JPH1070100A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JPH1070100A JPH1070100A JP22508796A JP22508796A JPH1070100A JP H1070100 A JPH1070100 A JP H1070100A JP 22508796 A JP22508796 A JP 22508796A JP 22508796 A JP22508796 A JP 22508796A JP H1070100 A JPH1070100 A JP H1070100A
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- JP
- Japan
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- chamber
- substrate
- exhaust
- nozzle
- cleaning
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 龍巻現象による排気のデッドポイントを無く
し、洗浄チャンバーとHMDS・レジスト塗布チャンバ
ーとを一体化し、均一な処理が可能で、生産性が高く、
省スペースが可能なリソグラフィー工程用の基板処理装
置の提供。 【解決手段】 基板を洗浄して表面処理する処理チャン
バー1と、チャンバー1内に設けられ、処理すべき基板
を固定して回転する基板回転台2と、チャンバー1内の
作業位置と退避位置間を移動する洗浄ノズル7と、チャ
ンバー1内の作業位置と退避位置間を移動する少なくと
も一つの塗布ノズル8、9と、チャンバー1の上口に向
かって所定量の風量をダウンフローするダウンフロー部
4と、チャンバー1の下部に設けられた排気手段3と、
ダウンフロー部4の風量と排気手段3の排気量とを制御
する制御部5とを有する。
し、洗浄チャンバーとHMDS・レジスト塗布チャンバ
ーとを一体化し、均一な処理が可能で、生産性が高く、
省スペースが可能なリソグラフィー工程用の基板処理装
置の提供。 【解決手段】 基板を洗浄して表面処理する処理チャン
バー1と、チャンバー1内に設けられ、処理すべき基板
を固定して回転する基板回転台2と、チャンバー1内の
作業位置と退避位置間を移動する洗浄ノズル7と、チャ
ンバー1内の作業位置と退避位置間を移動する少なくと
も一つの塗布ノズル8、9と、チャンバー1の上口に向
かって所定量の風量をダウンフローするダウンフロー部
4と、チャンバー1の下部に設けられた排気手段3と、
ダウンフロー部4の風量と排気手段3の排気量とを制御
する制御部5とを有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフィー処
理工程等で基板の洗浄・塗布処理を行う基板処理装置に
関するものである。
理工程等で基板の洗浄・塗布処理を行う基板処理装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】リソグラフィー処理工程等で基板の洗浄
・塗布処理を行う基板処理装置の従来例としては、特開
平06−26404号に記載のものが知られている。こ
の従来例を図3に基づいて説明する。
・塗布処理を行う基板処理装置の従来例としては、特開
平06−26404号に記載のものが知られている。こ
の従来例を図3に基づいて説明する。
【0003】図3において、従来例では、基板の洗浄を
行う洗浄チャンバー20と、HMDS(ヘキサ・メチル
・ヂ・シラザン)の有機溶剤溶液塗布およびレジスト塗
布を行う塗布チャンバー21とに分かれている。HMD
Sは親水性の基板表面を疎水性にしてレジストが均一に
塗布できるようにする作用がある。
行う洗浄チャンバー20と、HMDS(ヘキサ・メチル
・ヂ・シラザン)の有機溶剤溶液塗布およびレジスト塗
布を行う塗布チャンバー21とに分かれている。HMD
Sは親水性の基板表面を疎水性にしてレジストが均一に
塗布できるようにする作用がある。
【0004】洗浄チャンバー20は、被洗浄基板を固定
して回転する基板回転台22と、排気手段23と、排水
手段23aと、作業位置と退避位置間を移動できるブラ
シスクラブ手段24と、弱アルカリ液を洗浄液として噴
出し作業位置と退避位置間を移動できる洗浄ノズル25
とを有する。そして、洗浄チャンバー20の上部には、
前記基板回転台22を回転させて基板上に残った水を遠
心力で取り除く際に遠心力で飛び散った水が下方向に跳
ね返って洗浄済の基板を汚すことが無いように内側に傾
けた傾斜部20aが設けられている。
して回転する基板回転台22と、排気手段23と、排水
手段23aと、作業位置と退避位置間を移動できるブラ
シスクラブ手段24と、弱アルカリ液を洗浄液として噴
出し作業位置と退避位置間を移動できる洗浄ノズル25
とを有する。そして、洗浄チャンバー20の上部には、
前記基板回転台22を回転させて基板上に残った水を遠
心力で取り除く際に遠心力で飛び散った水が下方向に跳
ね返って洗浄済の基板を汚すことが無いように内側に傾
けた傾斜部20aが設けられている。
【0005】塗布チャンバー21は、被塗布基板を固定
して回転する基板回転台26と、排気手段27と、排液
手段27aと、HMDSを噴出し作業位置と退避位置間
を移動できるHMDSノズル28と、HMDSの供給源
であるHMDS供給源29と、レジストを噴出し作業位
置と退避位置間を移動できるレジストノズル30と、レ
ジストの供給源であるレジスト供給源31とを有する。
そして、塗布チャンバー21の上部には、前記基板回転
台26を回転させて基板上に残った液を遠心力で取り除
く際に遠心力で飛び散った液が下方向に跳ね返って塗布
済の基板を汚すことが無いように内側に傾けた傾斜部2
1aが設けられている。
して回転する基板回転台26と、排気手段27と、排液
手段27aと、HMDSを噴出し作業位置と退避位置間
を移動できるHMDSノズル28と、HMDSの供給源
であるHMDS供給源29と、レジストを噴出し作業位
置と退避位置間を移動できるレジストノズル30と、レ
ジストの供給源であるレジスト供給源31とを有する。
そして、塗布チャンバー21の上部には、前記基板回転
台26を回転させて基板上に残った液を遠心力で取り除
く際に遠心力で飛び散った液が下方向に跳ね返って塗布
済の基板を汚すことが無いように内側に傾けた傾斜部2
1aが設けられている。
【0006】次に、従来例を用いて基板を洗浄し、HM
DSを塗布し、レジストを塗布する作業を図3に基づい
て説明する。図3において、先ず、洗浄チャンバー20
から、ブラシスクラブ手段24と洗浄ノズル25とを退
避させ、基板を基板回転台22に固定させる。
DSを塗布し、レジストを塗布する作業を図3に基づい
て説明する。図3において、先ず、洗浄チャンバー20
から、ブラシスクラブ手段24と洗浄ノズル25とを退
避させ、基板を基板回転台22に固定させる。
【0007】ブラシスクラブ手段24と洗浄ノズル25
とを洗浄チャンバー20内の作業位置に移動させ、基板
回転台22を回転させながら、洗浄ノズル25から洗浄
液として弱アルカリ液を噴出させブラシスクラブ手段2
4で前記基板をブラシスクラブし、純水リンスする。使
用した洗浄液は排水手段23aから排出する。
とを洗浄チャンバー20内の作業位置に移動させ、基板
回転台22を回転させながら、洗浄ノズル25から洗浄
液として弱アルカリ液を噴出させブラシスクラブ手段2
4で前記基板をブラシスクラブし、純水リンスする。使
用した洗浄液は排水手段23aから排出する。
【0008】洗浄が終わると、先ず、ブラシスクラブ手
段24と洗浄ノズル25とを退避させ、基板回転台22
を高速回転させて基板上の水を遠心力で取り除く。次
に、排気手段23から排気して、洗浄チャンバー20内
に残っている水の霧を排出して洗浄工程を終了する。
段24と洗浄ノズル25とを退避させ、基板回転台22
を高速回転させて基板上の水を遠心力で取り除く。次
に、排気手段23から排気して、洗浄チャンバー20内
に残っている水の霧を排出して洗浄工程を終了する。
【0009】次に、塗布チャンバー21からHMDSノ
ズル28とレジストノズル30とを退避させ、洗浄済の
基板を基板回転台26に固定する。
ズル28とレジストノズル30とを退避させ、洗浄済の
基板を基板回転台26に固定する。
【0010】HMDSノズル28を塗布チャンバー21
内の作業位置に移動させ、基板回転台26を低速回転さ
せながら、HMDSノズル28からHMDSを噴き出さ
せて基板上に塗布する。余ったHMDSは排液手段27
aから排出する。HMDSの塗布が終わると、HMDS
ノズル28を退避させ、排気手段27から排気して塗布
チャンバー21内のHMDSの有機溶剤の霧を排出す
る。
内の作業位置に移動させ、基板回転台26を低速回転さ
せながら、HMDSノズル28からHMDSを噴き出さ
せて基板上に塗布する。余ったHMDSは排液手段27
aから排出する。HMDSの塗布が終わると、HMDS
ノズル28を退避させ、排気手段27から排気して塗布
チャンバー21内のHMDSの有機溶剤の霧を排出す
る。
【0011】次いで、レジストノズル30を塗布チャン
バー21内の作業位置に移動させ、基板回転台26を回
転させながら、レジストノズル30からレジストを噴き
出させて基板上に塗布する。余ったレジストは排液手段
27aから排出する。レジストの塗布が終わると、排気
手段27から排気して塗布チャンバー21内のレジスト
の霧を排出する。
バー21内の作業位置に移動させ、基板回転台26を回
転させながら、レジストノズル30からレジストを噴き
出させて基板上に塗布する。余ったレジストは排液手段
27aから排出する。レジストの塗布が終わると、排気
手段27から排気して塗布チャンバー21内のレジスト
の霧を排出する。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来例
の構成では、洗浄作業や塗布作業後に洗浄チャンバー2
0内や塗布チャンバー21内に浮遊する水や有機溶剤の
霧を排気手段23や27で排気する場合、各チャンバー
内に設けられた排気口に接する内側部分の気圧が排気に
よって下がり、気圧が下がった部分に空気の流れが集中
する結果として、排気口に発生する気圧低下部分が上方
に延びて小さな龍巻状気流を形成する。そして、排気口
からチャンバーの上口まで延びる小さな龍巻状気流によ
りチャンバー内の霧が排気されることになるので、排気
口の数を増やし排気口の分布を工夫しても、前記各龍巻
状気流の間に排気に対するデッドポイントが発生する。
このデッドポイント部分の霧の排気に時間が掛かり、排
気量を大きくして無理に時間を短縮しようとすると、龍
巻状気流が強くなり過ぎて偏った風が基板に当たり、塗
布したHMDSやレジストが不均一になるという問題点
が起きる。
の構成では、洗浄作業や塗布作業後に洗浄チャンバー2
0内や塗布チャンバー21内に浮遊する水や有機溶剤の
霧を排気手段23や27で排気する場合、各チャンバー
内に設けられた排気口に接する内側部分の気圧が排気に
よって下がり、気圧が下がった部分に空気の流れが集中
する結果として、排気口に発生する気圧低下部分が上方
に延びて小さな龍巻状気流を形成する。そして、排気口
からチャンバーの上口まで延びる小さな龍巻状気流によ
りチャンバー内の霧が排気されることになるので、排気
口の数を増やし排気口の分布を工夫しても、前記各龍巻
状気流の間に排気に対するデッドポイントが発生する。
このデッドポイント部分の霧の排気に時間が掛かり、排
気量を大きくして無理に時間を短縮しようとすると、龍
巻状気流が強くなり過ぎて偏った風が基板に当たり、塗
布したHMDSやレジストが不均一になるという問題点
が起きる。
【0013】従って、従来例では、上記の龍巻現象によ
る排気のデッドポイント発生のために、洗浄後に洗浄チ
ャンバー20内に残存する水の霧の排出に時間が掛か
り、また洗浄チャンバー20と塗布チャンバー21とを
同一チャンバーに出来ないという問題点がある。
る排気のデッドポイント発生のために、洗浄後に洗浄チ
ャンバー20内に残存する水の霧の排出に時間が掛か
り、また洗浄チャンバー20と塗布チャンバー21とを
同一チャンバーに出来ないという問題点がある。
【0014】又、従来例では、塗布チャンバー21にお
いて、上記の龍巻現象による排気のデッドポイント発生
のために、HMDSやレジストの塗布後に行うHMDS
やレジストの霧の排出に時間が掛かり、生産性が低いと
いう問題点がある。
いて、上記の龍巻現象による排気のデッドポイント発生
のために、HMDSやレジストの塗布後に行うHMDS
やレジストの霧の排出に時間が掛かり、生産性が低いと
いう問題点がある。
【0015】本発明は、上記の龍巻現象による排気のデ
ッドポイント発生を無くし、洗浄チャンバーとHMDS
・レジスト塗布チャンバーとを一体化し、基板の均一な
処理が可能で、生産性が高く、省スペースが可能なリソ
グラフィー工程等の基板処理装置の提供を課題とする。
ッドポイント発生を無くし、洗浄チャンバーとHMDS
・レジスト塗布チャンバーとを一体化し、基板の均一な
処理が可能で、生産性が高く、省スペースが可能なリソ
グラフィー工程等の基板処理装置の提供を課題とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明の基板処理装置
は、上記の問題点を解決するために、基板を洗浄して表
面処理する処理チャンバーと、前記チャンバー内に設け
られ、処理すべき基板を固定して回転する基板回転台
と、前記チャンバー内の作業位置と退避位置間を移動す
る洗浄ノズルと、前記チャンバー内の作業位置と退避位
置間を移動する少なくとも一つの塗布ノズルと、前記チ
ャンバーの上口に向かって所定量の風量をダウンフロー
するダウンフロー部と、前記チャンバーの下部に設けら
れた排気手段と、前記ダウンフロー部の風量と前記排気
手段の排気量とを制御する制御部とを有することを特徴
とする。
は、上記の問題点を解決するために、基板を洗浄して表
面処理する処理チャンバーと、前記チャンバー内に設け
られ、処理すべき基板を固定して回転する基板回転台
と、前記チャンバー内の作業位置と退避位置間を移動す
る洗浄ノズルと、前記チャンバー内の作業位置と退避位
置間を移動する少なくとも一つの塗布ノズルと、前記チ
ャンバーの上口に向かって所定量の風量をダウンフロー
するダウンフロー部と、前記チャンバーの下部に設けら
れた排気手段と、前記ダウンフロー部の風量と前記排気
手段の排気量とを制御する制御部とを有することを特徴
とする。
【0017】上記により、本発明の基板処理装置は、処
理チャンバーの上方にダウンフロー部があり、チャンバ
ーの下部に排気手段があり、制御部が、前記ダウンフロ
ー部の風量と前記排気手段の排気量とを、ダウンフロー
部の風量≒排気量に制御することができるので、前記の
龍巻現象が発生せず、前記処理チャンバー内の風量の分
布が均一になり、排気に対するデッドポイントが無くな
り、塗布ノズルによる塗布膜の均一性が向上し、洗浄作
業や塗布作業後に処理チャンバー内に残る水や有機溶剤
の霧の排出が短時間で終了する。
理チャンバーの上方にダウンフロー部があり、チャンバ
ーの下部に排気手段があり、制御部が、前記ダウンフロ
ー部の風量と前記排気手段の排気量とを、ダウンフロー
部の風量≒排気量に制御することができるので、前記の
龍巻現象が発生せず、前記処理チャンバー内の風量の分
布が均一になり、排気に対するデッドポイントが無くな
り、塗布ノズルによる塗布膜の均一性が向上し、洗浄作
業や塗布作業後に処理チャンバー内に残る水や有機溶剤
の霧の排出が短時間で終了する。
【0018】又、本発明の基板処理装置は、処理チャン
バーを、インナーカップとアウターチャンバーとで構成
すると、ダウンフロー部の風量<排気量に制御すれば、
風量の差分が、インナーカップとアウターチャンバーと
の間を通過するので、インナーカップ内では押し込み風
量≒排気量になり、前記の龍巻現象が発生せず、前記処
理チャンバー内の風量の分布が均一になり、排気に対す
るデッドポイントが無くなり、塗布ノズルによる塗布膜
の均一性が向上し、洗浄作業や塗布作業後に処理チャン
バー内に残る水や有機溶剤の霧の排出が短時間で終了す
るための制御が容易になる。
バーを、インナーカップとアウターチャンバーとで構成
すると、ダウンフロー部の風量<排気量に制御すれば、
風量の差分が、インナーカップとアウターチャンバーと
の間を通過するので、インナーカップ内では押し込み風
量≒排気量になり、前記の龍巻現象が発生せず、前記処
理チャンバー内の風量の分布が均一になり、排気に対す
るデッドポイントが無くなり、塗布ノズルによる塗布膜
の均一性が向上し、洗浄作業や塗布作業後に処理チャン
バー内に残る水や有機溶剤の霧の排出が短時間で終了す
るための制御が容易になる。
【0019】又、本発明の基板処理装置は、上記の効果
に基づいて、洗浄チャンバーとHMDS・レジスト塗布
チャンバーとを一体化することができ、基板の均一な処
理が可能で、生産性が高く、省スペースが可能なリソグ
ラフィー工程用の基板処理装置を提供できる。
に基づいて、洗浄チャンバーとHMDS・レジスト塗布
チャンバーとを一体化することができ、基板の均一な処
理が可能で、生産性が高く、省スペースが可能なリソグ
ラフィー工程用の基板処理装置を提供できる。
【0020】
【発明の実施の形態】リソグラフィー工程用の本発明の
基板処理装置の一実施の形態を図1、図2と表1とに基
づいて説明する。
基板処理装置の一実施の形態を図1、図2と表1とに基
づいて説明する。
【0021】図1において、本実施の形態では、インナ
ーカップ1aとアウターチャンバー1bとからなるチャ
ンバー1内で、基板の洗浄とHMDS(ヘキサ・メチル
・ヂ・シラザン)の有機溶剤溶液の塗布とレジストの塗
布とを行うことが第1の特徴である。
ーカップ1aとアウターチャンバー1bとからなるチャ
ンバー1内で、基板の洗浄とHMDS(ヘキサ・メチル
・ヂ・シラザン)の有機溶剤溶液の塗布とレジストの塗
布とを行うことが第1の特徴である。
【0022】インナーカップ1a内には、処理すべき基
板を固定して回転する基板回転台2があり、インナーカ
ップ1aの上部は、前記基板回転台2を回転させて基板
上に残った水や液を遠心力で取り除く際に遠心力で飛び
散った水や液が下方向に跳ね返り基板を汚すことが無い
ように内側に傾いた傾斜部1cになっている。本実施の
形態では、インナーカップ1aはSUS製で、内径26
0mm、傾斜部1cの先端からの鉛直線が、基板回転台
2に固定された基板の端部に重なるようになっている。
アウターチャンバー1bは、インナーカップ1aの外側
100mmの位置に設置され、内径460mmで、上部
はインナーカップ1aの傾斜部1cに略平行な傾斜部1
dになっている。
板を固定して回転する基板回転台2があり、インナーカ
ップ1aの上部は、前記基板回転台2を回転させて基板
上に残った水や液を遠心力で取り除く際に遠心力で飛び
散った水や液が下方向に跳ね返り基板を汚すことが無い
ように内側に傾いた傾斜部1cになっている。本実施の
形態では、インナーカップ1aはSUS製で、内径26
0mm、傾斜部1cの先端からの鉛直線が、基板回転台
2に固定された基板の端部に重なるようになっている。
アウターチャンバー1bは、インナーカップ1aの外側
100mmの位置に設置され、内径460mmで、上部
はインナーカップ1aの傾斜部1cに略平行な傾斜部1
dになっている。
【0023】チャンバー1の底部には、排気弁3と排液
手段3aとが設けられる。
手段3aとが設けられる。
【0024】図1、図2において、チャンバー1の上方
開口部の上方には、図2に示すような形状で、作業位置
と退避位置間を矢印の方向に水平移動可能なダウンフロ
ー部4が第2の特徴として設けられている。ダウンフロ
ー部4の下面には、ダウンフローする方向の高さが約3
0mmの板製の格子4bが設けられ、この格子4bが制
御部5に送風量を制御されるダウンフロー送風手段4a
からの送風を整流してダウンフローすることにより、チ
ャンバー1の上方開口部全体に空気をダウンフローす
る。本実施の形態では、前記下面が220mm×220
mmの大きさで空気をダウンフローする。
開口部の上方には、図2に示すような形状で、作業位置
と退避位置間を矢印の方向に水平移動可能なダウンフロ
ー部4が第2の特徴として設けられている。ダウンフロ
ー部4の下面には、ダウンフローする方向の高さが約3
0mmの板製の格子4bが設けられ、この格子4bが制
御部5に送風量を制御されるダウンフロー送風手段4a
からの送風を整流してダウンフローすることにより、チ
ャンバー1の上方開口部全体に空気をダウンフローす
る。本実施の形態では、前記下面が220mm×220
mmの大きさで空気をダウンフローする。
【0025】このダウンフロー部4からダウンフローさ
れる空気が、インナーカップ1a内の風量の分布を均一
にし、従来例で問題になっている小さな龍巻状気流の発
生を無くし、排気に対するデッドポイントを無くす。
れる空気が、インナーカップ1a内の風量の分布を均一
にし、従来例で問題になっている小さな龍巻状気流の発
生を無くし、排気に対するデッドポイントを無くす。
【0026】ダウンフロー部4からダウンフローされる
空気により前記の小さな龍巻状気流が無くなり、デッド
ポイントが無くなり、排気時におけるチャンバー1内の
空気の流れが均一になるので、インナーカップ1a内に
風速センサ6を設けると、この風速センサ6からの信号
によりインナーカップ1a内の風速を正しく測定するこ
とができる。制御部5は、風速センサ6からの風速情報
に基づいて、ダウンフロー、即ち、押し込み風量を制御
し、排気手段による排気量を排気弁3を開閉して制御す
る。表1は、この制御条件を示す。
空気により前記の小さな龍巻状気流が無くなり、デッド
ポイントが無くなり、排気時におけるチャンバー1内の
空気の流れが均一になるので、インナーカップ1a内に
風速センサ6を設けると、この風速センサ6からの信号
によりインナーカップ1a内の風速を正しく測定するこ
とができる。制御部5は、風速センサ6からの風速情報
に基づいて、ダウンフロー、即ち、押し込み風量を制御
し、排気手段による排気量を排気弁3を開閉して制御す
る。表1は、この制御条件を示す。
【0027】
【表1】
【0028】7は弱アルカリ液を洗浄液として噴出し作
業位置と退避位置間を矢印の方向に移動できる洗浄ノズ
ル、8はHMDSの有機溶剤溶液を噴出し作業位置と退
避位置間を矢印の方向に移動できるHMDSノズル、9
はレジストを噴出し作業位置と退避位置間を矢印の方向
に移動できるレジストノズル、10は作業位置と退避位
置間を矢印の方向に移動できるブラシスクラブ手段であ
る。
業位置と退避位置間を矢印の方向に移動できる洗浄ノズ
ル、8はHMDSの有機溶剤溶液を噴出し作業位置と退
避位置間を矢印の方向に移動できるHMDSノズル、9
はレジストを噴出し作業位置と退避位置間を矢印の方向
に移動できるレジストノズル、10は作業位置と退避位
置間を矢印の方向に移動できるブラシスクラブ手段であ
る。
【0029】次に、本実施の形態を用いて基板を洗浄
し、HMDSを塗布し、レジストを塗布する作業を図
1、表1に基づいて説明する。
し、HMDSを塗布し、レジストを塗布する作業を図
1、表1に基づいて説明する。
【0030】先ず、表1に基づいて、制御部5の制御条
件を設定する。
件を設定する。
【0031】表1において、洗浄工程とHMDS塗布工
程とレジスト塗布工程では、インナーカップ1a内に小
さな龍巻状気流が発生せず空気の流れのデッドポイント
が無く風量が均一に安定し洗浄液やHMDSやレジスト
が基板表面に均一に供給されるように、(押し込み風量
V)<or≒(排気量Q)を制御条件とする。インナー
カップ1a内の水や有機溶剤の霧の除去工程では、小さ
な龍巻状気流が発生せず空気の流れにデッドポイントが
発生しない範囲での、(押し込み風量V)≪(排気量
Q)を必要条件とする。
程とレジスト塗布工程では、インナーカップ1a内に小
さな龍巻状気流が発生せず空気の流れのデッドポイント
が無く風量が均一に安定し洗浄液やHMDSやレジスト
が基板表面に均一に供給されるように、(押し込み風量
V)<or≒(排気量Q)を制御条件とする。インナー
カップ1a内の水や有機溶剤の霧の除去工程では、小さ
な龍巻状気流が発生せず空気の流れにデッドポイントが
発生しない範囲での、(押し込み風量V)≪(排気量
Q)を必要条件とする。
【0032】この場合、理論的には、押し込み風量≒排
気量Qに制御すれば、風量が均一に分布し、小さな龍巻
状気流が発生せず空気の流れにデッドポイントが発生し
ないので、チャンバー1はアウターチャンバー1bのみ
でも良い結果が得られる。
気量Qに制御すれば、風量が均一に分布し、小さな龍巻
状気流が発生せず空気の流れにデッドポイントが発生し
ないので、チャンバー1はアウターチャンバー1bのみ
でも良い結果が得られる。
【0033】そして、本実施の形態のように、チャンバ
ー1をインナーカップ1aとアウターチャンバー1bと
で構成すると、風量を上記の必要条件のように設定して
も、風量の差分が主としてインナーカップ1aとアウタ
ーチャンバー1bとの間を通過するので、インナーカッ
プ1a内は、押し込み風量≒排気量Qとなり、全体の制
御が容易になる。
ー1をインナーカップ1aとアウターチャンバー1bと
で構成すると、風量を上記の必要条件のように設定して
も、風量の差分が主としてインナーカップ1aとアウタ
ーチャンバー1bとの間を通過するので、インナーカッ
プ1a内は、押し込み風量≒排気量Qとなり、全体の制
御が容易になる。
【0034】図1において、先ず、チャンバー1から、
ダウンフロー部4、洗浄ノズル7、HMDSノズル8、
レジストノズル9、ブラシスクラブ手段10を退避さ
せ、処理すべき基板を基板回転台2上に固定する。
ダウンフロー部4、洗浄ノズル7、HMDSノズル8、
レジストノズル9、ブラシスクラブ手段10を退避さ
せ、処理すべき基板を基板回転台2上に固定する。
【0035】洗浄ノズル7とブラシスクラブ手段10と
をチャンバー1内の作業位置に移動させ、(押し込み風
量V)<or≒(排気量Q)の制御条件に基づき、風速
センサ6と制御部5とにより、押し込み風量V=0、排
気量Q=3m3 /分に制御し、基板ガラス(直径200
mm、厚み6mm)を載せて固定した基板回転台2を1
00RPMで回転させながら、洗浄ノズル7から洗浄液
として弱アルカリ液を噴き出させ、ブラシスクラブ手段
10にて前記基板ガラスのブラシスクラブ洗浄を行う。
ブラシスクラブ洗浄終了後、純水リンスを行い、ブラシ
スクラブ手段10と洗浄ノズル7とを退避させ、基板回
転台2を1000RPMで高速回転させて基板をスピン
乾燥させる。スピン乾燥後に、(押し込み風量V)≪
(排気量Q)の必要条件に基づき、風速センサ6と制御
部5とにより、押し込み風量V=3m3 /分、排気量Q
=5m3 /分に制御し、約5秒間でチャンバー1内の水
の霧を排出する。
をチャンバー1内の作業位置に移動させ、(押し込み風
量V)<or≒(排気量Q)の制御条件に基づき、風速
センサ6と制御部5とにより、押し込み風量V=0、排
気量Q=3m3 /分に制御し、基板ガラス(直径200
mm、厚み6mm)を載せて固定した基板回転台2を1
00RPMで回転させながら、洗浄ノズル7から洗浄液
として弱アルカリ液を噴き出させ、ブラシスクラブ手段
10にて前記基板ガラスのブラシスクラブ洗浄を行う。
ブラシスクラブ洗浄終了後、純水リンスを行い、ブラシ
スクラブ手段10と洗浄ノズル7とを退避させ、基板回
転台2を1000RPMで高速回転させて基板をスピン
乾燥させる。スピン乾燥後に、(押し込み風量V)≪
(排気量Q)の必要条件に基づき、風速センサ6と制御
部5とにより、押し込み風量V=3m3 /分、排気量Q
=5m3 /分に制御し、約5秒間でチャンバー1内の水
の霧を排出する。
【0036】HMDSノズル8をチャンバー1内の作業
位置に移動させ、(押し込み風量V)<or≒(排気量
Q)の制御条件に基づき、風速センサ6と制御部5とに
より、押し込み風量V=1m3 /分、排気量Q=1.1
m3 /分に制御し、基板回転台2を5〜10RPMで回
転させながら、HMDSノズル8からHMDSの有機溶
剤溶液を30秒から1分間噴き出させて、前記基板ガラ
スにHMDSの有機溶剤溶液を塗布する。HMDS塗布
後、(押し込み風量V)≪(排気量Q)の必要条件に基
づき、風速センサ6と制御部5とにより、押し込み風量
V=3m3 /分、排気量Q=5m3 /分に制御し、約5
秒間でチャンバー1内のHMDSの有機溶剤の霧を排出
し、HMDSノズル8を退避させる。
位置に移動させ、(押し込み風量V)<or≒(排気量
Q)の制御条件に基づき、風速センサ6と制御部5とに
より、押し込み風量V=1m3 /分、排気量Q=1.1
m3 /分に制御し、基板回転台2を5〜10RPMで回
転させながら、HMDSノズル8からHMDSの有機溶
剤溶液を30秒から1分間噴き出させて、前記基板ガラ
スにHMDSの有機溶剤溶液を塗布する。HMDS塗布
後、(押し込み風量V)≪(排気量Q)の必要条件に基
づき、風速センサ6と制御部5とにより、押し込み風量
V=3m3 /分、排気量Q=5m3 /分に制御し、約5
秒間でチャンバー1内のHMDSの有機溶剤の霧を排出
し、HMDSノズル8を退避させる。
【0037】レジストノズル9をチャンバー1内の作業
位置に移動させ、(押し込み風量V)<or≒(排気量
Q)の制御条件に基づき、風速センサ6と制御部5とに
より、押し込み風量V=1m3 /分、排気量Q=3m3
/分に制御し、レジストノズル9からレジストを10秒
間噴き出させ、基板回転台2を500RPMで1分間回
転させて、1000Åのレジスト膜を得る。膜が得られ
ると、(押し込み風量V)≪(排気量Q)の必要条件に
基づき、風速センサ6と制御部5とにより、押し込み風
量V=3m3 /分、排気量Q=5m3 /分に制御し、約
5秒間でチャンバー1内のレジストの霧を排出し、レジ
ストノズル9を退避させて作業を終了する。
位置に移動させ、(押し込み風量V)<or≒(排気量
Q)の制御条件に基づき、風速センサ6と制御部5とに
より、押し込み風量V=1m3 /分、排気量Q=3m3
/分に制御し、レジストノズル9からレジストを10秒
間噴き出させ、基板回転台2を500RPMで1分間回
転させて、1000Åのレジスト膜を得る。膜が得られ
ると、(押し込み風量V)≪(排気量Q)の必要条件に
基づき、風速センサ6と制御部5とにより、押し込み風
量V=3m3 /分、排気量Q=5m3 /分に制御し、約
5秒間でチャンバー1内のレジストの霧を排出し、レジ
ストノズル9を退避させて作業を終了する。
【0038】尚、本実施の形態では、洗浄ノズルとHM
DSノズルとレジストノズルとを使用したが、塗布ノズ
ルの数と、塗布材料とは、本実施の形態の数と塗布材料
とに限らない。
DSノズルとレジストノズルとを使用したが、塗布ノズ
ルの数と、塗布材料とは、本実施の形態の数と塗布材料
とに限らない。
【0039】又、本実施の形態は、リソグラフィー処理
工程の基板処理装置であるが、本発明の基板処理装置
は、リソグラフィー処理工程に限らず、基板に対する洗
浄作業や塗布作業がある基板処理工程の基板処理装置に
適用できる。
工程の基板処理装置であるが、本発明の基板処理装置
は、リソグラフィー処理工程に限らず、基板に対する洗
浄作業や塗布作業がある基板処理工程の基板処理装置に
適用できる。
【0040】
【発明の効果】本発明の基板処理装置は、処理チャンバ
ーの上方にダウンフロー部があり、チャンバーの下部に
排気手段があり、制御部が、前記ダウンフロー部の風量
と前記排気手段の排気量とを、ダウンフロー部の風量≒
排気量に制御することができるので、小さな龍巻状気流
が発生せず、前記処理チャンバー内の風量の分布が均一
になり、排気に対するデッドポイントが無くなり、塗布
ノズルによる塗布膜の均一性が向上し、洗浄作業や塗布
作業後に処理チャンバー内に残る水や有機溶剤の霧の排
出が短時間で終了し生産性が向上するという効果が得ら
れる。
ーの上方にダウンフロー部があり、チャンバーの下部に
排気手段があり、制御部が、前記ダウンフロー部の風量
と前記排気手段の排気量とを、ダウンフロー部の風量≒
排気量に制御することができるので、小さな龍巻状気流
が発生せず、前記処理チャンバー内の風量の分布が均一
になり、排気に対するデッドポイントが無くなり、塗布
ノズルによる塗布膜の均一性が向上し、洗浄作業や塗布
作業後に処理チャンバー内に残る水や有機溶剤の霧の排
出が短時間で終了し生産性が向上するという効果が得ら
れる。
【0041】又、本発明の基板処理装置は、処理チャン
バーを、インナーカップとアウターチャンバーとで構成
すると、ダウンフロー部の風量<排気量に制御すれば、
風量の差分の大部分が、インナーカップとアウターチャ
ンバーとの間を通過するので、インナーカップ内では押
し込み風量≒排気量になり、小さな龍巻状気流が発生せ
ず、前記処理チャンバー内の風量の分布が均一になり、
排気に対するデッドポイントが無くなり、塗布ノズルに
よる塗布膜の均一性が向上し、洗浄作業や塗布作業後に
処理チャンバー内に残る水や有機溶剤の霧の排出が短時
間で終了し生産性が向上するための制御が容易になると
いう効果が得られる。
バーを、インナーカップとアウターチャンバーとで構成
すると、ダウンフロー部の風量<排気量に制御すれば、
風量の差分の大部分が、インナーカップとアウターチャ
ンバーとの間を通過するので、インナーカップ内では押
し込み風量≒排気量になり、小さな龍巻状気流が発生せ
ず、前記処理チャンバー内の風量の分布が均一になり、
排気に対するデッドポイントが無くなり、塗布ノズルに
よる塗布膜の均一性が向上し、洗浄作業や塗布作業後に
処理チャンバー内に残る水や有機溶剤の霧の排出が短時
間で終了し生産性が向上するための制御が容易になると
いう効果が得られる。
【0042】又、上記の効果に基づいて、洗浄チャンバ
ーとHMDS・レジスト塗布チャンバーとを一体化する
ことができ、基板の均一な処理が可能で、生産性が高
く、省スペースが可能なリソグラフィー工程用の基板処
理装置を提供できるという効果が得られる。
ーとHMDS・レジスト塗布チャンバーとを一体化する
ことができ、基板の均一な処理が可能で、生産性が高
く、省スペースが可能なリソグラフィー工程用の基板処
理装置を提供できるという効果が得られる。
【図1】本発明の基板処理装置の一実施の形態の模式図
である。
である。
【図2】本発明の基板処理装置のダウンフロー部を下か
ら見た斜視図である。
ら見た斜視図である。
【図3】従来例の基板処理装置の模式図である。
1 チャンバー 1a インナーカップ 1b アウターチャンバー 2 基板回転台 3 排気弁 3a 排液手段 4 ダウンフロー部 4a ダウンフロー送風手段 4b 格子 5 制御部 6 風速センサー 7 洗浄ノズル 8 HMDSノズル 9 レジストノズル 10 ブラシスクラブ手段
Claims (3)
- 【請求項1】 基板を洗浄して表面処理する処理チャン
バーと、前記チャンバー内に設けられ、処理すべき基板
を固定して回転する基板回転台と、前記チャンバー内の
作業位置と退避位置間を移動する洗浄ノズルと、前記チ
ャンバー内の作業位置と退避位置間を移動する少なくと
も一つの塗布ノズルと、前記チャンバーの上口に向かっ
て所定量の風量をダウンフローするダウンフロー部と、
前記チャンバーの下部に設けられた排気手段と、前記ダ
ウンフロー部の風量と前記排気手段の排気量とを制御す
る制御部とを有することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項2】 処理チャンバーは、インナーカップとア
ウターチャンバーとで構成される請求項1記載の基板処
理装置。 - 【請求項3】 塗布ノズルは、HMDS塗布ノズルと、
レジスト塗布ノズルとである請求項1記載の基板処理装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22508796A JPH1070100A (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22508796A JPH1070100A (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1070100A true JPH1070100A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=16823810
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22508796A Pending JPH1070100A (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1070100A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016096337A (ja) * | 2014-11-11 | 2016-05-26 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置 |
WO2017138056A1 (ja) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 信越半導体株式会社 | 枚葉式ウェーハ洗浄処理装置及びウェーハ洗浄処理方法 |
KR20180004362A (ko) * | 2016-07-01 | 2018-01-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
CN109417027A (zh) * | 2016-09-13 | 2019-03-01 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置 |
US11813646B2 (en) | 2016-09-13 | 2023-11-14 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device |
-
1996
- 1996-08-27 JP JP22508796A patent/JPH1070100A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016096337A (ja) * | 2014-11-11 | 2016-05-26 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置 |
WO2017138056A1 (ja) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 信越半導体株式会社 | 枚葉式ウェーハ洗浄処理装置及びウェーハ洗浄処理方法 |
JP2017143141A (ja) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 信越半導体株式会社 | 枚葉式ウェーハ洗浄処理装置及びウェーハ洗浄処理方法 |
KR20180004362A (ko) * | 2016-07-01 | 2018-01-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
CN109417027A (zh) * | 2016-09-13 | 2019-03-01 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置 |
CN109417027B (zh) * | 2016-09-13 | 2023-06-16 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置 |
US11813646B2 (en) | 2016-09-13 | 2023-11-14 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040802 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040817 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041228 |