KR970051880A - 반도체 소자의 포토레지스트 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 포토레지스트 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자의 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래에는 고반사 표면의 반사율을 낮추는 방법으로 카본막이나 티타늄 질화막을 증착하여 사용되었는데, 증착 공정을 이용해야함으로써 공정이 복잡할 뿐만 아니라 공정 시간이 길어진다는 단점이 있었음.
3. 발명의 해결방법의 요지
코팅 및 제거가 간단한 AZ-BARLI를 포토레지스트 형성전 또는 형성 후에 코팅하여 상기 포토레지스트의 해상력을 증가시킬 수 있는 반도체 소자의 포토레지스트 형성 방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자의 제조, 특히 반도체 소자의 포토레지스트 형성에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도의 (A) 및 (B)는 본 발명에 따른 포토레지스트 형성을 도시하는 도면.
Claims (2)
- 반도체 소자의 포토레지스트 형성 방법에 있어서, 소정의 금속층이 형성된 전체 구조 상에 포토레지스트 형성전 또는 형성후 소정의 반사 방지막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 포토레지스트 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소정의 반사 방지막은 AZ-BARLI인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 포토레지스트 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950054365A KR970051880A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체 소자의 포토레지스트 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950054365A KR970051880A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체 소자의 포토레지스트 형성 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970051880A true KR970051880A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66617372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950054365A KR970051880A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체 소자의 포토레지스트 형성 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970051880A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100317581B1 (ko) * | 1998-09-23 | 2002-04-24 | 박종섭 | 프레임인프레임메사구조의마스크를이용한중첩도마크형성방법 |
-
1995
- 1995-12-22 KR KR1019950054365A patent/KR970051880A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100317581B1 (ko) * | 1998-09-23 | 2002-04-24 | 박종섭 | 프레임인프레임메사구조의마스크를이용한중첩도마크형성방법 |
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