WO2018110086A1 - 基板処理装置、排出方法およびプログラム - Google Patents

基板処理装置、排出方法およびプログラム Download PDF

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valve
gas supply
separation tank
steam
gas
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直樹 豊村
聴 今村
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株式会社荏原製作所
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Definitions

  • This technology relates to a substrate processing apparatus, a discharge method, and a program.
  • a substrate processing apparatus is used to perform various processes on a substrate (wafer) such as a semiconductor substrate.
  • An example of this substrate processing apparatus is a polishing apparatus that polishes a substrate such as a wafer using CMP technology (see Patent Document 1).
  • a polishing apparatus using the CMP technique includes a polishing unit for performing a polishing process on a substrate, a cleaning unit for performing a cleaning process on the substrate, a drying unit for performing a drying process on the cleaned substrate, a substrate passing to the polishing unit, and a drying unit.
  • a load / unload unit for receiving the dried substrate is provided.
  • the polishing apparatus includes a transfer unit that transfers the substrate between the polishing unit, the cleaning unit, and the load / unload unit. The polishing apparatus sequentially performs various processes of polishing, cleaning, and drying while the substrate is transferred by the transfer unit.
  • the suction stage used in the cleaning tank of the cleaning unit is provided with a vacuum suction line for vacuum suction of the substrate.
  • the vacuum suction line draws the atmosphere and the cleaning water remaining on the substrate from the vacuum suction through-holes, so it is necessary to separate these moisture in a steam-water separation tank . Therefore, a steam / water separation tank is connected to the vacuum adsorption line (see Patent Document 1).
  • a substrate processing apparatus includes a first valve that is provided between a gas supply source and a gas / water separation tank and opens and closes a flow path of a gas supplied from the gas supply source, and the gas / water separation
  • a second valve that opens and closes a flow path of the liquid discharged from the tank outlet
  • a controller that controls the first valve and the second valve, the outlet of the steam separator tank Is communicated with a discharge port of a cleaning chamber for cleaning the substrate, and the control unit is configured in advance since the first valve is open and gas cannot be discharged from the steam / water separation tank. Control is performed such that the first valve is closed after a set gas supply time has elapsed, and the second valve is closed after the first valve is closed.
  • 1 is a plan view illustrating an overall configuration of a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present technology. It is the schematic which shows the structure of piping of the 1st cleaning chamber 190 and the 2nd cleaning chamber 192. It is a figure which shows the relationship between drainage required time and gas supply time for every pressure of the gas of a gas supply source. It is a flowchart which shows an example of the flow of the process which concerns on the waste_water
  • the liquid discharge port of the steam / water separation tank communicates with the drain port of the cleaning chamber via the drain pipe.
  • gas for example, pressurized nitrogen
  • continuously supplying the gas to the steam-water separation tank may cause the contaminated atmosphere and / or liquid to flow back into the cleaning chamber and contaminate the substrate.
  • the substrate processing apparatus which concerns on the 1st aspect of one Embodiment is provided between the gas supply source and the steam separation tank, and is the 1st valve which opens and closes the flow path of the gas supplied from the said gas supply source
  • a second valve that opens and closes the flow path of the liquid discharged from the discharge port of the steam separator
  • a controller that controls the first valve and the second valve.
  • the discharge port of the water separation tank communicates with the discharge port of the cleaning chamber for cleaning the substrate, and the control unit is in a state where the first valve is open and gas cannot be discharged from the steam / water separation tank.
  • the first valve is closed after a predetermined gas supply time has elapsed since the time has elapsed, and the second valve is closed after the first valve is closed.
  • the trigger of drainage can be given by supplying gas to the steam-water separation tank during the gas supply time, the liquid accumulated in the steam-water separation tank can be drained naturally thereafter. Can do. Further, since the gas is supplied to the steam separator only during the gas supply time, the backflow of the contaminated atmosphere and / or liquid into the cleaning chamber can be suppressed, and there is a risk of contamination of the substrate in the cleaning chamber. Can be reduced.
  • the substrate processing apparatus which concerns on the 2nd aspect of one Embodiment is a substrate processing apparatus which concerns on a 1st aspect, Comprising:
  • the said gas supply time is more than the minimum gas supply time required for draining.
  • the minimum gas supply time is set according to at least the gas pressure of the gas supply source.
  • the trigger for drainage from the steam-water separation tank can be provided.
  • the substrate processing apparatus which concerns on the 3rd aspect of one Embodiment is a substrate processing apparatus which concerns on a 2nd aspect, Comprising:
  • the said minimum gas supply time is further the said gas supply source, the said steam separation tank, It is set according to the cross-sectional area inside the minimum inner diameter portion of the pipe connecting the two.
  • the minimum gas supply time can be set appropriately, and the gas is supplied to the steam-water separation tank for a time longer than the minimum gas supply time. Can be given.
  • the substrate processing apparatus which concerns on the 4th aspect of one Embodiment is a substrate processing apparatus which concerns on the 2nd or 3rd aspect, Comprising:
  • the said gas-water separation tank is further filled with the said minimum gas supply time. It is set according to the minimum volume of gas that needs to be supplied to trigger drainage.
  • the minimum gas supply time can be set to a time that can supply an amount of gas that can discharge the amount of liquid when the steam-water separation tank is full, a time longer than this minimum gas supply time, Since gas is supplied to the steam-water separation tank, the trigger for drainage from the steam-water separation tank can be provided regardless of the amount of liquid in the steam-water separation tank.
  • a substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, wherein the gas of the gas supply source is supplied to the adsorption stage of the cleaning chamber.
  • the gas discharge port of the gas / water separation tank can communicate with the adsorption stage of the cleaning chamber, and the pressure of the gas supply source can peel the substrate from the adsorption stage of the cleaning chamber and Is set in a range that does not jump.
  • the substrate jumping means that the substrate suddenly leaves the suction stage, and if the substrate jumps unintentionally from the stage, there is a concern that the substrate may be damaged.
  • a substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the fifth aspect, wherein the substrate is a wafer having a diameter of 300 mm, and the pressure of the gas supply source is 0. 05 to 0.15 MPa.
  • the wafer in the case of a wafer having a diameter of 300 mm, the wafer can be peeled off from the suction stage VS1, and the wafer can be raised to a receiving position where the transfer robot receives it.
  • a substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to any one of the first to sixth aspects, wherein the second valve is turned on when the first valve is closed. The time until closing is set according to the time required for drainage set according to the gas pressure of the gas supply source.
  • a discharge method is a method of discharging a liquid in a steam / water separation tank in a substrate processing apparatus, and is provided between a gas supply source and a steam / water separation tank, and the gas After a predetermined gas supply time has elapsed since the first valve that opens and closes the flow path of the gas supplied from the supply source is open and the gas cannot be discharged from the steam / water separation tank A step of closing the first valve, and a step of closing a second valve that opens and closes a flow path of the liquid discharged from the discharge port of the steam separator after the first valve is closed.
  • the trigger of drainage can be given by supplying gas to the steam-water separation tank during the gas supply time, the liquid accumulated in the steam-water separation tank can be drained naturally thereafter. Can do. Further, since the gas is supplied to the steam separator only during the gas supply time, the backflow of the contaminated atmosphere and / or liquid into the cleaning chamber can be suppressed, and there is a risk of contamination of the substrate in the cleaning chamber. Can be reduced.
  • a program according to a ninth aspect of an embodiment is a first program for opening and closing a flow path of a gas provided between a gas supply source and a steam separation tank and supplied from the gas supply source.
  • a program for controlling the first valve to close after the gas supply time has elapsed and to close the second valve after closing the first valve.
  • the trigger of drainage can be given by supplying gas to the steam-water separation tank during the gas supply time, the liquid accumulated in the steam-water separation tank can be drained naturally thereafter. Can do. Further, since the gas is supplied to the steam separator only during the gas supply time, the backflow of the contaminated atmosphere and / or liquid into the cleaning chamber can be suppressed, and there is a risk of contamination of the substrate in the cleaning chamber. Can be reduced.
  • FIG. 1 is a plan view showing an overall configuration of a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present technology.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a substantially rectangular housing 1, and the interior of the housing 1 includes a load / unload unit 2, a polishing unit 3, and a cleaning unit 4 by partition walls 1a and 1b. It is divided into.
  • the load / unload unit 2, the polishing unit 3, and the cleaning unit 4 are assembled independently and exhausted independently.
  • the cleaning unit 4 is divided into a first cleaning chamber 190, a first transfer chamber 191, a second cleaning chamber 192, a second transfer chamber 193, and a drying chamber 194.
  • the first cleaning chamber 190 and the second cleaning chamber 192 are arranged in a state where they are stacked in two upper and lower stages.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a control unit 5 that controls the substrate processing operation.
  • the load / unload unit 2 includes two or more (four in this embodiment) front load units 20 on which wafer cassettes for stocking a large number of wafers (substrates) are placed. These front load portions 20 are arranged adjacent to the housing 1 and are arranged along the width direction (direction perpendicular to the longitudinal direction) of the substrate processing apparatus 100.
  • the front load unit 20 can be equipped with an open cassette, a SMIF (Standard Manufacturing Interface) pod, or a FOUP (Front Opening Unified Pod).
  • SMIF and FOUP are sealed containers capable of maintaining an environment independent of the external space by accommodating a wafer cassette inside and covering with a partition wall.
  • a traveling mechanism 21 is laid along the front load unit 20 in the load / unload unit 2, and a transfer robot (loader) that can move along the arrangement direction of the wafer cassette on the traveling mechanism 21. 22 is installed.
  • the transfer robot 22 can access the wafer cassette mounted on the front load unit 20 by moving on the traveling mechanism 21.
  • the transfer robot 22 has two upper and lower hands. The upper hand is used to return the processed wafer to the wafer cassette, and the lower hand is used to remove the unprocessed wafer from the wafer cassette. The upper and lower hands can be used properly.
  • the lower hand of the transfer robot 22 is configured to be able to reverse the wafer by rotating around its axis.
  • the load / unload unit 2 is an area where it is necessary to maintain the cleanest state, the inside of the load / unload unit 2 is more than the outside of the substrate processing apparatus 100, the polishing unit 3, and the cleaning unit 4. It is constantly maintained at a high pressure.
  • the polishing unit 3 is the most dirty region because slurry is used as the polishing liquid. Therefore, a negative pressure is formed inside the polishing unit 3, and the pressure is maintained lower than the internal pressure of the cleaning unit 4.
  • the load / unload unit 2 is provided with a filter fan unit (not shown) having a clean air filter such as a HEPA filter, a ULPA filter, or a chemical filter. From the filter fan unit, particles, toxic vapor, Clean air from which toxic gases have been removed is constantly blowing out.
  • the polishing unit 3 is a region where the wafer is polished (flattened), and includes a first polishing unit 3A, a second polishing unit 3B, a third polishing unit 3C, and a fourth polishing unit 3D.
  • the first polishing unit 3A, the second polishing unit 3B, the third polishing unit 3C, and the fourth polishing unit 3D are arranged along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 100 as shown in FIG.
  • the first polishing unit 3A holds a table 30A to which a polishing pad 10 having a polishing surface is attached, and holds the wafer and polishes the wafer while pressing the wafer against the polishing pad 10 on the table 30A.
  • a dresser 33A for performing dressing and an administr 34A for injecting a fluid onto the polishing surface and sucking a fluid on the polishing surface are provided.
  • the fluid is a gas (for example, nitrogen gas), a mixed fluid of a liquid (for example, pure water) and a gas (for example, nitrogen gas), or a liquid (for example, pure water).
  • the fluid may be a mist of liquid.
  • the second polishing unit 3B includes a table 30B to which the polishing pad 10 is attached, a top ring (polishing head) 31B, a polishing liquid supply nozzle 32B, a dresser 33B, and an administer 34B.
  • the 3 polishing unit 3C includes a table 30C to which the polishing pad 10 is attached, a top ring (polishing head) 31C, a polishing liquid supply nozzle 32C, a dresser 33C, and an administer 34C, and a fourth polishing unit 3D. Includes a table 30D to which the polishing pad 10 is attached, a top ring (polishing head) 31D, a polishing liquid supply nozzle 32D, a dresser 33D, and an administer 34D.
  • a transfer mechanism for transferring the wafer will be described.
  • a first linear transporter 6 is disposed adjacent to the first polishing unit 3A and the second polishing unit 3B.
  • the first linear transporter 6 has four transfer positions along the direction in which the first polishing unit 3A and the second polishing unit 3B are arranged (first transfer position TP1, second transfer in order from the load / unload unit side). This is a mechanism for transferring the wafer between position TP2, third transfer position TP3, and fourth transfer position TP4.
  • a second linear transporter 7 is disposed adjacent to the third polishing unit 3C and the fourth polishing unit 3D.
  • the second linear transporter 7 has three transfer positions along the direction in which the third polishing unit 3C and the fourth polishing unit 3D are arranged (the fifth transfer position TP5 and the sixth transfer in order from the load / unload unit side). This is a mechanism for transferring the wafer between the position TP6 and the seventh transfer position TP7).
  • the wafer is transferred to the first polishing unit 3A and the second polishing unit 3B by the first linear transporter 6.
  • the top ring 31A of the first polishing unit 3A moves between the polishing position and the second transport position TP2 by the swing operation of the top ring head (not shown). Therefore, the wafer is transferred to the top ring 31A at the second transfer position TP2.
  • the top ring 31B of the second polishing unit 3B moves between the polishing position and the third transfer position TP3, and the delivery of the wafer to the top ring 31B is performed at the third transfer position TP3.
  • the top ring 31C of the third polishing unit 3C moves between the polishing position and the sixth transfer position TP6, and the delivery of the wafer to the top ring 31C is performed at the sixth transfer position TP6.
  • the top ring 31D of the fourth polishing unit 3D moves between the polishing position and the seventh transfer position TP7, and the delivery of the wafer to the top ring 31D is performed at the seventh transfer position TP7.
  • a lifter 11 for receiving a wafer from the transfer robot 22 is disposed at the first transfer position TP1.
  • the wafer is transferred from the transfer robot 22 to the first linear transporter 6 through the lifter 11.
  • a shutter (not shown) is provided between the lifter 11 and the transfer robot 22 in the partition wall 1a. When the wafer is transferred, the shutter is opened so that the wafer is transferred from the transfer robot 22 to the lifter 11. It has become.
  • a swing transporter 12 is arranged between the first linear transporter 6, the second linear transporter 7, and the cleaning unit 4.
  • the swing transporter 12 has a hand that can move between the fourth transfer position TP4 and the fifth transfer position TP5, and transfers the wafer from the first linear transporter 6 to the second linear transporter 7. Is performed by the swing transporter 12.
  • the wafer is transferred to the third polishing unit 3C and / or the fourth polishing unit 3D by the second linear transporter 7. Further, on the side of the swing transporter 12, a temporary placement table 180 for a wafer W installed on a frame (not shown) is disposed. As shown in FIG. 1, the temporary placement table 180 is disposed adjacent to the first linear transporter 6 and is positioned between the first linear transporter 6 and the cleaning unit 4. The wafer W polished by the polishing unit 3 is placed on the temporary table 180 via the swing transporter 12, and then the wafer W is transferred to the cleaning unit 4 by the transfer robot of the cleaning unit 4.
  • the cleaning unit 4 is divided into a first cleaning chamber 190 for cleaning the substrate, a first transfer chamber 191, a second cleaning chamber 192 for cleaning the substrate, a second transfer chamber 193, and a drying chamber 194. .
  • a plurality of primary cleaning modules arranged along the vertical direction are arranged.
  • a plurality of secondary cleaning modules arranged in the vertical direction are arranged in the second cleaning chamber 192.
  • the primary and secondary cleaning modules are cleaning machines that clean a wafer using a cleaning liquid.
  • a plurality of drying modules arranged in the vertical direction are arranged.
  • the plurality of drying modules are isolated from each other.
  • a filter fan unit that supplies clean air to the drying module is provided on the top of the drying module.
  • Each cleaning module and drying module is fixed to a frame (not shown) via bolts or the like.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of the piping of the first cleaning chamber 190 and the second cleaning chamber 192.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a steam / water separation tank AWS that communicates with the gas supply source GS via a pipe PP ⁇ b> 1.
  • the gas supply source GS for example, compressed nitrogen is accumulated, and the compressed nitrogen can be supplied to the steam-water separation tank AWS via the pipe PP1.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a steam / water separation tank AWS ′ communicating with the gas supply source GS ′ via the pipe PP1 ′.
  • compressed nitrogen is accumulated in the gas supply source GS ′, and the compressed nitrogen can be supplied to the steam-water separation tank AWS ′ via the pipe PP1 ′.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a pipe PP1 and a first valve B1.
  • the pipe PP1 communicates the gas supply source GS and the steam / water separation tank AWS.
  • the first valve B1 is provided between the gas supply source GS and the steam / water separation tank AWS (here, the pipe PP1 as an example) and opens and closes a gas flow path supplied from the gas supply source GS.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a pipe PP1 ′ and a first valve B1 ′.
  • the pipe PP1 ′ connects the gas supply source GS ′ and the steam-water separation tank AWS ′.
  • the first valve B1 ′ is provided between the gas supply source GS ′ and the steam-water separation tank AWS ′ (here, the pipe PP1 ′ as an example) and is provided with a gas flow path supplied from the gas supply source GS ′. Open and close. Further, the substrate processing apparatus 100 includes a discharge port DA of the steam / water separation tank AWS, a discharge port DA ′ of the steam / water separation tank AWS ′, a discharge port D1 of the first cleaning chamber 190, and a discharge port D2 of the second cleaning chamber 192.
  • a pipe PP2 that communicates, a second valve B2 that opens and closes a flow path of liquid discharged from the outlet DA of the steam / water separation tank AWS, and a flow of liquid discharged from the outlet DA of the steam / water separation tank AWS ′ And a second valve B2 ′ for opening and closing the path.
  • the discharge port DA of the steam / water separation tank AWS and the discharge port DA ′ of the steam / water separation tank AWS ′ are discharged from the discharge port D1 of the first cleaning chamber 190 and the discharge port of the second cleaning chamber 192. Communicate with D2.
  • the discharge destination of the pipe PP2 communicates with the atmosphere.
  • a suction stage VS1 for sucking the wafer W As shown in FIG. 2, in the first cleaning chamber 190, a suction stage VS1 for sucking the wafer W, lift pins LP1 for moving the wafer W up and down, and the wafer W having reached a preset receiving position. And a sensor S1 for detecting.
  • the receiving position is a position where the transfer robot receives the wafer W. The sensor S1 notifies the control unit 5 of the detection result.
  • the suction stage VS1 is provided with a hole for vacuum-sucking the wafer W.
  • the substrate processing apparatus 100 is provided with a pipe PP3 branched in two from the air / water separation tank AWS.
  • One branch destination of the pipe PP3 is connected to the other end of the rotary joint RJ1.
  • the other branch destination of the pipe PP3 is connected to the water supply source WS.
  • the water supply source WS and the steam-water separation tank AWS are communicated.
  • One end of the rotary joint RJ1 communicates with a hole provided in the suction stage VS1.
  • suction stage VS1 and the steam-water separation tank AWS communicate. That is, the gas discharge port GA of the steam separation tank AWS can communicate with the adsorption stage VS1 of the first cleaning chamber 190 so that the gas of the gas supply source GS is supplied to the adsorption stage VS1 of the first cleaning chamber 190. .
  • the substrate processing apparatus 100 is provided with a pipe PP3 ′ branched in two from the steam / water separation tank AWS. One branch destination of the pipe PP3 ′ is connected to the other end of the rotary joint RJ2. Thereby, the other end part of rotary joint RJ2 and the steam-water separation tank AWS 'are connected.
  • the other branch destination of the pipe PP3 ′ is connected to the water supply source WS ′.
  • water supply source WS 'and the steam-water separation tank AWS' are connected.
  • One end of the rotary joint RJ2 communicates with a hole provided in the suction stage VS2.
  • a suction stage VS2 for sucking the wafer W ′, lift pins LP2 for moving the wafer W ′ up and down, and a wafer W ′ are set in advance.
  • a sensor S2 is provided for detecting the arrival at the receiving position.
  • the receiving position is a position where the transfer robot receives the wafer W ′.
  • the sensor S2 notifies the control unit 5 of the detection result.
  • the suction stage VS2 is provided with a hole for vacuum-sucking the wafer W '. Further, a rotary joint RJ2 whose one end communicates with a hole provided in the suction stage VS2 is provided, and the other end of the rotary joint RJ2 communicates with the air / water separation tank AWS 'through a pipe PP3'. Thereby, the hole of adsorption
  • the substrate processing apparatus 100 is provided with a third valve B3.
  • the third valve B3 is provided between the steam-water separation tank AWS and the first cleaning chamber 190 (here, the pipe PP3), and the adsorption stage VS1 of the steam-water separation tank AWS and the first cleaning chamber 190. Open and close the flow path between.
  • the substrate processing apparatus 100 is provided with a third valve B3 ′.
  • the third valve B3 ′ is provided between the steam-water separation tank AWS ′ and the second cleaning chamber 192 (here, the pipe PP3 ′ as an example), and between the steam-water separation tank AWS ′ and the second cleaning chamber 192.
  • the flow path between the adsorption stages VS2 is opened and closed.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a vacuum generator VAC and a pipe PP ⁇ b> 4 that communicates the vacuum generator VAC and the steam / water separation tank AWS. Further, the substrate processing apparatus 100 is provided with a fourth valve B4.
  • the fourth valve B4 is provided between the vacuum generator VAC and the steam / water separation tank AWS (here, the pipe PP4), and a flow path between the vacuum generator VAC and the steam / water separation tank AWS. Open and close. Thereby, the wafer W can be adsorbed to the adsorption stage VS1 by opening the third valve B3 and a fourth valve B4 described later.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a vacuum generator VAC ′ and a pipe PP4 ′ that communicates the vacuum generator VAC ′ with the steam-water separation tank AWS ′. Further, the substrate processing apparatus 100 is provided with a fourth valve B4 ′.
  • the fourth valve B4 ′ is provided between the vacuum generator VAC ′ and the steam / water separation tank AWS ′ (here, the pipe PP4 ′ as an example), and the vacuum generator VAC ′ and the steam / water separation tank AWS ′. Open and close the flow path between. Accordingly, the wafer W ′ can be sucked to the suction stage VS2 by opening the third valve B3 ′ and a fourth valve B4 ′ described later.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a fifth valve B5.
  • the fifth valve B5 is provided on the water supply source WS side from the branch point DP in the pipe PP3. Pure water (DIW) is stored in the water supply source WS, and pure water (DIW) can be supplied from the water supply source WS to the steam / water separation tank AWS.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a fifth valve B5 ′.
  • the fifth valve B5 ′ is provided on the water supply source WS side from the branch point DP ′ in the pipe PP3 ′. Pure water (DIW) is stored in the water supply source WS ′, and the pure water (DIW) can be supplied from the water supply source WS ′ to the steam / water separation tank AWS.
  • the control unit 5 controls the first valve B1, the second valve B2, the third valve B3, the fourth valve B4, and the fifth valve B5. Similarly, the control unit 5 controls the first valve B1 ', the second valve B2', the third valve B3 ', the fourth valve B4', and the fifth valve B5 '. The control unit 5 controls the lift pins LP1 and LP2.
  • control unit 5 when discharging liquid
  • the processing of the control unit 5 relating to the drainage of the steam-water separation tanks AWS and AWS ′ is the same, the liquid collected in the steam-water separation tank AWS is discharged for the steam-water separation tank AWS as a representative.
  • the process of the control part 5 at the time of doing is demonstrated.
  • the control unit 5 closes the first valve B1 after a preset gas supply time has elapsed since the first valve B1 is open and gas cannot be discharged from the steam / water separation tank AWS. Control is performed so that the second valve B2 is closed after the first valve B1 is closed. Specific processing will be described later with reference to FIG.
  • the trigger of drainage can be given by supplying gas to the steam-water separation tank AWS during the gas supply time, the liquid accumulated in the steam-water separation tank AWS can be drained naturally thereafter. it can. Further, since the gas is supplied to the steam separation tank AWS only during the gas supply time, the backflow of the contaminated atmosphere and / or liquid into the first cleaning chamber 190 can be suppressed, and the first cleaning chamber The risk of contamination of the substrate in 190 can be reduced.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a relationship between drainage required time and gas supply time for each gas pressure of the gas supply source.
  • the gas of the gas supply source is nitrogen and the capacity of the steam / water separation tank AWS is 600 ml
  • the time required for discharging 200 ml of liquid accumulated in the steam / water separation tank AWS is the time required for drainage. is there.
  • the relationship when the gas pressure P of the gas supply source in FIG. 3 is 0.08 MPa is obtained by experiments.
  • the relationship when the gas pressure P of the gas supply source in FIG. 3 is 0.05, 0.10, 0.15 is predicted from the following calculation formula.
  • the drainage time is determined for each gas pressure P of the gas supply source. Therefore, the drainage time is determined according to the gas pressure P of the gas pressure of the gas supply source GS.
  • the time required for drainage is 4.5 seconds from FIG.
  • the time from when the first valve B1 is closed to when the second valve B2 is closed is set according to the required drainage time set according to the gas pressure of the gas supply source GS.
  • the discharge destination of the pipe PP2 communicates with the atmosphere, and the downstream pressure P L is 0. Therefore, (P L +0.1) / (P L +0.1) ⁇ 0.5 is satisfied. It holds. Therefore, the gas flow rate q can be calculated by the choke flow, and the gas flow rate q (L / min) is derived from the following equation (2).
  • P is the gas pressure (MPa) of the gas supply source
  • S is the cross-sectional area inside the minimum inner diameter portion of the pipe PP1 connecting the gas supply source GS and the steam separation tank AWS
  • t is temperature (° C.).
  • the cross-sectional area S inside the smallest inner diameter portion of the pipe PP1 is 12.56 mm 2 as an example, and the temperature t is 20 ° C.
  • the gas flow rate q is proportional to the gas pressure of the gas supply source and the cross-sectional area inside the minimum inner diameter portion of the pipe PP1.
  • the gas supply time is longer than the minimum gas supply time necessary for draining. Since the gas flow rate q is proportional to the gas pressure P of the gas supply source from the equation (2), the minimum gas supply time is inversely proportional to the gas pressure P of the gas supply source. Therefore, the minimum gas supply time according to the present embodiment is set according to at least the gas pressure of the gas supply source. Thereby, since gas can be supplied to the steam-water separation tank AWS for a time longer than the minimum gas supply time, the trigger of the waste_water
  • the minimum gas supply time is the inner cutoff of the minimum inner diameter portion of the pipe PP1. It is inversely proportional to the area S. From this, the minimum gas supply time according to the present embodiment is further set according to the cross-sectional area inside the minimum inner diameter portion of the pipe PP1 that connects between the gas supply source GS and the steam-water separation tank AWS. Has been. Thereby, since the minimum gas supply time can be set appropriately and the gas is supplied to the steam-water separation tank AWS for a time longer than the minimum gas supply time, the trigger of drainage from the steam-water separation tank AWS is given. be able to.
  • the gas volume (minimum supply volume) that is minimum required to supply the trigger for drainage depends on the amount of liquid present in the steam separator tank AWS. For this reason, even if the minimum gas supply time is further determined in accordance with the minimum volume of gas to be supplied to provide a trigger for drainage when the steam separation tank AWS is full, Good.
  • the volume of gas (for example, nitrogen) that is minimum required to supply drainage when the steam / water separation tank AWS is full is the volume of the steam / water separation tank (for example, 0.6 L). Therefore, when the volume of the steam-water separation tank is 0.6 L, for example, it is 3.16 ( ⁇ 0.6 ⁇ 5.27) L.
  • the minimum gas supply time can be set to a time during which the gas / water separation tank AWS can supply an amount of gas that can discharge the amount of liquid when the water is full. Since it supplies to the steam-water separation tank AWS, the trigger of the waste_water
  • gas for example, nitrogen
  • the detection part which detects the quantity of the liquid which exists in the steam-water separation tank AWS.
  • the detection unit is, for example, a liquid level sensor provided inside the air / water separation tank AWS.
  • the gas supply time which concerns on this embodiment may be set by the control part 5 according to the quantity of the liquid which exists in the steam-water separation tank AWS detected by the detection part.
  • the control unit 5 may set the gas supply time such that the gas supply time becomes longer as the amount of liquid present in the water / water separation tank AWS is larger. Thereby, since the gas supply time which can give a drainage trigger can be set appropriately, a liquid can be drained from the steam-water separation tank AWS.
  • the controller 5 controls to open the second valve B2 and the third valve B3 in order to peel the substrate from the suction stage VS1 of the first cleaning chamber 190.
  • the pressure of the gas supply source GS is set within a range in which the substrate can be peeled off from the adsorption stage VS1 of the first cleaning chamber 190 and the substrate does not jump.
  • the substrate jumping means that the substrate suddenly leaves the suction stage, and if the substrate jumps unintentionally from the stage, there is a concern that the substrate may be damaged. Thereby, the substrate can be peeled off from the suction stage VS1, and the substrate can be raised to the receiving position where the transfer robot 22 receives it.
  • the pressure that can be removed from the adsorption stage VS1 was 0.05 MPa or more.
  • the pressure at which the wafer does not jump was 0.15 MPa or less. Therefore, in the case of a wafer having a diameter of 300 mm, the pressure P of the gas supply source is 0.05 to 0.15 MPa.
  • FIG. 4 is a flowchart showing an example of a processing flow relating to drainage of the steam-water separation tank AWS.
  • FIG. 4 shows an example in which the wafer is cleaned in the first cleaning chamber 190.
  • Step S101 First, the control unit 5 controls to close the fourth valve B4. As a result, the vacuum in the first cleaning chamber 190 is released.
  • Step S102 Next, the control unit 5 controls to open the fifth valve B5. Thereby, the pipe PP3 is filled with water.
  • Step S103 the controller 5 controls to close the fifth valve B5 and open the first valve B1 and the third valve B3. Thereby, while being pushed by nitrogen gas, water pushes the wafer W, and the wafer W is pushed by nitrogen gas. As a result, the wafer W is peeled off from the suction stage VS1.
  • Step S104 the controller 5 controls the wafer W to be lifted by the lift pins LP1. As a result, the wafer W is separated from the suction stage VS1.
  • Step S105 the control unit 5 determines whether or not the wafer W has reached the receiving position based on the detection result of the sensor S1.
  • Step S106 When the wafer W reaches the receiving position in step S104, the control unit 5 controls to close the third valve B3 and open the second valve B2. Again, the first valve B1 remains open. Since the second valve B2 is opened, drainage from the steam separator tank AWS starts.
  • Step S107 the control unit 5 determines whether or not a preset gas supply time has elapsed since the third valve B3 was closed.
  • Step S108 When a preset gas supply time has elapsed since the third valve B3 was closed in Step S107, the control unit 5 controls to close the first valve B1. However, if the process of peeling off the wafer is not necessary, the third valve B3 is not required to be opened in the first place, so the third valve B3 is closed in advance, and the third valve B3 in step S106 is closed. There is no process. In that case, there is no process up to step S106, and the control unit 5 starts from controlling to open the first valve B1 and the second valve B2, and from the time when the first valve B1 is opened. Count time.
  • the controller 5 counts the time from when the first valve B1 is open and the gas cannot be discharged from the steam / water separation tank AWS. In this way, the control unit 5 starts when the first valve B1 is open and gas cannot be discharged from the steam / water separation tank AWS (for example, when the third valve B3 is closed in step S107).
  • the first valve B1 is controlled to be closed after a preset gas supply time has elapsed.
  • Step S109 the control unit 5 determines whether or not a predetermined period has elapsed since the first valve B1 was closed.
  • the predetermined period is set according to the required drainage time set according to the gas pressure of the gas supply source GS. That is, the predetermined period is set so that the total time of the gas supply time and the predetermined period becomes equal to or longer than the required drainage time.
  • Step S110 When the period predetermined in Step S109 has further elapsed, the control unit 5 controls the second valve B2 to be closed.
  • the substrate processing apparatus 100 is provided between the gas supply source GS and the gas / water separation tank AWS and opens and closes the flow path of the gas supplied from the gas supply source GS. Is provided.
  • the substrate processing apparatus 100 further includes a second valve B2 that opens and closes the flow path of the liquid discharged from the discharge port DA of the air / water separation tank AWS.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a control unit 5 that controls the first valve B1 and the second valve B2.
  • the outlet DA of the steam-water separation tank AWS communicates with the outlets of the first cleaning chamber 190 and the second cleaning chamber 192 that clean the substrate.
  • control unit 5 opens the first valve B1 after a predetermined gas supply time has elapsed from when the first valve B1 is open and gas cannot be discharged from the steam / water separation tank AWS. Control is performed so that the second valve B2 is closed after the first valve B1 is closed.
  • a strainer is provided at each of the drains of the first cleaning chamber 190 and the second cleaning chamber 192, and the strainer collects residues (debris from the substrate and dust) generated in the cleaning tank. If the gas is continuously supplied to the steam separation tank, this gas is supplied to the drain outlets of the first cleaning chamber 190 and the second cleaning chamber 192 via the drain pipe, and the strainer blows off due to the pressure of the gas. There was also a problem of fear. On the other hand, according to the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment, the backflow of the contaminated atmosphere and / or liquid into the first cleaning chamber 190 or the second cleaning chamber 192 can be suppressed. The probability of blowing off can be reduced.
  • the substrate processing apparatus 100 is configured to include two cleaning chambers, the first cleaning chamber 190 and the second cleaning chamber 192.
  • the present invention is not limited to this. It is good also as a structure provided with the above washing
  • first cleaning chamber 190 and the second cleaning chamber 192 are arranged in a state where they are stacked in two upper and lower stages, but not limited to this, the first cleaning chamber 190 and the second cleaning chamber 192 are arranged separately in the horizontal direction without being stacked. Also good.
  • the present technology is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage.
  • Various techniques can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment.
  • the diameter of the target substrate is not limited to 300 mm, and may be 450 mm, for example.
  • some components may be deleted from all the components shown in the embodiment.
  • constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.

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Abstract

気体供給源と気水分離槽との間に設けられ且つ気体供給源から供給される気体の流路を開閉する第１の弁と、気水分離槽の排出口から排出される液体の流路を開閉する第２の弁と、第１の弁と第２の弁を制御する制御部と、を備え、気水分離槽の排出口は、基板を洗浄する洗浄室の排出口と連通しており、制御部は、第１の弁が開いており且つ気水分離槽から気体が排出できない状態になった時から、予め設定された気体供給時間を経過した後に第１の弁を閉じ、第１の弁を閉じた後に第２の弁を閉じるよう制御する。

Description

基板処理装置、排出方法およびプログラム 関連する出願
　本出願では、２０１６年１２月１２日に日本国に出願された特許出願番号２０１６－２４０３１５の利益を主張し、当該出願の内容は引用することによりここに組み込まれているものとする。
　本技術は、基板処理装置、排出方法およびプログラムに関する。
　半導体の微細化が進むにつれて、水平方向の寸法の縮小化とともに、垂直方向の構造も複雑化している。このため、半導体基板（ウエハ）表面を平坦化し、加工を容易にする技術の必要性が高まっている。このような平坦化技術の中で、とりわけ重要度を増しているのが、化学機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）技術である。半導体基板などの基板（ウエハ）に対して各種処理を行うために、基板処理装置が用いられる。この基板処理装置の一例として、ＣＭＰ技術を用いて、ウエハなどの基板を研磨する研磨装置が挙げられる（特許文献１参照）。
　ＣＭＰ技術を用いた研磨装置は、基板の研磨処理を行うための研磨部、基板の洗浄処理を行う洗浄部、洗浄した基板を乾燥処理する乾燥部、研磨部へ基板を受け渡すと共に乾燥部によって乾燥処理された基板を受け取るロード／アンロード部などを備えている。また、研磨装置は、研磨部、洗浄部及びロード／アンロード部間で基板の搬送を行う搬送部を備えている。研磨装置は、搬送部によって基板を搬送しながら、研磨、洗浄及び乾燥の各種処理を順次行うようになっている。
　洗浄部の洗浄槽等で使用される吸着ステージには、基板を真空吸着するために真空吸着ラインが設けられている。基板を真空吸着する際に真空吸着ラインには真空吸着用の貫通孔から大気と基板上に残っている洗浄水が吸引されるために、これらの水分を気水分離槽で分離する必要がある。そのため、真空吸着ラインには気水分離槽が接続されている（特許文献１参照）。
特開２０１５－１５０６４８号公報
　一実施の形態の基板処理装置は、気体供給源と気水分離槽との間に設けられ且つ前記気体供給源から供給される気体の流路を開閉する第１の弁と、前記気水分離槽の排出口から排出される液体の流路を開閉する第２の弁と、前記第１の弁と前記第２の弁を制御する制御部と、を備え、前記気水分離槽の排出口は、基板を洗浄する洗浄室の排出口と連通しており、前記制御部は、前記第１の弁が開いており且つ前記気水分離槽から気体が排出できない状態になった時から、予め設定された気体供給時間を経過した後に前記第１の弁を閉じ、前記第１の弁を閉じた後に前記第２の弁を閉じるよう制御する。
本技術の実施形態に係る基板処理装置１００の全体構成を示す平面図である。 第１洗浄室１９０と第２洗浄室１９２の配管の構成を示す概略図である。 気体供給源の気体の圧力毎の、排水所要時間と気体供給時間の関係を示す図である。 気水分離槽ＡＷＳの排水に係る処理の流れの一例を示すフローチャートである。
　気水分離槽の液体の排出口は、洗浄室の排水口とドレイン配管を介して連通している。この洗浄槽等で使用される吸着ステージに用いられる気水分離槽に溜まった液体を排出する際に、気体（例えば、加圧窒素）を連続的に気水分離槽に供給していた。しかし、気体を連続的に気水分離槽に供給することにより、汚染された雰囲気及び／または液体を洗浄室内へ逆流させてしまい、基板を汚染してしまうおそれがあった。
　［実施形態］
　洗浄室内の基板の汚染のおそれを低減することを可能とする基板処理装置、排出方法およびプログラムを提供することが望まれる。
　一実施の形態の第１の態様に係る基板処理装置は、気体供給源と気水分離槽との間に設けられ且つ前記気体供給源から供給される気体の流路を開閉する第１の弁と、前記気水分離槽の排出口から排出される液体の流路を開閉する第２の弁と、前記第１の弁と前記第２の弁を制御する制御部と、を備え、前記気水分離槽の排出口は、基板を洗浄する洗浄室の排出口と連通しており、前記制御部は、前記第１の弁が開いており且つ前記気水分離槽から気体が排出できない状態になった時から、予め設定された気体供給時間を経過した後に前記第１の弁を閉じ、前記第１の弁を閉じた後に前記第２の弁を閉じるよう制御する。
　この構成によれば、気体供給時間の間、気体を気水分離槽に供給することにより、排水のきっかけを与えることができるので、その後に気水分離槽に蓄積された液体を自然排水することができる。また、気体供給時間の間しか、気体を気水分離槽に供給しないので、汚染された雰囲気及び／または液体の洗浄室内への逆流を抑制することができ、洗浄室内の基板の汚染のおそれを低減することができる。
　一実施の形態の第２の態様に係る基板処理装置は、第１の態様に係る基板処理装置であって、前記気体供給時間は、排水するのに必要な最低限の気体供給時間以上であり、前記最低限の気体供給時間は、少なくとも前記気体供給源の気体の圧力に応じて設定されている。
　この構成によれば、最低限の気体供給時間より長い時間、気体を気水分離槽に供給することができるので、気水分離槽からの排水のきっかけを与えることができる。
　一実施の形態の第３の態様に係る基板処理装置は、第２の態様に係る基板処理装置であって、前記最低限の気体供給時間は、更に前記気体供給源と前記気水分離槽との間を繋ぐ配管の最小の内径の部分の内側の断面積に応じて設定されている。
　この構成によれば、最低限の気体供給時間を適切に設定でき、この最低限の気体供給時間以上の時間、気体を気水分離槽に供給するので、気水分離槽からの排水のきっかけを与えることができる。
　一実施の形態の第４の態様に係る基板処理装置は、第２または３の態様に係る基板処理装置であって、前記最低限の気体供給時間は、更に、前記気水分離槽が満水のときに排水のきっかけを与えるのに供給することが最低限必要な気体の体積に応じて設定されている。
　この構成によれば、最低限の気体供給時間を気水分離槽が満水のときの液体の量を排出できる量の気体を供給できる時間に設定でき、この最低限の気体供給時間以上の時間、気体を気水分離槽に供給するので、気水分離槽内の液体の量に関わらず、気水分離槽からの排水のきっかけを与えることができる。
　一実施の形態の第５の態様に係る基板処理装置は、第１から４のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記気体供給源の気体が前記洗浄室の吸着ステージに供給されるように前記気水分離槽の気体排出口は前記洗浄室の前記吸着ステージと連通可能であり、前記気体供給源の圧力は、基板を前記洗浄室の吸着ステージから剥がすことができ且つ前記基板が飛び跳ねない範囲で設定されている。
　なお、基板が飛び跳ねるとは、基板が吸着ステージから突発的に離脱してしまうことを意味しており、もし基板が意図せずにステージから飛び跳ねてしまうと、基板が損傷する懸念が生じうる。
　この構成によれば、基板を吸着ステージから剥がし、且つ基板が飛び跳ねないようにすることができる。
　一実施の形態の第６の態様に係る基板処理装置は、第５の態様に係る基板処理装置であって、前記基板は、直径３００ｍｍのウエハであり、前記気体供給源の圧力は、０．０５～０．１５ＭＰａである。
　この構成によれば、直径３００ｍｍのウエハの場合において、当該ウエハを吸着ステージＶＳ１から剥がし、且つ当該ウエハを搬送ロボットが受け取る受取位置まで上昇させることができる。
　一実施の形態の第７の態様に係る基板処理装置は、第１から６のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記第１の弁を閉じた時から前記第２の弁を閉じるまでの時間は、前記気体供給源の気体の圧力に応じて設定された排水所要時間に応じて設定されている。
　この構成によれば、排水所要時間以上の時間、第２の弁を開けることができるので、気水分離槽に蓄積された液体を全て排出することができる。
　一実施の形態の第８の態様に係る排出方法は、基板処理装置における気水分離槽内の液体の排出方法であって、気体供給源と気水分離槽との間に設けられ且つ前記気体供給源から供給される気体の流路を開閉する第１の弁が開いており且つ前記気水分離槽から気体が排出できない状態になった時から、予め設定された気体供給時間を経過した後に前記第１の弁を閉じる工程と、前記第１の弁を閉じた後に前記気水分離槽の排出口から排出される液体の流路を開閉する第２の弁を閉じる工程と、を有する。
　この構成によれば、気体供給時間の間、気体を気水分離槽に供給することにより、排水のきっかけを与えることができるので、その後に気水分離槽に蓄積された液体を自然排水することができる。また、気体供給時間の間しか、気体を気水分離槽に供給しないので、汚染された雰囲気及び／または液体の洗浄室内への逆流を抑制することができ、洗浄室内の基板の汚染のおそれを低減することができる。
　一実施の形態の第９の態様に係るプログラムは、コンピュータを、気体供給源と気水分離槽との間に設けられ且つ前記気体供給源から供給される気体の流路を開閉する第１の弁と、前記気水分離槽の排出口から排出される液体の流路を開閉する第２の弁を制御する制御部として機能させるためのプログラムであって、前記気水分離槽の排出口は、基板を洗浄する洗浄室の排出口と連通しており、前記制御部は、前記第１の弁が開いており且つ前記気水分離槽から気体が排出できない状態になった時から、予め設定された気体供給時間を経過した後に前記第１の弁を閉じ、前記第１の弁を閉じた後に前記第２の弁を閉じるよう制御するプログラムである。
　この構成によれば、気体供給時間の間、気体を気水分離槽に供給することにより、排水のきっかけを与えることができるので、その後に気水分離槽に蓄積された液体を自然排水することができる。また、気体供給時間の間しか、気体を気水分離槽に供給しないので、汚染された雰囲気及び／または液体の洗浄室内への逆流を抑制することができ、洗浄室内の基板の汚染のおそれを低減することができる。
　以下、本技術の一実施形態に係る基板処理装置を図面に基づいて説明する。具体的には、基板処理装置の一例として、ＣＭＰ技術を用いた研磨装置について説明する。なお、以下に説明する個別の構成要素を任意に組み合わせた技術についても、本技術が対象とする技術思想に含まれるものである。
　［全体概要］
　図１は本技術の実施形態に係る基板処理装置１００の全体構成を示す平面図である。図１に示すように、この基板処理装置１００は、略矩形状のハウジング１を備えており、ハウジング１の内部は隔壁１ａ，１ｂによってロード／アンロード部２と研磨部３と洗浄部４とに区画されている。これらのロード／アンロード部２、研磨部３、および洗浄部４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。洗浄部４は、第１洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、第２洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、乾燥室１９４とに区画されている。本実施形態では一例として、第１洗浄室１９０と第２洗浄室１９２とは、上下２段に積み重ねられた状態で配置されている。また、基板処理装置１００は、基板処理動作を制御する制御部５を有している。
　［ロード／アンロード部］
　ロード／アンロード部２は、多数のウエハ（基板）をストックするウエハカセットが載置される２つ以上（本実施形態では４つ）のフロントロード部２０を備えている。これらのフロントロード部２０はハウジング１に隣接して配置され、基板処理装置１００の幅方向（長手方向と垂直な方向）に沿って配列されている。フロントロード部２０には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard　Manufacturing　Interface）ポッド、またはＦＯＵＰ（Front　Opening　Unified　Pod）を搭載することができるようになっている。ここで、ＳＭＩＦ、ＦＯＵＰは、内部にウエハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
　また、ロード／アンロード部２には、フロントロード部２０の並びに沿って走行機構２１が敷設されており、この走行機構２１上にウエハカセットの配列方向に沿って移動可能な搬送ロボット（ローダー）２２が設置されている。搬送ロボット２２は走行機構２１上を移動することによってフロントロード部２０に搭載されたウエハカセットにアクセスできるようになっている。搬送ロボット２２は上下に２つのハンドを備えており、上側のハンドを処理されたウエハをウエハカセットに戻すときに使用し、下側のハンドを処理前のウエハをウエハカセットから取り出すときに使用して、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット２２の下側のハンドは、その軸心周りに回転することで、ウエハを反転させることができるように構成されている。
　ロード／アンロード部２は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード／アンロード部２の内部は、基板処理装置１００の外部、研磨部３、および洗浄部４のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨部３は研磨液としてスラリーを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨部３の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄部４の内部圧力よりも低く維持されている。ロード／アンロード部２には、ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ、またはケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられており、このフィルタファンユニットからはパーティクルや有毒蒸気、有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。
　［研磨部］
　研磨部３は、ウエハの研磨（平坦化）が行われる領域であり、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、第４研磨ユニット３Ｄを備えている。これらの第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、および第４研磨ユニット３Ｄは、図１に示すように、基板処理装置１００の長手方向に沿って配列されている。
　図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａは、研磨面を有する研磨パッド１０が取り付けられたテーブル３０Ａと、ウエハを保持しかつウエハをテーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に押圧しながら研磨するためのトップリング（研磨ヘッド）３１Ａと、研磨パッド１０に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル（研磨液供給部）３２Ａと、研磨パッド１０の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ３３Ａと、研磨面に流体を噴射するとともに研磨面の上にある流体を吸引するアドマイザ３４Ａとを備えている。例えば、流体は、気体（例えば窒素ガス）、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体、液体（例えば純水）である。流体は、液体が霧状になったものでもよい。
　同様に、第２研磨ユニット３Ｂは、研磨パッド１０が取り付けられたテーブル３０Ｂと、トップリング（研磨ヘッド）３１Ｂと、研磨液供給ノズル３２Ｂと、ドレッサ３３Ｂと、アドマイザ３４Ｂとを備えており、第３研磨ユニット３Ｃは、研磨パッド１０が取り付けられたテーブル３０Ｃと、トップリング（研磨ヘッド）３１Ｃと、研磨液供給ノズル３２Ｃと、ドレッサ３３Ｃと、アドマイザ３４Ｃとを備えており、第４研磨ユニット３Ｄは、研磨パッド１０が取り付けられたテーブル３０Ｄと、トップリング（研磨ヘッド）３１Ｄと、研磨液供給ノズル３２Ｄと、ドレッサ３３Ｄと、アドマイザ３４Ｄとを備えている。
　［搬送機構］
　次に、ウエハを搬送するための搬送機構について説明する。図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａおよび第２研磨ユニット３Ｂに隣接して、第１リニアトランスポータ６が配置されている。この第１リニアトランスポータ６は、第１研磨ユニット３Ａ，第２研磨ユニット３Ｂが配列する方向に沿った４つの搬送位置（ロード／アンロード部側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４とする）の間でウエハを搬送する機構である。
　また、第３研磨ユニット３Ｃおよび第４研磨ユニット３Ｄに隣接して、第２リニアトランスポータ７が配置されている。この第２リニアトランスポータ７は、第３研磨ユニット３Ｃ、第４研磨ユニット３Ｄが配列する方向に沿った３つの搬送位置（ロード／アンロード部側から順番に第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７とする）の間でウエハを搬送する機構である。
　ウエハは、第１リニアトランスポータ６によって第１研磨ユニット３Ａ，第２研磨ユニット３Ｂに搬送される。上述したように、第１研磨ユニット３Ａのトップリング３１Ａは、トップリングヘッド（不図示）のスイング動作により研磨位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。したがって、トップリング３１Ａへのウエハの受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。同様に、第２研磨ユニット３Ｂのトップリング３１Ｂは研磨位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、トップリング３１Ｂへのウエハの受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨ユニット３Ｃのトップリング３１Ｃは研磨位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、トップリング３１Ｃへのウエハの受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨ユニット３Ｄのトップリング３１Ｄは研磨位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、トップリング３１Ｄへのウエハの受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。
　第１搬送位置ＴＰ１には、搬送ロボット２２からウエハを受け取るためのリフタ１１が配置されている。ウエハはこのリフタ１１を介して搬送ロボット２２から第１リニアトランスポータ６に渡される。リフタ１１と搬送ロボット２２との間に位置して、シャッタ（図示せず）が隔壁１ａに設けられており、ウエハの搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット２２からリフタ１１にウエハが渡されるようになっている。また、第１リニアトランスポータ６と、第２リニアトランスポータ７と、洗浄部４との間にはスイングトランスポータ１２が配置されている。このスイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４と第５搬送位置ＴＰ５との間を移動可能なハンドを有しており、第１リニアトランスポータ６から第２リニアトランスポータ７へのウエハの受け渡しは、スイングトランスポータ１２によって行われる。ウエハは、第２リニアトランスポータ７によって第３研磨ユニット３Ｃおよび／または第４研磨ユニット３Ｄに搬送される。また、スイングトランスポータ１２の側方には、図示しないフレームに設置されたウエハＷの仮置き台１８０が配置されている。この仮置き台１８０は、図１に示すように、第１リニアトランスポータ６に隣接して配置されており、第１リニアトランスポータ６と洗浄部４との間に位置している。研磨部３で研磨されたウエハＷはスイングトランスポータ１２を経由して仮置き台１８０に載置され、その後、ウエハＷは、洗浄部４の搬送ロボットによって洗浄部４に搬送される。
　［洗浄部］
　洗浄部４は、基板を洗浄する第１洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、基板を洗浄する第２洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、乾燥室１９４とに区画されている。第１洗浄室１９０内には、縦方向に沿って配列された複数の一次洗浄モジュールが配置されている。同様に、第２洗浄室１９２内には、縦方向に沿って配列された複数の二次洗浄モジュールが配置されている。一次及び二次洗浄モジュールは、洗浄液を用いてウエハを洗浄する洗浄機である。
　乾燥室１９４内には、縦方向に沿って配列された複数の乾燥モジュールが配置されている。これら複数の乾燥モジュールは互いに隔離されている。乾燥モジュールの上部には、清浄な空気を乾燥モジュールに供給するフィルタファン部が設けられている。各洗浄モジュールおよび乾燥モジュールは、図示しないフレームにボルトなどを介して固定されている。
　続いて、図２を用いて、第１洗浄室１９０と第２洗浄室１９２の配管の構成を説明する。図２は、第１洗浄室１９０と第２洗浄室１９２の配管の構成を示す概略図である。図２に示すように、基板処理装置１００は、配管ＰＰ１を介して気体供給源ＧＳに連通する気水分離槽ＡＷＳを備える。気体供給源ＧＳには、例えば、圧縮窒素が蓄積されており、圧縮窒素を配管ＰＰ１を介して気水分離槽ＡＷＳに供給することができる。
　同様にして、基板処理装置１００は、配管ＰＰ１’を介して気体供給源ＧＳ’に連通する気水分離槽ＡＷＳ’を備える。気体供給源ＧＳ’には、例えば、圧縮窒素が蓄積されており、圧縮窒素を配管ＰＰ１’を介して気水分離槽ＡＷＳ’に供給することができる。
　更に基板処理装置１００は、配管ＰＰ１と、第１の弁Ｂ１を備える。配管ＰＰ１は、気体供給源ＧＳと気水分離槽ＡＷＳとを連通する。第１の弁Ｂ１は、気体供給源ＧＳと気水分離槽ＡＷＳとの間（ここでは一例として配管ＰＰ１）に設けられ且つ気体供給源ＧＳから供給される気体の流路を開閉する。
　同様に、基板処理装置１００は、配管ＰＰ１’と第１の弁Ｂ１’を備える。配管ＰＰ１’は、気体供給源ＧＳ’と気水分離槽ＡＷＳ’とを連通する。第１の弁Ｂ１’は、気体供給源ＧＳ’と気水分離槽ＡＷＳ’との間（ここでは一例として配管ＰＰ１’）に設けられ且つ気体供給源ＧＳ’から供給される気体の流路を開閉する。
　更に基板処理装置１００は、気水分離槽ＡＷＳの排出口ＤＡ、気水分離槽ＡＷＳ’の排出口ＤＡ’、第１洗浄室１９０の排出口Ｄ１、及び第２洗浄室１９２の排出口Ｄ２と連通する配管ＰＰ２と、気水分離槽ＡＷＳの排出口ＤＡから排出される液体の流路を開閉する第２の弁Ｂ２と、気水分離槽ＡＷＳ’の排出口ＤＡから排出される液体の流路を開閉する第２の弁Ｂ２’とを備える。配管ＰＰ２により、気水分離槽ＡＷＳの排出口ＤＡ及び気水分離槽ＡＷＳ’の排出口ＤＡ’は、基板を洗浄する第１洗浄室１９０の排出口Ｄ１、及び第２洗浄室１９２の排出口Ｄ２と連通する。図２に示すように、配管ＰＰ２の排出先は大気に連通している。
　図２に示すように、第１洗浄室１９０には、ウエハＷを吸着するための吸着ステージＶＳ１と、ウエハＷを上下動させるリフトピンＬＰ１と、ウエハＷを予め設定された受取位置に到達したことを検出するセンサＳ１とが設けられている。ここで、受取位置は、搬送ロボットがウエハＷを受け取る位置である。センサＳ１は、検出結果を制御部５に通知する。
　吸着ステージＶＳ１には、ウエハＷを真空吸着するための穴が設けられている。また、基板処理装置１００には、気水分離槽ＡＷＳから二つに分岐する配管ＰＰ３が設けられている。配管ＰＰ３の一方の分岐先はロータリージョイントＲＪ１の他端部に接続されている。これにより、ロータリージョイントＲＪ１の他端部と気水分離槽ＡＷＳとを連通する。配管ＰＰ３の他方の分岐先は水供給源ＷＳに接続されている。これにより、水供給源ＷＳと気水分離槽ＡＷＳとを連通する。ロータリージョイントＲＪ１の一端部は、吸着ステージＶＳ１に設けられた穴に連通する。これにより、吸着ステージＶＳ１の穴と気水分離槽ＡＷＳとが連通する。すなわち、気体供給源ＧＳの気体が第１洗浄室１９０の吸着ステージＶＳ１に供給されるように気水分離槽ＡＷＳの気体排出口ＧＡは、第１洗浄室１９０の吸着ステージＶＳ１と連通可能である。
　同様にして、基板処理装置１００には、気水分離槽ＡＷＳから二つに分岐する配管ＰＰ３’が設けられている。配管ＰＰ３’の一方の分岐先はロータリージョイントＲＪ２の他端部に接続されている。これにより、ロータリージョイントＲＪ２の他端部と気水分離槽ＡＷＳ’とを連通する。配管ＰＰ３’の他方の分岐先は水供給源ＷＳ’に接続されている。これにより、水供給源ＷＳ’と気水分離槽ＡＷＳ’とを連通する。ロータリージョイントＲＪ２の一端部は、吸着ステージＶＳ２に設けられた穴に連通する。これにより、吸着ステージＶＳ２の穴と気水分離槽ＡＷＳ’とが連通する。すなわち、気体供給源ＧＳ’の気体が第２洗浄室１９２の吸着ステージＶＳ２に供給されるように気水分離槽ＡＷＳ’の気体排出口ＧＡ’は、第２洗浄室１９２の吸着ステージＶＳ２と連通可能である。
　同様にして、図２に示すように、第２洗浄室１９２には、ウエハＷ’を吸着するための吸着ステージＶＳ２と、ウエハＷ’を上下動させるリフトピンＬＰ２と、ウエハＷ’を予め設定された受取位置に到達したことを検出するセンサＳ２とが設けられている。ここで、受取位置は、搬送ロボットがウエハＷ’を受け取る位置である。センサＳ２は、検出結果を制御部５に通知する。
　吸着ステージＶＳ２には、ウエハＷ’を真空吸着するための穴が設けられている。また、一端部が吸着ステージＶＳ２に設けられた穴と連通するロータリージョイントＲＪ２が設けられ、配管ＰＰ３’によってロータリージョイントＲＪ２の他端部と気水分離槽ＡＷＳ’とが連通する。これにより、吸着ステージＶＳ２の穴と気水分離槽ＡＷＳとが連通する。
　図２に示すように、基板処理装置１００には、第３の弁Ｂ３が設けられている。第３の弁Ｂ３は、気水分離槽ＡＷＳ及びと第１洗浄室１９０との間（ここでは一例として配管ＰＰ３）に設けられ且つ気水分離槽ＡＷＳと第１洗浄室１９０の吸着ステージＶＳ１との間の流路を開閉する。
　同様にして、基板処理装置１００には、第３の弁Ｂ３’が設けられている。第３の弁Ｂ３’は、気水分離槽ＡＷＳ’及びと第２洗浄室１９２との間（ここでは一例として配管ＰＰ３’）に設けられ且つ気水分離槽ＡＷＳ’と第２洗浄室１９２の吸着ステージＶＳ２の間の流路を開閉する。
　図２に示すように、基板処理装置１００は、真空発生器ＶＡＣと、真空発生器ＶＡＣと気水分離槽ＡＷＳとを連通する配管ＰＰ４とを備える。更に基板処理装置１００には、第４の弁Ｂ４が設けられている。第４の弁Ｂ４は、真空発生器ＶＡＣと気水分離槽ＡＷＳとの間（ここでは一例として配管ＰＰ４）に設けられており、真空発生器ＶＡＣと気水分離槽ＡＷＳとの間の流路を開閉する。これにより、第３の弁Ｂ３と後述する第４の弁Ｂ４を開くことにより、ウエハＷを吸着ステージＶＳ１に吸着することができる。
　同様にして、基板処理装置１００は、真空発生器ＶＡＣ’と、真空発生器ＶＡＣ’と気水分離槽ＡＷＳ’とを連通する配管ＰＰ４’とを備える。更に基板処理装置１００には、第４の弁Ｂ４’が設けられている。第４の弁Ｂ４’は、真空発生器ＶＡＣ’と気水分離槽ＡＷＳ’との間（ここでは一例として配管ＰＰ４’）に設けられており、真空発生器ＶＡＣ’と気水分離槽ＡＷＳ’との間の流路を開閉する。これにより、第３の弁Ｂ３’と後述する第４の弁Ｂ４’を開くことにより、ウエハＷ’を吸着ステージＶＳ２に吸着することができる。
　図２に示すように、基板処理装置１００は、第５の弁Ｂ５を備える。第５の弁Ｂ５は、配管ＰＰ３のうち分岐点ＤＰより水供給源ＷＳ側に設けられている。水供給源ＷＳには、純水（ＤＩＷ）が蓄えられており、水供給源ＷＳから気水分離槽ＡＷＳに純水（ＤＩＷ）を供給することができる。
　同様にして、基板処理装置１００は、第５の弁Ｂ５’を備える。第５の弁Ｂ５’は、配管ＰＰ３’のうち分岐点ＤＰ’より水供給源ＷＳ側に設けられている。水供給源ＷＳ’には、純水（ＤＩＷ）が蓄えられており、水供給源ＷＳ’から気水分離槽ＡＷＳに純水（ＤＩＷ）を供給することができる。
　制御部５は、第１の弁Ｂ１、第２の弁Ｂ２、第３の弁Ｂ３、第４の弁Ｂ４、及び第５の弁Ｂ５を制御する。同様に、制御部５は、第１の弁Ｂ１’、第２の弁Ｂ２’、第３の弁Ｂ３’、第４の弁Ｂ４’、及び第５の弁Ｂ５’を制御する。また、制御部５は、リフトピンＬＰ１及びリフトピンＬＰ２を制御する。
　［液体排出時の制御部５の処理］
　続いて、気水分離槽ＡＷＳ及びＡＷＳ’の排水に係る制御部５の処理は同じであるので、代表して気水分離槽ＡＷＳを対象にして、気水分離槽ＡＷＳに溜まった液体を排出する際の制御部５の処理について説明する。制御部５は、第１の弁Ｂ１が開いており且つ気水分離槽ＡＷＳから気体が排出できない状態になった時から予め設定された気体供給時間を経過した後に第１の弁Ｂ１を閉じ、第１の弁Ｂ１を閉じた後に第２の弁Ｂ２を閉じるよう制御する。具体的な処理については、図４で後述する。これにより、気体供給時間の間、気体を気水分離槽ＡＷＳに供給することにより、排水のきっかけを与えることができるので、その後に気水分離槽ＡＷＳに蓄積された液体を自然排水することができる。また、気体供給時間の間しか、気体を気水分離槽ＡＷＳに供給しないので、汚染された雰囲気及び／または液体の第１洗浄室１９０内への逆流を抑制することができ、第１洗浄室１９０内の基板の汚染のおそれを低減することができる。
　ここで、気体供給時間について図３を用いて説明する。図３は、気体供給源の気体の圧力毎の、排水所要時間と気体供給時間の関係の一例を示す図である。図３では、気体供給源の気体が窒素で、気水分離槽ＡＷＳの容量が６００ｍｌのときに、気水分離槽ＡＷＳに蓄積された２００ｍｌの液体を排出するのにかかる時間が排水所要時間である。図３における気体供給源の気体の圧力Ｐが０．０８ＭＰａのときの関係は実験により得られたものである。図３における気体供給源の気体の圧力Ｐが０．０５、０．１０、０．１５のときの関係は、下記に示す計算式から予測されたものである。
　気体供給源の気体の圧力Ｐが０．０８ＭＰａのときには、気体供給時間が０．７秒以上であれば、気水分離槽ＡＷＳに蓄積された液体を全て排出できた。また、気体供給源の気体の圧力Ｐが０．０８ＭＰａのときには、気体供給時間が２．０秒以下であれば、汚染された雰囲気及び／または液体の第１洗浄室１９０または第２洗浄室１９２内への逆流が観測されなかった。
　図３に示すように、気体供給時間を変えても、同じ気体供給源の気体の圧力Ｐであれば、排水所要時間は同じである。このように、気体供給源の気体の圧力Ｐ毎に、排水所要時間が決まっている。よって、排水所要時間は、気体供給源ＧＳの気体の圧力の気体の圧力Ｐに応じて決まっている。
　第２の弁Ｂ２を閉じるのは、気水分離槽ＡＷＳに蓄積された液体が全て排水された時以降である必要がある。例えば、気体供給源の気体の圧力Ｐが０．０８ＭＰａであるときには、図３から排水所要時間は４．５秒である。ここで、気体供給期間が１秒の場合には、第１の弁Ｂ１を閉じた時から第２の弁Ｂ２を閉じるまでの時間は、３（＝４．５－１）秒以上に設定される。よって、第１の弁Ｂ１を閉じた時から第２の弁Ｂ２を閉じるまでの時間は、気体供給源ＧＳの気体の圧力に応じて設定された排水所要時間に応じて設定されている。これにより、排水所要時間以上の時間、第２の弁Ｂ２を開けることができるので、気水分離槽ＡＷＳに蓄積された液体を全て排出することができる。
　ベルヌーイの定理から、流速ｖは次の式で表される。
　ｖ＝（２×Ｐ／ρ）０．５
　ここで、Ｐは気体供給源の気体の圧力であり、ρは流体密度である。よって、排出される液体の単位時間あたりに流れる量（以下、流量という）Ｑは次の式で表される。
　Ｑ＝Ｃ×Ａ×（２×Ｐ／ρ）０．５
　ここで、Ｃは流出係数で、Ａは流路面積である。よって、気水分離槽ＡＷＳから排出する液体の総量を排出総量Ｖとすると、排水所要時間Ｔｆは、次の式（１）から導出される。
　Ｔｆ＝Ｖ／Ｑ　…（１）
　また、本実施形態では、配管ＰＰ２の排出先が大気に連通しており、下流圧力ＰＬが０であるから、（ＰＬ＋０．１）／（ＰＬ＋０．１）≦０．５が成り立つ。よって、気体流量ｑをチョーク流れで計算することができ、気体流量ｑ（Ｌ／ｍｉｎ）は次の式（２）から導出される。
　ｑ＝１２０×Ｓ×（Ｐ＋０．１）√（２９３／２７３＋ｔ）　…（２）
　ここで、Ｐは気体供給源の気体の圧力（ＭＰａ）で、Ｓは気体供給源ＧＳと気水分離槽ＡＷＳとの間を繋ぐ配管ＰＰ１の最小の内径の部分の内側の断面積であり、ｔは温度（℃）である。ここでは配管ＰＰ１の最小の内径の部分の内側の断面積Ｓは一例として１２．５６ｍｍ２であり、温度ｔは２０℃である。式（２）から、気体流量ｑは、気体供給源の気体の圧力と、配管ＰＰ１の最小の内径の部分の内側の断面積に比例する。
　図３に示すように、気体供給源の気体の圧力Ｐが０．０８ＭＰａのときの実験では、最低限０．７秒間、気水分離槽ＡＷＳに気体（ここでは窒素）を供給しなければ排水されなかった。よって、排水のきっかけを与えるのに供給することが最低限必要な気体の体積（最低供給体積）は、３．１７（＝４．５３（Ｌ／秒）×０．７（秒））Ｌである。
　０．０５ＭＰａでの気体流量ｑは、式（２）から３．７８（＝２２７／６０）Ｌ／秒になるので、排水するのに必要な最低限の気体供給時間は０．８３（＝３．１７（Ｌ）／３．７８（Ｌ／秒））秒になる。
　同様にして、０．１ＭＰａでの気体流量ｑは、式（２）から５．０３（＝３０２／６０）Ｌ／秒になるので、排水するのに必要な最低限の気体供給時間は０．６（＝３．１７（Ｌ）／５．０３（Ｌ／秒））秒になる。
　同様にして、０．１５ＭＰａでの気体流量ｑは、式（２）から６．２８（＝３７７／６０）Ｌ／秒になるので、排水するのに必要な最低限の気体供給時間は０．５０（＝３．１７（Ｌ）／６．２８（Ｌ／秒））秒になる。
　図３に示すように、気体供給時間は、排水するのに必要な最低限の気体供給時間以上である。ここで式（２）から気体流量ｑは気体供給源の気体の圧力Ｐに比例するから、最低限の気体供給時間は気体供給源の気体の圧力Ｐに反比例する。このことから、本実施形態に係る最低限の気体供給時間は、少なくとも気体供給源の気体の圧力に応じて設定されている。これにより、最低限の気体供給時間より長い時間、気体を気水分離槽ＡＷＳに供給することができるので、気水分離槽ＡＷＳからの排水のきっかけを与えることができる。
　また、式（２）から、気体流量ｑは配管ＰＰ１の最小の内径の部分の内側の断面積Ｓに比例するから、最低限の気体供給時間は配管ＰＰ１の最小の内径の部分の内側の断面積Ｓに反比例する。このことから、本実施形態に係る最低限の気体供給時間は、更に気体供給源ＧＳと気水分離槽ＡＷＳとの間を繋ぐ配管ＰＰ１の最小の内径の部分の内側の断面積に応じて設定されている。これにより、最低限の気体供給時間を適切に設定でき、この最低限の気体供給時間以上の時間、気体を気水分離槽ＡＷＳに供給するので、気水分離槽ＡＷＳからの排水のきっかけを与えることができる。
　また、排水のきっかけを与えるのに供給することが最低限必要な気体の体積（最低供給体積）は、気水分離槽ＡＷＳに存在する液体の量に依存する。このことから、最低限の気体供給時間は、更に、気水分離槽ＡＷＳが満水のときに排水のきっかけを与えるのに供給することが最低限必要な気体の体積に応じて決められていてもよい。例えば、気水分離槽ＡＷＳが満水のときに排水のきっかけを与えるのに供給することが最低限必要な気体（例えば、窒素）の体積は、気水分離槽の容積（例えば、０．６Ｌ）の固定値（５．２７）倍であるから、気水分離槽の容積が例えば０．６Ｌの場合、３．１６（≒０．６×５．２７）Ｌである。０．１ＭＰａでの気体流量ｑは、式（２）より５．０３（＝３０２／６０）Ｌ／秒であるため、最低限の気体供給時間は、０．６（≒３．１６／５．０３）秒になる。これにより、最低限の気体供給時間を気水分離槽ＡＷＳが満水のときの液体の量を排出できる量の気体を供給できる時間に設定でき、この最低限の気体供給時間以上の時間、気体を気水分離槽ＡＷＳに供給するので、気水分離槽ＡＷＳ内の液体の量に関わらず、気水分離槽ＡＷＳからの排水のきっかけを与えることができる。そして、短い時間（例えば０．６秒）で排水ができ、無駄で汚染源になる気体（例えば、窒素）の排出を止めることができる。
　なお、気水分離槽ＡＷＳに存在する液体の量を検出する検出部を備えていてもよい。検出部は例えば、気水分離槽ＡＷＳの内側に設けられた液面センサである。そして、本実施形態に係る気体供給時間は、検出部によって検出された気水分離槽ＡＷＳに存在する液体の量に応じて制御部５により設定されてもよい。具体的には例えば、制御部５は、気水分離槽ＡＷＳに存在する液体の量が多いほど気体供給時間が大きくなるように気体供給時間を設定してもよい。これにより、排水きっかけを与えることができるような気体供給時間を適切に設定できるので、気水分離槽ＡＷＳから液体を排水することができる。
　［基板を吸着ステージから剥がす時の制御部５の処理］
　続いて、吸着ステージＶＳ１、ＶＳ２を代表して、吸着ステージＶＳ１から基板を剥がす時の制御部５の処理について説明する。
　制御部５は、基板を第１洗浄室１９０の吸着ステージＶＳ１から剥がすために、第２の弁Ｂ２と第３の弁Ｂ３を開けるよう制御する。ここで、気体供給源ＧＳの圧力は、基板を第１洗浄室１９０の吸着ステージＶＳ１から剥がすことができ且つ基板が飛び跳ねない範囲で設定されている。なお、基板が飛び跳ねるとは、基板が吸着ステージから突発的に離脱してしまうことを意味しており、もし基板が意図せずにステージから飛び跳ねてしまうと、基板が損傷する懸念が生じうる。これにより、基板を吸着ステージＶＳ１から剥がし、且つ基板を搬送ロボット２２が受け取る受取位置まで上昇させることができる。
　実機で実験したところ、直径３００ｍｍのウエハの場合には、吸着ステージＶＳ１から剥がすことができる圧力は０．０５ＭＰａ以上であった。また、直径３００ｍｍのウエハの場合には、ウエハが飛び跳ねない圧力は０．１５ＭＰａ以下であった。よって、直径３００ｍｍのウエハの場合、気体供給源の圧力Ｐは、０．０５～０．１５ＭＰａである。これにより、直径３００ｍｍのウエハの場合において、当該ウエハを吸着ステージＶＳ１から剥がし、且つ当該ウエハを搬送ロボット２２が受け取る受取位置まで上昇させることができる。
　続いて、気水分離槽ＡＷＳ及びＡＷＳ’の排水に係る処理は同じであるので、代表して気水分離槽ＡＷＳを対象にして、図４を用いて気水分離槽ＡＷＳの排水に係る処理を説明する。図４は、気水分離槽ＡＷＳの排水に係る処理の流れの一例を示すフローチャートである。図４は、第１洗浄室１９０でウエハを洗浄する場合の例である。
　（ステップＳ１０１）まず制御部５は、第４の弁Ｂ４を閉じるよう制御する。これにより、第１洗浄室１９０の真空が解除される。
　（ステップＳ１０２）次に制御部５は、第５の弁Ｂ５を開くよう制御する。これにより、配管ＰＰ３に水が充填される。
　（ステップＳ１０３）次に制御部５は、第５の弁Ｂ５を閉じ、第１の弁Ｂ１及び第３の弁Ｂ３を開くよう制御する。これにより、窒素ガスに押されて水がウエハＷを押すとともに、窒素ガスによってウエハＷが押される。これにより、ウエハＷが吸着ステージＶＳ１から剥がれる。
　（ステップＳ１０４）次に制御部５は、ウエハＷをリフトピンＬＰ１で上昇させるよう制御する。これにより、ウエハＷが吸着ステージＶＳ１から離れる。
　（ステップＳ１０５）次に制御部５は、センサＳ１の検出結果に基づいて、ウエハＷが受取位置に到達したか否か判定する。
　（ステップＳ１０６）ステップＳ１０４でウエハＷが受取位置に到達した場合、制御部５は、第３の弁Ｂ３を閉じ、第２の弁Ｂ２を開くよう制御する。ここでも、第１の弁Ｂ１は開きっぱなしである。第２の弁Ｂ２が開くので、気水分離槽ＡＷＳからの排水が始まる。
　（ステップＳ１０７）次に制御部５は、第３の弁Ｂ３が閉じた時から予め設定された気体供給時間を経過したか否か判定する。
　（ステップＳ１０８）ステップＳ１０７で第３の弁Ｂ３が閉じた時から予め設定された気体供給時間を経過した場合、制御部５は、第１の弁Ｂ１を閉じるよう制御する。なお、但し、ウエハを剥がす工程が必要ない場合には、そもそも第３の弁Ｂ３を開く必要がないので予め第３の弁Ｂ３が閉じられており、ステップＳ１０６の第３の弁Ｂ３を閉じるまでの工程がない。その場合には、ステップＳ１０６までの工程はなく、制御部５は、第１の弁Ｂ１及び第２の弁Ｂ２を開くように制御することから始まり、第１の弁Ｂ１を開いた時からの時間をカウントする。いずれにしても、制御部５は、第１の弁Ｂ１が開いており且つ気水分離槽ＡＷＳから気体が排出できない状態になった時からの時間をカウントする。
　このように制御部５は、第１の弁Ｂ１が開いており且つ気水分離槽ＡＷＳから気体が排出できない状態になった時（例えば、ステップＳ１０７で第３の弁Ｂ３を閉じた時）から、予め設定された気体供給時間を経過した後に第１の弁Ｂ１を閉じるよう制御する。
　（ステップＳ１０９）次に制御部５は、第１の弁Ｂ１を閉じてから更に予め決められた期間を経過したか否か判定する。上述したように、この予め決められた期間は、気体供給源ＧＳの気体の圧力に応じて設定された排水所要時間に応じて設定されている。すなわち、気体供給時間と予め決められた期間の合計時間が、排水所要時間以上になるように当該予め決められた期間が設定されている。
　（ステップＳ１１０）ステップＳ１０９で更に予め決められた期間を経過した場合、制御部５は、第２の弁Ｂ２を閉じるよう制御する。
　以上、本実施形態に係る基板処理装置１００は、気体供給源ＧＳと気水分離槽ＡＷＳとの間に設けられ且つ気体供給源ＧＳから供給される気体の流路を開閉する第１の弁Ｂ１を備える。更に基板処理装置１００は、気水分離槽ＡＷＳの排出口ＤＡから排出される液体の流路を開閉する第２の弁Ｂ２を備える。更に基板処理装置１００は、第１の弁Ｂ１と第２の弁Ｂ２を制御する制御部５を備える。気水分離槽ＡＷＳの排出口ＤＡは、基板を洗浄する第１洗浄室１９０及び第２洗浄室１９２の排出口と連通している。そして制御部５は、第１の弁Ｂ１が開いており且つ気水分離槽ＡＷＳから気体が排出できない状態になった時から、予め設定された気体供給時間を経過した後に第１の弁Ｂ１を閉じ、第１の弁Ｂ１を閉じた後に第２の弁Ｂ２を閉じるよう制御する。
　この構成により、気体供給時間の間、気体を気水分離槽ＡＷＳに供給することにより、排水のきっかけを与えることができるので、その後に気水分離槽ＡＷＳに蓄積された液体を自然排水することができる。また、気体供給時間の間しか、気体を気水分離槽ＡＷＳに供給しないので、汚染された雰囲気及び／または液体の第１洗浄室１９０内への逆流を抑制することができ、洗浄室内の基板の汚染のおそれを低減することができる。
　また、第１洗浄室１９０及び第２洗浄室１９２の排水口にはそれぞれストレーナが設けられており、ストレーナは、洗浄槽で発生した残渣（基板の破片や、ごみ）を捕集する。仮に気体を連続的に気水分離槽に供給する場合、この気体がドレイン配管を介して第１洗浄室１９０及び第２洗浄室１９２の排水口に供給され、気体の圧力でストレーナが吹き飛んでしまうおそれがあるという問題もあった。それに対し、本実施形態に係る基板処理装置１００によれば、汚染された雰囲気及び／または液体の第１洗浄室１９０または第２洗浄室１９２内への逆流を抑制することができるので、ストレーナを吹き飛ぶ確率を低減することができる。
　なお、本実施形態の制御部の各処理を実行するためのプログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録して、当該記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータシステムに読み込ませ、プロセッサが実行することにより、本実施形態の制御部に係る上述した種々の処理を行ってもよい。
　なお、本実施形態に係る基板処理装置１００は、第１洗浄室１９０と第２洗浄室１９２の二つの洗浄室を備える構成としたが、これに限ったものではなく、一つでも、三つ以上の洗浄室を備える構成としてもよい。また、第１洗浄室１９０と第２洗浄室１９２とは、上下２段に積み重ねられた状態で配置されている構成としたが、これに限らず、積み重ねずに水平方向に分かれて配置されてもよい。
　以上、本技術は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の技術を形成できる。例えば、対象となる基板の直径は、３００ｍｍに限定されず、例えば４５０ｍｍとされていてもよい。また、例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
　１　　　ハウジング
　２　　　ロード／アンロード部
　３　　　研磨部
　３Ａ　　第１研磨ユニット
　３Ｂ　　第２研磨ユニット
　３Ｃ　　第３研磨ユニット
　３Ｄ　　第４研磨ユニット
　４　　　洗浄部
　５　　　制御部
　６　　　第１リニアトランスポータ
　７　　　第２リニアトランスポータ
１０　　　研磨パッド
１１　　　リフタ
１２　　　スイングトランスポータ
２０　　　フロントロード部
２１　　　走行機構
２２　　　搬送ロボット
３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ　　テーブル
３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄ　　トップリング（研磨ヘッド）
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ　　研磨液供給ノズル
３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ，３３Ｄ　　ドレッサ
３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃ，３４Ｄ　　アドマイザ
１００　基板処理装置
１９０　第１洗浄室
１９１　第１搬送室
１９２　第２洗浄室
１９３　第２搬送室
１９４　乾燥室
ＡＷＳ、ＡＷＳ’　気水分離槽
Ｂ１、Ｂ１’　第１の弁
Ｂ２、Ｂ２’　第２の弁
Ｂ３、Ｂ３’　第３の弁
Ｂ４、Ｂ４’　第４の弁
Ｂ５、Ｂ５’　第５の弁
Ｄ１，Ｄ２　排出口
ＧＳ、ＧＳ’　気体供給源
ＬＰ１，ＬＰ２　リフトピン
ＰＰ１，ＰＰ２，ＰＰ３，ＰＰ４　配管
ＲＪ１，ＲＪ２　ロータリージョイント
Ｓ１，Ｓ２　センサ
ＴＰ１　第１搬送位置
ＴＰ２　第２搬送位置
ＴＰ３　第３搬送位置
ＴＰ４　第４搬送位置
ＴＰ５　第５搬送位置
ＴＰ６　第６搬送位置
ＴＰ７　第７搬送位置
ＶＡＣ、ＶＡＣ’　真空発生器
ＶＳ１，ＶＳ２　吸着ステージ
ＷＳ、ＷＳ’　水供給源
 

 

Claims (9)

  1. 　気体供給源と気水分離槽との間に設けられ且つ前記気体供給源から供給される気体の流路を開閉する第１の弁と、
    　前記気水分離槽の排出口から排出される液体の流路を開閉する第２の弁と、
    　前記第１の弁と前記第２の弁を制御する制御部と、
    　を備え、
    　前記気水分離槽の排出口は、基板を洗浄する洗浄室の排出口と連通しており、
    　前記制御部は、前記第１の弁が開いており且つ前記気水分離槽から気体が排出できない状態になった時から、予め設定された気体供給時間を経過した後に前記第１の弁を閉じ、前記第１の弁を閉じた後に前記第２の弁を閉じるよう制御する
    　基板処理装置。
  2. 　前記気体供給時間は、排水するのに必要な最低限の気体供給時間以上であり、
    　前記最低限の気体供給時間は、少なくとも前記気体供給源の気体の圧力に応じて設定されている
    　請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記最低限の気体供給時間は、更に前記気体供給源と前記気水分離槽との間を繋ぐ配管の最小の内径の部分の内側の断面積に応じて設定されている
    　請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記最低限の気体供給時間は、更に、前記気水分離槽が満水のときに排水のきっかけを与えるのに供給することが最低限必要な気体の体積に応じて設定されている
    　請求項２または３に記載の基板処理装置。
  5. 　前記気体供給源の気体が前記洗浄室の吸着ステージに供給されるように前記気水分離槽の気体排出口は前記洗浄室の前記吸着ステージと連通可能であり、
    　前記気体供給源の圧力は、基板を前記洗浄室の吸着ステージから剥がすことができ且つ前記基板が飛び跳ねない範囲で設定されている
    　請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 　前記基板は、直径３００ｍｍのウエハであり、
    　前記気体供給源の圧力は、０．０５～０．１５ＭＰａである
    　請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 　前記第１の弁を閉じた時から前記第２の弁を閉じるまでの時間は、前記気体供給源の気体の圧力に応じて設定された排水所要時間に応じて設定されている
    　請求項１から６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  8. 　基板処理装置における気水分離槽内の液体の排出方法であって、
    　気体供給源と気水分離槽との間に設けられ且つ前記気体供給源から供給される気体の流路を開閉する第１の弁が開いており且つ前記気水分離槽から気体が排出できない状態になった時から、予め設定された気体供給時間を経過した後に前記第１の弁を閉じる工程と、
    　前記第１の弁を閉じた後に前記気水分離槽の排出口から排出される液体の流路を開閉する第２の弁を閉じる工程と、
    　を有する排出方法。
  9. 　コンピュータを、
    　気体供給源と気水分離槽との間に設けられ且つ前記気体供給源から供給される気体の流路を開閉する第１の弁と、前記気水分離槽の排出口から排出される液体の流路を開閉する第２の弁を制御する制御部として機能させるためのプログラムであって、
    　前記気水分離槽の排出口は、基板を洗浄する洗浄室の排出口と連通しており、
    　前記制御部は、前記第１の弁が開いており且つ前記気水分離槽から気体が排出できない状態になった時から、予め設定された気体供給時間を経過した後に前記第１の弁を閉じ、前記第１の弁を閉じた後に前記第２の弁を閉じるよう制御する
    　プログラム。
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