KR101095380B1 - 미세 피치의 인쇄회로기판 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판에 형성하는 종자층(seed layer)으로서 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn), 또는 이들의 합금을 사용하는 것을 특징으로 하고, 드라이필름에 이미지를 형성한 후 패턴 동도금을 수행하고, 드라이필름을 박리제거한 후 플래시 에칭을 하는 단계에서 선택 식각 용액을 사용하여 종자층을 제거함으로써 패턴 형성한 동박회로의 피치 손상을 방지한다. 선택식각 용액은 시안(cyan) 타입의 용액 또는 비시안(non-cyan) 타입의 용액이 사용될 수 있다.

Description

미세 피치의 인쇄회로기판 제조 방법{METHOD OF FABRICATING A FINE-PITCH PRINTED CIRCUIT BOARD}

본 발명은 인쇄회로기판에 형성하는 동박회로의 피치를 수 ㎛ (마이크로미터) 수준으로 확보하기 위한 인쇄회로기판 제조공법에 관한 것으로, 본 발명은 기존의 에스에이피 공법(SAP; semi-additive process) 과정에서 플래시 에칭 시에 동도금 회로패턴이 함께 식각되어, 회로 피치를 수 ㎛ (마이크로미터) 수준으로 감소시키는 것이 불가능했던 문제를 해결한 인쇄회로기판 제조 기술에 관한 것이다.

최근 들어 전자기기가 소형화되고 슬림화되어 감에 따라, 인쇄회로기판의 동박회로 패턴의 피치를 수 마이크로미터 수준으로 미세화하는 기술이 요구되고 있다. 즉, 반도체 공정이 32 nm (나노미터) 이하 수준으로 미세화되면서 반도체 칩을 실장하기 위한 플립칩 비지에이(fcBGA; flip chip ball grid array)의 패키지 기판 공정능력을 15/15 내지 8/8 ㎛ (마이크로미터) 이하 수준으로 요구하고 있다. 여기서, L/L ㎛ (마이크로미터)란 동박의 폭을 L ㎛ 로 하고, 동박과 동박 사이의 간격을 L ㎛ 으로 하는 디자인 룰을 나타낸다.

현재 인쇄회로기판의 피치를 미세화하기 위해 연구되고 있는 하나의 프로세스는, 레진(resin) 자재의 기판에 대해 엑시머 레이저로 식각하여 홀 가공을 함으로써 단차를 지닌 회로를 형성하고, 레진에 형성된 홀에 대해 동도금을 진행하여 동(copper)으로 채우고 CMP 연마(chemical mechanical polishing)를 진행하여 평활화하는 방식이다. 그런데 이 경우 채택되는 엑시머 레이저 공정과 CMP 공정은 공정 단가가 매우 높아서 실제 생산라인에 적용하는데 현실적 어려움이 있다.

동박회로 피치를 미세화하기 위한 또 다른 방법으로 에스에이피 공법(SAP)이 제안되어 사용되고 있다. 도금 처리된 원판에 회로이미지를 형성한 후에 식각을 진행하여 동(Cu)을 깎아 회로를 형성하는 대신에, 에스에이피 공법은 원판 상에 드라이필름 현상 작업을 진행하여 이미지 패턴을 형성하고, 패턴된 드라이필름을 마스크 삼아 도금을 진행함으로써 회로를 형성하고 있다.

에스에이피 공법의 요지는 드라이필름으로 패턴을 형성하는 과정에서는 단차가 수직인 드라이필름 패턴 형성은 비교적 쉽게 실현 가능하므로, 우선 수직 단차의 드라이필름 패턴을 형성하고 난 후에 동도금을 실시함으로써 드라이필름 형상을 좇아 수직 단차의 동박을 얻고자 함에 있다.

그런데, 에스에이피 공법의 경우에는 드라이필름의 밀착력을 증강하기 위하여 기판 자재 표면에 조도(거칠기; roughness)를 주게 되는데, 조도를 충분히 지니도록 한 경우에 화학동도금이 깊이 침투하게 되므로, 후속하는 플래시 에칭 공정에서 제거하여야 할 구리의 양이 증가하게 된다. 플래시 에칭은 등방성 에칭으로서 형성된 동박 회로 패턴도 함께 식각하므로, 동박회로의 폭이 손상되어 피치를 감소시키는 것이 어려워지는 문제가 발생하게 된다.

도1a 내지 도1e는 종래기술에 따른 에스에이피 공법을 나타낸 도면이다. 도1a를 참조하면, 우선 프리프레그(PREPREG)와 같은 절연층(10)에 전기도금을 위한 종자층(seed layer; 11)을 형성한다. 여기서, 종자층의 바람직한 실시예로서, 무전해 동(electroless copper) 또는 동박(thin copper)이 사용될 수 있다. 도1a의 도면에는 표면 거칠기('조도'라 칭하기도 함; roughness)를 상징적으로 나타내기 위해 요철을 표시하고 있다.

도1b을 참조하면, 드라이필름(dry film; D/F)과 같은 마스크(20)를 도포하고 생성하고자 하는 회로패턴에 따라 사진, 전사, 식각 등의 공정을 진행하여, 마스크 패턴을 형성한다. 그 결과, 기판 표면의 종자층(11)은 패턴 식각된 마스크(20)에 의해 노출된 부분과 노출되지 않은 부분으로 구별된다.

도1c를 참조하면, 마스크(20)를 덮은 상태로 전기 동도금을 진행하여 노출된 종자층(11) 위에 동(copper)을 형성한다. 이어서, 마스크(30)를 박리 제거하면 도1d와 같이, 기판 위에 피치 L/L인 동박회로(30)가 형성된다. 이 상태에서는 기판 위의 종자층(11)에 의해 모든 동박이 서로 도통된 상태에 있으므로, 플래시 에칭(flash etching)을 진행해서 종자층(11)이 벗겨질 정도로 표면 동박의 일정부분을 식각 제거한다.

그런데, 도1e에 도시한 바와 같이, 플래시 에칭 진행과정에서 모든 동(copper)이 등방성 식각(isotropic etch)되므로, 종자층(11)을 식각하는 과정에 패턴형성된 동박회로도 함께 등방성 식각되는 것을 피할 수 없게 된다. 그 결과, 도1d에서 동박회로의 피치가 L/L 이던 것이, 플래시 에칭 후에 도1e의 도면에서는 동박회로의 피치가 (L + 2ΔL)/(L - 2ΔL)로 열화하게 된다. 이때에, 플래시 에칭 시에 동박회로가 함께 식각되어 피치가 손상되는 것을 방지하기 위하여, 종자층(11)의 두께를 최소화할 수 있으나, 종자층의 두께를 줄이기 위해서는 표면의 거칠기를 낮추어서 평활하게 하여야 한다.

그런데, 표면 거칠기를 낮춰 매끈하게 만드는 경우에는 드라이필름과 같은 마스크 층의 밀착력이 떨어져서 미세 패턴을 기판에 형성하기가 용이하지 않으므로 무턱대고 평활화할 수도 없다. 예를 들어, 피치 8/8 ㎛를 확보하기 위해서는 플래시 에칭 시에 4 ㎛ 정도를 식각하여야 하는데, 이 경우 기판 위에 밀착하여 세워야 하는 드라이필름 패턴의 가로 세로 종횡비(aspect ratio)는 폭 4 ㎛, 높이 20 ㎛에 이르게 되어 이에 따르는 드라이필름 폭 4 ㎛와 기판 자재 표면의 밀착력 확보에 어려움이 생긴다.

따라서, 본 발명의 제1 목적은 동박회로의 피치를 수 마이크로미터 수준의 미세 패턴으로 정의할 수 있는 인쇄회로기판 제조공법을 제공하는 데 있다.

본 발명의 제2 목적은 상기 제1 목적에 부가하여, 기존의 에스에이피 공법(SAP)에서 실시하는 플래시 에칭 과정에서 동박회로 폭 및 높이가 손상되는 문제를 해결한 인쇄회로기판 제조 공법을 제공하는 데 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판에 형성하는 종자층(seed layer)으로서 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn), 또는 이들의 합금을 사용하는 것을 특징으로 하고, 드라이필름에 이미지를 형성한 후 패턴 동도금을 수행하고, 드라이필름을 박리제거한 후 플래시 에칭을 하는 단계에서 선택 식각 용액을 사용하여 종자층을 제거함으로써 패턴 형성한 동박회로의 피치 손상을 방지한다. 여기서, 선택식각 용액은 시안(cyan) 타입의 용액 또는 비시안(non-cyan) 타입의 용액이 사용될 수 있다.

본 발명은 (a) 기판 절연층 표면에 은, 니켈, 주석 중 어느 하나 또는 이들의 합금을 코팅하여 종자층을 형성하는 단계; (b) 상기 종자층 표면 위에 마스크를 형성하고 사진공정을 진행하여 선정된 회로 패턴에 따라 상기 마스크를 식각하여 마스크 패턴을 형성하는 단계; (c) 상기 마스크가 선택적으로 노출하고 있는 종자층 위에 전기 동도금을 수행하여, 노출된 종자층 위에 동박을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 드라이필름을 박리 제거하여 노출된 동박회로와 종자층 표면에 대해서, 종자층에 대한 식각률이 동박에 대한 식각률에 비해 상대적으로 높은 선택 식각 용액을 사용해서 선택 식각(selective etch)함으로써 노출된 종자층을 식각 제거하는 단계를 포함하는 인쇄회로기판 제조 방법을 제공한다.

본 발명의 제1 실시예는 (a) 기판 절연층 표면에 화학동을 형성하는 단계; 및 (b) 은, 니켈, 주석 또는 이들 중 어느 하나의 합금의 치환 도금으로 상기 화학동을 치환하여 종자층을 형성하는 단계; (c) 상기 금속층 표면 위에 마스크를 형성하고 사진공정을 진행하여 선정된 회로 패턴에 따라 상기 마스크를 식각하여 마스크 패턴을 형성하는 단계; (d) 상기 마스크가 선택적으로 노출하고 있는 금속층 위에 전기 동도금을 수행하여, 노출된 금속층 위에 동박을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 드라이필름을 박리 제거하여 노출된 동박회로와 금속층 표면에 대해서, 금속층에 대한 식각률이 동박에 대한 식각률에 비해 상대적으로 높은 선택 식각 용액을 사용해서 선택 식각(selective etch)함으로써 노출된 금속층을 식각 제거하는 단계를 포함하는 인쇄회로기판 제조 방법을 제공한다.

본 발명의 제2 실시예는 (a) 동박의 일측 표면에 치환도금으로 은, 니켈, 주석 또는 이들 중 어느 하나의 합금을 선정된 두께만큼 형성하여 상기 동박의 일측 표면 위에 종자층을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 종자층이 기판 절연층의 표면을 접하도록 상기 동박을 적층하고, 선택적 에칭제를 사용하여 표면의 동박만을 식각 제거하여 기판 절연층 위에 상기 종자층만이 노출되도록 형성하는 단계; (c) 상기 종자층 표면 위에 마스크를 형성하고 사진공정을 진행하여 선정된 회로 패턴에 따라 상기 마스크를 식각하여 마스크 패턴을 형성하는 단계; (d) 상기 마스크가 선택적으로 노출하고 있는 종자층 위에 전기 동도금을 수행하여, 노출된 종자층 위에 동박을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 드라이필름을 박리 제거하여 노출된 동박회로와 종자층 표면에 대해서, 종자층에 대한 식각률이 동박에 대한 식각률에 비해 상대적으로 높은 선택 식각 용액을 사용해서 선택 식각(selective etch)함으로써 노출된 종자층을 식각 제거하는 단계를 포함하는 인쇄회로기판 제조방법을 제공한다.

본 발명의 제3 실시예는 (a) 동박의 일측 표면에 전해도금 또는 스퍼터링으로 은, 니켈, 주석 또는 이들 중 어느 하나의 합금을 선정된 두께만큼 형성하여 상기 동박의 일측 표면 위에 종자층을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 종자층이 기판 절연층의 표면을 접하도록 상기 동박을 적층하고, 선택적 에칭제를 사용하여 표면의 동박만을 식각 제거하여 기판 절연층 위에 상기 종자층만이 노출되도록 형성하는 단계; (c) 상기 종자층 표면 위에 마스크를 형성하고 사진공정을 진행하여 선정된 회로 패턴에 따라 상기 마스크를 식각하여 마스크 패턴을 형성하는 단계; (d) 상기 마스크가 선택적으로 노출하고 있는 종자층 위에 전기 동도금을 수행하여, 노출된 종자층 위에 동박을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 드라이필름을 박리 제거하여 노출된 동박회로와 종자층 표면에 대해서, 종자층에 대한 식각률이 동박에 대한 식각률에 비해 상대적으로 높은 선택 식각 용액을 사용해서 선택 식각(selective etch)함으로써 노출된 종자층을 식각 제거하는 단계를 포함하는 인쇄회로기판 제조방법을 제공한다.

본 발명의 제4 실시예는 (a) 동박의 일측 표면에 탈착 가능한 고분자물질을 도포하고, 상기 고분자물질 위에 전해도금 또는 스퍼터링으로 은, 니켈, 주석 또는 이들 중 어느 하나의 합금을 선정된 두께만큼 형성하여 상기 동박의 일측 표면 위에 고분자물질층과 종자층을 형성하는 단계; (b) 상기 종자층이 기판 절연층의 표면을 접하도록 상기 동박을 적층하고, 표면의 동박을 물리적으로 벗겨내어 기판 절연층 위에 상기 종자층만을 노출되도록 형성하는 단계; (c) 상기 종자층 표면 위에 마스크를 형성하고 사진공정을 진행하여 선정된 회로 패턴에 따라 상기 마스크를 식각하여 마스크 패턴을 형성하는 단계; (d) 상기 마스크가 선택적으로 노출하고 있는 종자층 위에 전기 동도금을 수행하여, 노출된 종자층 위에 동박을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 드라이필름을 박리 제거하여 노출된 동박회로와 종자층 표면에 대해서, 종자층에 대한 식각률이 동박에 대한 식각률에 비해 상대적으로 높은 선택 식각 용액을 사용해서 선택 식각(selective etch)함으로써 노출된 종자층을 식각 제거하는 단계를 포함하는 인쇄회로기판 제조방법을 제공한다.

본 발명의 제5 실시예는 (a) 고분자필름에 탈착 가능한 고분자물질을 도포하고, 상기 고분자필름 위에 전해도금 또는 스퍼터링으로 은, 니켈, 주석 또는 이들 중 어느 하나의 합금을 선정된 두께만큼 형성하여 상기 고분자필름의 일측 표면 위에 고분자물질층과 종자층을 형성하는 단계; (b) 상기 종자층이 기판 절연층의 표면을 접하도록 상기 동박을 적층하고, 표면의 고분자필름을 물리적으로 벗겨내어 기판 절연층 위에 상기 종자층만을 노출되도록 형성하는 단계; (c) 상기 종자층 표면 위에 마스크를 형성하고 사진공정을 진행하여 선정된 회로 패턴에 따라 상기 마스크를 식각하여 마스크 패턴을 형성하는 단계; (d) 상기 마스크가 선택적으로 노출하고 있는 종자층 위에 전기 동도금을 수행하여, 노출된 종자층 위에 동박을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 드라이필름을 박리 제거하여 노출된 동박회로와 종자층 표면에 대해서, 종자층에 대한 식각률이 동박에 대한 식각률에 비해 상대적으로 높은 선택 식각 용액을 사용해서 선택 식각(selective etch)함으로써 노출된 종자층을 식각 제거하는 단계를 포함하는 인쇄회로기판 제조방법을 제공한다.

본 발명은 에스에이피 공법(SAP)의 종자층을 동과 선택식각이 가능한 은, 니켈, 주석 또는 이들의 합금을 사용함으로써, 종자층 제거를 위한 플래시 에칭 단계에서 동박회로의 폭이 감소되는 것을 방지할 수 있어, 그 결과 미세 피치의 인쇄회로기판 제조를 가능하게 하는 효과가 있다.

또한, 종자층 제거 단계에서 동 두께가 감소되지 않으므로 동도금 두께를 두껍게 확보할 필요가 없게 된다. 그 결과, 패턴전사를 위한 드라이필름의 두께도 함께 낮출 수 있으므로, 패턴형성된 드라이필름의 종횡비도 개선되어 사진공정에서 단차로 인하여 발생하는 회절현상에 기인한 해상도의 열화 문제도 해결할 수 있게 된다. 또한, 종자층 제거 시에 구리 식각량에 대한 고려가 필요 없으므로 충분한 조도를 지닌 자재의 사용을 가능하게 한다. 그 결과 자재에 대한 드라이필름의 밀착력 향상을 기대할 수 있게 된다.

도1a 내지 도1e 은 종래기술에 따른 인쇄회로기판 제조방법을 나타낸 도면.
도2a 내지 도2e는 본 발명에 따른 인쇄회로기판 제조방법의 기본 개념을 나타낸 도면.
도3a 내지 도3n은 본 발명의 제1 실시예에 따른 인쇄회로기판 제조방법을 나타낸 도면.
도4a 내지 도4o는 본 발명의 제2 실시예에 따른 인쇄회로기판 제조방법을 나타낸 도면.
도5a 내지 도5o는 본 발명의 제3 실시예에 따른 인쇄회로기판 제조방법을 나타낸 도면.
도6a 내지 도6o는 본 발명의 제4 실시예에 따른 인쇄회로기판 제조방법을 나타낸 도면.
도7a 내지 도7o는 본 발명의 제5 실시예에 따른 인쇄회로기판 제조방법을 나타낸 도면.
도8a 내지 도8o는 본 발명의 제6 실시예에 따른 인쇄회로기판 제조방법을 나타낸 도면.

이하에서는 첨부 도면 도2 내지 도8을 참조하여 본 발명에 따른 인쇄회로기판 제조방법의 양호한 실시예를 상세히 설명한다.

도2는 본 발명에 따른 인쇄회로기판 제조방법의 기본 개념을 나타낸 도면으로서, 도2a 내지 도2e를 참조하여 본 발명을 설명한다.

도2a를 참조하면, 본 발명은 레진(resin) 등과 같은 절연층(10)에 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn) 또는 이들의 합금을 코팅하여 종자층(12)을 형성함으로써 시작한다. 여기서, 절연층(10)은 프리프레그(PREPREG) 또는 레진(resin)이 사용될 수 있으며, 동(Copper)이 아닌 이종금속으로서 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn) 또는 이들의 합금을 도금 또는 치환도금, 스퍼터링 등 여러 가지 방법으로 형성할 수 있다.

또한, 절연층 표면에 원하는 조도(거칠기)를 제공하기 위하여 디스미어(desmear) 공정을 진행할 수 있으며, 도2a에는 표면 거칠기를 상징적으로 나타내기 위하여 요철 모양을 도시하고 있으며, 요철 표면 위에 선택한 이종금속이 코팅된 모습을 도시하고 있다.

이어서, 종래기술대로 마스크(20)를 도포하고 미리 준비된 회로패턴에 따라 노광, 전사, 식각 등의 사진공정을 진행하여, 마스크 패턴을 형성한다. 여기서, 마스크(20) 자재로서 드라이필름(dry film)이 흔히 사용된다. 그 결과, 기판 표면의 종자층(12)은 패턴 형성된 마스크(20)에 의해 노출된 부분과 노출되지 않은 부분으로 구별된다.

도2c를 참조하면, 마스크(20)를 덮은 상태로 전기 동도금을 진행하여 노출된 종자층(12) 위에 동(copper; 30)을 형성한다. 이어서, 마스크(20)를 박리 제거하면 도2d와 같이, 기판 위에 피치 L/L인 동박회로(30)가 형성된다.

도2e를 참조하면, 마지막으로 선택 식각용액(selective etchant)을 사용하여 종자층(12)을 식각 제거하여 동박회로(30)를 완성한다. 이때에, 선택 식각용액은 은, 니켈, 주석 등의 금속은 식각을 하지만 구리는 식각하지 않는 용액을 의미한다. 실제적으로는, 은, 니켈, 주석 등의 금속에 대한 식각률이 상대적으로 구리에 대한 식각률에 비해 낮은 용액을 의미한다.

예를 들어, 은을 선택적으로 식각 제거하고자 하는 경우 시안칼륨(KCN), 페리시아나이드(ferricyanide) 또는 페로시안나이드(ferrocyanide) 등과 같은 시안계 (CN^-) 화학용액을 사용할 수도 있다. 은, 니켈, 주석 또는 이들 합금의 구리에 대한 선택 식각 용액은 일반 화학회사에서 쉽게 구입할 수 있으며, 당업계에 잘 알려져 있다.

다시 도2e를 참조하면, 본 발명의 경우 선택 식각 용액이 종자층(12)만을 식각 제거하고 동박회로(30)를 공격하지 않으므로, 플래시 에칭을 진행하더라도 종래기술과는 달리 동박회로(30)의 폭과 피치에 변함이 없다.

이하에서는, 본 발명에 따른 방식으로 제작한 종자층을 적용한 인쇄회로기판 제조 프로세스의 6 가지 실시예를 첨부도면 도3 내지 도8을 참조하여 설명한다.

도3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 인쇄회로기판 제조방법을 나타낸 도면으로서, 단계별로 도3a 내지 도3n으로 구성된다. 도3a는 절연층을 사이에 두고 양면에 동박이 형성된 구조의 내층 코어기판(100)을 나타내고 있으며, 본 발명의 양호한 실시예에 따라 CCL(copper cladded layer)이 사용될 수 있다.

도3b는 내층 코어기판(100)에 대해 사진, 식각, 도금 등의 공정을 거쳐 동박회로(101, 103)를 형성한 전형적인 모습을 나타내고 있다. 여기에, 절연층을 라미네이트(laminate) 하는 공정에 진행된다.

도3c는 내층 코어기판(100)에 제1층과 제2층(105)으로 구성된 구조물을 라미네이트 하는 모습을 도시하고 있다. 본 발명의 양호한 실시예로서, 제2층(105)은 PET 필름이 형성되고, 제1층은 절연층(104)으로 형성된 필름을 사용할 수 있다. 본 발명의 양호한 실시예로서, PET 필름이 합체된 절연층은 일본 아지노모토 화학회사의 적층필름(ABF 필름; Ajinomoto building film)을 사용할 수 있다.

본 발명의 또 다른 실시예로서, 프라이머(primer) 동박을 적용할 수도 있다. 프라이머 동박은, 동박의 매트(matte) 면에 접착층이 부가되어 있는 동박으로서, 접착층이 기판에 접하도록 정렬하여 라미네이트를 진행하고 동박을 제거하면 거칠기를 갖는 표면을 형성할 수 있게 된다. 이 경우, 제1층은 접착층(77)을 포함한 절연층(104), 제2층(105)은 동박이 되고, 절연층의 양호한 실시예로서 프리프레그와 같은 절연층이 사용될 수 있다.

도3d를 참조하면, 라미네이트 된 내층 코어기판에 대해 표면의 제2층을 박리 제거한다. 본 발명의 양호한 실시예에 따라, ABF 필름을 사용한 경우에는 PET 필름을 제거하여 절연층을 노출하는 것이고, 프라이머 동박을 사용한 경우에는 동박을 식각 제거함으로써 매트 면에 접하고 있던 접착층을 노출하게 되는 것이다.

이어서, 도3e에서와 같이 레이저 드릴 공정을 진행하여 원하는 위치에 레이저 비아 홀(LVH; laser via hole; 106)을 형성한다. 그리고 나면, 도3f에 도시한 대로, 디스미어(desmear) 공정을 진행하여 기판 표면에 거칠기(조도; roughness)를 만들어 준다. 디스미어 공정은 당업계에 잘 알려져 있는 공정으로서, 본원 발명 출원인의 선행문헌 대한민국 특허공개 10-2009-0087154호에 상세히 기재되어 있다.

본 발명의 양호한 실시예에 따라, 도3g에 도시한 대로 무전해 동도금(electroless copper plating)을 진행하여, 비아 홀(106) 내부표면과 기판 표면 전체에 대해 동도금층(110)을 형성한 후, 도3h에서와 같이 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn)을 함유하는 용액에 침적시켜 동도금층(110)을 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn) 등과 같은 이종금속의 종차층(120)으로 치환할 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예로서, 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn)을 직접 도금하여 종자층(120)을 형성할 수도 있다.

도3i를 참조하면, 내층 코어기판의 양 표면에 드라이필름(D/F)과 같은 마스크(130)를 밀착하고 노광, 형상 과정을 진행하여 미리 정해진 회로패턴을 마스크(130)에 전사한다. 도3j를 참조하면, 마스크(130)를 이용해서 선택적으로 노출하고 있는 종자층(120)에 전기 동도금을 수행하면, 노출된 종자층(120) 위에만 동도금층(140)이 형성된다. 이때에, 동도금층(140)은 비아 홀(106) 속에도 채워지게 된다.

도3k를 참조하면, 마스크(130)를 박리 제거하는 공정을 진행한다. 이어서, 구리는 식각하지 아니하고 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn)과 같은 이종금속만을 식각하는 선택 식각 용액에 담구어서 종자층(120)을 박리 제거한다. 이때에, 도3l에서는 선택 식각(selective etch) 방법을 사용하기 때문에 패턴 형성된 동박회로의 동박 폭과 피치 길이에는 변함이 없음에 유의한다. 마지막으로 솔더레지스트(SR; 170)을 도3m에서와 같이 코팅하고, 피니시(finish) 처리를 하면 도3n의 공정이 완료된다.

도4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 인쇄회로기판 제조방법을 나타낸 도면으로서, 단계별로 도4a 내지 도4o으로 구성된다. 도4a는 절연층을 사이에 두고 양면에 동박이 형성된 구조의 내층 코어기판(100)을 나타내고 있으며, 본 발명의 양호한 실시예에 따라 CCL(copper cladded layer)이 사용될 수 있다. 도4b는 내층 코어기판(100)에 대해 사진, 식각, 도금 등의 공정을 거쳐 동박회로(101, 103)를 형성한 전형적인 모습을 나타내고 있다.

도4c는 동박(117)을 도시하고 있으며, 동박(117)의 일 표면은 매끄러운 면(shiny surface; 116)이고, 반대 면은 조도가 있는 매트면(matte; 115)으로 구성된다. 도4d를 참조하면, 조도가 있는 조화면 또는 매트면(115)에 은(Ag) 침적(immersion) 시키던가 또는 주석(Sn) 등과 같은 이종금속(118)을 코팅(치환도금)한다.

이어서 도4e를 참조하면, 실란 커플링(silane coupling) 또는 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 크롬(Cr) 등 처리를 통해 조화면 또는 매트면의 밀착력 강화 및 방청처리를 진행하여, 동박(117)의 일면에 종자층(120)을 구비한 이종금속 전사 포일(transfer foil; 121)을 제작한다.

도4f를 참조하면, 내층 코어기판(100)에 도4d에서 제작한 이종금속 전사 포일(121)과 절연층(104)를 차례로 적층 라미네이트를 진행한다. 도4g를 참조하면, 적층된 구조물에 대해 동만을 선택적 식각하는 공정에 의해 동박(117)을 제거하면, 밀착력 강화 및 방청처리된 종자층(120)만이 노출된다.

이어서, 도4h에서와 같이 레이저 드릴 공정을 진행하여 원하는 위치에 레이저 비아 홀(LVH; laser via hole; 106)을 형성한다.

도4i를 참조하면, 다이렉트도금(direct plating)을 실시하게 되는데, 다이렉트도금은 금속표면에는 도금이 되지 않고 레진 상에만 도금이 되는 특징이 있다. 다이렉트도금은 산화망간을 촉매로 하여 전도성 폴리머를 중합하여 형성하게 된다.

도4j를 참조하면, 내층 코어기판의 양 표면에 드라이필름(D/F)과 같은 마스크(130)를 밀착하고 노광, 형상 과정을 진행하여 미리 정해진 회로패턴을 마스크(130)에 전사한다. 도4k를 참조하면, 마스크(130)를 이용해서 선택적으로 노출하고 있는 종자층(120)에 전기 동도금을 수행하면, 노출된 종자층(120) 위에만 동도금층(140)이 형성된다. 이때에, 동도금층(140)은 비아 홀(106) 속에도 채워지게 된다.

도4l를 참조하면, 마스크(130)를 박리 제거하는 공정을 진행한다. 이어서, 구리는 식각하지 아니하고 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn)과 같은 이종금속만을 식각하는 선택 식각 용액에 담구어서 종자층(120)을 박리 제거한다. 이때에, 도4m에서는 선택 식각(selective etch) 방법을 사용하기 때문에 패턴 형성된 동박회로의 동박 폭과 피치 길이에는 변함이 없음에 유의한다. 마지막으로 솔더레지스트(SR; 170)을 도4n에서와 같이 코팅하고, 피니시(finish) 처리를 하면 도4o의 공정이 완료된다.

도5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 인쇄회로기판 제조방법을 나타낸 도면으로서, 단계별로 도5a 내지 도5o으로 구성된다. 도5a는 절연층을 사이에 두고 양면에 동박이 형성된 구조의 내층 코어기판(100)을 나타내고 있으며, 본 발명의 양호한 실시예에 따라 CCL(copper cladded layer)이 사용될 수 있다. 도5b는 내층 코어기판(100)에 대해 사진, 식각, 도금 등의 공정을 거쳐 동박회로(101, 103)를 형성한 전형적인 모습을 나타내고 있다.

도5c는 동박(117)을 도시하고 있으며, 동박(117)의 일 표면은 매끄러운 면(shiny surface; 116)이고, 반대 면은 조도가 있는 매트면(matte; 115)으로 구성된다. 도5d를 참조하면, 조도가 있는 조화면 또는 매트면(115)에 전해도금 공정을 진행하여 은(Ag), 주석(Sn) 또는 이들의 합금 등과 같은 이종금속(118)을 코팅한다.

이어서 도5e를 참조하면, 실란 커플링(silane coupling) 또는 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 크롬(Cr) 등 처리를 통해 조화면 또는 매트면의 밀착력 강화 및 방청처리를 진행하여, 동박(117)의 일면에 종자층(120)을 구비한 이종금속 전사 포일(121)을 제작한다.

도5f를 참조하면, 내층 코어기판(100)에 도5d에서 제작한 이종금속 전사 포일(121)과 절연층(104)을 차례로 적층 라미네이트를 진행한다. 도5g를 참조하면, 적층된 구조물에 대해 동박(117)을 제거하면, 밀착력 강화 및 방청처리된 종자층(120)만이 노출된다.

이어서, 도5h에서와 같이 레이저 드릴 공정을 진행하여 원하는 위치에 레이저 비아 홀(LVH; laser via hole; 106)을 형성한다.

도5i를 참조하면, 다이렉트도금(direct plating)을 실시하게 되는데, 다이렉트도금은 금속표면에는 도금이 되지 않고 레진 상에만 도금이 되는 특징이 있다. 다이렉트도금은 산화망간을 촉매로 하여 전도성 폴리머를 중합하여 형성하게 된다.

도5j를 참조하면, 내층 코어기판의 양 표면에 드라이필름(D/F)과 같은 마스크(130)를 밀착하고 노광, 형상 과정을 진행하여 미리 정해진 회로패턴을 마스크(130)에 전사한다. 도5k를 참조하면, 마스크(130)를 이용해서 선택적으로 노출하고 있는 종자층(120)에 전기 동도금을 수행하면, 노출된 종자층(120) 위에만 동도금층(140)이 형성된다. 이때에, 동도금층(140)은 비아 홀(106) 속에도 채워지게 된다.

도5l를 참조하면, 마스크(130)를 박리 제거하는 공정을 진행한다. 이어서, 구리는 식각하지 아니하고 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn)과 같은 이종금속만을 식각하는 선택 식각 용액에 담구어서 종자층(120)을 박리 제거한다. 이때에, 도5m에서는 선택 식각(selective etch) 방법을 사용하기 때문에 패턴 형성된 동박회로의 동박 폭과 피치 길이에는 변함이 없음에 유의한다. 마지막으로 솔더레지스트(SR; 170)를 도5n에서와 같이 코팅하고, 피니시(finish) 처리를 하면 도5o의 공정이 완료된다.

도6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 인쇄회로기판 제조방법을 나타낸 도면으로서, 단계별로 도6a 내지 도6o으로 구성된다. 도6a는 절연층을 사이에 두고 양면에 동박이 형성된 구조의 내층 코어기판(100)을 나타내고 있으며, 본 발명의 양호한 실시예에 따라 CCL(copper cladded layer)이 사용될 수 있다. 도6b는 내층 코어기판(100)에 대해 사진, 식각, 도금 등의 공정을 거쳐 동박회로(101, 103)를 형성한 전형적인 모습을 나타내고 있다.

도6c는 동박(117)을 도시하고 있으며, 동박(117)의 일 표면은 매끄러운 면(shiny surface; 116)이고, 반대 면은 조도가 있는 매트면(matte; 115)으로 구성된다. 도6d를 참조하면, 조도가 있는 조화면 또는 매트면(115)에 전해도금 공정을 진행하여 은(Ag) 또는 주석(Sn) 또는 이들의 합금 등과 같은 이종금속(118)을 도금 코팅한다.

이어서 도6e를 참조하면, 조화면 또는 매트면의 밀착력 강화를 위해 프라이머(primer) 처리를 진행하여 접착층(119)을 형성함으로써, 동박(117)의 일면에 종자층(120)을 구비한 이종금속 전사 포일(121)을 제작한다.

도6f를 참조하면, 내층 코어기판(100)에 도6d에서 제작한 이종금속 전사 포일(121)과 절연층(104)을 차례로 적층 라미네이트를 진행한다. 즉, 내층코어(100), 절연층(104), 프라이머 접착층(119), 종자층(120), 동박(117)의 순서로 적층된다. 도6g를 참조하면, 적층된 구조물에 대해 동박(117)을 제거하면, 밀착력 강화된 종자층(120)만이 노출된다.

이어서, 도6h에서와 같이 레이저 드릴 공정을 진행하여 원하는 위치에 레이저 비아 홀(LVH; laser via hole; 106)을 형성한다.

도6i를 참조하면, 다이렉트도금(direct plating)을 실시하게 되는데, 다이렉트도금은 금속표면에는 도금이 되지 않고 레진 상에만 도금이 되는 특징이 있다. 다이렉트도금은 산화망간을 촉매로 하여 전도성 폴리머를 중합하여 형성하게 된다.

도6j를 참조하면, 내층 코어기판의 양 표면에 드라이필름(D/F)과 같은 마스크(130)를 밀착하고 노광, 형상 과정을 진행하여 미리 정해진 회로패턴을 마스크(130)에 전사한다. 도6k를 참조하면, 마스크(130)를 이용해서 선택적으로 노출하고 있는 종자층(120)에 전기 동도금을 수행하면, 노출된 종자층(120) 위에만 동도금층(140)이 형성된다. 이때에, 동도금층(140)은 비아 홀(106) 속에도 채워지게 된다.

도6l를 참조하면, 마스크(130)를 박리 제거하는 공정을 진행한다. 이어서, 구리는 식각하지 아니하고 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn)과 같은 이종금속만을 식각하는 선택 식각 용액에 담구어서 종자층(120)을 박리 제거한다. 이때에, 도6m에서는 선택 식각(selective etch) 방법을 사용하기 때문에 패턴 형성된 동박회로의 동박 폭과 피치 길이에는 변함이 없음에 유의한다. 마지막으로 솔더레지스트(SR; 170)를 도6n에서와 같이 코팅하고, 피니시(finish) 처리를 하면 도6o의 공정이 완료된다.

도7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 인쇄회로기판 제조방법을 나타낸 도면으로서, 단계별로 도7a 내지 도7o으로 구성된다. 도7a는 절연층을 사이에 두고 양면에 동박이 형성된 구조의 내층 코어기판(100)을 나타내고 있으며, 본 발명의 양호한 실시예에 따라 CCL(copper cladded layer)이 사용될 수 있다. 도7b는 내층 코어기판(100)에 대해 사진, 식각, 도금 등의 공정을 거쳐 동박회로(101, 103)를 형성한 전형적인 모습을 나타내고 있다.

도7c는 캐리어 동박(122)를 도시하고 있다. 도7d를 참조하면, 캐리어 동박(122)의 일 표면에 동박 릴리스용 고분자 피막(123)을 코팅한다.

이어서 도7e를 참조하면, 전해도금 또는 스퍼터링으로 고분자 피막(123) 위에 은, 니켈, 주석 혹은 그 합금의 종자층(120)을 제작한다.

도7f를 참조하면, 내층 코어기판(100)의 절연층 위에 도7d에서 제작한 종자층(120)이 접하도록 고분자 피막(123)과 캐리어 동박(122)을 차례로 적층 라미네이트를 진행한다. 즉, 내층코어(100), 절연층(104), 종자층(120), 고분자 피막(123), 캐리어 동박(122)의 순서로 적층된다. 도7g를 참조하면, 적층된 구조물에 대해 캐리어 동박(122)을 제거하면, 고분자 피막(123)에 의해 밀착력 강화된 종자층(120)만이 노출된다.

이어서, 도7h에서와 같이 레이저 드릴 공정을 진행하여 원하는 위치에 레이저 비아 홀(LVH; laser via hole; 106)을 형성한다. 도7i를 참조하면, 다이렉트도금(direct plating)을 실시하게 되는데, 다이렉트도금은 금속표면에는 도금이 되지 않고 레진 상에만 도금이 되는 특징이 있다. 다이렉트도금은 산화망간을 촉매로 하여 전도성 폴리머를 중합하여 형성하게 된다.

도7j를 참조하면, 내층 코어기판의 양 표면에 드라이필름(D/F)과 같은 마스크(130)를 밀착하고 노광, 형상 과정을 진행하여 미리 정해진 회로패턴을 마스크(130)에 전사한다. 도7k를 참조하면, 마스크(130)를 이용해서 선택적으로 노출하고 있는 종자층(120)에 전기 동도금을 수행하면, 노출된 종자층(120) 위에만 동도금층(140)이 형성된다. 이때에, 동도금층(140)은 비아 홀(106) 속에도 채워지게 된다.

도7l를 참조하면, 마스크(130)를 박리 제거하는 공정을 진행한다. 이어서, 구리는 식각하지 아니하고 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn)과 같은 이종금속만을 식각하는 선택 식각 용액에 담구어서 종자층(120)을 박리 제거한다. 이때에, 도7m에서는 선택 식각(selective etch) 방법을 사용하기 때문에 패턴 형성된 동박회로의 동박 폭과 피치 길이에는 변함이 없음에 유의한다. 마지막으로 솔더레지스트(SR; 170)를 도7n에서와 같이 코팅하고, 피니시(finish) 처리를 하면 도7o의 공정이 완료된다.

도8은 본 발명의 제6 실시예에 따른 인쇄회로기판 제조방법을 나타낸 도면으로서, 단계별로 도8a 내지 도8o으로 구성된다. 도8a는 절연층을 사이에 두고 양면에 동박이 형성된 구조의 내층 코어기판(100)을 나타내고 있으며, 본 발명의 양호한 실시예에 따라 CCL(copper cladded layer)이 사용될 수 있다. 도8b는 내층 코어기판(100)에 대해 사진, 식각, 도금 등의 공정을 거쳐 동박회로(101, 103)를 형성한 전형적인 모습을 나타내고 있다.

도8c는 PET 필름과 같은 고분자 필름(124)를 도시하고 있다. 도8d를 참조하면, 고분자 필름(124)의 일 표면에 릴리스용 고분자 피막(123)이 코팅된다. 이어서 도8e를 참조하면, 전해도금 또는 스퍼터링으로 고분자 피막(123) 위에 은, 니켈, 주석 혹은 그 합금의 종자층(120)을 제작한다.

도8f를 참조하면, 내층 코어기판(100)의 절연층 위에 도8d에서 제작한 종자층(120)이 접하도록 고분자 피막(123)과 고분자 필름(124)을 차례로 적층 라미네이트를 진행한다. 즉, 내층코어(100), 절연층(104), 종자층(120), 고분자 피막(123), 고분자 필름(124)의 순서로 적층된다. 도8g를 참조하면, 적층된 구조물에 대해 고분자 필름(124)을 제거하면, 고분자 피막(123)에 의해 밀착력 강화된 종자층(120)만이 노출된다.

이어서, 도8h에서와 같이 레이저 드릴 공정을 진행하여 원하는 위치에 레이저 비아 홀(LVH; laser via hole; 106)을 형성한다. 도8i를 참조하면, 다이렉트도금(direct plating)을 실시하게 되는데, 다이렉트도금은 금속표면에는 도금이 되지 않고 레진 상에만 도금이 되는 특징이 있다. 다이렉트도금은 산화망간을 촉매로 하여 전도성 폴리머를 중합하여 형성하게 된다.

도8j를 참조하면, 내층 코어기판의 양 표면에 드라이필름(D/F)과 같은 마스크(130)를 밀착하고 노광, 형상 과정을 진행하여 미리 정해진 회로패턴을 마스크(130)에 전사한다. 도8k를 참조하면, 마스크(130)를 이용해서 선택적으로 노출하고 있는 종자층(120)에 전기 동도금을 수행하면, 노출된 종자층(120) 위에만 동도금층(140)이 형성된다. 이때에, 동도금층(140)은 비아 홀(106) 속에도 채워지게 된다.

도8l를 참조하면, 마스크(130)를 박리 제거하는 공정을 진행한다. 이어서, 구리는 식각하지 아니하고 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn)과 같은 이종금속만을 식각하는 선택 식각 용액에 담구어서 종자층(120)을 박리 제거한다. 이때에, 도8m에서는 선택 식각(selective etch) 방법을 사용하기 때문에 패턴 형성된 동박회로의 동박 폭과 피치 길이에는 변함이 없음에 유의한다. 마지막으로 솔더레지스트(SR; 170)를 도8n에서와 같이 코팅하고, 피니시(finish) 처리를 하면 도8o의 공정이 완료된다.

전술한 내용은 후술할 발명의 특허 청구 범위를 더욱 잘 이해할 수 있도록 본 발명의 특징과 기술적 장점을 다소 폭넓게 개선하였다. 본 발명의 특허 청구 범위를 구성하는 부가적인 특징과 장점들이 이하에서 상술될 것이다. 개시된 본 발명의 개념과 특정 실시예는 본 발명과 유사 목적을 수행하기 위한 다른 구조의 설계나 수정의 기본으로서 즉시 사용될 수 있음이 당해 기술 분야의 숙련된 사람들에 의해 인식되어야 한다.

또한, 본 발명에서 개시된 발명 개념과 실시예가 본 발명의 동일 목적을 수행하기 위하여 다른 구조로 수정하거나 설계하기 위한 기초로서 당해 기술 분야의 숙련된 사람들에 의해 사용될 수 있을 것이다. 또한, 당해 기술 분야의 숙련된 사람에 의한 그와 같은 수정 또는 변경된 등가 구조는 특허 청구 범위에서 기술한 발명의 사상이나 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 진화, 치환 및 변경이 가능하다.

본 발명은 기판에 형성하는 종자층(seed layer)으로서 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn), 또는 이들의 합금을 사용하는 것을 특징으로 하고, 드라이필름에 이미지를 형성한 후 패턴 동도금을 수행하고, 드라이필름을 박리제거한 후 플래시 에칭을 하는 단계에서 선택 식각 용액을 사용하여 종자층을 제거함으로써 패턴 형성한 동박회로의 피치 손상을 방지한다.

본 발명은 에스에이피 공법(SAP)의 종자층을 동과 선택식각이 가능한 은, 니켈, 주석 또는 이들의 합금을 사용함으로써, 종자층 제거를 위한 플래시 에칭 단계에서 동박회로의 피치가 변화되는 것을 방지할 수 있어, 그 결과 미세 피치의 인쇄회로기판 제조를 가능하게 하는 효과가 있다.

또한, 종자층 제거 단계에서 동 두께가 감소되지 않으므로 동도금 두께를 두껍게 확보할 필요가 없게 된다. 그 결과, 패턴전사를 위한 드라이필름의 두께도 함께 낮출 수 있으므로, 패턴형성된 드라이필름의 종횡비도 개선되어 사진공정에서 단차로 인하여 발생하는 회절현상에 기인한 해상도의 열화 문제도 해결할 수 있게 된다. 또한, 종자층 제거 시에 구리 식각량에 대한 고려가 필요 없으므로 충분한 조도를 지닌 자재의 사용을 가능하게 한다. 그 결과 자재에 대한 드라이필름의 밀착력 향상을 기대할 수 있게 된다.

10 : 절연층
12, 120 : 종자층
20, 130 : 마스크
30, 101, 103 : 동박회로
100 : 코어기판
104 : 제1층
105 : 제2층
106 : 비아 홀
110, 140 : 동도금층
115 : 매트면
116 : 매끄러운 면
117 : 동박
118 : 이종금속
119 : 접착층
122 : 캐리어 동박
123 : 고분자 피막
124 : 고분자 필름
170 : 솔더레지스트

Claims (14)

1. 전기 동도금을 위한 종자층 위에 드라이필름을 도포하고 사진공정과 식각공정을 진행하여 상기 드라이필름에 회로패턴을 전사하고, 전기 동도금을 수행하여 노출된 종자층 표면에 동박을 형성한 한 후, 드라이필름을 박리 제거하고, 종자층에 대한 식각률이 동박에 대한 식각률에 비해 상대적으로 높은 선택 식각 용액을 사용해서 상기 종자층을 식각 제거함으로써 회로패턴을 동박에 전사하여 동박회로를 형성하는 인쇄회로기판 제조방법에 있어서, 상기 종자층은,
   절연층 표면에 은, 니켈, 주석 중 어느 하나 또는 이들의 합금을 코팅하여 이종금속 재질의 종자층을 형성하거나, 또는 절연층 표면에 무전해 동도금 공정으로 동도금층을 형성한 후, 은, 니켈, 또는 주석을 함유하는 용액에 침적시켜, 상기 동도금층을 은, 니켈, 또는 주석, 또는 이들의 합금으로 치환시켜 이종금속 재질의 종자층을 형성하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조방법.
2. 삭제
3. 전기 동도금을 위한 종자층 위에 드라이필름을 도포하고 사진공정과 식각공정을 진행하여 상기 드라이필름에 회로패턴을 전사하고, 전기 동도금을 수행하여 노출된 종자층 표면에 제1 동박을 형성한 한 후, 드라이필름을 박리 제거하고, 종자층에 대한 식각률이 제1 동박에 대한 식각률에 비해 상대적으로 높은 선택 식각 용액을 사용해서 상기 종자층을 식각 제거함으로써 회로패턴을 제1 동박에 전사하여 동박회로를 형성하는 인쇄회로기판 제조방법에 있어서, 상기 종자층은,
   제2 동박의 일측 표면에, 은, 니켈, 주석 또는 이들 중 어느 하나의 합금을 침적, 치환 도금, 전해도금, 또는 스퍼터링 방식으로, 선정된 두께만큼 형성하여 상기 제2 동박의 일측 표면 위에 이종금속 재질의 종자층이 코팅된 이종금속 전사포일을 형성하는 단계; 및
   절연층 표면에 상기 이종금속 전사포일의 종자층 면이 향하도록 상기 이종금속 전사포일을 적층하고 라미네이트 한 후, 표면의 상기 제2 동박을 제거함으로써 절연층 위에 이종금속 재질의 종자층이 노출되도록 하는 단계
   로 형성됨을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조 방법.
4. 삭제
5. 전기 동도금을 위한 종자층 위에 드라이필름을 도포하고 사진공정과 식각공정을 진행하여 상기 드라이필름에 회로패턴을 전사하고, 전기 동도금을 수행하여 노출된 종자층 표면에 제1 동박을 형성한 한 후, 드라이필름을 박리 제거하고, 종자층에 대한 식각률이 제1 동박에 대한 식각률에 비해 상대적으로 높은 선택 식각 용액을 사용해서 상기 종자층을 식각 제거함으로써 회로패턴을 제1 동박에 전사하여 동박회로를 형성하는 인쇄회로기판 제조방법에 있어서, 상기 종자층은,
   제2 동박의 일측 표면에 릴리스용 고분자 피막을 도포하고, 고분자 피막 위에 전해도금 또는 스퍼터링 방식으로 은, 니켈, 주석 또는 이들 중 어느 하나의 합금을 선정된 두께만큼 형성하여 상기 제2 동박의 일측 표면 위에 고분자 피막을 게재해서 이종금속 재질의 종자층을 밀착시켜 형성된 이종금속 전사포일을 형성하는 단계; 및
   절연층 표면에 상기 이종금속 전사포일의 종자층 면이 향하도록 상기 이종금속 전사포일을 적층하고 라미네이트 한 후, 상기 고분자 피막을 릴리스시켜 제2 동박을 분리 제거함으로써 절연층 위에 이종금속 재질의 종자층이 노출되도록 하는 단계
   로 형성됨을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조 방법.
6. 전기 동도금을 위한 종자층 위에 드라이필름을 도포하고 사진공정과 식각공정을 진행하여 상기 드라이필름에 회로패턴을 전사하고, 전기 동도금을 수행하여 노출된 종자층 표면에 동박을 형성한 한 후, 드라이필름을 박리 제거하고, 종자층에 대한 식각률이 동박에 대한 식각률에 비해 상대적으로 높은 선택 식각 용액을 사용해서 상기 종자층을 식각 제거함으로써 회로패턴을 동박에 전사하여 동박회로를 형성하는 인쇄회로기판 제조방법에 있어서, 상기 종자층은,
   고분자필름에 릴리스용 고분자 피막을 도포하고, 전해도금 또는 스퍼터링 방식으로 은, 니켈, 주석 또는 이들 중 어느 하나의 합금을 선정된 두께만큼 형성하여 고분자필름의 일측 표면 위에 고분자 피막과 이종금속 재질의 종자층이 형성된 이종금속 전사포일을 형성하는 단계; 및
   절연층 표면에 상기 이종금속 전사포일의 종자층 면이 향하도록 상기 이종금속 전사포일을 적층하고 라미네이트 한 후, 상기 고분자 피막으로 밀착된 고분자필름을 물리적으로 벗겨냄으로써 절연층 위에 이종금속 재질의 종자층이 노출되도록 하는 단계
   로 형성됨을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조 방법.
7. 삭제
8. 삭제
9. 삭제
10. 삭제
11. 삭제
12. 삭제
13. 삭제
14. 삭제

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