CN104124325A - 一种光反射基板、led模组及其制作方法 - Google Patents
一种光反射基板、led模组及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104124325A CN104124325A CN201410386962.5A CN201410386962A CN104124325A CN 104124325 A CN104124325 A CN 104124325A CN 201410386962 A CN201410386962 A CN 201410386962A CN 104124325 A CN104124325 A CN 104124325A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- led chip
- led module
- negative electrode
- positive electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 11
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 27
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 20
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 12
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 6
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种光反射基板，包括镜面铝基板，镜面铝基板上设有绝缘感光胶层，绝缘感光胶层上设有导电线路层，导电线路层上设有用于连接LED芯片的正电极和负电极的镀锡层和用于保护导电线路层的保护层；还公开了一种LED模组及制作方法。本发明采用在镜面铝基板上设有绝缘感光胶层，绝缘感光胶层上设有导电线路层，导电线路层设有用于连接LED芯片的正电极和负电极的镀锡层和用于保护导电线路层的保护层，由于镜面铝基板具有高反射、高导热的性能，不仅提高了铝基板的光反射率，而且导热性、散热性好，大大提升了LED模组的性能。
Description
技术领域
本发明涉及LED技术，尤其是涉及一种光反射基板、LED模组及其制作方法。
背景技术
目前，LED发光二极管由于具有耗电量低、环保节能等优点而得到社会各界的广泛关注和认可，众多相关的生产厂商积极响应国家提出的节能减排政策，在LED的研发和推广上做出了极大投入，许多公司都开发出了集成式LED模组，但现有的LED模组(如图1所示)存在一些不足之处：LED模组中基板101采用反射率低的普通铝基板，存在光效低下的问题，而且热阻高，散热性能也不好，导致LED模组的可靠性大大降低；LED芯片通过固晶胶102固定在基板101上，固晶胶102导热性很低，不容易将热量散发出去，影响产品的使用寿命；各LED芯片104通过焊线103连接，焊线103容易断掉，失效率很高，降低了产品的稳定性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于：提供一种光反射基板、LED模组及制作方法，不仅光反射率更高，而且导热性、散热性好，大大提升了LED模组的性能和稳定性。
为解决上述技术问题，本发明提出了一种光反射基板，包括镜面铝基板，所述镜面铝基板上设有绝缘感光胶层，所述绝缘感光胶层上设有导电线路层，所述导电线路层设有用于连接LED芯片的正电极和负电极的镀锡层和用于保护导电线路层的保护层。
进一步地，所述保护层为白油层。
为解决上述技术问题，本发明还提出了一种LED模组，包括上述的光反射基板，还包括LED芯片，所述LED芯片的正电极和负电极通过金属层与镀锡层连接。
进一步地，所述LED芯片的正电极和负电极位于LED芯片的靠近导电线路层的同一侧面上。
进一步地，所述LED芯片上罩设有一封装胶体。
进一步地，所述镜面铝基板上设有围坝装置，所述围坝装置内填充有封装胶体。
进一步地，所述成型封装胶体内设有荧光粉。
优选地，所述金属层为锡膏层。
为解决上述技术问题，本发明还提出了一种LED模组的制作方法，包括以下步骤：
步骤(1)，在镜面铝基板上使用绝缘感光胶按照所需线路位置进行印刷，生成绝缘感光胶层；
步骤(2)，在绝缘感光胶层上压合或者印刷导电线路层，然后根据线路位置将多余绝缘感光胶层通过曝光去除；
步骤(3)，在导电线路层与LED芯片的正电极和负电极的焊接位置进行镀锡，生成镀锡层，在导电线路层上未生成镀锡层的区域采用保护层进行保护；
步骤(4)，在镀锡层上点胶形成金属层，将LED芯片的正电极和负电极通过金属层与镀锡层焊接。
进一步地，所述步骤(4)中，通过回流焊或者高温加热的方式将金属层融化，然后将LED芯片的正电极和负电极分别与镀锡层固定连接。
上述技术方案具有如下有益效果：本发明采用在镜面铝基板上设有绝缘感光胶层，绝缘感光胶层上设有导电线路层，导电线路层设有用于连接LED芯片的正电极和负电极的镀锡层和用于保护导电线路层的保护层，由于镜面铝基板具有高反射、高导热的性能，不仅提高了铝基板的光反射率，而且导热性、散热性好，大大提升了LED模组的性能；同时LED芯片的正电极和负电极与导电线路层通过镀锡层连接，提高了了产品的稳定性。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是现有LED模组结构的正面剖视图；
图2是本发明中LED模组结构的正面剖视图；
图3是本发明中LED模组结构的侧面剖视图；
图4是本发明中LED模组设有成型封装胶体时的正面剖视图；
图5是本发明中LED模组设有围坝装置时的正面剖视图。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图对本发明做进一步描述。
实施例一
如图2和图3所示，光反射基板包括镜面铝基板1，镜面铝基板1上设有绝缘感光胶层2，绝缘感光胶层2上设有导电线路层3，导电线路层3上设有用于连接LED芯片6的正电极61和负电极62的镀锡层4和用于保护导电线路层3的保护层5，在本实施例中，保护层5采用白油层来保护导电线路层3，由于镜面铝基板1具有高反射、高导热的性能，所以采用光反射基板制作的LED模组，相比传统的铝基板，镜面铝基板1不仅可以提升LED模组的光反射率，而且导热性、散热性好，大大提升了LED模组的性能。
实施例二
基于实施例一中所述的优点，在实施例一的基础上进一步提出一种LED模组，如图2和图3所示，LED模组包括实施例一中的光反射基板，还包括LED芯片6，LED芯片6的正电极61和负电极62通过金属层7与镀锡层4连接，具体地，金属层7为锡膏层，锡膏层主要是为了将LED芯片6的正电极61和负电极62分别与镀锡层4固定连接，并起到导电导热的作用，降低产品的热阻，而且LED芯片6的正电极61和负电极62位于LED芯片6靠近导电线路层3的同一侧面上，即正电极61和负电极62位于LED芯片6的底部，通过金属层7直接将正电极61和负电极62与镀锡层4焊接，防止了正电极61和负电极62与导电线路层3之间地断开，增加了产品的可靠性，并通过高导热金属层7将LED芯片6发出的热量直接传导到镜面铝基板1上进行散热，降低了产品热阻。
如图4所示，为了保护LED芯片6，在LED芯片6上罩设有一成型封装胶体8，为了提升发光效果，在成型封装胶体8内填充有荧光粉，组成封装胶体8与荧光粉的混合体，发光效果更好；作为另一种实施方式，如图5所示，还可以在镜面铝基板1上设有围坝装置9，封装胶体8与荧光粉的混合体填充在围坝装置9内，围坝装置9可以在每一颗LED芯片6上形成统一规格的成型封装胶体8，提高产品的质量。
实施例三
如图2至5所示，本实施例提出了一种LED模组的制作方法，包括以下步骤：
步骤(1)，在镜面铝基板1上使用绝缘感光胶按照所需线路位置进行印刷，生成绝缘感光胶层2；
步骤(2)，在绝缘感光胶层2上压合或者印刷导电线路层3，然后根据线路位置将多余绝缘感光胶层2通过曝光去除；
步骤(3)，在导电线路层3与芯片的正电极61和负电极62的焊接位置进行镀锡，生成镀锡层4，在导电线路层3上未生成镀锡层4的区域采用白油层进行保护；
步骤(4)，在镀锡层4上点胶形成金属层7，将LED芯片6的正电极61和负电极62通过金属层7与镀锡层4焊接，具体地，通过回流焊或者高温加热的方式将金属层7融化，然后将LED芯片6的正电极61和负电极62分别与镀锡层4固定连接。
LED芯片6的正电极61和负电极62通过金属层7、镀锡层4与线路层连接，提高了产品可靠性，与现有产品中的各LED芯片的正电极和负电极采用焊线连接相比，可以避免焊线断开或断裂而出现的失效问题；本发明采用金属层7将LED芯片6与镀锡层4焊接，而金属层7具有导热性高的优点，因此降低了产品热阻；本发明中的镜面铝基板具有很高的反射率，其反射率达到98％以上，增加COB的光效。
本发明LED模组采用高反射、高导热镜面铝材料，反射率达到98％以上，不仅能有助于LED芯片6的散热，而且提高了产品可靠性，由于使用了高反射率、高导热的基板材料，提高了白光LED芯片的出光效率。
以上所述是本发明的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种光反射基板，其特征在于，包括镜面铝基板，所述镜面铝基板上设有绝缘感光胶层，所述绝缘感光胶层上设有导电线路层，所述导电线路层上设有用于连接LED芯片的正电极和负电极的镀锡层和用于保护导电线路层的保护层。
2.如权利要求1所述的LED模组，其特征在于，所述保护层为白油层。
3.一种LED模组，其特征在于，包括如权利要求1或2所述的光反射基板，还包括LED芯片和设于镀锡表面的金属层，所述LED芯片的正电极和负电极通过金属层与镀锡层连接。
4.如权利要求3所述的LED模组，其特征在于，所述LED芯片的正电极和负电极位于LED芯片靠近导电线路层的同一侧面上。
5.如权利要求3所述的LED模组，其特征在于，所述LED芯片上罩设有一封装胶体。
6.如权利要求3所述的LED模组，其特征在于，所述镜面铝基板上设有围坝装置，所述围坝装置内填充有封装胶体。
7.如权利要求5或6所述的LED模组，其特征在于，所述成型封装胶体内设有荧光粉。
8.如权利要求3所述的LED模组，其特征在于，所述金属层为锡膏层。
9.一种LED模组的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤(1)，在镜面铝基板上使用绝缘感光胶按照所需线路位置进行印刷，生成绝缘感光胶层；
步骤(2)，在绝缘感光胶层上压合或者印刷导电线路层，然后根据线路位置将多余绝缘感光胶层通过曝光去除；
步骤(3)，在导电线路层与LED芯片的正电极和负电极的焊接位置处进行镀锡，生成镀锡层，在导电线路层上未生成镀锡层的区域采用保护层进行保护；
步骤(4)，在镀锡层上点胶形成金属层，将LED芯片的正电极和负电极通过金属层与镀锡层焊接。
10.如权利要求9所述的LED模组的制作方法，其特征在于，所述步骤(4)中，通过回流焊或者高温加热的方式将金属层融化，然后将LED芯片的正电极和负电极分别与镀锡层固定连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410386962.5A CN104124325A (zh) | 2014-08-07 | 2014-08-07 | 一种光反射基板、led模组及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410386962.5A CN104124325A (zh) | 2014-08-07 | 2014-08-07 | 一种光反射基板、led模组及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104124325A true CN104124325A (zh) | 2014-10-29 |
Family
ID=51769666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410386962.5A Pending CN104124325A (zh) | 2014-08-07 | 2014-08-07 | 一种光反射基板、led模组及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104124325A (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104505452A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-04-08 | 浙江英特来光电科技有限公司 | 一种回流焊式led灯丝 |
| CN108695421A (zh) * | 2018-07-04 | 2018-10-23 | 天津中环电子照明科技有限公司 | 反射隔热式量子点led封装器件及灯具 |
| JP2019145820A (ja) * | 2019-04-10 | 2019-08-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN110504349A (zh) * | 2018-05-18 | 2019-11-26 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | Led器件及发光装置 |
| CN111628063A (zh) * | 2020-03-04 | 2020-09-04 | 深圳雷曼光电科技股份有限公司 | 一种Micro-LED的固晶方法 |
| CN112963747A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-06-15 | 深圳Tcl数字技术有限公司 | Led灯条的制造方法及led灯条 |
-
2014
- 2014-08-07 CN CN201410386962.5A patent/CN104124325A/zh active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104505452A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-04-08 | 浙江英特来光电科技有限公司 | 一种回流焊式led灯丝 |
| CN110504349A (zh) * | 2018-05-18 | 2019-11-26 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | Led器件及发光装置 |
| CN108695421A (zh) * | 2018-07-04 | 2018-10-23 | 天津中环电子照明科技有限公司 | 反射隔热式量子点led封装器件及灯具 |
| US11316088B2 (en) | 2018-07-04 | 2022-04-26 | Tianjin Zhonghuan Electronic Lighting Technology Co., Ltd. | Reflective and heat-insulating QLED package device and method for packaging the same as well as luminaire |
| JP2019145820A (ja) * | 2019-04-10 | 2019-08-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN111628063A (zh) * | 2020-03-04 | 2020-09-04 | 深圳雷曼光电科技股份有限公司 | 一种Micro-LED的固晶方法 |
| CN112963747A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-06-15 | 深圳Tcl数字技术有限公司 | Led灯条的制造方法及led灯条 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104124325A (zh) | 一种光反射基板、led模组及其制作方法 | |
| CN201918430U (zh) | 一种led基板整体式散热结构 | |
| CN105470373B (zh) | 覆晶式发光二极管封装结构 | |
| CN202405323U (zh) | 一种将led芯片直接封装在均温板的结构及其灯具 | |
| CN201044245Y (zh) | 发光二极管 | |
| CN101126863A (zh) | 具有散热结构的发光二极管光源模块 | |
| CN204029857U (zh) | 一种光反射基板及其组成的led模组 | |
| CN102364685A (zh) | 一种无引线的led模组及其制造工艺 | |
| CN203260639U (zh) | 高光效散热好的cob光源 | |
| CN204045633U (zh) | 发光二极管板上芯片封装结构 | |
| CN102364684B (zh) | 一种led模组及其制造工艺 | |
| CN101814574A (zh) | 一种发光二极管基板散热结构及其制作方法 | |
| CN203082797U (zh) | Led光源的镜面铝基板 | |
| CN203707127U (zh) | 一种低热阻高光效的cob封装结构 | |
| CN202120908U (zh) | 一种单引线的led模组 | |
| CN202120909U (zh) | 一种led模组 | |
| CN205429001U (zh) | 一种led cob光源封装结构 | |
| CN205692856U (zh) | 倒装透镜式金属基板led封装结构 | |
| CN201243024Y (zh) | 发光二极管的无打线封装结构 | |
| CN203260619U (zh) | 新型高导热cob基板 | |
| CN203941945U (zh) | 一种多层镜面铝cob封装基板 | |
| CN209592079U (zh) | 一种可与散热器焊接的镜面铝cob线路支架 | |
| CN202120907U (zh) | 一种无引线的led模组 | |
| CN206163520U (zh) | 一种led封装支架及led发光体 | |
| CN202268386U (zh) | 一种led封装结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20141029 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |