CN203082797U - Led光源的镜面铝基板 - Google Patents

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高艳春
夏雪松
陈志威
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Silicon Energy Photoelectric Semiconductor Guangzhou Co ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种LED光源的镜面铝基板，包括镜面铝基板底板和LED芯片；镜面铝基板底板上表面为反射面，反射面的外缘设有高于反射面的围坝；LED芯片贴合于反射面并位于围坝内侧；LED芯片的电极与镜面铝基板底板的接口之间均通过金线连接；围坝内侧的反射面上方覆盖有一层荧光胶。本实用新型的LED光源的镜面铝基板减小了光源的热阻，增强了光线反射，有效散热的同时提高了发光效率，并且能使多个LED芯片集成到很小的面积，提高LED芯片的集成度。

Description

LED光源的镜面铝基板
技术领域
本实用新型涉及LED光源领域，具体涉及LED光源的镜面铝基板结构。
背景技术
LED光源采用铝基板来散热保证LED芯片发光效果及使用寿命，但传统的铝基板的散热主要是通过铝基板的绝缘层来实现，但散热效果较差；而且传统的铝基板采用一片LED芯片对应一个固晶点的方式，使用多个LED芯片时，难以集成到很小的面积上。
实用新型内容
针对上述现有技术不足，本实用新型要解决的技术问题是提供一种散热效果好，而且能把多个LED芯片集成到很小面积上的LED光源结构。
为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为，LED光源的镜面铝基板，包括镜面铝基板底板和LED芯片；镜面铝基板底板上表面为反射面，反射面的外缘设有高于反射面的围坝；LED芯片贴合于反射面并位于围坝内侧；LED芯片的电极与镜面铝基板底板的接口之间均通过金线连接；围坝内侧的反射面上方覆盖有一层荧光胶。LED芯片与铝基板之间没有绝缘层，形成热电分离结构，降低了热阻，使LED芯片的热量能更快地散出去；反射面同时提高了光源的光效。
优选地，LED芯片的数量为多个；相异LED芯片的电极之间也通过金线连接。LED芯片之间直接由金线连接，即使得LED芯片电极与电极之间直接连接，节约了铝基板的焊盘位置，使多个LED芯片能集成在很小的面积上。
本实用新型的LED光源的镜面铝基板减小了光源的热阻，增强了光线反射，有效散热的同时提高了发光效率，并且能使多个LED芯片集成到很小的面积，提高LED芯片的集成度。
附图说明
图1是本实用新型LED光源的镜面铝基板的结构示意图。
图2是图1的A方向示意图。
其中，1、镜面铝基板底板；11、反射面；2、LED芯片；3、围坝；4、金线；5、荧光胶。
具体实施方式
如图1和图2所示，本实用新型的LED光源的镜面铝基板，包括镜面铝基板底板1和多个LED芯片2；镜面铝基板底板1上表面为反射面11，反射面11的外缘设有高于反射面11的围坝3；多个LED芯片2贴合于反射面11并位于围坝3内侧；相异LED芯片2的电极之间、LED芯片2的电极与镜面铝基板底板1的接口之间均通过金线4连接；围坝3内侧的反射面11上方覆盖有一层荧光胶5，使LED芯片2、金线4藏于荧光胶5的内部，与外界分隔开。镜面铝基板底板1上也可以只安装一个LED芯片2。
对本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及形变，而所有的这些改变以及形变都应该属于本实用新型权利要求的保护范围之内。

Claims (2)

1.LED光源的镜面铝基板，其特征在于：包括镜面铝基板底板和LED芯片；镜面铝基板底板上表面为反射面，反射面的外缘设有高于反射面的围坝；LED芯片贴合于反射面并位于围坝内侧；LED芯片的电极与镜面铝基板底板的接口之间均通过金线连接；围坝内侧的反射面上方覆盖有一层荧光胶。
2.根据权利要求1所述的LED光源的镜面铝基板，其特征在于：LED芯片的数量为多个；相异LED芯片的电极之间也通过金线连接。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104030663A (zh) * 2014-06-18 2014-09-10 广州硅能照明有限公司 一种cob陶瓷基板制备方法及cob光源
CN106486578A (zh) * 2015-08-26 2017-03-08 深圳市斯迈得半导体有限公司 一种镜面铝基板日光灯管
CN110320704A (zh) * 2018-03-29 2019-10-11 京东方科技集团股份有限公司 面光源及显示装置

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GR01 Patent grant
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Patentee after: Silicon energy photoelectric semiconductor (Guangzhou) Co.,Ltd.

Address before: 510000 second floor, building A4, No. 11, Kaiyuan Avenue, Science City, Guangzhou high tech Industrial Development Zone, Guangzhou, Guangdong Province

Patentee before: GUANGZHOU LEDTEEN OPTOELECTRONICS Co.,Ltd.

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Granted publication date: 20130724

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