KR940015705A - 반도체소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents

반도체소자의 금속배선 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로 금속배선 식각시 형성되는 금속배선 측벽의 폴리머막을 제거하여 금속배선의 부식성을 왕전히 억제하며 금속배선의 전기적특성 향상 및 소자의 신뢰성을 증가시키기 위하여 첫단계에서 CF4플라즈마처리와 두번째 단계에서 CF4/O2플라즈마처리를 실시하여 금속배선 측벽의 폴리머막을 제거하는 반도체소자의 금속배선 형성방법에 관한 것이다.

Description

반도체소자의 금속배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2d도는 본 발명에 의해 형성된 금속배선의 단면도.

Claims (2)

  1. 실리콘 기판 상부에 산화막, 제1금속박막, 제2금속막을 순차적으로 증착한 후 감광막을 이용하여 금속배선 마스크를 형성하는 단계와, 주식각단계에 의하여 제2금속막을 식각하는 단계와, 추가식각에 의하여 제1금속막을 형성하는 단계와, CHF3가스를 이용하여 Cl기의 F기로 치환하는 단계로 형성된 반도체소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 상기 주식단계와 추가식각단계에서 생성된 폴리머막을 제거하기 위하여 두단계의 플라즈마 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서 상기 두단계의 플라즈마 처리는, 첫단계에서 CF4플라즈마와 두번째 단계에서 CF4/O2플라즈마를 사용하는것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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