TWI654705B - 基板處理裝置 - Google Patents

基板處理裝置

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TWI654705B
TWI654705B TW106131253A TW106131253A TWI654705B TW I654705 B TWI654705 B TW I654705B TW 106131253 A TW106131253 A TW 106131253A TW 106131253 A TW106131253 A TW 106131253A TW I654705 B TWI654705 B TW I654705B
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沖田展彬
西村讓一
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明即便於外部之排氣設備之排氣量不足之情形時亦可將腔室內之環境氣體充分地進行排氣。
本發明之基板處理裝置具備有：腔室；基板處理機構，其包含可將基板大致水平地保持之保持構件且被收容於腔室內，並對保持構件所保持之基板吐出處理用流體而進行基板之處理；連接配管，其包含有被設置於保持構件之下方且面向腔室內之下側開口、及被設置於保持構件之上方並面向腔室內之上側開口，且自下側開口至上側開口為止至少一部分係通過腔室之外被配設；以及氣流產生器，其係設置於連接配管；氣流產生器係以使包含既定之氣體之腔室內之環境氣體自下側開口被排出至連接配管並通過連接配管自上側開口再次被導入腔室內，藉此於腔室內產生環境氣體之降流之方式，使腔室內之環境氣體進行循環。

Description

基板處理裝置
本發明係關於對半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用玻璃基板、太陽能電池用基板等(以下簡稱為「基板」)實施處理之基板處理裝置。
作為如此之基板處理裝置，例如採用圖3所示之基板處理裝置500。該裝置具備有沿著上下方向被重疊之4個腔室(框體)1210。於各腔室1210內設置有將基板(省略圖示)水平地保持之保持構件(省略圖示)、及包圍保持構件之杯310。該裝置藉由對由保持構件所保持之基板，例如自噴嘴(省略圖示)吐出處理液而進行基板之處理。該裝置具備有被連接於無塵室等之大氣供給源(省略圖示)之導入配管670。
於導入配管670設置有風扇820，若風扇820作動，大氣便自大氣供給源被導入導入配管670。導入配管670包含對應於各腔室1210之4個分支配管680。各分支配管680係配設至對應之腔室1210內。於各分支配管680之前端，裝設有被配置於各杯310之上方之ULPA(超低滲透空氣；Ultra Low Penetration Air)過濾器710。被導入導入配管之大氣係由該ULPA過濾器710所淨化，成為降流D100而流向杯310。於杯310內形成有包含被吐出至基板之處 理液之薄霧的環境氣體。
於4個腔室之下方設置有用以回收被排氣之環境氣體之回收儲槽620，自回收儲槽620至各腔室1210之杯310之下方為止，延設有用以排出杯310內之環境氣體之排出配管600之各分支配管610。排出配管600之分支配管610於杯310之下方具有開口。杯310內之環境氣體係自該開口導入排出配管600之分支配管610，並通過分支配管610到達回收儲槽620。於回收儲槽620連接有將工廠之排氣設備910連通至回收儲槽620之排氣設備用配管530。被回收至回收儲槽620之環境氣體係經過排氣設備用配管530而由工廠之排氣設備910所排出。
於工廠之排氣設備910一般連接有複數個處理裝置，該排氣設備910之排氣量被分配至複數個處理裝置之各者。在相對於前述之基板處理裝置500之所需排氣量，被分配至該基板處理裝置500之排氣設備910之排氣量不足之情形時，基板處理裝置500由於無法將杯310內之環境氣體充分地排出，因此若進行基板處理，處理之品質便會降低。相對於此，於專利文獻1中，表示有謀求可抑制被分配至基板處理裝置之排氣設備之排氣量不足之情形之基板處理裝置。
專利文獻1之基板處理裝置具備有：基板保持部，其可將基板水平地保持並進行旋轉；杯，其包圍基板保持部之周圍；排氣管路，其將杯內部之環境氣體引導至工廠之排氣設備；及排氣輔助裝置，其係設置於排氣管路之中途。排氣輔助裝置具備有：分支管路，其自排氣管路分支；及合流管路，其在流動於排氣管路之環境氣體之氣流之下游側合流至排氣管路。於分支管路與合流管路之間，設置有連通分支管路與合流管路之貯存部，而於貯存部之分支管路側設置有風扇等之吸氣裝置。若吸氣裝置作動，流動於排氣管路之環境氣體之一部分便被導入分支管路，並被送至貯存部。貯存部係由膜構件所構成，若環境氣體被送至，便膨脹而貯存環境氣體。若吸氣裝置停止，貯存部便收縮，而將所貯存之環境氣體吐出至合流配管。藉此，可在不使工廠之排氣設備增大之情況下使基板處理裝置之排出能力增加。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平10-137662號公報
然而，於專利文獻1之基板處理裝置中，貯存部可膨脹之大小有其限度。因此，存在有在自排氣設備所分配之排氣量相對於基板處理裝置之所需排氣量不足的量超過貯存部之最大貯存量之情形時，無法充分地進行環境氣體之排出之問題。
本發明係為了解決上述問題而完成者，其目的在於提供即便於自外部之排氣設備被分配至基板處理裝置之排氣量相對於基板處理裝置之所需排氣量大幅地不足之情形時，亦可將腔室內之環境氣體充分地進行排氣之技術。
為了解決前述之課題，第1態樣之基板處理裝置具備有：腔室；基板處理機構，其包含可將基板大致水平地保持之保持 構件且被收容於上述腔室內，並對上述保持構件所保持之基板吐出處理用流體而進行上述基板之處理；連接配管，其包含有被設置於上述保持構件之下方並面向上述腔室內之下側開口、及被設置於上述保持構件之上方並面向上述腔室內之上側開口，且自上述下側開口至上述上側開口為止至少一部分係通過上述腔室之外被配設；以及氣流產生器，其係設置於上述連接配管；上述氣流產生器係以使包含既定之氣體之上述腔室內之環境氣體自上述下側開口被排出至上述連接配管，並通過上述連接配管自上述上側開口再次被導入上述腔室內，藉此於上述腔室內產生上述環境氣體之降流之方式，使上述腔室內之上述環境氣體進行循環。
第2態樣之基板處理裝置係第1態樣之基板處理裝置，其中，於上述連接配管內進一步具備有可從自上述腔室內被排出至上述連接配管之上述環境氣體中將上述處理用流體所含之既定之成分去除的過濾器。
第3態樣之基板處理裝置係第2態樣之基板處理裝置，其中，上述過濾器係設置於較上述氣流產生器更靠上述氣流產生器使上述環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流的上游側。
第4態樣之基板處理裝置係第3態樣之基板處理裝置，其中，上述處理用流體包含既定之液體，上述連接配管包含沿著上下方向延伸之縱配管，上述縱配管係設置為上述氣流產生器使上述環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流於該縱配管之內部上升，並且至少一部分位於較上述氣流產生器更靠上述環境氣體之氣流的上游側，上述過濾器係設置於上述縱配管之上述至少一部分，而可從上述環境氣體中將霧狀之上述液體去除。
第5態樣之基板處理裝置係第4態樣之基板處理裝置，其中，上述連接配管於鉛垂方向之下端包含有儲槽，上述儲槽係設置為可承接混入在上述環境氣體中而自上述腔室內被排出至上述連接配管之上述液體，上述縱配管係以其內部空間與上述儲槽之內部空間連通之方式自上述儲槽朝上方延伸。
第6態樣之基板處理裝置係第5態樣之基板處理裝置，其中，上述過濾器係設置於上述縱配管中較上述氣流產生器更靠近上述儲槽之部分。
第7態樣之基板處理裝置係第1至第6態樣中任一態樣之基板處理裝置，其中，其進一步具備有：導入配管，其將上述既定之氣體之供給源與上述連接配管連通而可將上述氣體導入上述連接配管內；及調整閥，其可調整在上述導入配管流動之上述氣體的流量。
第8態樣之基板處理裝置係第7態樣之基板處理裝置，其中，於上述連接配管具備有可從自上述腔室內被排出至上述連接配管之上述環境氣體中將上述處理用流體所含之既定之成分去除的過濾器，上述過濾器係設置於較上述氣流產生器更靠上述氣流產生器使之循環之上述環境氣體之氣流之上游側，且上述導入配管係連接於上述連接配管中較上述過濾器更靠上述環境氣體之氣流之下游側的部分。
第9態樣之基板處理裝置係第1態樣之基板處理裝置，其中，其進一步具備有自上述連接配管分支而將上述連接配管連通於外部之排氣設備，並且將被排出至上述連接配管之上述環境氣體引導至上述排氣設備的排氣設備用配管，在藉由上述連接配管 中自較上述排氣設備用配管更靠上述氣流產生器使上述環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流之下游側至上述上側開口的部分來定義回流配管時，上述基板處理裝置進一步具備有可使上述回流配管與上述排氣設備用配管中之任一者成為開啟狀態，並使另一者成為關閉狀態的開關閥機構。
第10態樣之基板處理裝置係第9態樣之基板處理裝置，其中，其進一步具備有以使上述回流配管與上述排氣設備用配管中之任一者成為開啟狀態且另一者成為關閉狀態之方式來進行上述開關閥機構之開關控制的控制部，上述開關控制如下進行控制：在上述基板處理裝置之所需排氣量超過上述排氣設備之排氣量中被分配至上述基板處理裝置之排氣量時使上述回流配管成為開啟狀態，並且使上述排氣設備用配管成為關閉狀態，而在上述所需排氣量未超過上述被分配之排氣量時使上述回流配管成為關閉狀態，並且使上述排氣設備用配管成為開啟狀態。
第11態樣之基板處理裝置係第10態樣之基板處理裝置，其中，上述控制部根據預先取得之控制用資訊來進行上述開關控制，上述控制用資訊包含以上述開關控制可被執行之方式使上述基板處理裝置可執行之基板處理之製程與上述開關閥機構之開關狀態被相互建立對應關係的資訊。
第12態樣之基板處理裝置係第10態樣之基板處理裝置，其中，上述控制部根據預先取得之控制用資訊來進行上述開關控制，上述控制用資訊包含有相當於自上述排氣設備被分配至該基板處理裝置之排氣量的指標值、及相當於該基板處理裝置之所需排氣量的指標值。
第13態樣之基板處理裝置係第9至第12態樣中任一態樣之基板處理裝置，其中，上述處理用流體包含既定之液體，上述連接配管於鉛垂方向之下端包含有儲槽，上述儲槽係設置為可承接混在上述環境氣體中而自上述腔室內被排出至上述連接配管之上述液體，上述排氣設備用配管與上述回流配管分別被連接於上述儲槽，上述回流配管包含有自上述儲槽朝上方延伸之縱配管，上述縱配管係設置為上述氣流產生器使上述環境氣體進行循環之該氣體環境之氣流可於該縱配管之內部上升，並且至少一部分位於較上述氣流產生器更靠上述環境氣體之氣流的上游側，該基板處理裝置進一步具備有被設置於上述縱配管之上述至少一部分，而可從上述環境氣體中將霧狀之上述液體去除的過濾器，上述開關閥機構包含有：第1開關閥，其係設置於上述縱配管中較上述過濾器更靠上述氣流產生器使上述環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流之上游側的部分，而可將上述縱配管加以開關；及第2開關閥，其可將排氣設備用配管加以開關。
第14態樣之基板處理裝置係第13態樣之基板處理裝置，其中，其進一步具備有：導入配管，其將上述既定之氣體之供給源與上述縱配管連通而可將上述氣體導入上述縱配管內；及調整閥，其可調整在上述導入配管流動之上述氣體的流量；上述導入配管係連接於上述連接配管中較上述過濾器更靠上述氣流產生器使上述環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流之下游側的部分。
第15態樣之基板處理裝置係第1態樣之基板處理裝置，其中，上述基板處理機構對上述基板吐出上述處理用流體而進行上述基板之洗淨處理或沖洗處理。
第16態樣之基板處理裝置係第15態樣之基板處理裝置，其中，上述基板處理機構作為上述處理用流體而吐出純水或功能水。
根據第1態樣之發明，連接配管包含有分別面向腔室內之下側開口及上側開口，且自下側開口至上側開口為止至少一部分係通過腔室之外被配設。而且，被設置於連接配管之氣流產生器係以使包含既定之氣體之腔室內之環境氣體自下側開口被排出至連接配管並通過連接配管自上側開口再次被導入腔室內，藉此於腔室內產生環境氣體之降流之方式，使腔室內之環境氣體進行循環。藉此，基板處理裝置即便未被連接至外部之排氣設備，亦可將腔室內之環境氣體對腔室外進行排氣。因此，基板處理裝置即便於自外部之排氣設備被分配之排氣量相對於所需排氣量大幅地不足之情形時，亦可將腔室內之環境氣體充分地進行排氣。
根據第2態樣之發明，基板處理裝置於連接配管內進一步具備有可從自腔室內被排出至連接配管之環境氣體中將處理用流體所含之既定之成分去除的過濾器。因此，自腔室內被排氣至連接配管之環境氣體係由該過濾器所淨化後，被再次循環至腔室內。藉此，可提高基板處理之品質。
根據第3態樣之發明，過濾器係設置於較氣流產生器更靠氣流產生器使環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流的上游側。因此，由於由該過濾器所淨化之環境氣體被送至氣流產生器，因此可抑制因混在環境氣體中之處理用流體之成分所導致氣流產生器劣化之情形。
根據第4態樣之發明，處理用流體包含有既定之液體，過濾器可從環境氣體中將霧狀之該液體去除，且被設置於連接配管所包含之縱配管中較氣流產生器更靠環境氣體之氣流之上游側的部分。因此，由過濾器所分離之環境氣體中之霧狀之該液體，容易順著縱配管朝下方滴落。
根據第5態樣之發明，由於在連接配管之鉛垂方向之下端設置有儲槽，因此與腔室內之環境氣體一起被排出至連接配管之既定之液體之液滴(大粒之液滴)，係沿著連接配管之內壁流入儲槽而由儲槽承接。混在環境氣體中被排出至連接配管之霧狀之該液體，雖與環境氣體一起自儲槽流至縱配管，但會由過濾器所去除。因此，於較過濾器更靠環境氣體之氣流之下游側，流動有液滴狀之該液體與霧狀之該液體雙方被去除之環境氣體。因此，可有效率地抑制因處理用流體之成分所導致氣流產生器劣化之情形。
根據第6態樣之發明，過濾器係設置於縱配管中較氣流產生器更靠近儲槽的部分。在處理用流體中之霧狀之液體藉由過濾器自環境氣體所分離而成為液滴並順著縱配管之內周面落下時，若多個液滴附著於內周面，則在縱配管流動之環境氣體所受之阻力就會變大。然而，若過濾器在縱配管中較氣流產生器更靠近儲槽，由於可減小液滴附著之範圍，因此可使縱配管內之環境氣體之氣流變得平順。
根據第7態樣之發明，基板處理裝置進一步具備有：導入配管，其連通腔室內之環境氣體所含之既定之氣體之供給源與連接配管而可將氣體導入連接配管內；及調整閥，其可調整在導入配管流動之氣體的流量。因此，即便於該氣體自腔室洩漏至外部之 情形時，亦可經由連接配管、導入配管與調整閥將該氣體填補至腔室內。
根據第8態樣之發明，過濾器係設置於較氣流產生器更靠氣流產生器使環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流的上游側，導入配管係連接於連接配管中較過濾器更靠環境氣體之氣流之下游側的部分。因此，可抑制自腔室內混在環境氣體而被排氣至連接配管之處理用流體之既定之成分，混入自導入配管被導入所導致連接配管之既定之氣體之情形，並且可抑制因處理用流體之成分所導致氣流產生器劣化之情形。
根據第9態樣之發明，由於基板處理裝置進一步具備有可將回流配管與排氣設備用配管中之任一者設為開啟狀態，並將另一者設為關閉狀態之開關閥機構，因此基板處理裝置可選擇性地進行使自腔室內被排出之環境氣體經由回流配管被循環至腔室內、或經由排氣設備用配管而將該環境氣體排氣至排氣設備。
根據第10態樣之發明，控制部在基板處理裝置之所需排氣量超過排氣設備之排氣量中被分配至基板處理裝置之排氣量時，進行使自腔室內被排出之環境氣體經由回流配管循環至腔室內之控制，而在所需排氣量未超過該被分配之排氣量時，進行將該環境氣體經由排氣設備用配管而對排氣設備進行排氣之控制。因此，基板處理裝置可僅於自排氣設備被分配至裝置之排氣量不足之情形時，進行環境氣體之循環。
根據第11態樣之發明，控制用資訊包含以前述之開關控制可被執行之方式使基板處理裝置可執行之基板處理之製程與開關閥機構之開關狀態被相互地建立對應關係的資訊。因此，控 制部可於進行自排氣設備被分配至裝置之排氣量不足之基板處理之製程之情形時，進行使環境氣體循環之控制，而於執行該排氣量並未不足之基板處理之製程之情形時，進行將環境氣體對排氣設備進行排氣之控制。
根據第12態樣之發明，控制用資訊包含有相當於自排氣設備被分配至該基板處理裝置之排氣量的指標值、及相當於該基板處理裝置之所需排氣量的指標值。因此，控制部可判斷自排氣設備被分配至基板處理裝置之排氣量相對於基板處理裝置之所需排氣量是否不足，並根據該判斷進行開關閥機構之開關控制。
根據第13態樣之發明，開關閥機構包含有：第1開關閥，其係設置於縱配管中較過濾器更靠氣流產生器使環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流之上游側的部分，而可將縱配管加以開關；及第2開關閥，其可將排氣設備用配管加以開關。因此，藉由將第1開關閥及第2開關閥中之任一者開啟並將另一者關閉，基板處理裝置可選擇性地進行使自腔室內被排出之環境氣體經由回流配管而循環至腔室內、或將該環境氣體經由排氣設備用配管排出至排氣設備。
根據第14態樣之發明，基板處理裝置進一步具備有：導入配管，其將既定之氣體之供給源與縱配管連通而可將氣體導入縱配管內；及調整閥，其可調整在導入配管流動之氣體的流量；導入配管係連接於連接配管中較過濾器更靠氣流產生器使環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流之下游側的部分。因此，可抑制自腔室內混在環境氣體中而被排出至連接配管之處理用流體之既定之成分，混入自導入配管被導入連接配管之既定之氣體之情形， 並且可抑制因處理用流體之成分所導致氣流產生器劣化之情形。
根據第16態樣之發明，基板處理機構作為處理用流體而將純水或功能水吐出至基板而進行洗淨處理或沖洗處理。由於基板處理機構不使用SC1(標準清潔液1；Standard Clean 1)等之藥液，因此不會產生因該藥液所引起之薄霧。因此，在腔室內之環境氣體藉由連接配管被循環而被再次導入腔室內時，可降低因該環境氣體而使基板被污染之可能性。
1‧‧‧基板處理單元
2‧‧‧旋轉保持機構
3‧‧‧防飛濺部
5‧‧‧處理部
6A、6B‧‧‧循環系統
10‧‧‧基板處理裝置群
11‧‧‧CPU
12‧‧‧儲存裝置
21‧‧‧旋轉卡盤(保持構件)
22‧‧‧旋轉軸部
23‧‧‧旋轉驅動部
31‧‧‧防濺板
41‧‧‧上側開口
42‧‧‧下側開口
51‧‧‧噴嘴
60‧‧‧連接配管
60A‧‧‧回流配管
61、63‧‧‧配管
62、64‧‧‧儲槽
65、67‧‧‧縱配管
66‧‧‧橫配管
68、610、680‧‧‧分支配管
69、670‧‧‧導入配管
71、710‧‧‧ULPA過濾器
72‧‧‧過濾器
73‧‧‧化學過濾器
78‧‧‧濕度計
79‧‧‧濃度計
80‧‧‧FFU
81、820‧‧‧風扇
82‧‧‧氣流產生器
90‧‧‧開關閥機構
91‧‧‧第1開關閥
92‧‧‧第2開關閥
93、96‧‧‧調整閥
95、910‧‧‧排氣設備
100、102、500‧‧‧基板處理裝置
110‧‧‧索引格
111‧‧‧載體平台
120‧‧‧處理格
121、1210‧‧‧腔室
122‧‧‧處理格
130‧‧‧控制部
151、152‧‧‧排放管
153、530‧‧‧排氣設備用配管
154‧‧‧排氣管
161‧‧‧地板面
171‧‧‧腳部
200‧‧‧基板搬送裝置
310‧‧‧杯
600‧‧‧排出配管
620‧‧‧回收儲槽
A1‧‧‧基板處理機構
C‧‧‧載體
D1、D100‧‧‧降流
F1、F3‧‧‧氣流
F2‧‧‧氣體
IR‧‧‧移載機器人
L1‧‧‧處理液(處理用流體)
K1‧‧‧配方
K2‧‧‧控制用資訊
PG1‧‧‧程式
W‧‧‧基板
a1‧‧‧旋轉軸
c1‧‧‧中心
圖1係示意性地表示實施形態1之基板處理裝置的側視剖面圖。
圖2係將圖1之1個基板處理單元之一部分放大而表示的圖。
圖3係示意性地表示比較技術之基板處理裝置的側視剖面圖。
圖4係示意性地表示實施形態2之基板處理裝置的側視剖面圖。
以下，一邊參照圖式，一邊對實施形態進行說明。以下之實施形態係將本發明具體化之一例，而非限定本發明之技術範圍之事例。又，於以下所參照之各圖中，為了容易理解，存在有將各部之尺寸或數量誇大或簡化而加以圖示之情形。又，於各圖中對具有相同之構成及功能之部分標示相同符號，並於下述之說明中省略重複說明。上下方向係鉛垂方向，基板側係相對於旋轉卡盤為上。
<1.基板處理裝置100>
一邊參照圖1，一邊對基板處理裝置100之構成進行說明。圖1係示意性地表示實施形態1之基板處理裝置100的側視剖面圖。圖2係將基板處理裝置100之1個基板處理單元1之一部分放大而表示的側視剖面圖。
基板處理裝置100係對半導體晶圓等之基板W進行處理之系統。基板W之表面形狀為大致圓形。基板W之半徑例如為150mm。基板處理裝置100具備有複數個基板處理單元1。基板處理裝置100於各基板處理單元1中，可將基板W一次一片地且連續地進行處理，並且亦可藉由複數個基板處理單元1對複數個基板W並行地進行處理。
基板處理裝置100具備有被並排設置之複數個格(處理區塊)(具體而言為索引格110及處理格120)、及總括地控制該複數個格110、120所具備之各動作機構等之控制部130。控制部130亦進行該複數個格110、120所具備之基板搬送裝置200之控制。基板處理裝置100係經由複數個腳部171而被載置於工廠等之地板面161。
<索引格110>
索引格110係用以將自裝置外所收到之未處理之基板W交給處理格120，並且將自處理格120所收到之處理完畢之基板W搬出至裝置外之格(cell)。索引格110具備有：載體平台111，其載置載體C；及移載機器人IR，其進行基板W對載體C之搬入搬出。
收容有複數個未處理之基板W之載體C係自裝置外 部藉由OHT(懸吊式搬運車；Overhead Hoist Transfer)等，被搬入而被載置於載體平台111。未處理之基板W係自載體C一次一片地被取出，而於裝置內被處理，於裝置內處理結束之處理完畢之基板W再次被收容於載體C。收容有處理完畢之基板W之載體C，係藉由OHT等被搬出至裝置外部。如此，載體平台111係作為將未處理之基板W及處理完畢之基板W聚集之基板聚集部而發揮功能。再者，作為載體C之形態，既可為將基板W收容於密閉空間之FOUP(前開式晶圓盒；Front Opening Unified Pod)，亦可為SMIF(標準機械介面；Standard Mechanical Inter Face)傳送盒、或將所收容之基板w暴露於外部氣體之OC(敞開式匣；Open Cassette)。
移載機器人IR可將基板W以水平姿勢(基板W之主面呈水平之姿勢)加以支撐。移載機器人IR自被載置於載體平台111之載體C取出未處理之基板W，並將該取出之基板W交給後述之搬送機器人(省略圖示)。又，移載機器人IR自搬送機器人收到處理完畢之基板W，並將該收到之基板W收容於被載置於載體平台111上之載體C。
於移載機器人IR之上方設置有FFU(風扇過濾器單元)80，而於移載機器人IR之下方設置有將FFU 80所供給之氣體排出之省略圖示之排氣裝置。FFU 80具備有風扇81及ULPA過濾器71。FFU 80對索引格110內輸送潔淨空氣。FFU 80及排氣裝置在索引格110內形成降流(下降流)。
<處理格120>
處理格120係用以對基板W進行處理之格。處理格120具備 有：複數個基板處理單元1；循環系統6A，其使各基板處理單元1之腔室121內之環境氣體自腔室121排氣並再次循環至腔室121內；及搬送機器人，其進行基板W對該複數個基板處理單元1之搬入搬出。關於循環系統6A，將於後述之。
該搬送機器人與移載機器人IR係基板搬送裝置200。此處，複數個(例如4個)基板處理單元1沿著鉛垂方向被積層，而構成1個基板處理裝置群10。於圖1中，搬送機器人隱藏在基板處理裝置群10之與紙面垂直之方向的深處側。而且，複數個(例如4個)基板處理裝置群10例如以包圍搬送機器人之方式被設置成群聚狀(簇狀；cluster)。基板處理裝置100亦可具備有1個基板處理裝置群10，而基板處理裝置群10亦可具備有1個基板處理單元1。
各基板處理單元1具備有於內部形成處理空間之腔室(「框體」)121。於腔室121形成有用以供搬送機器人將其手部插入腔室121之內部的搬入搬出口(省略圖示)。於搬入搬出口設置有可根據控制部130之控制而開關之擋門(省略圖示)。擋門係於朝向腔室121內搬入搬出基板W時被開啟，並於基板W之處理中被關閉。基板處理單元1係於配置有搬送機器人之空間，以使該搬入搬出口對向之方式被配置。關於基板處理單元1之具體構成，將於後進行說明。
搬送機器人係將基板W一邊懸臂地支撐一邊加以搬送之機器人。搬送機器人自所指定之基板處理單元1取出處理完畢之基板W，並將該取出之基板W在基板交接位置交給移載機器人IR。又，搬送機器人於基板交接位置自移載機器人IR收到未處理之基板W，並將該收到之基板W搬送至所指定之基板處理單元1。
<控制部130>
控制部130控制一群基板處理單元1個別的動作。作為控制部130之硬體之構成，例如可採用與一般的電腦相同者。亦即，控制部130係將例如進行各種演算處理之CPU(中央處理單元；Central Processing UNIT)11、儲存基本程式之作為讀取專用之記憶體的ROM(唯讀記憶體；Read Only Memory)(未圖示)、儲存各種資訊之作為讀寫自如之記憶體的RAM(隨機存取記憶體；Radom Access Memory)(未圖示)、及預先儲存程式PG1或作為資料等之儲存裝置12，連接至匯流排線(未圖示)所構成。於儲存裝置12，亦儲存有規定基板W之處理內容及處理順序之配方K1。於儲存裝置12，亦儲存有被使用於後述之開關閥機構90之開關控制的控制用資訊K2。
於控制部130，藉由作為控制部之CPU 11根據被記述於程式PG1之順序進行運算處理，來實現控制基板處理裝置100之各部的各種功能部。於控制部130所實現之一部分或全部之功能部，亦可利用專用之邏輯電路等而以硬體來實現。
<2.基板處理單元1之構成>
以下，一邊參照圖1、圖2，一邊對基板處理單元1之構成進行說明。
圖2表示在噴嘴51、及防濺板31分別被配置於各個處理位置之狀態下，藉由旋轉卡盤(「保持構件」)21使基板W以旋轉軸a1為中心朝既定之旋轉方向進行旋轉之狀態。基板W對基板處理單元1之搬入搬出，係在噴嘴51、及防濺板31被配置於退避 位置之狀態下，由搬送機器人所進行。被搬入基板處理單元1之基板W係藉由旋轉卡盤21裝卸自如地被保持。
再者，於以下之說明中，「處理液」包含有被使用於藥液處理之「藥液」、及被使用於將藥液沖洗掉之沖洗處理的「沖洗液(亦稱為「洗淨液」)」。
基板處理單元1具備有基板處理機構A1及防飛濺部3。基板處理機構A1係收容於腔室121內。腔室121內為大氣壓。基板處理機構A1係對旋轉卡盤21所保持之基板W吐出處理用流體而進行基板W之處理的機構。基板處理機構A1具備有旋轉保持機構2及處理部5。旋轉保持機構2、防飛濺部3、及處理部5係與控制部130電性連接，並根據來自控制部130之指示進行動作。控制部130藉由作為控制部之CPU11依照被記述於程式PG1之順序進行運算處理，而控制基板處理單元1之各部。
<旋轉保持機構2>
旋轉保持機構2係可將基板W在其一主面朝向上方之狀態下一邊保持為大致水平姿勢一邊加以旋轉之機構。旋轉保持機構2使基板W以通過主面之中心c1之鉛垂之旋轉軸a1為中心進行旋轉。
旋轉保持機構2具備有較基板W小之作為圓板狀之構件的旋轉卡盤(「保持構件」)21。旋轉卡盤21係以其上表面成為大致水平，而其中心軸與旋轉軸a1一致之方式被設置。於旋轉卡盤21之下表面連結有圓筒狀之旋轉軸部22。旋轉軸部22係以使其軸線沿著鉛垂方向之姿勢被配置。旋轉軸部22之軸線與旋轉軸a1一致。又，於旋轉軸部22連接有旋轉驅動部(例如馬達)23。旋轉驅動 部23將旋轉軸部22以其軸線為中心進行旋轉驅動。因此，旋轉卡盤21可與旋轉軸部22一起以旋轉軸a1為中心進行旋轉。旋轉驅動部23與旋轉軸部22係使旋轉卡盤21以旋轉軸a1為中心進行旋轉之旋轉機構。
於旋轉卡盤21設置有用以進行基板W之抽吸之多個抽吸口(省略圖示)。各抽吸口於旋轉卡盤21之上表面(「表面」)開口。於各抽吸口連通減壓機構(省略圖示)。減壓機構可進行將抽吸口內減壓之減壓動作。又，減壓機構亦可進行使減壓後之抽吸口內之壓力(氣壓)恢復之復壓動作。
於基板W以大致水平姿勢被放置於旋轉卡盤21之上表面之狀態下，若減壓機構將抽吸口內減壓，旋轉卡盤21便自下方抽吸基板W而將基板W保持為大致水平。又，若減壓機構使抽吸口內之壓力恢復，基板W便成為自旋轉卡盤21之上表面卸除。
於該構成中，在旋轉卡盤21抽吸基板W而將基板W保持為大致水平之狀態下，若旋轉驅動部23將旋轉軸部22旋轉，旋轉卡盤21便繞沿著鉛垂方向之軸線被旋轉。藉此，被保持於旋轉卡盤21上之基板W，便以通過其面內之中心c1之鉛垂之旋轉軸a1為中心被旋轉。
<防飛濺部3>
防飛濺部3承接自與旋轉卡盤21一起被旋轉之基板W飛濺之處理液等。防飛濺部3具備有防濺板31、及使防濺板31升降之升降機構(省略圖示)。
防濺板31係上端被開放之筒形狀之構件，並以包圍 旋轉卡盤21之方式被設置。在基板W被處理時，防濺板31係以其上端位於較被保持於旋轉卡盤21之基板W更靠上方之處理位置之方式被配置，承接自基板W之周緣所排出之處理液將其回收至底部，並經由與底部之空間連通之排放管151排出至工廠之排液管線。在基板W被搬入旋轉卡盤21時，防濺板31係配置於其上端位於旋轉卡盤21之下方之退避位置。防濺板31之升降機構係與控制部130電性連接，而於控制部130之控制下進行動作。亦即，防濺板31之位置係由控制部130所控制。
再者，於旋轉卡盤21之上方形成有面向腔室121內之後述之連接配管60之上側開口41，而於旋轉卡盤21之下方形成有面向由防濺板31所包圍之空間之連接配管60之下側開口42。藉由後述之氣流產生器82進行作動，腔室121內(由防濺板31包圍之空間)之環境氣體自下側開口42被排氣至連接配管60。被排氣之環境氣體，成為混入有自後述之導入配管69被導入連接配管60之相對潔淨之氣體F2之氣體(環境氣體)，並自上側開口41再次被導入腔室121內。被導入之環境氣體係於腔室121內形成降流D1，沿著基板W之表面等朝向下側開口42，並自下側開口42再次被排氣至連接配管60。
<處理部5>
處理部5對被保持於旋轉卡盤21上之基板W進行所預定之處理。具體而言，處理部5例如對被保持於旋轉卡盤21上之基板W供給處理液，而進行基板W之處理。
處理部5具備有噴嘴51。噴嘴51藉由省略圖示之噴 嘴移動機構，而於處理位置與退避位置之間被移動。噴嘴51之前端部(下端部)朝下方突出，並於前端具備有吐出口。
於噴嘴51連接有作為對其供給處理液之配管系統的處理液供給部(未圖示)。噴嘴51自處理液供給部被供給處理液，並將該處理液自前端之吐出口吐出。處理部5自噴嘴51，依照控制部130之控制將處理液L1之液流吐出。
處理液供給部對噴嘴51供給處理液(「處理用流體」)L1。作為處理液L1，例如採用SC1、DHF(氫氟酸稀釋溶液)、SC2(標準清潔液2；Standard Clean 2)、及沖洗液等。作為沖洗液，可採用純水、溫水、臭氧水、磁化水、再生水(氫水)、各種有機溶劑(離子水、IPA(異丙醇))、功能水(CO2水等)等。自處理液供給部被供給處理液L1之噴嘴，係以接觸進行旋轉之基板W之方式，吐出該處理液L1之液流。處理液供給部具備有對應於噴嘴51而被設置之開關閥(省略圖示)。該開關閥係藉由與控制部130電性連接之省略圖示之閥開關機構，而於控制部130之控制下被開關。亦即，來自噴嘴51之處理液之吐出態樣(具體而言為被吐出之處理液之種類、吐出開始時間點、吐出結束時間點、吐出流量等)，係由控制部130所控制。
再者，亦可採用供給蝕刻氣體等之處理用流體供給部來取代處理液供給部。於該情形時，蝕刻氣體自噴嘴51被供給至基板W，而進行基板W之蝕刻。
<3.循環系統6A之構成>
循環系統6A藉由將基板處理單元1之腔室121內(更詳細而 言，防濺板31內)之環境氣體自基板處理單元1進行排氣並再次導入腔室121內，而使腔室121內之環境氣體循環。循環系統6A具備有連接配管60、及被設置於連接配管60之氣流產生器82。氣流產生器82例如係構成為具備有風扇等。
連接配管60具備有複數個(於圖之例子中為4個)配管61、儲槽62、配管63、儲槽64、及回流配管60A。各配管61係於各腔室121內自各防濺板31之下方通過各腔室121內而被配設於各腔室121之外部。各配管61之前端係連接於儲槽62之上部。於各配管61中防濺板31之下方之部分，形成有與腔室121之內部空間中由防濺板31所包圍之空間對向之下側開口42。下側開口42例如被形成為包圍旋轉驅動部23之底部之環狀。各防濺板31所包圍之空間、即各腔室121內之環境氣體係自各下側開口42被排氣至各配管61、即連接配管60。於連接配管60內形成被排氣之環境氣體之氣流F1。又，配管63連通儲槽62與儲槽64。儲槽64係以可承接混在環境氣體中而自腔室121內被排出至連接配管60之處理液(液體)L1之方式所設置。縱配管65以其內部空間與儲槽64之內部空間連通之方式自儲槽64朝上方延伸。
循環系統6A進一步具備有排氣設備用配管153。排氣設備用配管153自連接配管60分支而將連接配管60連通至外部之排氣設備95，並且將被排出至連接配管60之環境氣體引導至排氣設備95。排氣設備用配管153與回流配管60A分別被連接於儲槽64。排氣設備95例如被設置於工廠等之地板面161之下方。循環系統6A進一步具備有排放管152。排放管152連通於儲槽64之內部空間，將儲槽64所承接之液體排出至外部。排氣設備用配管 153於較面向儲槽64內之排放管152之開口更靠上方連接於儲槽64，且包含有面向儲槽64內之開口。
回流配管60A具備有：縱配管65，其自儲槽64朝上方延伸；及橫配管66，其係連接於縱配管65之前端，在基板處理裝置群10之上方朝水平方向延伸。於圖1之例子中，氣流產生器82係設置於橫配管66。只要氣流產生器82被設置於橫配管66，便可抑制基板處理裝置100之設置面積(foot print)。縱配管65係設置為氣流產生器82使環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流可在該縱配管65之內部上升，並且至少一部分位於較氣流產生器82更靠該環境氣體之氣流的上游側。
於各基板處理單元1之腔室121之上壁，可供後述之縱配管67插通之貫通孔係設置於俯視時相同的位置。橫配管66之前端延伸至該貫通孔之上方。回流配管60A進一步具備有自橫配管66之前端通過各腔室121之各貫通孔而朝下方延伸的縱配管67。藉此，縱配管67係自最上方之基板處理單元1依序被導入下側之各基板處理單元1之腔室121內。各腔室121之該各貫通孔與縱配管67之間隙被封閉。回流配管60A進一步具備有複數個(於圖示之例子中為4個)分支配管68。各分支配管68係連接於縱配管67中位於各腔室121內之上側的各部分。各分支配管68水平地延伸至各腔室121內之防濺板31之上方。於各分支配管68中防濺板31之上方部分，形成有與防濺板31對向之上側開口41。於各分支配管68之前端部分裝設有ULPA過濾器71。自腔室121被排出至連接配管60之腔室121內之環境氣體，通過連接配管60，到達分支配管68之前端，藉由ULPA過濾器71淨化並被供給至腔室121內。
如此，連接配管60包含有沿著上下方向延伸之縱配管65。又，連接配管60包含有：下側開口42，其係設置於旋轉卡盤21之下方且面向腔室121內；及上側開口41，其係設置於旋轉卡盤21之上方且面向腔室121內。又，連接配管60自下側開口42至上側開口41為止至少一部分係通過腔室121之外被配設。而且，回流配管60A係連接配管60中自較排氣設備用配管153更靠氣流產生器82使環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流之下游側至上側開口41的部分。
氣流產生器82係以包含既定之氣體F2之腔室121內之環境氣體自下側開口42被排出至連接配管60，並通過連接配管60自上側開口41再次被導入腔室121內，藉此在腔室121內產生環境氣體之降流D1之方式，使腔室121內之環境氣體循環。作為氣體F2，例如可採用空氣。作為氣體F2，例如亦可採用N2氣體等。
循環系統6A較佳為，在連接配管60內進一步具備有過濾器72。過濾器72可從自腔室121內被排出至連接配管60之環境氣體中將處理液(處理用流體)L1所含之既定之成分去除。過濾器72較佳為，被設置於較氣流產生器82更靠氣流產生器82使環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流的上游側。過濾器72雖為可將霧狀之處理液L1、即霧狀之液體從環境氣體中去除之過濾器72，但較佳為以亦可將環境氣體所含之灰塵某種程度去除之方式所選定者。作為過濾器72，例如可採用將液滴狀(薄霧狀)之水分去除之薄霧過濾器、或藉由化學反應將處理用流體所含之特定之化學物質去除之化學過濾器等。例如於作為處理液而採用SC1之情形時，可假定連接配管60、氣流產生器82等因SC1所含之氨(鹼)所腐蝕之情 形。因此，較佳為將去除鹼性環境氣體之化學過濾器裝設於縱配管65。
如前所述，縱配管65之至少一部分，係以位於較氣流產生器82更靠環境氣體之氣流之上游側之方式被設置，而過濾器72較佳為，被設置於縱配管65之該至少一部分、即縱配管65中較氣流產生器82更靠環境氣體之氣流之上游側的部分。自腔室121被排出之環境氣體，包含有霧狀之處理液(液體)L1。過濾器72可從自腔室121被排出之環境氣體中將霧狀之處理液(液體)L1去除。又，過濾器72較佳為，被設置於縱配管65中較氣流產生器82更靠近儲槽64的部分。
循環系統6A進一步具備有導入配管69及調整閥93。導入配管69係將既定之氣體F2之供給源(省略圖示)與連接配管60連通，而可將氣體F2導入連接配管60內之配管。導入配管69較佳為，被連接於連接配管60中較過濾器72更靠環境氣體之氣流之下游側的部分。調整閥93係可調整在導入配管69流動之氣體F2之流量的閥。調整閥93可依據控制部130之控制，來調整其開度。
此處，由於搬送機器人具有可動部，因此搬送機器人所在之機器人室相較於腔室121內，環境氣體更髒。不希望該環境氣體進入至腔室121。因此，基板處理裝置100抑制因腔室121內之空氣洩漏至搬送機器人所在之機器人室而污染之環境氣體，自機器人室進入腔室121之情形。因此，有必要對自腔室121洩漏至機器人室之空氣進行補充。基板處理裝置100具備有：導入配管69，其係連接於既定之氣體F2之供給源；及調整閥93，其係設置於導 入配管69。再者，調整閥93亦可為僅可進行全閉與全開之開關閥。
循環系統6A進一步具備有將回流配管60A及排氣設備用配管153中之任一者設為開啟狀態，並將另一者設為關閉狀態之開關閥機構90。開關閥機構90包含第1開關閥91及第2開關閥92。第1開關閥91係設置於縱配管65中較過濾器72更靠氣流產生器82使環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流之上游側的部分，且被設置為可將縱配管65加以開關。第2開關閥92係設置為可將排氣設備用配管153加以開關。
控制部130係以回流配管60A及排氣設備用配管153中之任一者成為開啟狀態，而另一者成為關閉狀態之方式進行開關閥機構90之開關控制。該開關控制進行如下之控制：在基板處理裝置100之所需排氣量超過排氣設備95之排氣量中被分配至基板處理裝置100之排氣量時，將回流配管60A設為開啟狀態，並且將排氣設備用配管153設為關閉狀態，而在所需排氣量未超過被分配之排氣量時，將回流配管60A設為關閉狀態，並且將排氣設備用配管153設為開啟狀態。
控制部130將經由鍵盤等省略圖示之輸入裝置所輸入之控制用資訊K2，預先儲存於儲存裝置12。控制部130之CPU 11自儲存裝置12取得控制用資訊K2，並根據控制用資訊K2進行開關閥機構90之開關控制。
控制用資訊K2包含以開關閥機構90所需之開關控制可被執行之方式，例如使基板處理裝置100可執行之基板處理之製程與開關閥機構90之開關狀態被相互地建立對應關係之資訊。更詳細而言，控制用資訊K2例如為基板處理裝置100可實施之複數 個製程，被分類為被分配到裝置之排氣量可能會不足、即裝置所分配到之排氣量不可能會不足之製程、及排氣設備95之供應能力(utilty)可能會有餘裕之製程者。
又，控制用資訊K2例如亦可包含相當於自排氣設備95被分配至該基板處理裝置之排氣量的指標值、及相當於該基板處理裝置之所需排氣量的指標值。該等指標值例如由控制部130自排氣設備95等預先取得並儲存於儲存裝置12。控制部130根據各指標值之大小來判定被分配至裝置之排氣量是否大於裝置之所需排氣量、即被分配至裝置之排氣量是否不足。控制部130在被分配至裝置之排氣量不足之情形時，經由連接配管60使環境氣體進行循環。
再者，在可根據對排氣設備95進行排氣之各裝置之運轉排程來預測自排氣設備95被分配至裝置之排氣量相對於裝置之所需排氣量不足之時段、及足夠之時段之情形時，控制部130亦可根據該運轉排程來進行開關閥機構90之開關控制。
根據如前述所構成之本實施形態1之基板處理裝置，連接配管60包含分別面向腔室121內之下側開口42及上側開口41，且自下側開口42至上側開口41為止至少一部分係通過腔室121之外被配設。而且，被設置於連接配管60之氣流產生器82係以如下之方式使腔室121內之環境氣體循環：包含既定之氣體之腔室121內之環境氣體自下側開口42被排出至連接配管60，並通過連接配管60而自上側開口41再次被導入腔室121內，藉此在腔室121內產生環境氣體之降流D1。藉此，基板處理裝置即便未被連接至外部之排氣設備95，亦可將腔室121內之環境氣體排氣至腔室 121外。因此，基板處理裝置即便在自外部之排氣設備95被分配之排氣量相對於所需排氣量大幅地不足之情形時，亦可將腔室121內之環境氣體充分地進行排氣。
又，根據本實施形態1之基板處理裝置，基板處理裝置在連接配管60內進一步具備有可從自腔室121內被排出至連接配管60之環境氣體中將處理用流體所含之既定之成分去除的過濾器72。因此，自腔室121內被排氣至連接配管60之環境氣體，係由該過濾器72所淨化後，被再次循環至腔室121內。藉此，可提高基板處理之品質。
又，根據本實施形態1之基板處理裝置，過濾器72係設置於較氣流產生器82更靠氣流產生器82使環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流的上游側。因此，由於藉由該過濾器72所淨化之環境氣體被送至氣流產生器82，因此可抑制因混在環境氣體中之處理用流體之成分所導致氣流產生器82劣化之情形。
又，根據本實施形態1之基板處理裝置，處理用流體包含既定之液體，過濾器72可從環境氣體中將霧狀之該液體去除，且被設置於連接配管60所包含之縱配管65中較氣流產生器82更靠環境氣體之氣流之上游側的部分。因此，由過濾器72所分離之環境氣體中之霧狀之該液體，容易順著縱配管65而朝下方流下。
又，根據本實施形態1之基板處理裝置，由於在連接配管60之鉛垂方向之下端設置有儲槽64，因此與腔室121內之環境氣體一起被排出至連接配管60之既定之液體之液滴(大粒之液滴)，係沿著連接配管60之內壁流入儲槽64而由儲槽64所承接。混在環境氣體中被排出至連接配管60之霧狀之該液體，雖與環境 氣體一起自儲槽64流至縱配管65，但由過濾器72所去除。因此，液滴狀之該液體與霧狀之該液體雙方被去除後之環境氣體，係於較過濾器72更靠環境氣體之氣流之下游側流動。因此，可有效率地抑制因處理用流體之成分所導致氣流產生器82劣化之情形。
又，根據本實施形態1之基板處理裝置，過濾器72係設置於縱配管65中較氣流產生器82更靠近儲槽64的部分。在處理用流體中霧狀之液體藉由過濾器72自環境氣體被分離而成為液滴，並順著縱配管65之內周面流下時，若多個液滴附著於內周面，於縱配管65流動之環境氣體所受到之阻力就會變大。然而，若過濾器72較縱配管65中之氣流產生器82更靠近儲槽64的話，由於可縮小液滴附著之範圍，因此縱配管65內之環境氣體之氣流會變平順。
又，根據本實施形態1之基板處理裝置，基板處理裝置進一步具備有：導入配管69，其連通腔室121內之環境氣體所含之既定之氣體F2之供給源與連接配管60而可將氣體F2導入連接配管60內；及調整閥93，其可調整在導入配管69流動之氣體F2之流量。因此，即便於該氣體F2自腔室121洩漏至外部之情形時，亦可經由連接配管60、導入配管69及調整閥93將該氣體F2填補至腔室121內。
又，根據本實施形態1之基板處理裝置，過濾器72係設置於較氣流產生器82更靠氣流產生器82使環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流的上游側，而導入配管69係連接於連接配管60中較過濾器72更靠環境氣體之氣流之下游側的部分。因此，可抑制自腔室121內混入環境氣體而被排出至連接配管60之處理用 流體之既定之成分，混入自導入配管69被導入連接配管60之既定之氣體F2之情形，並且可抑制因處理用流體之成分所導致氣流產生器82劣化之情形。
又，根據本實施形態1之基板處理裝置，由於基板處理裝置進一步具備有可將回流配管60A與排氣設備用配管153中之任一者設為開啟狀態，並將另一者設為關閉狀態之開關閥機構90，因此基板處理裝置可選擇性地進行使自腔室121內被排出之環境氣體經由回流配管60A而循環至腔室121內、及經由排氣設備用配管153將該環境氣體排氣至排氣設備95。
又，根據如前述所構成之本實施形態1之基板處理裝置，控制部130在基板處理裝置之所需排氣量超過排氣設備95之排氣量中被分配至基板處理裝置之排氣量時，進行使自腔室121內被排出之環境氣體經由回流配管60A而循環至腔室121內之控制，而在所需排氣量未超過該被分配之排氣量時，進行將該環境氣體經由排氣設備用配管153排氣至排氣設備95之控制。因此，基板處理裝置可僅於自排氣設備95被分配至裝置之排氣量不足之情形時，進行環境氣體之循環。
又，根據本實施形態1之基板處理裝置，控制用資訊K2包含以前述之開關控制可被執行之方式，使基板處理裝置可執行之基板處理之製程與開關閥機構90之開關狀態被相互地建立對應關係之資訊。因此，控制部130可於進行自排氣設備95被分配至裝置之排氣量不足之基板處理之製程之情形時，進行使環境氣體循環之控制，而於執行該排氣量不足夠之基板處理之製程之情形時，進行將環境氣體排氣至排氣設備95之控制。
又，根據本實施形態1之基板處理裝置，控制用資訊K2包含有相當於自排氣設備95被分配至該基板處理裝置之排氣量的指標值、及相當於該基板處理裝置之所需排氣量的指標值。因此，控制部130可判斷自排氣設備95被分配至基板處理裝置之排氣量相對於基板處理裝置之所需排氣量是否不足，並根據該判斷來進行開關閥機構90之開關控制。
又，根據本實施形態1之基板處理裝置，開關閥機構90包含有：第1開關閥91，其係設置於縱配管65中較過濾器72更靠氣流產生器82使環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流之上游側的部分而可將縱配管65加以開關；及第2開關閥92，其可將排氣設備用配管153加以開關。因此，藉由將第1開關閥91及第2開關閥92中之任一者開啟並將另一者關閉，基板處理裝置可選擇性地進行使自腔室121內被排出之環境氣體經由回流配管60A而循環至腔室121內、或將該環境氣體經由排氣設備用配管153排氣至排氣設備95。
又，根據本實施形態1之基板處理裝置，基板處理裝置進一步具備有：導入配管69，其連通既定之氣體F2之供給源與縱配管65而可將氣體F2導入縱配管65內；及調整閥93，其可調整在導入配管69流動之氣體F2的流量；且導入配管69係連接於連接配管60中較過濾器72更靠氣流產生器82使環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流之下游側的部分。因此，可抑制自腔室121內混入環境氣體而被排氣至連接配管60之處理用流體之既定之成分，混入自導入配管69被導入連接配管60之既定之氣體F2之情形，並且可抑制因處理用流體之成分所導致氣流產生器82劣化之情形。
<4.基板處理裝置102>
一邊參照圖4，一邊對基板處理裝置102之構成進行說明。圖4係示意性地表示實施形態2之基板處理裝置102的側視剖面圖。
基板處理裝置102與實施形態1之基板處理裝置100同樣地，係對半導體晶圓等之基板W進行處理之系統。
基板處理裝置102除了取代實施形態1之基板處理裝置100之處理格120而具備有處理格122外，與基板處理裝置100被同樣地構成。亦即，基板處理裝置102具備有索引格110、處理格122、及控制部130。控制部130總括地控制該索引格110、處理格122所具備之各動作機構等。控制部130亦進行該索引格110、處理格122所具備之基板搬送裝置200的控制。
<處理格122>
處理格122係用以對基板W進行處理之格。處理格122除了取代處理格120之循環系統6A而具備有循環系統6B外，與處理格120被同樣地構成。亦即，處理格122具備有複數個基板處理單元1、循環系統6B、及進行基板W對該複數個基板處理單元1之搬入搬出的搬送機器人(未圖示)。循環系統6B使各基板處理單元1之腔室121內之環境氣體自腔室121排氣並再次循環至腔室121內。處理格122之搬送機器人被係與處理格120之搬送機器人被同樣地構成。該搬送機器人與移載機器人IR係基板搬送裝置200。
<5.循環系統6B之構成>
循環系統6B使基板處理單元1之腔室121內(更詳細而言，防濺板31內)之環境氣體自基板處理單元1排氣，並再次導入腔室121內，藉此使腔室121內之環境氣體進行循環。
循環系統6B除了進一步具備有排氣管154及調整閥96，並且進一步具備有濕度計78、濃度計79及化學過濾器73外，與處理格120之循環系統6A被同樣地構成。亦即，循環系統6B具備有連接配管60、及被設置於連接配管60之氣流產生器82。
氣流產生器82係以使包含氣體F2之腔室121內之環境氣體自下側開口42被排出至連接配管60並通過連接配管60而自上側開口41被再次導入腔室121內，藉此於腔室121內產生環境氣體之降流D1之方式，使腔室121內之環境氣體進行循環。
循環系統6B之連接配管60與循環系統6A之連接配管60同樣地，具備有複數個(於圖4之例子中為4個)配管61、儲槽62、配管63、儲槽64及回流配管60A。
回流配管60A具備有：縱配管65，其自儲槽64朝上方延伸；及橫配管66，其係連接於縱配管65之前端，且於基板處理裝置群10之上方朝水平方向延伸。於圖4之例子中，氣流產生器82係設置於橫配管66。
回流配管60A進一步具備有縱配管67。縱配管67自橫配管66之前端朝下方延伸，並在被導入最上方之基板處理單元1之腔室121內之後，依序被導入下側之各基板處理單元1之腔室121內。回流配管60A進一步具備有複數個(於圖4之例子中為4個)分支配管68，該等複數個分支配管68自縱配管67分支而水平地延伸至各腔室121內之防濺板31之上方。
排氣管154連通連接於連接配管60。排氣管154係自連接配管60被延設至基板處理裝置102之外部，排氣管154之前端開口於該外部空間。排氣管154將氣流產生器82使環境氣體進行循環之該環境氣體之一部分作為環境氣體之氣流F3而排出至基板處理裝置102之外部。
於排氣管154設置有調整閥96。調整閥96係可調整環境氣體之氣流F3之流量的閥。調整閥96之開度係依據控制部130之控制，被設定為關閉狀態與開啟狀態之間之任意之開度。排氣管154排出之環境氣體之氣流F3之流量，會根據調整閥96之開度而變動。於不自排氣管154排出環境氣體之情形時，控制部130關閉調整閥96。
排氣管154較佳為，在較氣流產生器82更靠氣流產生器82使環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流的下游側、且較最上游側之分支配管68自縱配管67分支之部位更靠上游側，連接於連接配管60。藉此，可利用1個排氣管154來調節被分配至各腔室121之環境氣體的流量。於圖4之例子中，於結合橫配管66中較氣流產生器82更靠環境氣體之氣流之下游側的部分與縱配管67中較最上游側之分支配管68更靠上游側的部分而成之部分的一部分(更具體而言，例如橫配管66與縱配管67之連接部分)，連接有排氣管154。
連接配管60之各配管61在各腔室121內，自各防濺板31之下方通過各腔室121內而被配設於各腔室121之外部。各配管61之前端係連接於儲槽62之上部。由各防濺板31所包圍之 空間、即各腔室121內之環境氣體，係自各配管61之各下側開口42被排氣至各配管61、即連接配管60。於連接配管60(配管61)內形成有被排氣之環境氣體之氣流F1。
基板處理裝置102進一步於各配管61具備有化學過濾器73。各化學過濾器73從自各腔室121內被排出至各配管61之環境氣體中，藉由化學反應將既定之化學物質去除。該化學物質係於作為處理液(處理用流體)L1而使用藥液之情形時，作為因藥液所產生之薄霧等(薄霧或氣體)而被包含於環境氣體。
基板處理裝置102進一步於連接配管60具備有：濕度計78，其測量在連接配管60進行循環之環境氣體中之濕度；及濃度計79，其測量該環境氣體中既定之氣體的濃度。濕度計78、濃度計79係與控制部130電性連接，而濕度計78、濃度計79之測量值係供給至控制部130。控制部130可根據該測量值，來進行基板處理裝置102之控制。濕度計78較佳為，被設置於較過濾器72更靠氣流產生器82使環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流的下游側。
<6.關於腔室內之降流等之流量的控制>
於藉由開關閥機構90將回流配管60A設為開啟狀態，並且將排氣設備用配管153設為關閉狀態，而使被排出至連接配管60之環境氣體在循環系統6B進行循環之情形時，若氣流產生器82驅動便於連接配管60內產生環境氣體之氣流，排氣管154之調整閥96便會受到由該氣流所產生之壓力。因此，若控制部130使調整閥96之開度變大，自連接配管60內經過排氣管154而朝向基板處理裝置102外流出之環境氣體之氣流F3的流量便會增加。相反地，若 控制部130使調整閥96之開度變小，該環境氣體之氣流F3的流量便會減少。
氣流產生器82於連接配管60中氣流產生器82之附近，例如產生固定流量之環境氣體之氣流。若自連接配管60內經過排氣管154而朝向基板處理裝置102外流出之環境氣體之氣流F3的流量增加，通過連接配管60而自上側開口41被導入腔室121內之環境氣體之降流D1之流量就會減少。相反地，若環境氣體之氣流F3之流量減少，降流D1之流量便會增加。
腔室121之防濺板31內之環境氣體之流量，會對各基板處理單元1所進行之基板處理之品質造成大的影響。若環境氣體之降流D1之流量增加，防濺板31內之環境氣體之流量亦會增加，若降流D1之流量減少，則防濺板31內之環境氣體之流量亦會減少。
因此，基板處理裝置102針對可執行之各製程，將賦予降流D1之所需之流量之調整閥96之開度，預先作為控制用資訊K2而加以儲存。控制部130根據配方K1與控制用資訊K2，來取得對應於實際進行之製程之調整閥96的開度，而以成為該開度之方式控制調整閥96。再者，如基板處理裝置100之說明中所敍述，控制用資訊K2亦包含以開關閥機構90之所需之開關控制可被執行之方式，例如使基板處理裝置100可執行之基板處理之製程與開關閥機構90之開關狀態被相互地建立對應關係之資訊。
又，相對於在基板處理機構A1所使用之處理液L1為藥液之情形時，包含因藥液所產生之薄霧等(薄霧或氣體)之環境氣體自腔室121洩漏至基板處理裝置102之外部，通常就環保觀點 而言並不佳，而在處理液L1為純水或功能水之情形時，即便該等包含薄霧等之環境氣體自腔室121洩漏至基板處理裝置102之外部，亦不會成為較大的問題。於處理液L1為純水或功能水之情形時，由於亦可將腔室121內所累積之廢物等與環境氣體一起排出至腔室121之外部，因此腔室121內之環境氣體自腔室121洩漏至基板處理裝置102之外部反而較佳。
如此，就腔室121(防濺板31)內之環境氣體洩漏至腔室121外會構成為問題或不大構成為問題之環保上的觀點而言，有必要調整自上側開口41被導入腔室121內之環境氣體之降流D1的流量與自防濺板31內經過下側開口42被排氣至連接配管60(配管61)之環境氣體之氣流F1的流量之大小關係。
若流入腔室121之降流D1的流量大於自腔室121被排氣之環境氣體之氣流F1的流量，腔室121內之壓力便會變得較腔室121之外部或連接配管60之配管61內之壓力高，腔室121內之環境氣體便會變得容易朝向腔室121外或配管61被排出。因此，例如於處理液L1為純水或功能水等之情形時，基板處理裝置102較佳為降低調整閥96之開度，使降流D1之流量變得較環境氣體之氣流F1之流量大。
相反地，若降流D1之流量小於所排出之環境氣體之氣流F1之流量，腔室121內之壓力便會變得較腔室121之外部或連接配管60之配管61內之壓力低，腔室121之環境氣體便會變得難以朝向腔室121外或配管61被排出。因此，例如於處理液L1為藥液之情形時，基板處理裝置102較佳為提高調整閥96之開度，使降流D1之流量變得較環境氣體之氣流F1之流量小。
基板處理裝置102亦將基板處理裝置100可執行之基板處理之各製程與調整閥96較佳之開度之對應關係，作為控制用資訊K2而儲存於儲存裝置12。控制部130藉由參照配方K1與控制用資訊K2，來取得對應於要執行之製程之調整閥96的開度，並以成為所取得之開度之方式來控制調整閥96。
如前所述，基板處理裝置102於連接配管60具備有排氣管154，而於排氣管154設置有調整閥96。因此，根據基板處理裝置102，可藉由調整調整閥96之開度來調整經過排氣管154被排氣之環境氣體之氣流F3的流量，而容易地調整自上側開口41被導入腔室121內之環境氣體之降流D1的流量。
於基板處理裝置102調整調整閥93之開度而使經過導入配管69被導入連接配管60之氣體F2之流量產生變動之情形時，降流D1之流量會根據氣體F2之流量與自排氣管154被排氣之環境氣體之氣流F3的流量之平衡而產生變動。
因此，於該基板處理裝置102中，更佳為預先取得基板處理裝置100可執行之基板處理之各製程與各製程較佳之調整閥93、96之開度的對應關係，來作為控制用資訊K2而預先儲存於儲存裝置12，且控制部130藉由參照配方K1與控制用資訊K2，來取得對應於要執行之製程之調整閥93、96的開度，並以成為所取得之開度之方式來控制調整閥93、96。
<7.關於環境氣體中之濕度、氧濃度的控制>
於基板處理單元1進行作為處理液L1而使用例如純水之處理之情形時，自腔室121被排出至連接配管60之環境氣體，含有許 多液滴狀(薄霧狀)之水分。於開關閥機構90將回流配管60A設為關閉狀態，並且將排氣設備用配管153設為開啟狀態之情形時，自腔室121被排出至連接配管60之環境氣體，由於經過排氣設備用配管153被排氣至排氣設備95，因此即便被排出之環境氣體含有大量水分亦不會構成為大的問題。
然而，於被排出至連接配管60之環境氣體藉由開關閥機構90將回流配管60A設為開啟狀態，並且將排氣設備用配管153設為關閉狀態而於循環系統6B進行循環之情形時，存在有進行循環之環境氣體之濕度會變得較對製程所決定之既定之基準值高之情形。因此，若濕度計78所測量之環境氣體中之濕度變得較基準值高，基板處理裝置102之控制部130便提高調整閥93之開度，而自導入配管69將乾燥之空氣等較多地導入連接配管60。藉此，可降低環境氣體中之濕度。相反地，於環境氣體中之濕度較既定之基準值低之情形時，控制部130可降低調整閥93之開度，而使環境氣體中之濕度上升。
在基板處理單元1進行基板W之處理時，例如亦可將氮氣等作為淨化用氣體而加以噴射。於該情形時，在被排出至連接配管60之環境氣體藉由開關閥機構90將回流配管60A設為開啟狀態，並且將排氣設備用配管153設為關閉狀態而於循環系統6B進行循環之情形時，存在有隨著時間之經過，腔室121內之淨化用氣體之濃度會上升，並且氧濃度會降低，而使腔室121內成為對作業者而言危險之環境之情形。因此，基板處理裝置102之控制部130測量濃度計79所測量之環境氣體中之既定之氣體(例如氧氣或氮氣)的濃度。控制部130例如於濃度計79所測量之氧濃度較既定之基 準值低之情形時，提高調整閥93之開度，而自導入配管69將含有較多氧之新鮮空氣等較多地導入連接配管60。藉此，可使於循環系統6B進行循環之環境氣體中之氧濃度上升至既定之基準值以上。
基板處理裝置102亦可不進行腔室121之環境氣體中之濕度或氧濃度的控制，於該情形時，基板處理裝置102亦可不具備濕度計78及濃度計79。
<8.關於使用含有既定之化學物質之處理液時的對策>
於作為處理液L1而使用腐蝕作用較強之藥液之情形時，存在有含有該藥液之薄霧之腔室121內之環境氣體流入連接配管60，使連接配管60中該環境氣體之路徑腐蝕之情形。若連接配管60腐蝕，便存在有鏽等在循環系統6B進行循環而流入腔室121之可能性。
若藉由循環系統將對基板進行藥液處理之腔室內之環境氣體自腔室排出並再次導入腔室，便存在有基板藉由包含因藥液所產生之薄霧等之該環境氣體而被污染之可能性。因此，於將基板收容於腔室內而進行藥液處理之習知之基板處理裝置中，使用該循環系統使腔室內之環境氣體進行循環之構成並未被採用。
然而，根據基板處理裝置102，即便於藉由循環系統6B使腔室121之環境氣體進行循環之情形時，亦可藉由將化學過濾器73設置於各配管61而去除成為腐蝕之原因之化學物質，來抑制連接配管60之腐蝕之情形，並且可抑制基板W由被再次導入腔室121內之環境氣體中之該化學物質所污染之情形。
該化學物質較佳為，在環境氣體自腔室121流入連接 配管60後，盡早被去除。因此，各化學過濾器73較佳為盡可能被設置於各配管61中之下側開口42之附近部分。於基板處理機構A1作為處理液L1不使用具有較強之腐蝕性之藥液，而僅使用純水、功能水等腐蝕性較弱之液體之情形時，基板處理裝置102亦可不具備化學過濾器73。
然而，於基板處理裝置102中，亦可假設在處理液L1為藥液之情形時，於通過化學過濾器73後之環境氣體中未被去除而殘留之化學物質的濃度，就基板處理之品質之觀點而言超過所容許之濃度之情形。
因此，於基板處理裝置102中，針對假設會作為處理液L1而使用之各處理液，預先調查藉由化學過濾器73是否可從包含因該處理液所產生之薄霧等之環境氣體中將既定之化學物質去除至符合既定之品質基準之水準。
根據該調查結果，將該化學物質可被去除至符合該品質基準之水準之處理液判定為可被提供至利用循環系統6B所進行之循環，而將該化學物質無法被去除至符合該品質基準之水準之處理液判定為不適用於利用循環系統6B所進行之循環。
具體而言，例如CO2(二氧化碳)水等之功能水或純水被判定為適用於利用循環系統6B所進行之循環，而SC1、SC2等之藥液被判定為不適用於利用循環系統6B所進行之循環。
基板處理裝置102根據該判定結果，將各處理液L1與可否進行利用循環系統6B所進行之腔室121內之環境氣體之循環之對應關作為控制用資訊K2，而預先儲存於儲存裝置12。
基板處理裝置102之控制部130根據配方K1與控制 用資訊K2，來判定要使用之處理液L1是否適合於利用循環系統6B所進行之腔室121內之環境氣體之循環。於處理液L1不適合於該循環之情形時，控制部130藉由控制開關閥機構90，將回流配管60A設為關閉狀態，並且將排氣設備用配管153設為開啟狀態，使被排出至連接配管60之環境氣體不在循環系統6B進行循環而將其排氣至排氣設備95。
在處理液L1適合於該循環之情形時，控制部130藉由控制開關閥機構90，該回流配管60A設為開啟狀態，並且將排氣設備用配管153設為關閉狀態，而利用循環系統6B使被排出至連接配管60之環境氣體進行循環。
因此，根據基板處理裝置102，在使用成分中具有無法由化學過濾器73充分地去除之化學物質之處理液L1之情形時，腔室121內之環境氣體不藉由循環系統6B進行循環。藉此，提升基板W之處理品質。
於圖4之基板處理裝置102中，由於對具備有複數個(4個)基板處理單元1之基板處理裝置群10設置有循環系統6B，因此可否進行利用循環系統6B所進行之環境氣體之循環的判定會對基板處理裝置群10進行。該判定較佳為針對基板處理裝置102所進行之每一個製程來進行。
<9.基板處理單元1之其他實施形態>
基板處理單元1(基板處理機構A1)亦可為進行如下之洗刷洗淨處理(將基板之表面藉由物理洗淨作用加以洗淨之物理洗淨處理)之處理單元(所謂的旋轉洗滌器(Spin Scrubber)：一邊對旋轉之基板W 之表面供給純水等洗淨液，一邊使刷頭或海綿等抵接而進行刷洗，藉此機械性(物理性)地將附著於基板W之表面之微粒等污染物質去除。
於基板處理單元1為旋轉洗滌器之情形時，基板處理單元1例如將純水、功能水(CO2水等)等作為處理液L1使用，而進行基板W之洗刷洗淨處理與沖洗處理。該基板處理單元1藉由洗刷洗淨處理將基板W上之微粒等去除，然後，藉由沖洗處理，將殘留於基板W上之微粒等沖掉。
於基板處理單元1將純水或功能水作為處理液L1使用而進行洗刷洗淨處理或沖洗處理之情形時，由於基板處理單元1不使用SC1等藥液，因此不會因基板處理單元1進行之基板處理而產生因該藥液所產生之薄霧。因此，即便於基板處理單元1藉由循環系統6B使腔室121內之環境氣體進行循環而再次導入腔室121之情形時，亦可降低因該環境氣體使基板W被污染之可能性。
雖已對本發明詳細地進行表述，但前述之記載所有的態樣皆為例示，而非用以限定者。因此，本發明可在其發明之範圍內，對實施形態適當地進行變形、省略。

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，其具備有：腔室；基板處理機構，其包含可將基板大致水平地保持之保持構件且被收容於上述腔室內，並對上述保持構件所保持之基板吐出處理用流體而進行上述基板之處理；連接配管，其包含有被設置於上述保持構件之下方並面向上述腔室內之下側開口、及被設置於上述保持構件之上方並面向上述腔室內之上側開口，且自上述下側開口至上述上側開口為止至少一部分係通過上述腔室之外被配設；以及氣流產生器，其係設置於上述連接配管；上述氣流產生器係以使包含既定之氣體之上述腔室內之環境氣體自上述下側開口被排出至上述連接配管並通過上述連接配管自上述上側開口再次被導入上述腔室內，藉此於上述腔室內產生上述環境氣體之降流之方式，使上述腔室內之上述環境氣體進行循環，上述基板處理裝置進一步具備有自上述連接配管分支而將上述連接配管連通於外部之排氣設備，並且將被排出至上述連接配管之上述環境氣體引導至上述排氣設備的排氣設備用配管，在藉由上述連接配管中自較上述排氣設備用配管更靠上述氣流產生器使上述環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流之下游側至上述上側開口的部分來定義回流配管時，上述基板處理裝置進一步具備有可使上述回流配管與上述排氣設備用配管中之任一者成為開啟狀態，並使另一者成為關閉狀態的開關閥機構。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，於上述連接配管內進一步具備有可從自上述腔室內被排出至上述連接配管之上述環境氣體中將上述處理用流體所含之既定之成分去除的過濾器。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述過濾器係設置於較上述氣流產生器更靠上述氣流產生器使上述環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流的上游側。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中，上述處理用流體包含既定之液體，上述連接配管包含沿著上下方向延伸之縱配管，上述縱配管係設置為上述氣流產生器使上述環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流可於該縱配管之內部上升，並且至少一部分位於較上述氣流產生器更靠上述環境氣體之氣流的上游側，上述過濾器係設置於上述縱配管之上述至少一部分，而可從上述環境氣體中將霧狀之上述液體去除。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中，上述連接配管於鉛垂方向之下端包含有儲槽，上述儲槽係設置為可承接混在上述環境氣體中而自上述腔室內被排出至上述連接配管之上述液體，上述縱配管係以其內部空間與上述儲槽之內部空間連通之方式自上述儲槽朝上方延伸。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中，上述過濾器係設置於上述縱配管中較上述氣流產生器更靠近上述儲槽之部分。
  7. 如請求項1至6中任一項之基板處理裝置，其中，其進一步具備有：導入配管，其將上述既定之氣體之供給源與上述連接配管連通而可將上述氣體導入上述連接配管內；及調整閥，其可調整在上述導入配管流動之上述氣體的流量。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中，於上述連接配管具備有可從自上述腔室內被排出至上述連接配管之上述環境氣體中將上述處理用流體所含之既定之成分去除的過濾器，上述過濾器係設置於較上述氣流產生器更靠上述氣流產生器使之循環之上述環境氣體之氣流之上游側，且上述導入配管係連接於上述連接配管中較上述過濾器更靠上述環境氣體之氣流之下游側的部分。
  9. 如請求項1之基板處理裝置，其中，其進一步具備有以使上述回流配管與上述排氣設備用配管中之任一者成為開啟狀態且另一者成為關閉狀態之方式來進行上述開關閥機構之開關控制的控制部，上述開關控制如下進行控制：在上述基板處理裝置之所需排氣量超過上述排氣設備之排氣量中被分配至上述基板處理裝置之排氣量時使上述回流配管成為開啟狀態，並且使上述排氣設備用配管成為關閉狀態，而在上述所需排氣量未超過上述被分配之排氣量時使上述回流配管成為關閉狀態，並且使上述排氣設備用配管成為開啟狀態。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中，上述控制部根據預先取得之控制用資訊來進行上述開關控制，上述控制用資訊包含以上述開關控制可被執行之方式使上述基板處理裝置可執行之基板處理之製程與上述開關閥機構之開關狀態被相互地建立對應關係的資訊。
  11. 如請求項9之基板處理裝置，其中，上述控制部根據預先取得之控制用資訊來進行上述開關控制，上述控制用資訊包含有相當於自上述排氣設備被分配至該基板處理裝置之排氣量的指標值、及相當於該基板處理裝置之所需排氣量的指標值。
  12. 如請求項1、9至11中任一項之基板處理裝置，其中，上述處理用流體包含既定之液體，上述連接配管於鉛垂方向之下端包含有儲槽，上述儲槽係設置為可承接混在上述環境氣體中而自上述腔室內被排出至上述連接配管之上述液體，上述排氣設備用配管與上述回流配管分別被連接於上述儲槽，上述回流配管包含有自上述儲槽朝上方延伸之縱配管，上述縱配管係設置為上述氣流產生器使上述環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流可於該縱配管之內部上升，並且至少一部分位於較上述氣流產生器更靠上述環境氣體之氣流的上游側，該基板處理裝置進一步具備有被設置於上述縱配管之上述至少一部分，而可從上述環境氣體中將霧狀之上述液體去除的過濾器，上述開關閥機構包含有：第1開關閥，其係設置於上述縱配管中較上述過濾器更靠上述氣流產生器使上述環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流之上游側的部分，而可將上述縱配管加以開關；及第2開關閥，其可將排氣設備用配管加以開關。
  13. 如請求項12之基板處理裝置，其中，其進一步具備有：導入配管，其將上述既定之氣體之供給源與上述縱配管連通而可將上述氣體導入上述縱配管內；及調整閥，其可調整在上述導入配管流動之上述氣體的流量；上述導入配管係連接於上述連接配管中較上述過濾器更靠上述氣流產生器使上述環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流之下游側的部分。
  14. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述基板處理機構對上述基板吐出上述處理用流體而進行上述基板之洗淨處理或沖洗處理。
  15. 如請求項14之基板處理裝置，其中，上述基板處理機構作為上述處理用流體而吐出純水或功能水。
  16. 如請求項7之基板處理裝置，其中，.於調整上述調整閥之開度而使自上述導入配管被導入上述連接配管之上述氣體之流量產生變動之情形時，以被導入上述連接配管之上述氣體之流量與漏出至該基板處理裝置之外部之上述氣體之流量取得平衡之方式使上述降流之流量產生變動。
  17. 如請求項9至11中任一項之基板處理裝置，其中，其進一步具備有：導入配管，其將上述既定之氣體之供給源與上述連接配管連通而可將上述氣體導入上述連接配管內；及調整閥，其可調整在上述導入配管流動之上述氣體的流量；於調整上述調整閥之開度而使自上述導入配管被導入上述連接配管之上述氣體之流量產生變動之情形時，以被導入上述連接配管之上述氣體之流量與漏出至該基板處理裝置之外部之上述氣體之流量取得平衡之方式使上述降流之流量產生變動。
  18. 一種基板處理裝置，其具備有：複數個腔室；及基板處理機構，其等分別被收容於上述複數個腔室內；上述複數個基板處理機構分別包含可將基板大致水平地保持之保持構件，並對上述保持構件所保持之基板吐出處理用流體而進行上述基板之處理，該基板處理裝置進一步具備有：連接配管，其包含有分別被設置於上述複數個基板處理機構之上述保持構件之下方且分別面向上述複數個腔室內之複數個下側開口、及分別被設置於上述複數個基板處理機構之上述保持構件之上方且分別面向上述複數個腔室內之複數個上側開口，並自上述複數個下側開口至上述複數個上側開口為止至少一部分係通過上述複數個腔室之外被配設；以及氣流產生器，其係設置於上述連接配管；上述氣流產生器係以使包含既定之氣體之上述複數個腔室內之環境氣體自上述複數個下側開口被排出至上述連接配管並通過上述連接配管自上述複數個上側開口再次被導入上述複數個腔室內，藉此於上述複數個腔室內產生上述環境氣體之降流之方式，使上述複數個腔室內之上述環境氣體進行循環，上述基板處理裝置進一步具備有自上述連接配管分支而將上述連接配管連通於外部之排氣設備，並且將被排出至上述連接配管之上述環境氣體引導至上述排氣設備的排氣設備用配管，在藉由上述連接配管中自較上述排氣設備用配管更靠上述氣流產生器使上述環境氣體進行循環之該環境氣體之氣流之下游側至上述上側開口的部分來定義回流配管時，上述回流配管包含有自該路徑中途分支並與上述複數個上側開口連接之複數個分支配管，上述氣流產生器係設置於上述回流配管中較上述複數個分支配管更靠上述環境氣體之氣流之上游側。
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