JP2008218471A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008218471A JP2008218471A JP2007049663A JP2007049663A JP2008218471A JP 2008218471 A JP2008218471 A JP 2008218471A JP 2007049663 A JP2007049663 A JP 2007049663A JP 2007049663 A JP2007049663 A JP 2007049663A JP 2008218471 A JP2008218471 A JP 2008218471A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- processing tank
- tank
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】チャンバ内の雰囲気を外部に拡散させないために行うチャンバからの排気を低減できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、処理槽20およびシャワーノズル30を収容するチャンバ40と、チャンバ40を密閉するシャッタ41とを備えている。このため、チャンバ40から排気を行うことなくチャンバ40の内部において基板Wを処理できる。また、処理槽20の上面とシャッタ41の下面との間の距離は20mm以上かつ50mm以下であり、処理槽20の外側面とチャンバ40の内側面との間の距離は5mm以上かつ20mm以下である。このため、チャンバ40の内容積は小さく、シャッタ41を開放したときにもチャンバ40から多量の排気を行う必要がない。
【選択図】図1
【解決手段】基板処理装置1は、処理槽20およびシャワーノズル30を収容するチャンバ40と、チャンバ40を密閉するシャッタ41とを備えている。このため、チャンバ40から排気を行うことなくチャンバ40の内部において基板Wを処理できる。また、処理槽20の上面とシャッタ41の下面との間の距離は20mm以上かつ50mm以下であり、処理槽20の外側面とチャンバ40の内側面との間の距離は5mm以上かつ20mm以下である。このため、チャンバ40の内容積は小さく、シャッタ41を開放したときにもチャンバ40から多量の排気を行う必要がない。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体ウエハ、太陽電池基板、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板に対して、処理液による処理を行う基板処理装置に関する。
従来より、基板の製造工程においては、基板に対して薬液、純水、乾燥媒体等の処理液を供給することにより、基板を処理する基板処理装置が知られている。このような基板処理装置は、所定のチャンバを有し、チャンバ内に配置された処理槽に上記の処理液を貯留してオーバーフローさせることにより、基板の処理を行う。基板は、処理槽内に貯留された処理液中に浸漬され、薬液による薬液処理、純水によるリンス処理、乾燥媒体による乾燥処理等の処理を受ける。
このような従来の基板処理装置は、例えば特許文献1に開示されている。
このような基板処理装置において、基板をチャンバ内に搬入するとき、あるいは、基板をチャンバから搬出するときには、チャンバ内の雰囲気をチャンバの外部に拡散させないために、チャンバから所定量の排気を行う。特に、従来の基板処理装置のチャンバは、その内部にある程度の余裕をもって処理槽を収容できるような寸法に設計されていた。このため、チャンバの内容積は大きく、チャンバから多量の(例えば5.0m3/min程度の)排気を行う必要があった。
また、従来の基板処理装置において、チャンバの上部には、基板の搬出入口を閉鎖するためのカバーが設けられていた。そして、基板処理装置は、チャンバの内部において基板を処理するときには、カバーを閉鎖するようになっていた。しかしながら、従来の基板処理装置では、チャンバの開口部をカバーで完全に密閉できる構成にはなっていなかった。このため、基板の搬出入時だけではなく、基板を処理するときにも、チャンバ内の雰囲気がカバーの周囲の隙間から外部に拡散しないように、チャンバから所定量の排気を行う必要があった。このように、従来の基板処理装置では、チャンバからの排気に要するエネルギーやコストが大きく、チャンバからの排気を低減させることが技術的課題となっていた。
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、チャンバ内の雰囲気を外部に拡散させないために行うチャンバからの排気を低減できる基板処理装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項1に係る発明は、基板に対して処理液による処理を行う基板処理装置であって、内部に処理液を貯留するとともに上部から処理液をオーバーフローさせる処理槽と、前記処理槽内において基板を保持する保持部と、前記処理槽の底部から前記処理槽内に処理液を供給する処理槽内ノズルと、前記処理槽の上部から前記処理槽内に処理液をシャワー状に供給するシャワーノズルと、前記処理槽および前記シャワーノズルを収容するチャンバと、前記チャンバを密閉する蓋部と、を備え、前記処理槽の上面と前記蓋部の下面との間の距離は20mm以上かつ50mm以下であり、前記処理槽の外側面と前記チャンバの内側面との間の距離は5mm以上かつ20mm以下である。
請求項2に係る発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記チャンバの内側面は、前記処理槽の外側面に沿って形成されていることを特徴とする。
請求項3に係る発明は、請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、前記処理槽内において前記保持部に保持された基板の上端と前記処理槽の上面との間の距離は、5mm以上かつ10mm以下であることを特徴とする。
請求項4に係る発明は、請求項1から請求項3までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記処理液として薬液と純水とが使用され、前記処理槽内において、薬液による薬液処理と純水によるリンス処理とを順次に実行した後に、前記チャンバから基板を搬出することを特徴とする。
請求項5に係る発明は、請求項1から請求項3までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記処理液として乾燥媒体が使用され、前記処理槽内において基板に乾燥媒体を供給した後、前記処理槽から乾燥媒体を排液することにより、基板を乾燥させることを特徴とする。
請求項1〜5に記載の発明によれば、基板処理装置は、処理槽およびシャワーノズルを収容するチャンバと、チャンバを密閉する蓋部とを備えている。このため、チャンバから排気を行うことなくチャンバの内部において基板を処理できる。また、処理槽の上面と蓋部の下面との間の距離は20mm以上かつ50mm以下であり、処理槽の外側面とチャンバの内側面との間の距離は5mm以上かつ20mm以下である。このため、チャンバの内容積は小さく、蓋部を開放したときにもチャンバから多量の排気を行う必要がない。
特に、請求項2に記載の発明によれば、チャンバの内側面は、処理槽の外側面に沿って形成されている。このため、チャンバの内容積をほぼ極小化することができる。
特に、請求項3に記載の発明によれば、処理槽内において前記保持部に保持された基板の上端と処理槽の上面との間の距離は、5mm以上かつ10mm以下である。このため、処理槽の高さを抑え、処理槽およびチャンバの内容積を小さくすることができる。
特に、請求項4に記載の発明によれば、基板処理装置は、処理槽内において薬液による薬液処理と純水によるリンス処理とを順次に実行した後に、チャンバから基板を搬出する。このため、チャンバ内の薬液が純水によって除去された後にチャンバが開放される。したがって、チャンバからの排気量を更に低減できる。
特に、請求項5に記載の発明によれば、処理槽内において基板に乾燥媒体を供給した後、処理槽から乾燥媒体を排液することにより、基板を乾燥させる。このため、チャンバ内において基板を引き上げるための空間は不要であり、チャンバの内容積を更に小さくすることができる。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
<1.第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1を、基板Wと平行な平面で切断した縦断面図である。図1には、併せて配管系や制御部の構成も示されている。また、図2は、基板処理装置1を基板Wと垂直な平面で切断した縦断面図である。この基板処理装置1は、基板Wに対して薬液による薬液処理と純水によるリンス処理とを行うための装置である。図1および図2に示したように、基板処理装置1は、主として、カセット10と、処理槽20と、シャワーノズル30と、チャンバ40と、処理液供給系50と、制御部60とを備えている。
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1を、基板Wと平行な平面で切断した縦断面図である。図1には、併せて配管系や制御部の構成も示されている。また、図2は、基板処理装置1を基板Wと垂直な平面で切断した縦断面図である。この基板処理装置1は、基板Wに対して薬液による薬液処理と純水によるリンス処理とを行うための装置である。図1および図2に示したように、基板処理装置1は、主として、カセット10と、処理槽20と、シャワーノズル30と、チャンバ40と、処理液供給系50と、制御部60とを備えている。
カセット10は、複数枚の基板Wを起立姿勢で一括保持するための保持部である。カセット10の底部には複数の嵌合溝(図示省略)が形成されており、複数枚の基板Wは、それぞれ基板Wの周縁部を嵌合溝に嵌合させた状態で起立姿勢に保持される。カセット10は、所定の搬送機構により処理槽20の内部とチャンバ40の外部との間で搬送される。複数枚の基板W(以下、単に「基板W」という)は、カセット10に保持された状態でカセット10とともに処理槽20内にセットされ、また、カセット10とともに処理槽20から搬出される。なお、本実施形態において処理対象となる基板Wは、例えば直径200mm程度の円形平板である。
処理槽20は、内部に薬液および純水を貯留するための容器である。処理槽20の底部には、処理槽20の内部に向けて薬液または純水を吐出するための処理槽内ノズル21が設けられている。処理槽内ノズル21は、薬液または純水の導入路となるノズル管21aと、ノズル管21aの上部に形成された複数の吐出口21bとを有している。後述するバルブ54c,54dの開閉を切り替えることにより、ノズル管21aには薬液または純水が択一的に供給される。そして、ノズル管21aに供給された薬液または純水は、複数の吐出口21bから処理槽20内へ吐出され、処理槽20内に貯留される。薬液または純水は、処理槽20の上部まで貯留されると、処理槽20上部の開口からオーバーフローする。
処理槽20の上面(処理槽20内に貯留される薬液または純水の液面)と、処理槽20内に配置された基板Wの上端との間の距離h1は、基板Wが薬液または純水中に完全に浸漬される最小の距離となるように設計されている。具体的には、薬液および純水の表面張力を考慮しても基板Wの上端まで完全に浸漬される距離として、距離h1は5mm以上かつ10mm以下となるように設定されている。このため、処理槽20の高さは従来よりも低く、チャンバ40内における処理槽20の容積は小さくなっている。
処理槽20の底部付近には、処理槽20内に貯留された薬液または純水を急速に排液するための急速排液口22が設けられている。急速排液口22は開閉自在なバルブ23を有している。このため、バルブ23を閉鎖したときには、処理槽20内に薬液または純水を貯留することができる。また、バルブ23を開放したときには、処理槽20内に貯留された薬液または純水が急速排液口22から処理槽20外へ排出される。
シャワーノズル30は、処理槽20内の基板Wに対して薬液または純水を吐出するためのノズルである。シャワーノズル30は、処理槽20の上方において基板Wの配列方向(Y軸方向)にのびる一対のノズル管31を有している。各ノズル管31には、処理槽20内に向けられた複数の吐出口31aが形成されている。後述するバルブ54a,54bの開閉を切り替えることにより、ノズル管31には薬液または純水が択一的に供給される。そして、ノズル管31に供給された薬液または純水は、複数の吐出口31aから処理槽20内の基板Wに向けてシャワー状に吐出される。
チャンバ40は、処理槽20およびシャワーノズル30を内部に収容する密閉容器である。チャンバ40は、気密性の部材により構成され、その上部には開閉自在なシャッタ41が設けられている。シャッタ41は、開閉駆動機構42によりスライド移動し、チャンバ40上部の開口部43を開放する状態と、開口部43を閉鎖する状態とを切り替えることができる。開口部43の周囲には、リング状のシール部材44が取り付けられている。このため、シャッタ41により開口部43を閉鎖したときには、開口部43は気密に閉鎖される。
チャンバ40の底部には、チャンバ40の底部に貯留された液体を排出するための排液口45が形成されている。排液口45にはバルブ45aを介して配管45bが接続されている。このため、バルブ45aを開放すると、チャンバ40の底部に貯留された液体が配管45bを通って排液ラインへ排出される。また、チャンバ40の側部には、チャンバ40内の気体を外部へ排出するための排気口46が形成されている。排気口46にはバルブ46aを介して配管46bが接続されており、配管46bの経路途中には排気ポンプ46cが介挿されている。このため、バルブ46aを開放するとともに排気ポンプ46cを動作させると、チャンバ40内の気体が排気ラインへ排出される。
図1および図2に示したように、チャンバ40の内側面は、ほぼ処理槽20の外側面に沿って形成されている。すなわち、チャンバ40の内側面形状は、処理槽20の外側面形状よりもひと回り大きいほぼ相似形状となっている。そして、処理槽20の上面とシャッタ41の下面との間の距離h2は、ノズル管31を配置することができる範囲で、なるべく小さい距離となるように設計されている。具体的には、ノズル管31の径は一般的に10〜20mmであるため、上記の距離h1は20mm以上かつ50mm以下となるように設計される。
また、処理槽20の外側面とチャンバ40の内側面との間の距離d1は、処理槽20からオーバーフローする薬液または純水がチャンバ40の内側面と接触しない範囲で、なるべく小さい距離となるように設計されている。処理槽20の上部からオーバーフローした薬液または純水は、図3に示したように、表面張力により3〜4mm程度の盛り上がり部分を形成しながら処理槽20の外側面を伝って流下する。このため、上記の距離d1は、5mm以上かつ20mm以下となるように設計されている。基板処理装置1は、このような寸法条件を満たす処理槽20とチャンバ40とを有している。このため、チャンバ40の内容積は小さく、チャンバ40内に存在し得る気体の量はほぼ極小化されている。
処理液供給系50は、処理液としての薬液および純水を処理槽内ノズル21およびシャワーノズル30へ供給するための配管系である。処理液供給系50は、薬液供給源51、純水供給源52、複数の配管53a〜53f、および複数のバルブ54a〜54dを組み合わせて構成されている。薬液供給源51には配管53aが接続されており、配管53aの経路途中にはバルブ54aが介挿されている。また、純水供給源52には配管53bが接続されており、配管53bの経路途中にはバルブ54bが介挿されている。配管53aおよび配管53bの下流側の端部は、合流して1つの配管53cとなり、配管53cの下流側の端部はシャワーノズル30に接続されている。また、バルブ54aよりも上流側の配管53aの経路途中には、分岐配管53dが接続されており、分岐配管53dの経路途中にはバルブ54cが介挿されている。一方、バルブ54bよりも上流側の配管53bの経路途中には、分岐配管53eが接続されており、分岐配管53eの経路途中にはバルブ54dが介挿されている。
このような構成において、バルブ54b,54c,54dを閉鎖するとともにバルブ54aを開放すると、薬液供給源51からシャワーノズル30へ薬液が供給され、シャワーノズル30の複数の吐出口31aから薬液がシャワー状に吐出される。また、バルブ54a,54c,54dを閉鎖するとともにバルブ54bを開放すると、純水供給源52からシャワーノズル30へ純水が供給され、シャワーノズル30の複数の吐出口31aから純水がシャワー状に吐出される。すなわち、バルブ54aおよびバルブ54bの開閉を切り替えることにより、シャワーノズル30から薬液と純水とを択一的に供給することができる。
また、バルブ54a,54b,54dを閉鎖するとともにバルブ54cを開放すると、薬液供給源51から処理槽内ノズル21へ薬液が供給され、処理槽内ノズル21の複数の吐出口21bから薬液が吐出される。また、バルブ54a,54b,54cを閉鎖するとともにバルブ54dを開放すると、純水供給源52から処理槽内ノズル21へ純水が供給され、処理槽内ノズル21の複数の吐出口21bから純水が吐出される。すなわち、バルブ54cおよびバルブ54dの開閉を切り替えることにより、処理槽内ノズル21から薬液と純水とを択一的に供給することができる。
制御部60は、基板処理装置1内の上記各部の動作を制御するための処理部である。図4は、基板処理装置1の上記各部と制御部60との間の接続構成を示したブロック図である。図4に示したように、制御部60は、上記の開閉駆動機構42、バルブ23、排気ポンプ46c、バルブ54a〜54dと電気的に接続されており、これらの動作を制御する。なお、制御部60は、例えば、CPUやメモリを有するコンピュータにより構成され、コンピュータにインストールされたプログラムに従ってコンピュータが動作することにより上記の制御を行う。
続いて、上記構成を有する基板処理装置1による基板処理の流れについて説明する。図5は、基板処理装置1における基板処理の流れを示したフローチャートである。基板処理装置1は、まず、未処理の基板Wをチャンバ40内へ搬入する(ステップS1)。具体的には、まず、基板処理装置1は、開閉駆動機構42によりチャンバ40のシャッタ41を開放する。基板Wは、カセット10に保持された状態でチャンバ40上部の開口部43からチャンバ40内に搬入され、処理槽20内にセットされる。その後、基板処理装置1は、チャンバ40のシャッタ41を閉鎖し、チャンバ40内を密閉状態とする。
ステップS1においてシャッタ41を開放している間、基板処理装置1は、バルブ46aを開放するとともに排気ポンプ46cを低速で動作させる。これにより、チャンバ40内の気体を排気ラインへ排気し、チャンバ40内の気体が開口部43からチャンバ40の外部へ排出されることを防止する。上述したように、この基板処理装置1は、チャンバ40の内容積がほぼ極小化されている。このため、チャンバ40からの排気量はごく少量(例えば0.5m3/min程度)でよい。基板Wの搬入が完了し、シャッタ41が閉鎖されると、基板処理装置1は排気ポンプ46cを停止する。
次に、基板処理装置1は、処理槽20内の基板Wに対して薬液を供給する(ステップS2)。具体的には、基板処理装置1は、処理槽20底部の急速排液口22を閉鎖し、バルブ54a,54b,54dを閉鎖した状態でバルブ54cを開放する。これにより、薬液供給源51から処理槽内ノズル21に薬液が供給され、処理槽内ノズル21の複数の吐出口21bから処理槽20内に薬液が吐出される。処理槽内ノズル21から吐出された薬液は処理槽20内に貯留され、処理槽20の上部まで貯留された薬液は、処理槽20の上部からオーバーフローする。処理槽20の上部から薬液がオーバーフローしている間、基板Wは処理槽20内の薬液中に完全に浸漬され、基板Wの周囲には、下方から上方へ向かう薬液の流れが形成される。このため、基板Wの表面は、薬液の成分により所定の処理を受ける。
処理槽20からオーバーフローした薬液は、図1中の矢印のように、処理槽20の外側面に沿って流下する。上述したように、この基板処理装置1は、処理槽20の外側面とチャンバ40の内側面との間の距離d1が5mm以上かつ20mm以下となるように設計されている。このため、処理槽20からオーバーフローした薬液が処理槽20の外側面とチャンバ40の内側面との間に滞留してしまうことはなく、薬液は円滑にオーバーフローする。なお、ステップS2の時点においてチャンバ40底部のバルブ45aは開放されている。このため、処理槽20からオーバーフローした薬液は、チャンバ40底部の排液口45から配管45bを通って排液ラインへ排出される。
ステップS2では、必要に応じてシャワーノズル30による薬液の供給を行ってもよい。例えば、バルブ54b,54c,54dを閉鎖した状態でバルブ54aを開放することにより、シャワーノズル30による薬液の供給を所定時間行い、その後、バルブ54aを閉鎖するとともにバルブ54cを開放することにより、処理槽内ノズル21による薬液の供給を行ってもよい。シャワーノズル30から吐出された薬液は、基板Wの表面に直接的かつ均一に供給されるため、基板Wの表面を効率よく処理する。
続いて、基板処理装置1は、薬液の供給を停止するとともに、基板Wに対して純水の供給を開始する(ステップS3)。具体的には、基板処理装置1は、バルブ54a,54b,54cを閉鎖した状態でバルブ54dを開放する。これにより、純水供給源52から処理槽内ノズル21に純水が供給され、処理槽内ノズル21の複数の吐出口21bから処理槽20内に純水が吐出される。処理槽20内に貯留された薬液は、徐々に純水に置換され、処理槽20内には純水が貯留される。やがて、処理槽20内が完全に純水に置換されると、処理槽20の上部から純水がオーバーフローする状態となる。処理槽20の上部から純水がオーバーフローしている間、基板Wは処理槽20内の純水中に完全に浸漬され、基板Wの周囲には、下方から上方へ向かう純水の流れが形成される。このため、基板Wの表面に付着した薬液は、純水により洗い流される。
処理槽20からオーバーフローした純水は、薬液と同じように、処理槽20の外側面に沿って流下する。上述したように、この基板処理装置1は、処理槽20の外側面とチャンバ40の内側面との間の距離d1が5mm以上かつ20mm以下となるように設計されている。このため、処理槽20からオーバーフローした純水が処理槽20の外側面とチャンバ40の内側面との間に滞留してしまうことはなく、純水は円滑にオーバーフローする。なお、処理槽20からオーバーフローした純水は、チャンバ40底部の排液口45から配管45bを通って排液ラインへ排出される。
ステップS3では、必要に応じてシャワーノズル30による純水の供給を行ってもよい。例えば、処理槽20内の薬液を一旦排液した後、バルブ54a,54c,54dを閉鎖した状態でバルブ54bを開放することにより、シャワーノズル30による純水の供給を所定時間行い、その後、バルブ54bを閉鎖するとともにバルブ54dを開放することにより、処理槽内ノズル21による純水の供給を行ってもよい。シャワーノズル30から吐出された純水は、基板Wの表面に直接的かつ均一に供給されるため、基板Wの表面を効率よく洗浄する。
その後、基板処理装置1は、純水の供給を停止するとともに、処理槽20内の液体を排出する(ステップS4)。具体的には、基板処理装置1は、処理槽20底部のバルブ23を開放し、処理槽20内に貯留された液体(主として純水)を急速排液口22から処理槽20の外部へ排出する。処理槽20から排出された純水は、チャンバ40底部の排液口45から配管45bを通って排液ラインへ排出される。
上記のステップS2〜S4の間、基板処理装置1は、シャッタ41を閉鎖した状態で処理を進める。したがって、チャンバ40の内部の気体が開口部43を介して外部へ拡散することはない。このため、チャンバ40から積極的に排気を行う必要はなく、基板処理装置1は、排気ポンプ46cを動作させることなくステップS2〜S4の処理を行うことができる。
チャンバ40からの排液処理が完了すると、基板処理装置1は、処理済みの基板Wをチャンバ40の外部へ搬出する(ステップS5)。具体的には、基板処理装置1は、開閉駆動機構42によりチャンバ40のシャッタ41を開放し、カセット10に保持された基板Wをカセット10ごと搬出する。
ステップS5においてシャッタ41を開放している間、基板処理装置1は、バルブ46aを開放するとともに排気ポンプ46cを低速で動作させる。これにより、チャンバ40内の気体を排気ラインへ排出し、チャンバ40内の気体が開口部43からチャンバ40の外部へ拡散されることを防止する。上述したように、この基板処理装置1は、チャンバ40の内容積がほぼ極小化されている。このため、チャンバ40からの排気量はごく少量(例えば0.5m3/min程度)でよい。また、ステップS3の純水処理を行った後に基板Wの搬出を行うため、チャンバ40の内部には薬液の成分が殆ど残っていない。このため、チャンバ40からの排気量は更に少量でよい。
以上のように、本実施形態の基板処理装置1は、処理槽20およびシャワーノズル30を収容するチャンバ40と、チャンバ40を密閉するシャッタ41とを備えている。このため、チャンバ40から排気を行うことなくチャンバ40の内部において基板Wを処理できる。また、処理槽20の上面とシャッタ41の下面との間の距離は20mm以上かつ50mm以下であり、処理槽20の外側面とチャンバ40の内側面との間の距離は5mm以上かつ20mm以下である。このため、チャンバ40の内容積は小さく、シャッタ41を開放したときにもチャンバ40から多量の排気を行う必要がない。
<2.第2実施形態>
図6は、本発明の第2実施形態に係る基板処理装置101を、基板Wと平行な平面で切断した縦断面図である。図6には、併せて配管系や制御部の構成も示されている。また、図7は、基板処理装置1を基板Wと垂直な平面で切断した縦断面図である。この基板処理装置101は、薬液処理および純水処理が行われた後の基板Wに対して乾燥媒体を用いた乾燥処理を行うための装置である。図6および図7に示したように、基板処理装置101は、主として、カセット110と、処理槽120と、シャワーノズル130と、チャンバ140と、供給系150と、制御部160とを備えている。
図6は、本発明の第2実施形態に係る基板処理装置101を、基板Wと平行な平面で切断した縦断面図である。図6には、併せて配管系や制御部の構成も示されている。また、図7は、基板処理装置1を基板Wと垂直な平面で切断した縦断面図である。この基板処理装置101は、薬液処理および純水処理が行われた後の基板Wに対して乾燥媒体を用いた乾燥処理を行うための装置である。図6および図7に示したように、基板処理装置101は、主として、カセット110と、処理槽120と、シャワーノズル130と、チャンバ140と、供給系150と、制御部160とを備えている。
カセット110は、複数枚の基板Wを起立姿勢で一括保持するための保持部である。カセット110の底部には複数の嵌合溝(図示省略)が形成されており、複数枚の基板Wは、それぞれ基板Wの周縁部を嵌合溝に嵌合させた状態で起立姿勢に保持される。カセット110は、所定の搬送機構により処理槽120の内部とチャンバ140の外部との間で搬送される。複数枚の基板W(以下、単に「基板W」という)は、カセット110に保持された状態でカセット110とともに処理槽20内にセットされ、また、カセット110とともに処理槽120から搬出される。なお、本実施形態において処理対象となる基板Wは、例えば直径200mm程度の円形平板である。
処理槽120は、内部に乾燥媒体を貯留するための容器である。処理槽120の底部には、処理槽120の内部に向けて乾燥媒体を吐出するための処理槽内ノズル121が設けられている。処理槽内ノズル121は、乾燥媒体の導入路となるノズル管121aと、ノズル管121aの上部に形成された複数の吐出口121bとを有している。乾燥媒体は、ノズル管121aの複数の吐出口121bから吐出され、処理槽120の内部に貯留される。そして、処理槽120の上部まで貯留された乾燥媒体は、処理槽20上部の開口からオーバーフローする。なお、処理槽120に貯留される乾燥媒体としては、例えば、フッ素系溶剤等の非極性液体中に界面活性剤を混合させた混合溶液や、イソプロピルアルコール(IPA)等の有機溶剤が使用される。
処理槽120の上面(処理槽120内に貯留された乾燥媒体の液面)と、処理槽120内に配置された基板Wの上端との間の距離h3は、基板Wが乾燥媒体中に完全に浸漬される最小の距離となるように設計されている。具体的には、乾燥媒体の表面張力を考慮しても基板Wの上端まで完全に浸漬される距離として、距離h3は5mm以上かつ10mm以下となるように設定されている。このため、処理槽120の高さは従来よりも低く、チャンバ140内における処理槽120の容積は小さくなっている。
処理槽120の底部付近には、処理槽120内に貯留された乾燥媒体を急速に排液するための急速排液口122が設けられている。急速排液口122は開閉自在なバルブ123を有している。このため、バルブ123を閉鎖したときには、処理槽120内に乾燥媒体を貯留することができる。また、バルブ123を開放したときには、処理槽120内に貯留された乾燥媒体が急速排液口122から処理槽120外へ排出される。
シャワーノズル130は、処理槽120内の基板Wに対して乾燥媒体またはエアを吐出するためのノズルである。シャワーノズル130は、処理槽120の上方において基板Wの配列方向(Y軸方向)にのびる一対のノズル管131を有している。各ノズル管131には、処理槽120内に向けられた複数の吐出口131aが形成されている。後述するバルブ154a,154bの開閉を切り替えることにより、ノズル管131には乾燥媒体またはエアが択一的に供給される。そして、ノズル管131に供給された乾燥媒体またはエアは、複数の吐出口131aから処理槽120内の基板Wに向けてシャワー状に吐出される。
チャンバ140は、処理槽120およびシャワーノズル130を内部に収容する密閉容器である。チャンバ140は、気密性の部材により構成され、その上部には開閉自在なシャッタ141が設けられている。シャッタ141は、開閉駆動機構142によりスライド移動し、チャンバ140上部の開口部143を開放する状態と、開口部143を閉鎖する状態とを切り替えることができる。開口部143の周囲には、リング状のシール部材144が取り付けられている。このため、シャッタ141により開口部143を閉鎖したときには、開口部143は気密に閉鎖される。
チャンバ140の底部には、チャンバ140の底部に貯留された液体を排出するための排液口145が形成されている。排液口145にはバルブ145aを介して配管145bが接続されている。このため、バルブ145aを開放すると、チャンバ140の底部に貯留された液体が配管145bを通って排液ラインへ排出される。また、チャンバ140の側部には、チャンバ140内の気体を外部へ排出するための排気口146が形成されている。排気口146にはバルブ146aを介して配管146bが接続されており、配管146bの経路途中には排気ポンプ146cが介挿されている。このため、バルブ146aを開放するとともに排気ポンプ146cを動作させると、チャンバ140内の気体が排気ラインへ排出される。
図6および図7に示したように、チャンバ140の内側面は、ほぼ処理槽120の外側面に沿って形成されている。すなわち、チャンバ140の内側面形状は、処理槽120の外側面形状よりもひと回り大きいほぼ相似形状となっている。そして、処理槽120の上面とシャッタ141の下面との間の距離h4は、ノズル管131を配置することができる範囲で、なるべく小さい距離となるように設計されている。具体的には、ノズル管131の径はは一般的に10〜20mmであるため、上記の距離h4は20mm以上かつ50mm以下となるように設計される。
また、処理槽120の外側面とチャンバ140の内側面との間の距離d2は、処理槽120からオーバーフローする乾燥媒体がチャンバ140の内側面と接触しない範囲で、なるべく小さい距離となるように設計されている。処理槽120の上部からオーバーフローした乾燥媒体は、図3に示したように、表面張力により3〜4mm程度の盛り上がり部分を形成しながら処理槽120の外側面を伝って流下する。このため、上記の距離d2は、5mm以上かつ20mm以下となるように設計されている。基板処理装置101は、このような寸法条件を満たす処理槽120とチャンバ140とを有している。このため、チャンバ140の内容積は小さく、チャンバ140内に存在し得る気体の量はほぼ極小化されている。
供給系150は、処理液としての乾燥媒体を処理槽内ノズル121に供給するとともに、乾燥媒体またはエアをシャワーノズル130に供給するための配管系である。供給系150は、乾燥媒体供給源151、エア供給源152、複数の配管153a〜153d、および複数のバルブ154a〜154cを組み合わせて構成されている。乾燥媒体供給源151には配管153aが接続されており、配管153aの経路途中にはバルブ154aが介挿されている。また、エア供給源152には配管153bが接続されており、配管153bの経路途中にはバルブ154bが介挿されている。配管153aおよび配管153bの下流側の端部は、合流して1つの配管153cとなり、配管153cの下流側の端部はシャワーノズル130に接続されている。また、バルブ154aよりも上流側の配管153aの経路途中には、分岐配管153dが接続されており、分岐配管153dの経路途中にはバルブ154cが介挿されている。
このような構成において、バルブ154b,154cを閉鎖するとともにバルブ154aを開放すると、乾燥媒体供給源151からシャワーノズル130へ乾燥媒体が供給され、シャワーノズル130の複数の吐出口131aから乾燥媒体がシャワー状に吐出される。また、バルブ154a,154cを閉鎖するとともにバルブ154bを開放すると、エア供給源152からシャワーノズル130へ高温・高圧のエアが供給され、シャワーノズル130の複数の吐出口131aからエアが吐出される。すなわち、バルブ154aおよびバルブ154bの開閉を切り替えることにより、シャワーノズル130から乾燥媒体とエアとを択一的に供給することができる。また、バルブ154a,154bを閉鎖するとともにバルブ54cを開放すると、乾燥媒体供給源151から処理槽内ノズル121へ乾燥媒体が供給され、処理槽内ノズル121の複数の吐出口121bから乾燥媒体が吐出される。
制御部160は、基板処理装置101内の上記各部の動作を制御するための処理部である。図8は、基板処理装置101の上記各部と制御部160との間の接続構成を示したブロック図である。図8に示したように、制御部160は、上記の開閉駆動機構142、バルブ123、排気ポンプ146c、バルブ154a〜154cと電気的に接続されており、これらの動作を制御する。なお、制御部160は、例えば、CPUやメモリを有するコンピュータにより構成され、コンピュータにインストールされたプログラムに従ってコンピュータが動作することにより上記の制御を行う。
続いて、上記構成を有する基板処理装置101による基板処理の流れについて説明する。図9は、基板処理装置101における基板処理の流れを示したフローチャートである。基板処理装置101は、まず、リンス処理後の基板Wをチャンバ140内へ搬入する(ステップS101)。具体的には、まず、基板処理装置1は、開閉駆動機構142によりチャンバ140のシャッタ141を開放する。基板Wは、カセット110に保持された状態でチャンバ140上部の開口部143からチャンバ140内に搬入され、処理槽120内にセットされる。その後、基板処理装置101は、チャンバ140のシャッタ141を閉鎖し、チャンバ140内を密閉状態とする。
ステップS101においてシャッタ141を開放している間、基板処理装置101は、バルブ146aを開放するとともに排気ポンプ146cを低速で動作させる。これにより、チャンバ140内の気体を排気ラインへ排気し、チャンバ140内の気体が開口部143からチャンバ140の外部へ排出されることを防止する。上述したように、この基板処理装置101は、チャンバ140の内容積がほぼ極小化されている。このため、チャンバ140からの排気量はごく少量(例えば0.5m3/min程度)でよい。基板Wの搬入が完了し、シャッタ141が閉鎖されると、基板処理装置101は排気ポンプ146cを停止する。
次に、基板処理装置101は、処理槽120内の基板Wに対して乾燥媒体を供給する(ステップS102)。具体的には、基板処理装置101は、処理槽120底部の急速排液口122を閉鎖し、バルブ154a,154bを閉鎖した状態でバルブ154cを開放する。これにより、乾燥媒体供給源151から処理槽内ノズル121に乾燥媒体が供給され、処理槽内ノズル121の複数の吐出口121bから処理槽120内に乾燥媒体が吐出される。処理槽内ノズル121から吐出された乾燥媒体は処理槽120内に貯留され、処理槽120の上部まで貯留された乾燥媒体は、処理槽120の上部からオーバーフローする。処理槽120の上部から乾燥媒体がオーバーフローしている間、基板Wは処理槽120内の乾燥媒体中に完全に浸漬され、基板Wの周囲には、下方から上方へ向かう乾燥媒体の流れが形成される。このため、基板Wの表面に付着した水滴は、乾燥媒体により除去される。
処理槽120からオーバーフローした乾燥媒体は、図6中の矢印のように、処理槽120の外側面に沿って流下する。上述したように、この基板処理装置1は、処理槽120の外側面とチャンバ140の内側面との間の距離d2が5mm以上かつ20mm以下となるように設計されている。このため、処理槽120からオーバーフローした乾燥媒体が処理槽120の外側面とチャンバ140の内側面との間に滞留してしまうことはなく、乾燥媒体は円滑にオーバーフローする。なお、ステップS102の時点においてチャンバ140底部のバルブ145aは開放されている。このため、処理槽120からオーバーフローした乾燥媒体は、チャンバ140底部の排液口145から配管145bを通って排液ラインへ排出される。
ステップS102では、必要に応じてシャワーノズル130による乾燥媒体の供給を行ってもよい。例えば、バルブ154b,154cを閉鎖した状態でバルブ154aを開放することにより、シャワーノズル130による乾燥媒体の供給を所定時間行い、その後、バルブ154aを閉鎖するとともにバルブ154cを開放することにより、処理槽内ノズル121による乾燥媒体の供給を行ってもよい。シャワーノズル130から吐出された乾燥媒体は、基板Wの表面に直接的かつ均一に供給されるため、基板Wの表面の水滴を効率よく除去する。
続いて、基板処理装置1は、乾燥媒体の供給を停止するとともに、処理槽120内の乾燥媒体を排出する(ステップS103)。具体的には、基板処理装置101は、処理槽120底部のバルブ123を開放し、処理槽120内に貯留された乾燥媒体を急速排液口122から処理槽120の外部へ排出する。処理槽120から排出された乾燥媒体は、チャンバ140底部の排液口145から配管145bを通って排液ラインへ排出される。
その後、基板処理装置101は、基板Wに対してエアの供給を開始する(ステップS104)。具体的には、基板処理装置101は、バルブ154a,154cを閉鎖した状態でバルブ154bを開放する。これにより、エア供給源152からシャワーノズル130に高温・高圧のエアが供給され、シャワーノズル130の複数の吐出口131aから処理槽120内の基板Wに向けて、エアが吹き付けられる。これにより、基板Wの表面に残存する乾燥媒体の気化が促進され、基板Wの表面が乾燥する。
上記のステップS102〜S104の間、基板処理装置101は、シャッタ141を閉鎖した状態で処理を進める。したがって、チャンバ140の内部の気体が開口部143を介して外部へ拡散することはない。このため、ステップS101〜S104では、チャンバ140から積極的に排気を行う必要はなく、基板処理装置101は、排気ポンプ146cを動作させることなくステップS102〜S104の処理を行うことができる。
所定時間のエアの供給が完了すると、基板処理装置101は、処理済みの基板Wをチャンバ140の外部へ搬出する(ステップS105)。具体的には、基板処理装置101は、開閉駆動機構142によりチャンバ140のシャッタ141を開放し、カセット110に保持された基板Wをカセット110ごと搬出する。
ステップS105においてシャッタ41を開放している間、基板処理装置101は、バルブ146aを開放するとともに排気ポンプ146cを低速で動作させる。これにより、チャンバ140内の気体を排気ラインへ排出し、チャンバ140内の気体が開口部43からチャンバ140の外部へ拡散することを防止する。上述したように、この基板処理装置101は、チャンバ140の内容積がほぼ極小化されている。このため、チャンバ140からの排気量はごく少量(例えば0.5m3/min程度)でよい。
以上のように、本実施形態の基板処理装置101は、処理槽120およびシャワーノズル130を収容するチャンバ140と、チャンバ140を密閉するシャッタ141とを備えている。このため、チャンバ140から排気を行うことなくチャンバ140の内部において基板Wを処理できる。また、処理槽120の上面とシャッタ141の下面との間の距離は20mm以上かつ50mm以下であり、処理槽120の外側面とチャンバ140の内側面との間の距離は5mm以上かつ20mm以下である。このため、チャンバ140の内容積は小さく、シャッタ141を開放したときにもチャンバ140から多量の排気を行う必要がない。
<3.変形例>
以上、本発明の主たる実施形態について説明したが、本発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記の例では、一度使用した薬液、純水、または乾燥媒体は排液ラインへ排出していたが、これらの使用済みの処理液を回収して循環させ、再度使用する構成にしてもよい。このようにすれば、処理液の使用量を低減できる。
以上、本発明の主たる実施形態について説明したが、本発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記の例では、一度使用した薬液、純水、または乾燥媒体は排液ラインへ排出していたが、これらの使用済みの処理液を回収して循環させ、再度使用する構成にしてもよい。このようにすれば、処理液の使用量を低減できる。
また、上記の例では、薬液処理およびリンス処理を行う基板処理装置1と乾燥処理を行う基板処理装置101とについて別個に説明したが、このような基板処理装置1と基板処理装置101とを組み合わせて一連の薬液処理、リンス処理、および乾燥処理を行う1つの基板処理装置を構成してもよい。
また、上記の例では、カセット10または110に保持された基板Wに対して処理を行う装置について説明したが、本発明の基板処理装置は、他の保持手段によって基板Wを保持するものであってもよい。また、上記の例では、複数枚の基板Wを一括して処理する装置について説明したが、本発明の基板処理装置は、基板Wを1枚ずつ処理する装置であってもよい。
1,101 基板処理装置
10,110 カセット
20,120 処理槽
21,121 処理槽内ノズル
22,122 急速排液口
30,130 シャワーノズル
40,140 チャンバ
41,141 シャッタ
43,143 開口部
44,144 シール部材
46,146 排気口
46c,146c 排気ポンプ
50 処理液供給系
60,160 制御部
150 供給系
W 基板
10,110 カセット
20,120 処理槽
21,121 処理槽内ノズル
22,122 急速排液口
30,130 シャワーノズル
40,140 チャンバ
41,141 シャッタ
43,143 開口部
44,144 シール部材
46,146 排気口
46c,146c 排気ポンプ
50 処理液供給系
60,160 制御部
150 供給系
W 基板
Claims (5)
- 基板に対して処理液による処理を行う基板処理装置であって、
内部に処理液を貯留するとともに上部から処理液をオーバーフローさせる処理槽と、
前記処理槽内において基板を保持する保持部と、
前記処理槽の底部から前記処理槽内に処理液を供給する処理槽内ノズルと、
前記処理槽の上部から前記処理槽内に処理液をシャワー状に供給するシャワーノズルと、
前記処理槽および前記シャワーノズルを収容するチャンバと、
前記チャンバを密閉する蓋部と、
を備え、
前記処理槽の上面と前記蓋部の下面との間の距離は20mm以上かつ50mm以下であり、
前記処理槽の外側面と前記チャンバの内側面との間の距離は5mm以上かつ20mm以下であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記チャンバの内側面は、前記処理槽の外側面に沿って形成されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記処理槽内において前記保持部に保持された基板の上端と前記処理槽の上面との間の距離は、5mm以上かつ10mm以下であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項3までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記処理液として薬液と純水とが使用され、
前記処理槽内において、薬液による薬液処理と純水によるリンス処理とを順次に実行した後に、前記チャンバから基板を搬出することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項3までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記処理液として乾燥媒体が使用され、
前記処理槽内において基板に乾燥媒体を供給した後、前記処理槽から乾燥媒体を排液することにより、基板を乾燥させることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007049663A JP2008218471A (ja) | 2007-02-28 | 2007-02-28 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007049663A JP2008218471A (ja) | 2007-02-28 | 2007-02-28 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008218471A true JP2008218471A (ja) | 2008-09-18 |
Family
ID=39838218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007049663A Pending JP2008218471A (ja) | 2007-02-28 | 2007-02-28 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008218471A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109417027A (zh) * | 2016-09-13 | 2019-03-01 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置 |
US11813646B2 (en) | 2016-09-13 | 2023-11-14 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device |
-
2007
- 2007-02-28 JP JP2007049663A patent/JP2008218471A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109417027A (zh) * | 2016-09-13 | 2019-03-01 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置 |
CN109417027B (zh) * | 2016-09-13 | 2023-06-16 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置 |
US11813646B2 (en) | 2016-09-13 | 2023-11-14 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8235061B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US8133327B2 (en) | Substrate processing method, storage medium and substrate processing apparatus | |
TW200535920A (en) | Substrate processing equipment, substrate processing method, recording medium and software | |
KR102218117B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2008109086A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4584783B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法、ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
JP2006278955A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2023168535A (ja) | 基板処理装置及びその制御方法 | |
WO2019054083A1 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理装置の制御方法 | |
JP4498986B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
JP2008218471A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009283853A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記憶媒体 | |
JP6228800B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008251655A (ja) | 基板処理装置 | |
KR100935718B1 (ko) | 웨이퍼 세정장치 및 이를 이용한 웨이퍼의 세정방법 | |
JP2008251657A (ja) | 基板処理装置 | |
KR100436900B1 (ko) | 웨이퍼 세정 장치 | |
JP4589161B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4498190B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006278466A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2013149666A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2008047668A (ja) | 基板処理装置 | |
US11813646B2 (en) | Substrate processing device | |
JP2008187004A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5226452B2 (ja) | チャンバ洗浄方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091211 |