CN201893369U - 一种发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种发光二极管，包括：基底、与所述基底直接连接的晶片，和至少两个通过绝缘层附于所述基底上的导电层；在所述基底的边缘，设置有围坝，在所述围坝内填有胶层以覆盖所述基底、晶片和导电层。与现有技术相比，上述技术方案的优点在于，围坝具有更好的发光效率，有效的提高发光质量和发光效率，而且其寿命也更长，可靠性也更高。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种发光二极管。
背景技术
目前，为了防止导电层与金属基底之间连接而造成短路，在金属基底上要制作出一层绝缘层，为了制作的方便，也把晶片也直接安装在该绝缘层上。
现在，发光二极管的发展越来越快，对发光二极管的发光质量和发光效率要求越来越高。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提出一种新的发光二极管，其发光质量和发光效率比现有的发光二极管有较大的提升。
对此，本实用新型提供一种发光二极管，包括：基底、与所述基底直接连接的晶片，和至少两个通过绝缘层附于所述基底上的导电层；在所述基底的边缘，设置有围坝，在所述围坝内填有胶层以覆盖所述基底、晶片和导电层。
其中，基底一般采用诸如金属材料制成，具有一定的硬度、导电性和较好的导热性。
与现有技术相比，上述技术方案的优点在于，围坝具有更好的发光效率，有效的提高发光质量和发光效率，而且其寿命也更长，可靠性也更高。
附图说明
图1是本实用新型一种实施例的剖面视图；
图2是图1所示实施例的俯视图。
具体实施方式
下面结合附图，对本实用新型的较优的实施例作进一步的详细说明：
如图1和图2所示，该发光二极管包括：绝缘层100，金属基座101，第一导电层102，第二导电层103，晶片104，金属导线105，荧光胶层106，以及围坝107。
具体来说，晶片104直接安装在所述金属基座101上，即其间没有绝缘层。金属基座101上设有绝缘层100，第一导电层102和第二导电层103分别设置在绝缘层100上。晶片104上的第一电极和第二电极分别通过金属导线105分别与第一导电层102和第二导电层103连接。在金属基座101上边缘设有围坝107。在封装此LED灯时，将采用荧光胶的胶体，滴到围坝107围住的区域内，待荧光胶凝固，则形成荧光胶层106，荧光胶层106将晶片104、金属导线105、第一导电层102和第二导电层103完全包住。在围坝107内侧表面，涂有高反射率的反射层，围坝的材料是透明硅胶。这样能够进一步提高该发光二极管的出光率。
由于晶片104与金属基座101直接连接，因此两者之间的热阻很低，从而使晶片104的热量能及时散出去，晶片104不会温度过高而损坏，并且晶片104不会因为温度过高而降低了发光效率，造成了晶片发光色度的偏差。
其中，没有被绝缘层100覆盖的金属基座101的面积是晶片面积的35倍，此区域都经过光学镜面处理，例如，抛光处理或光学处理以在其表面形成蜂巢式分布小反射腔。当然，在没有被绝缘层100覆盖的金属基座101的区域内，可以设置多个晶片104，相邻晶片104之间的水平距离为一个晶片104的宽度，晶片104与第一导电层102和第二导电层103的水平距离均为一个晶片104的宽度，这样，金属导线105的距离不会过长，而导致容易与金属基座101接触从而造成短路，并节省了金属导线105的材料，而且，晶片104的发光分别受第一导电层102和第二导电层103的影响最低，相邻的晶片104之间的发光恰好不会相互影响。同时，在经过光学镜面处理的金属基座101表面的面积最小的情况下，达到了最佳的出光效果。
另外，在本具体实施例中，一方面，晶片照射到金属基座101表面的光经过反射，一部分光直接透过荧光胶层106射出，大部分经过围坝107内表面的反射后，透过荧光胶层106射出，另一方面，晶片104发出的一部分光照射到围坝104后反射回金属基座101表面，经过金属基座101表面的反射后透过荧光胶层106，进而射出，与现有技术相比，其出光率提高25%以上。
如果仅仅只对金属基底101表面进行光学镜面处理，与现有技术相比，其出光率提高20%以上。
如果仅仅只对围坝107的表面增加反射涂层，其出光率提高10%以上。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。
Claims (6)
1.一种发光二极管，包括：基底、与所述基底直接连接的晶片，和至少两个通过绝缘层附于所述基底上的导电层；其特征在于，在所述基底的边缘，设置有围坝，在所述围坝内填有胶层以覆盖所述基底、晶片和导电层。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述围坝采用透明硅胶。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述围坝的内侧进行了抛光处理。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述基底采用金属材料制成。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述基底的部分未被所述晶片或绝缘层覆盖；在所述基底的表面进行了表面处理，以增强反光效果。
6.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，对所述基底所进行的表面处理选择：抛光处理，或光学处理以在其表面形成蜂巢式分布的小反射腔。
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|---|---|---|---|---|
| CN102931178A (zh) * | 2012-07-30 | 2013-02-13 | 易美芯光（北京）科技有限公司 | 一种新型led集成光源封装结构 |
| CN109256451A (zh) * | 2018-11-01 | 2019-01-22 | 深圳市灏天光电有限公司 | 一种led灯及其封装工艺 |
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