KR970052332A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 금속배선막 패턴의 상부뿐만 아니라 측벽에도 노출된 알루미늄 막의 빈 격자점을 채워줄 수 있는 티타늄의 격자 충진막을 형성시킨 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이와 같은 목적은 달성하기 위한 본 발명의 금속배선 형성방법은 알루미늄 금속막을 소정 두께로 증착하는 단계; 알루미늄 막 위에 반사장치 및 알루미늄 표면의 빈 격자점 충진용 금속막을 형성하는 단계; 감광막 마스크 패턴을 반사 방지 및 충진용 금속막 전면에 형성하여 금속배선막 패턴을 형성하는 단계; 티타늄 금속을 소정 두께로 증착하는 단계; 반사방지막이 노출될 때까지 티타늄막을 블랭킷 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체소자의 금속배선 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 금속배선 패턴의 단면도.

Claims (3)

  1. 알루미늄 금속막을 소정 두께로 증착하는 단계; 상기 알루미늄 막 위에 반사방지 및 알루미늄막 표면의 빈 격자점 충진용 금속막을 형성하는 단계; 감광막 마스크 패턴을 상기 반사 방지 및 충진용 금속막 전면에 형성하여 금속배선막 패턴을 형성하는 단계; 티타늄 금속을 소정 두께로 증착하는 단계; 반사방지 및 충진용 금속막이 노출될 때까지 티타늄막을 블랭킷 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 티타늄막의 증착두께는 20 내지 30Å 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반사방지 및 충진용 금속막은 알루미늄막 위의 Ti와 TiN의 이층구조인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950054632A 1995-12-22 1995-12-22 반도체 소자의 금속배선 형성방법 KR100340856B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20020093260A (ko) * 2001-06-07 2002-12-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속배선 형성방법

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