집된 부분에서 표면에 증착되는 층간절연막의 단차피복비가 좋지 못하여 반도체소자의 절연특성을 저하시킴으로써 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 어렵게 하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기위하여, 금속배선마스크의 차광패턴 측면에 보조패턴을 형성하고 이를 이용하여 측벽이 경사진 금속배선을 형성함으로써 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 금속배선마스크 및 반도체소자의 금속배선 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
제1a 내지 제1c도는 종래기술에 따른 금속배선마스크 및 반도체소자의 금속배선 형성방법을 도시한 단면도.
제2a 내지 제2c도는 본 발명의 실시예에 따른 금속배선마스크 및 반도체소자의 금속배선 형성방법을 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11, 21 : 차광패턴 13 : 보조차광패턴
15, 23 : 반도체기판 17, 25 : 제1층간절연막
19. 27 : 금속배선 20, 29 : 제2층간절연막
31 : 보이드
이상의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 금속배선마스크는, 투명기판에 차광패턴을 형성하는 금속배선마스크에 있어서, 상기 차광패턴의 측면에 보조차광패턴이 구비되는 것으로, 상기 보조차광패턴은 1∼3개가 구비되는 것을 제1특징으로 한다.
이상의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체소자의 금속배선 형성 방법은, 하부구조물이 형성된 반도체기판 상부에 금속배선물질을 형성하는 공정과, 상기 금속배선물질 상부에 감광막패턴을 형성하되, 차광패턴 측면에 보조차광패턴이 형성된 금속배선마스크를 이용하여 노광 및 현상공정을 실시하여 측벽이 경사진 감광패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 금속배선물질을 식각해 측벽이 경사진 금속배선을 형성하고 상기 감광막패턴을 제거하는 공정을 포함하는 것을 제2특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
제2a 내지 제2c도는 본 발명의 실시예에 따른 금속배선마스크 및 반도체소자의 금속배선 형성방법을 도시한 것으로서, 제2a도는 금속배선마스크의 평면도이며 제2b도와 제2c도는 상기 제2a도의 ⓐ-ⓐ 절단면 방향의 반도체소자의 금속배선 형성방법을 도시한 단면도이다.
먼저, 투명기판(도시안됨) 상부에 종래와 같은 차광패턴(11)을 형성하고, 상기 차광패턴(11) 측면에 보조차광패턴(13)을 상기 차광패턴(11) 1/5 ∼ 1/2 크기로 형성된 금속배선마스크를 형성한다.
이때, 상기 보조차광패턴(13)은 1 ∼ 3를 형성한다. (제2a도)
그리고, 하부구조물이 형성된 반도체기판(15) 상부에 제1층간절연막(17)을 형성한다. 이때, 상기 하부구조물은 트랜지스터(도시안됨), 워드라인(도시안됨), 비트라인(도시안됨) 및 캐패시터(도시안됨)을 말한다.
그 다음에, 상기 제1층간절연막(17) 상부에 상기 금속배선마스크를 이용한 식각공정으로 측벽이 경사진 금속배선(19)을 형성한다.
이때, 상기 금속배선(19)은 상기 차광패턴(11)과 상기 보조차광패턴(13)에서의 빛의 산란을 이용하여 상기 금속배선(19) 상부에 형성되는 감광막패턴(도시안됨)을 경사지게 형성하고, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 실시해 형성한다.
여기서, 상기 금속배선(19) 형성공정은 상기 금속배선(19)을 형성하는 물질을 소정두께 형성하고, 그 상부에 감광막을 도포한 다음, 상기 금속배선마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 측벽이 경사진 상기 감광막패턴을 형성하고, 상기 감광막패턴을 마스크로하는 식각공정으로 이루어 진다. (제2b도)
그 다음에, 전체표면상부에 제2층간절연막(20)을 소정두께 형성한다. 이때, 상기 상기 금속배선(19)의 측벽이 경사지게 형성되어 후속공정인 상기 제2층간절연막 (20)의 증착공정을 용이하게 한다.(제2c도)
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 금속배선마스크 및 반도체소자의 금속배선 형성방법은, 보조차광패턴이 형성된 금속배선마스크로 측벽이 경사진 금속배선을 형성하여 후속공정인 층간절연막 증착공정을 용이하게 함으로써 반도체소자의 절연특성을 향상시켜 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 잇점이 있다.
Claims (3)
- 투명기판에 차광패턴을 형성하는 금속배선마스크에 있어서, 상기 차광패턴의 측면에 보조차광패턴이 구비되는 것을 특징으로하는 금속배선마스크.
- 청구항1에 있어서, 상기 보조차광패턴은 1∼3 개가 구비되는 것을 특징으로하는 금속배선마스크.
- 하부구조물이 형성된 반도체기판 상부에 금속배선물질을 형성하는 공정과, 상기 금속배선물질 상부에 감광막패턴을 형성하되, 차광패턴 측면에 보조차광패턴이 형성된 금속배선마스크를 이용하여 노광 및 현상공정을 실시하여 측벽이 경사진 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 금속배선물질을 식각해 측벽이 경사진 금속배선을 형성하고 상기 감광막패턴을 제거하는 공정을 포함하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
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| KR1019960050631A KR100235961B1 (ko) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | 금속배선마스크 및 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980031100A KR19980031100A (ko) | 1998-07-25 |
| KR100235961B1 true KR100235961B1 (ko) | 1999-12-15 |
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| Country | Link |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1996
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0661195A (ja) * | 1992-08-06 | 1994-03-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 국내특허공보 제95- 481호 1부 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980031100A (ko) | 1998-07-25 |
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