KR980005500A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소장의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 단차를 갖는 층간절연막을 형성하고, 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 상기 반도체기판에 텅스텐층으로 형성되는 금속배선 형성방법에 있어서, 상기 콘택홀 형성후에 전체표면상부에 식각장벽층을 소정두께 형성하고 상기 식각장벽층 상부에 텅스텐층을 소정두께 형성한 다음, 상기 텅스텐층 상부에 반사방지막을 소정두께 형성하고 상기 반사방지막 상부에 금속배선마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 감광막패턴을 형성한 다음, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 반사방지막을 식각하고 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 텅스텐을 식각한 다음, 상기 감광막패턴을 제거하고 상기 반사방지막을 식각장벽으로 하여 상기 식각장벽층을 블랭킷 식각하되, 상기 텅스텐층과 식각장벽측이 식각선택비 차이를 이용하여 상기 텅스텐층의 손상없이 식각장벽층과 텅스텐층의 적층구조로 형성된 금속배선을 형성하며, 후속공정인 비아콘택 공정시 콘택저항을 낮출수 있어 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 및 제2b도는 본 발명의 실시예에 반도체소자의 금속배선 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (8)
- 반도체기판 상부에 단차를 갖는 층간절연막을 형성하고, 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 상기 반도체기판에 텅스텐층으로 형성되는 금속배선 형성방법에 있어서, 상기 콘택홀 형성후에 전체표면상부에 식각장벽층을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 식각장벽층 상부에 텅스텐층을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 텅스텐층 상부에 반사방지막을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 반사방지막 상부에 금속배선마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 반사방지막을 식각하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 텅스텐을 식각하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 반사방지막을 식각장벽으로 하여 상기 식각장벽층을 블랭킷 식각하되, 상기 텅스텐층과 식각장벽측이 식각선택비 차이를 이용하여 실시하는 공정을 포함하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 장벽금속층은 티타늄막과 티타늄직화막의 적층구조로 형성되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 타타뉴막은 100~1000Å정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 티타늄질화막은 100~1000Å정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있엇, 상기 식각장벽층은 200~2000Å정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 그속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 텅스텐층은 1000~5000Å정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반사방지막은 티타늄질화막으로 600~1200Å정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각장벽층과 반사방지막의 식각공정은 염소가스를 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023805A KR980005500A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023805A KR980005500A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005500A true KR980005500A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66287621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023805A KR980005500A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005500A (ko) |
-
1996
- 1996-06-26 KR KR1019960023805A patent/KR980005500A/ko not_active Application Discontinuation
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