KR970053567A - 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 금속 배선 형성 방법은 반도체 기판상의 절연층 위에 다층으로 이루어지는 금속 배선층을 적층하는 단계와, 포토레지스트 마스크를 이용하여 상기 금속 배선층의 소정 부분을 소정의 깊이로 등방성 에칭하는 제1에칭 단계와, 테이퍼(taper)구조의 금속 배선 패턴이 형성되도록 포토레지스트 마스크를 이용하여 상기 금속 배선층의 상기 소정 부분을 이방성 에칭하는 제2에칭 단계를 포함하여 이루어진다. 본 발명에 의하면, 적층화에 따른 평탄화를 개선함으로써 상층의 금속 배선층이 끊어지는 것을 방지할 수 있고, 또한, 상층의 금속배선층 위의 PGS또는 질화막으로 이루어지는 보호막에 의한 스트레스가 상층의 금속 배선층의 신뢰성을 저하시키는 것을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명에 의한 금속 배선 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.
Claims (2)
- 반도체 기판상에 절연층을 형성하는 단계와, 상기 절연층 위에 다층으로 이루어지는 금속 배선 패턴을 형성하는 단계와, 상기 금속 배선 패턴 위에 다층의 절연막으로 이루어지는 층간 절연막으로 이루어지는 층간 절연막에 의해 평탄화 공정을 행하는 단계를 포함하는 고집적 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 있어서, 상기 금속 배선 패턴을 형성하는 단계는 상기 절연층 위에 다층으로 이루어지는 금속 배선층을 적층하는 단계와, 포토레지스트 마스크를 이용하여 상기 금속 배선층의 소정 부분을 소정의 깊이로 등방성 에칭하는 제1에칭 단계와, 테이퍼(taper)구조의 금속 배선 패턴이 형성되도록 포토레지스트 마스크를 이용하여 상기 금속 배선층의 상기 소정 부분을 이방성 에칭하는 제2에칭 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1에칭 단계에서는 상기 금속 배선층 깊이의 14~35%까지 에칭하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066929A KR970053567A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950066929A KR970053567A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053567A true KR970053567A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66637978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950066929A KR970053567A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053567A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950066929A patent/KR970053567A/ko not_active Application Discontinuation
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