WO2018173861A1 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2018173861A1
WO2018173861A1 PCT/JP2018/009797 JP2018009797W WO2018173861A1 WO 2018173861 A1 WO2018173861 A1 WO 2018173861A1 JP 2018009797 W JP2018009797 W JP 2018009797W WO 2018173861 A1 WO2018173861 A1 WO 2018173861A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
processing unit
supercritical fluid
unit
drying
drying processing
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/009797
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
源太郎 五師
佳祐 江頭
憲人 束野
洋 丸本
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Priority to KR1020197030159A priority Critical patent/KR102489837B1/ko
Priority to JP2019507579A priority patent/JP6735905B2/ja
Priority to CN201880019119.XA priority patent/CN110462792B/zh
Priority to US16/495,142 priority patent/US20200020550A1/en
Publication of WO2018173861A1 publication Critical patent/WO2018173861A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0021—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by liquid gases or supercritical fluids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids

Definitions

  • the disclosed embodiment relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
  • a drying process is performed by forming a liquid film for preventing drying on the surface of the substrate, and contacting the substrate on which the liquid film is formed with the supercritical fluid to replace the liquid that forms the liquid film with the supercritical fluid.
  • a substrate processing apparatus is known (see, for example, Patent Document 1).
  • An object of one embodiment of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method for detecting the presence or absence of a liquid in a drying processing unit in which a drying process is performed.
  • a substrate processing apparatus includes a drying processing unit, a discharge line, an acquisition unit, and a detection unit.
  • the drying processing unit performs a drying process on the substrate by bringing the substrate whose surface is wetted by the liquid into contact with the supercritical fluid and replacing the liquid with the supercritical fluid.
  • the discharge line is provided in the drying processing unit and discharges the fluid from the drying processing unit.
  • An acquisition part acquires the optical information with respect to the fluid provided in a discharge line and discharged
  • a detection part detects the presence or absence of the liquid in a drying process part based on the optical information acquired by the acquisition part.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the cleaning processing unit.
  • FIG. 3 is an external perspective view showing the configuration of the drying processing unit.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration example of the entire system of the drying processing unit.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the configuration of the sight glass.
  • FIG. 6 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a control device that determines the presence or absence of liquid.
  • FIG. 7 is a diagram schematically showing an image of the supercritical fluid photographed by the camera.
  • FIG. 8 is a flowchart showing the processing procedure of the drying process according to the first embodiment.
  • FIG. 9 is a flowchart illustrating a processing procedure of a drying process according to the second embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system 1 according to the first embodiment.
  • the X axis, the Y axis, and the Z axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z axis is the vertically upward direction.
  • the substrate processing system 1 includes a carry-in / out station 2 and a processing station 3.
  • the carry-in / out station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.
  • the loading / unloading station 2 includes a carrier placement unit 11 and a conveyance unit 12.
  • a plurality of carriers C that accommodate a plurality of semiconductor wafers W (hereinafter referred to as wafers W) in a horizontal state are placed on the carrier placement unit 11.
  • the transfer unit 12 is provided adjacent to the carrier placement unit 11 and includes a substrate transfer device 13 and a delivery unit 14 inside.
  • the substrate transfer device 13 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can turn around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the delivery unit 14 using the wafer holding mechanism. Do.
  • the processing station 3 is provided adjacent to the transfer unit 12.
  • the processing station 3 includes a transport unit 15, a plurality of cleaning processing units 16, and a plurality of drying processing units 17.
  • the plurality of cleaning processing units 16 and the plurality of drying processing units 17 are provided side by side on both sides of the transport unit 15.
  • the arrangement and the number of the cleaning processing units 16 and the drying processing units 17 shown in FIG. 1 are examples, and are not limited to those shown in the drawing.
  • the transfer unit 15 includes a substrate transfer device 18 inside.
  • the substrate transfer device 18 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 18 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can turn around the vertical axis, and uses a wafer holding mechanism to deliver the delivery unit 14, the cleaning processing unit 16, and the drying processing unit 17. The wafer W is transferred between the two.
  • the cleaning processing unit 16 performs a predetermined cleaning process on the wafer W transferred by the substrate transfer device 18.
  • the cleaning unit 16 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the cleaning processing unit 16.
  • the cleaning processing unit 16 is configured as, for example, a single wafer cleaning processing unit that cleans wafers W one by one by spin cleaning.
  • the cleaning processing unit 16 holds the wafer W substantially horizontally by the wafer holding mechanism 25 disposed in the outer chamber 23 forming the processing space, and rotates the wafer holding mechanism 25 around the vertical axis to rotate the wafer W. Rotate. Then, the cleaning processing unit 16 causes the nozzle arm 26 to enter above the rotating wafer W, and supplies the chemical liquid and the rinse liquid from the chemical liquid nozzle 26a provided at the tip of the nozzle arm 26 in a predetermined order. Then, the surface of the wafer W is cleaned.
  • a chemical solution supply path 25 a is also formed inside the wafer holding mechanism 25. Then, the back surface cleaning of the wafer W is performed by the chemical solution or the rinse solution supplied from the chemical solution supply path 25a.
  • the various chemical solutions described above are received by the outer chamber 23 and the inner cup 24 disposed in the outer chamber 23, and the drain port 23 a provided at the bottom of the outer chamber 23 and the drain provided at the bottom of the inner cup 24.
  • the liquid is discharged from the liquid port 24a. Further, the atmosphere in the outer chamber 23 is exhausted from an exhaust port 23 b provided at the bottom of the outer chamber 23.
  • the IPA liquid is supplied to the front and back surfaces of the wafer W while rotating the wafer holding mechanism 25 to replace the DIW remaining on both surfaces of the wafer W. Thereafter, the rotation of the wafer holding mechanism 25 is gently stopped.
  • the wafer W that has been cleaned in this way has a liquid film of IPA liquid formed on its surface.
  • the wafer W on which the liquid film is formed is transferred to the substrate transfer device 18 by a transfer mechanism (not shown) provided in the wafer holding mechanism 25 and is unloaded from the cleaning processing unit 16.
  • the liquid film formed on the surface of the wafer W evaporates (vaporizes) the liquid on the surface of the wafer W during the transfer of the wafer W from the cleaning processing unit 16 to the drying processing unit 17 and the loading operation to the drying processing unit 17. ) Function as a liquid for preventing drying, which prevents pattern collapse from occurring.
  • the drying processing unit 17 performs a drying process on the wafer W cleaned by the cleaning processing unit 16 using a supercritical fluid.
  • the IPA liquid on the wafer W is brought into contact with the supercritical fluid of CO2, so that the IPA liquid is dissolved and removed in the supercritical fluid. Thereby, the wafer W is dried.
  • FIG. 3 is an external perspective view showing the configuration of the drying processing unit 17.
  • the drying processing unit 17 includes a main body 31, a holding plate 32, and a lid member 33.
  • An opening 34 for loading and unloading the wafer W is formed in the casing-shaped main body 31.
  • the holding plate 32 holds the wafer W to be processed in the horizontal direction.
  • the lid member 33 supports the holding plate 32 and seals the opening 34 when the wafer W is loaded into the main body 31.
  • the main body 31 is a container in which a processing space capable of accommodating the wafer W is formed, and supply ports 35A and 35B and a discharge port 36 are provided on the wall portion.
  • the supply ports 35A and 35B are connected to a supply line L1 (see FIG. 4) for circulating a supercritical fluid.
  • the discharge port 36 is connected to a discharge line L2 (see FIG. 4) for discharging the supercritical fluid.
  • the supply port 35 ⁇ / b> A is connected to the side surface opposite to the opening 34 in the casing-shaped main body 31.
  • the supply port 35 ⁇ / b> B is connected to the bottom surface of the main body 31.
  • the discharge port 36 is connected to the lower side of the opening 34. 3 shows two supply ports 35A and 35B and one discharge port 36, the number of supply ports 35A and 35B and discharge ports 36 is not particularly limited.
  • fluid supply headers 37A and 37B and a fluid discharge header 38 are provided inside the main body 31.
  • Each of the fluid supply headers 37A and 37B and the fluid discharge header 38 has a large number of openings.
  • the fluid supply header 37 ⁇ / b> A is connected to the supply port 35 ⁇ / b> A and is provided adjacent to the side surface opposite to the opening 34 in the housing-shaped main body 31.
  • a large number of openings formed in the fluid supply header 37A face the opening 34 side.
  • the fluid supply header 37 ⁇ / b> B is connected to the supply port 35 ⁇ / b> B and is provided at the center of the bottom surface inside the housing-like main body 31. In addition, a large number of openings formed in the fluid supply header 37B face upward.
  • the fluid discharge header 38 is connected to the discharge port 36, and is provided adjacent to the side surface on the opening 34 side and below the opening 34 inside the housing-shaped main body 31. Further, a large number of openings formed in the fluid discharge header 38 face the fluid supply header 37A side.
  • the fluid supply headers 37A and 37B supply a supercritical fluid into the main body 31.
  • the fluid discharge header 38 guides and discharges the supercritical fluid in the main body 31 to the outside of the main body 31. Note that the supercritical fluid discharged to the outside of the main body 31 via the fluid discharge header 38 includes an IPA liquid dissolved in the supercritical fluid from the surface of the wafer W.
  • the drying processing unit 17 further includes a pressing mechanism (not shown).
  • the pressing mechanism has a function of pressing the lid member 33 toward the main body 31 and sealing the processing space against the internal pressure caused by the supercritical fluid in the supercritical state supplied into the processing space inside the main body 31.
  • a heat insulating material, a tape heater, or the like may be provided on the surface of the main body 31 so that the supercritical fluid supplied into the processing space can maintain a predetermined temperature.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration example of the entire system of the drying processing unit 17.
  • a fluid supply source 51 is provided on the upstream side of the drying processing unit 17. Further, a supply line L ⁇ b> 1 is provided for connecting the fluid supply source 51 and the drying processing unit 17, and allowing the supercritical fluid to circulate in the drying processing unit 17. A supercritical fluid is supplied from the fluid supply source 51 to the supply line L1.
  • the fluid supply source 51 stores, for example, a raw material CO 2 for generating a CO 2 supercritical fluid.
  • the supply line L1 is provided with a valve 52a, an orifice 55a, a filter 57, and a valve 52b sequentially from the upstream side to the downstream side.
  • the terms upstream and downstream here are based on the flow direction of the supercritical fluid in the supply line L1 and the discharge line L2.
  • the valve 52a is a valve that adjusts on and off of the supply of the supercritical fluid from the fluid supply source 51, and flows the supercritical fluid to the downstream supply line L1 in the open state, and the downstream supply line in the closed state. Do not flow supercritical fluid through L1.
  • a high-pressure supercritical fluid of about 16 to 20 MPa is supplied from the fluid supply source 51 to the supply line L1 through the valve 52a.
  • the orifice 55a has a function of adjusting the pressure of the supercritical fluid supplied from the fluid supply source 51.
  • the orifice 55a can circulate a supercritical fluid whose pressure is adjusted to about 16 MPa through the supply line L1 downstream of the orifice 55a.
  • the filter 57 removes foreign matters contained in the supercritical fluid sent from the orifice 55a, and causes the clean supercritical fluid to flow downstream.
  • the valve 52b is a valve that adjusts on / off of the supply of the supercritical fluid to the drying processing unit 17.
  • the supply line L1 connected to the drying processing unit 17 from the valve 52b is connected to the supply port 35A shown in FIG. 3, and the supercritical fluid flowing through the valve 52b passes through the supply port 35A and the fluid supply header 37A. It is supplied into the main body 31.
  • the supply line L1 is branched between the filter 57 and the valve 52b. Specifically, from the supply line L1 between the filter 57 and the valve 52b, the supply line L1 connected to the drying processing unit 17 through the valve 52c and the orifice 55b, the valve 52d, and the check valve 58a are connected. The supply line L1 connected to the purge device 62 via the branch extends.
  • the supply line L1 connected to the drying processing unit 17 via the valve 52c and the orifice 55b is an auxiliary flow path for supplying the supercritical fluid to the drying processing unit 17.
  • the supply line L1 which is an auxiliary flow path, is connected to the supply port 35B shown in FIG. 3, and the supercritical fluid flowing through the valve 52c enters the main body 31 via the supply port 35B and the fluid supply header 37B. Supplied.
  • a supply line L1 connected to the purge device 62 via the valve 52d and the check valve 58a is a flow path for supplying an inert gas such as nitrogen to the drying processing unit 17, for example, from the fluid supply source 51. This is utilized while the supply of the supercritical fluid to the drying processing unit 17 is stopped.
  • the valve 52d and the valve 52b are controlled to be open, and the inert gas sent from the purge device 62 to the supply line L1 is It is supplied to the drying processing unit 17 through the check valve 58a, the valve 52d, and the valve 52b.
  • a discharge line L ⁇ b> 2 for discharging the supercritical fluid from the drying processing unit 17 is provided on the downstream side of the drying processing unit 17.
  • a switching valve 52i, a sight glass 70, a switching valve 52j, a valve 52e, an exhaust adjustment valve 59, and a valve 52f are sequentially provided from the upstream side toward the downstream side.
  • the discharge line L2 is connected to the discharge port 36, and the supercritical fluid inside the main body 31 of the drying processing unit 17 is sent toward the valve 52e via the fluid discharge header 38 and the discharge port 36 shown in FIG. It is done.
  • the sight glass 70 includes a pipe part 71, a pair of transmission windows 72, and a pair of frames 73 that support the transmission window 72 and attach the transmission window 72 to the pipe part 71.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a configuration of the sight glass 70.
  • the pipe part 71 communicates with the discharge line L2.
  • the pair of transmission windows 72 are arranged to face each other.
  • the pipe portion 71 may be configured integrally with the discharge line L2.
  • An acquisition unit 75 that acquires optical information of the supercritical fluid discharged from the drying processing unit 17 is disposed outside the sight glass 70.
  • the acquisition unit 75 includes a light source 76 and a camera 77.
  • the light source 76 emits light from the outside of the one transmission window 72 toward the inside of the tube portion 71.
  • the camera 77 is a camera having an image sensor such as a COMMS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) or a CCD (Charge Coupled Device).
  • the camera 77 takes an image of the inside of the pipe portion 71 from the other transmission window 72.
  • the camera 77 images the supercritical fluid discharged from the drying processing unit 17. Image data acquired by shooting is output to the control unit 19.
  • the sight glass 70 and the acquisition part 75 may be provided in the discharge line L2 downstream from the valve 52e, for example.
  • the switching valve 52i is a valve that switches the fluid flowing through the sight glass 70, and is a three-way valve.
  • the switching valve 52i circulates a supercritical fluid from the drying processing unit 17 to the sight glass 70 during the drying process, and a cleaning liquid such as IPA or DIW from the cleaning liquid supply source 63 to the sight glass 70 via the cleaning liquid supply line L3 during the cleaning process. Circulate.
  • the switching valve 52j is a valve that switches the flow direction (discharge direction) of the fluid flowing through the sight glass 70, and is a three-way valve.
  • the switching valve 52j causes the supercritical fluid to flow from the sight glass 70 to the discharge line L2 downstream of the switching valve 52j during the drying process, and to the cleaning liquid discharge line L4 that discharges the cleaning liquid from the sight glass 70 at the time of cleaning. Circulate.
  • the switching valve 52i and the switching valve 52j may be configured by combining two valves. For example, a valve may be provided in each of the cleaning liquid supply line L3 and the discharge line L2 on the upstream side of the portion where the cleaning liquid supply line L3 joins.
  • the valve 52e is a valve for adjusting on / off of the discharge of the supercritical fluid from the drying processing unit 17.
  • the valve 52 e is controlled to be opened, and when the supercritical fluid is not discharged from the drying processing unit 17, the valve 52 e is controlled to be closed.
  • the exhaust adjustment valve 59 is a valve that adjusts the discharge amount of the supercritical fluid from the drying processing unit 17 and can be constituted by, for example, a back pressure valve.
  • the opening degree of the exhaust adjustment valve 59 is adaptively adjusted under the control of the control device 4 according to the desired discharge amount of the supercritical fluid from the inside of the main body 31.
  • the valve 52f is a valve that adjusts on / off of the discharge of the supercritical fluid from the drying processing unit 17 to the outside.
  • the valve 52f is controlled to be opened, and when the supercritical fluid is not discharged, the valve 52f is controlled to be closed.
  • An exhaust adjustment needle valve 61a and a check valve 58b are provided on the downstream side of the valve 52f.
  • the exhaust adjustment needle valve 61a is a valve for adjusting the discharge amount of the supercritical fluid sent through the valve 52f to the outside, and the opening degree of the exhaust adjustment needle valve 61a is set to a desired discharge amount of the supercritical fluid. Adjusted accordingly.
  • the check valve 58b is a valve that prevents the back flow of the supercritical fluid to be discharged, and has a function of reliably discharging the supercritical fluid to the outside.
  • the discharge line L2 is branched between the exhaust adjustment valve 59 and the valve 52f. Specifically, from the discharge line L2 between the exhaust adjustment valve 59 and the valve 52f, a discharge line L2 connected to the outside via the valve 52g and a discharge line L2 connected to the outside via the valve 52h And branch and extend.
  • the valve 52g and the valve 52h are valves that adjust on / off of the discharge of the supercritical fluid to the outside, like the valve 52f.
  • An exhaust adjustment needle valve 61b and a check valve 58c are provided on the downstream side of the valve 52g to adjust the discharge amount of the supercritical fluid and prevent the backflow of the supercritical fluid.
  • a check valve 58d is provided on the downstream side of the valve 52h to prevent back flow of the supercritical fluid.
  • valves 52f, 52g, and 52h When discharging the supercritical fluid from the drying processing unit 17, one or more of the valves 52f, 52g, and 52h are controlled to be opened.
  • the supercritical fluid is discharged to the outside via a plurality of valves (valves 52 f, 52 g, 52 h), thereby finely discharging the supercritical fluid to the outside. Can be controlled.
  • a pressure sensor that detects the pressure of the supercritical fluid and a temperature sensor that detects the temperature of the supercritical fluid are installed at various locations on the supply line L1 and the discharge line L2.
  • a pressure sensor 53a and a temperature sensor 54a are provided between the valve 52a and the orifice 55a
  • a pressure sensor 53b and a temperature sensor 54b are provided between the orifice 55a and the filter 57.
  • a pressure sensor 53 c is provided between the filter 57 and the valve 52 b
  • a temperature sensor 54 c is provided between the valve 52 b and the drying processing unit 17, and between the orifice 55 b and the drying processing unit 17.
  • a temperature sensor 54d is provided, and the drying processing unit 17 is provided with a temperature sensor 54e.
  • a pressure sensor 53d and a temperature sensor 54f are provided between the drying processing unit 17 and the valve 52e, and a pressure sensor 53e and a temperature sensor 54g are provided between the exhaust adjustment valve 59 and the valve 52f.
  • a heater H is provided at an arbitrary location where the supercritical fluid flows in the drying processing unit 17.
  • a heater H is provided between the valve 52a and the orifice 55a which are supply lines L1, between the orifice 55a and the filter 57, between the filter 57 and the valve 52b, and between the valve 52b and the drying processing unit 17. Is provided with a heater H.
  • the heater H may be provided in the dry processing unit 17 and other places including the discharge line L2. That is, the heater H may be provided in all the channels until the supercritical fluid supplied from the fluid supply source 51 is discharged to the outside.
  • the supercritical fluid is supplied to the main body 31 of the drying processing unit 17 through the supply line L1, and the inside of the main body 31 is brought into a supercritical state. Then, while discharging the supercritical fluid through the discharge line L2, the supercritical fluid is supplied to maintain the inside of the main body 31 in a supercritical state, and the IPA on the wafer W is gradually replaced with the supercritical fluid.
  • the substrate processing system 1 includes a control device 4.
  • the control device 4 is a computer, for example, and includes a control unit 19 and a storage unit 20.
  • the storage unit 20 is realized by, for example, a semiconductor memory device such as a RAM (Random Access Memory) or a flash memory, or a storage device such as a hard disk or an optical disk.
  • a semiconductor memory device such as a RAM (Random Access Memory) or a flash memory
  • a storage device such as a hard disk or an optical disk.
  • the control unit 19 includes a microcomputer having a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM, an input / output port, and various circuits.
  • the CPU of the microcomputer reads out and executes a program stored in the ROM, thereby realizing control of the substrate transfer apparatuses 13 and 18, the cleaning processing unit 16, the drying processing unit 17, and the like.
  • the control part 19 receives the measurement result of each sensor, and outputs the instruction
  • the program may be recorded on a computer-readable recording medium and may be installed in the storage unit 20 of the control device 4 from the recording medium.
  • Examples of the computer-readable recording medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.
  • FIG. 6 is a block diagram illustrating a schematic configuration of the control device 4 that determines the presence or absence of IPA.
  • the control unit 19 includes an instruction unit 19A, an input unit 19B, a determination unit 19C, and an output unit 19D.
  • indication parts will output an imaging
  • the completion time is a preset time, and is usually a time until the IPA on the wafer W is replaced with the supercritical fluid.
  • the image data of the supercritical fluid acquired by the camera 77 is input to the input unit 19B.
  • the determination unit 19C compares the acquired image data with the reference image data stored in the storage unit 20, and determines whether the IPA on the wafer W has been replaced with a supercritical fluid.
  • the reference image data is image data of a supercritical fluid that does not include IPA.
  • FIG. 7 is a diagram schematically showing an image of the supercritical fluid photographed by the camera 77.
  • the image taken by the camera 77 appears darker, and the smaller the IPA amount, that is, the more the IPA on the wafer W is replaced with the supercritical fluid, the camera 77.
  • the image captured by is bright and white.
  • the determination unit 19C includes color information (at least one of hue, saturation, and brightness) of image data captured by the camera 77 and color information (at least one of hue, saturation, and brightness) of reference image data. If the difference between the color information of the captured image data and the color information of the reference image data is greater than a predetermined threshold value, it is determined that the IPA on the wafer W has not been replaced with the supercritical fluid. . The determination unit 19C determines that the IPA on the wafer W has been replaced with a supercritical fluid when the difference between the color information of the captured image data and the color information of the reference image data is equal to or less than a predetermined threshold. In this way, the determination unit 19C detects the presence or absence of IPA in the drying processing unit 17 based on the optical information of the supercritical fluid.
  • the determination unit 19C determines that an abnormality has occurred in the drying process when the IPA on the wafer W has not been replaced with the supercritical fluid even after the completion time has elapsed since the drying process started.
  • the output unit 19D outputs a warning signal to the warning unit 78 if the IPA on the wafer W is not replaced with the supercritical fluid even after the completion time has elapsed since the drying process was started.
  • the warning unit 78 gives a warning indicating that the drying process is abnormal.
  • the warning unit 78 is a warning light, a monitor, or the like. When the drying process is abnormal, for example, the warning light is turned on and blinks to indicate that the monitor is abnormal.
  • the output unit 19D outputs a drying processing completion signal to the drying processing unit 17 when the completion time has elapsed since the drying processing was started and the IPA on the wafer W has been replaced with the supercritical fluid. .
  • FIG. 8 is a flowchart showing the processing procedure of the drying process according to the first embodiment.
  • the substrate processing system 1 executes the drying process when the cleaning process is completed and the wafer W on which the liquid film is formed is carried into the main body 31 of the drying processing unit 17 (S10). As the drying process proceeds, the IPA on the wafer W is gradually replaced with the supercritical fluid.
  • the substrate processing system 1 continues the drying process until the completion time elapses after the drying process is started (S11: No).
  • the substrate processing system 1 images the supercritical fluid with the camera 77 (S12).
  • the substrate processing system 1 compares the image data acquired by photographing with the reference image data, and determines whether or not the replacement of the IPA on the wafer W by the supercritical fluid is completed (S13). That is, the substrate processing system 1 determines whether an abnormality has occurred in the drying process.
  • the substrate processing system 1 completes the drying process by reducing the pressure in the main body 31 to the atmospheric pressure when the replacement is completed and no abnormality occurs in the drying process (S13: Yes).
  • the substrate processing system 1 warns that an abnormality has occurred in the drying process by the warning unit 78 when the replacement has not been completed and an abnormality has occurred in the drying process (S13: No). S15).
  • the substrate processing system 1 can image the supercritical fluid discharged from the drying processing unit 17 and detect the presence or absence of IPA (liquid) in the drying processing unit 17 based on the image data acquired by the imaging.
  • the substrate processing system 1 starts the drying process by the drying processing unit 17 and images the supercritical fluid by the camera 77 when the completion time elapses. Then, the substrate processing system 1 compares the image data acquired by photographing with the reference image data, and even if the completion time has elapsed, the IPA is not replaced with the supercritical fluid, and an abnormality occurs in the drying process. If it is, a warning unit 78 gives a warning. As a result, when an abnormality occurs in the drying process, the occurrence of the abnormality can be accurately detected, and the occurrence of the abnormality can be warned.
  • the substrate processing system 1 can detect the presence or absence of IPA by photographing the supercritical fluid with the camera 77.
  • the substrate processing system 1 cleans the transmission window 72 of the sight glass 70 by supplying a cleaning liquid to the discharge line L2. Thereby, the adhering matter adhering to the transmission window 72 of the sight glass 70 can be washed away, the supercritical fluid can be clearly photographed by the camera 77, and the presence or absence of IPA can be detected.
  • the instruction unit 19A When the drying process by the drying processing unit 17 is started, the instruction unit 19A outputs an imaging instruction to the camera 77 so that the camera 77 images the supercritical fluid.
  • the instruction unit 19A outputs shooting instructions at predetermined intervals set in advance. Thereby, the camera 77 images the supercritical fluid at a predetermined interval.
  • the determination unit 19C compares the image data acquired at a predetermined interval with the reference image data stored in the storage unit 20, and determines whether the IPA on the wafer W has been replaced with a supercritical fluid.
  • the determination unit 19C determines whether or not the completion time has elapsed since the start of the drying process.
  • the output unit 19D outputs a replacement completion instruction to the drying processing unit 17 when the IPA on the wafer W is replaced with a supercritical fluid.
  • the output unit 19D outputs a warning signal to the warning unit 78 if the IPA on the wafer W is not replaced with the supercritical fluid even after the completion time has elapsed since the drying process was started.
  • the progress of the drying process is determined based on the image data acquired by photographing the supercritical fluid, and the drying process is performed at the timing when the IPA on the wafer W is replaced with the supercritical fluid.
  • FIG. 9 is a flowchart illustrating a processing procedure of a drying process according to the second embodiment.
  • the substrate processing system 1 executes the drying process when the cleaning process is completed and the wafer W on which the liquid film is formed is loaded into the main body 31 of the drying processing unit 17 (S20).
  • the substrate processing system 1 images the supercritical fluid with the camera 77 (S21).
  • the substrate processing system 1 compares the image data acquired by imaging with the reference image data, and determines whether or not the replacement of the IPA on the wafer W by the supercritical fluid is completed (S22).
  • the substrate processing system 1 lowers the pressure in the main body 31 to atmospheric pressure and completes the drying process (S23).
  • the substrate processing system 1 determines whether the completion time has elapsed since the start of the drying process (S24).
  • the substrate processing system 1 continues the drying process when the completion time has not elapsed (S24: No).
  • the substrate processing system 1 warns that an abnormality has occurred in the drying process by the warning unit 78 (S25).
  • the substrate processing system 1 detects the completion of replacement of the IPA by the supercritical fluid by photographing the supercritical fluid with the camera 77 and comparing the image data acquired by the photographing with the reference image data. Thereby, IPA can be accurately replaced with a supercritical fluid. Moreover, the pressure in the main body 31 can be reduced at the timing when the replacement of the IPA by the supercritical fluid is completed, and when the replacement is completed before the completion time elapses, the drying process can be completed in a short time. .
  • the acquisition unit 75 images the supercritical fluid with the camera 77 and acquires optical information on the supercritical fluid.
  • the acquisition unit 75 measures the absorbance with a spectrophotometer and acquires the optical information on the supercritical fluid. May be.
  • the determination unit 19C determines whether the IPA on the wafer W has been replaced with a supercritical fluid based on the absorbance.
  • the acquisition part 75 may acquire the optical information with respect to a supercritical fluid based on the reflected light by a supercritical fluid.
  • the acquisition unit 75 includes a camera 77 and a spectrophotometer, and the determination unit 19C replaces the IPA on the wafer W with the supercritical fluid based on the image data acquired by the camera 77 and the absorbance. It may be determined whether or not.
  • the determination unit 19C learns the feature amount of the image data in which the IPA on the wafer W is replaced by the supercritical fluid by machine learning, for example, deep learning, and the wafer is obtained from the image data captured and acquired by the camera 77. It may be determined whether the IPA on W has been replaced with a supercritical fluid.
  • the determination unit 19C determines whether or not the IPA on the wafer W has been replaced with the supercritical fluid. It may be determined whether or not Since the density of the fluid in the main body 31 changes before and after the main body 31 is filled with the supercritical fluid, images taken by the camera 77 are different before and after the main body 31 is filled with the supercritical fluid. .
  • the determination unit 19C stores the image data before the main body 31 is filled with the supercritical fluid (or the subsequent image data), and compares the stored image data with the image data obtained by photographing. It may be determined whether 31 is filled with a supercritical fluid.
  • the determination unit 19 ⁇ / b> C may determine that an abnormality has occurred in the drying processing unit 17 and issue a warning by the warning unit 78.
  • control unit 19 of the above embodiment may be integrated or separated.
  • the support unit 19A and the output unit 19D may be integrated into one output unit.
  • Substrate processing system (substrate processing equipment) 4 Control Device 16 Cleaning Processing Unit 17 Drying Processing Unit (Drying Processing Unit) 19 control unit 19A instruction unit 19B input unit 19C determination unit (detection unit) 19D output unit 20 storage unit 63 cleaning liquid supply source (cleaning liquid supply unit) 70 sight glass 72 transmission window 75 acquisition part 77 camera 78 warning part L1 supply line L2 discharge line L3 cleaning liquid supply line L4 cleaning liquid discharge line

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

実施形態に係る基板処理装置（１）は、乾燥処理部（１７）と、排出ライン（Ｌ２）と、取得部（７５）と、検出部（１９Ｃ）とを備える。乾燥処理部（１７）は、液体により表面が濡れた状態の基板を超臨界流体と接触させて、液体を超臨界流体と置換することで基板の乾燥処理を行う。排出ライン（Ｌ２）は、乾燥処理部（１７）に設けられ乾燥処理部（１７）から流体を排出する。取得部（７５）は、排出ライン（Ｌ２）に設けられ乾燥処理部（１７）から排出される流体に対する光学情報を取得する。検出部（１９Ｃ）は、取得部（７５）によって取得された光学情報に基づいて乾燥処理部（１７）内の液体の有無を検出する。

Description

基板処理装置および基板処理方法
　開示の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
　従来、基板の表面に乾燥防止用の液膜を形成し、液膜が形成された基板を超臨界流体と接触させて液膜を形成する液体を超臨界流体に置換することで乾燥処理を行う基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１３－１２５３８号公報
　しかしながら、上記基板処理装置では、乾燥処理が行われる乾燥処理部内の基板表面の液体がなくなり適切に乾燥処理が終了したのか検出するという点で改善の余地があった。
　実施形態の一態様は、乾燥処理が行われる乾燥処理部内の液体の有無を検出する基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
　実施形態の一態様に係る基板処理装置は、乾燥処理部と、排出ラインと、取得部と、検出部とを備える。乾燥処理部は、液体により表面が濡れた状態の基板を超臨界流体と接触させて、液体を超臨界流体と置換することで基板の乾燥処理を行う。排出ラインは、乾燥処理部に設けられ乾燥処理部から流体を排出する。取得部は、排出ラインに設けられ乾燥処理部から排出される流体に対する光学情報を取得する。検出部は、取得部によって取得された光学情報に基づいて乾燥処理部内の液体の有無を検出する。
　実施形態の一態様によれば、乾燥処理部内の液体の有無を検出することができる。
図１は、第１実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。 図２は、洗浄処理ユニットの構成を示す断面図である。 図３は、乾燥処理ユニットの構成を示す外観斜視図である。 図４は、乾燥処理ユニットのシステム全体の構成例を示す図である。 図５は、サイトグラスの構成を示す断面図である。 図６は、液体の有無を判定する制御装置の概略構成を示すブロック図である。 図７は、カメラによって撮影される超臨界流体の画像を模式的に示す図である。 図８は、第１実施形態に係る乾燥処理の処理手順を示すフローチャートである。 図９は、第２実施形態に係る乾燥処理の処理手順を示すフローチャートである。
　以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
（第１実施形態）
＜基板処理システム１の概要＞
　図１を参照しながら、第１実施形態に係る基板処理システム１の概略構成について説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
　基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
　搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の半導体ウェハＷ（以下、ウェハＷと称呼する。）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
　搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
　処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の洗浄処理ユニット１６と、複数の乾燥処理ユニット１７とを備える。複数の洗浄処理ユニット１６と複数の乾燥処理ユニット１７とは、搬送部１５の両側に並べて設けられる。なお、図１に示した洗浄処理ユニット１６および乾燥処理ユニット１７の配置や個数は一例であり、図示のものに限定されない。
　搬送部１５は、内部に基板搬送装置１８を備える。基板搬送装置１８は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１８は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と、洗浄処理ユニット１６と、乾燥処理ユニット１７との間でウェハＷの搬送を行う。
　洗浄処理ユニット１６は、基板搬送装置１８によって搬送されるウェハＷに対して所定の洗浄処理を行う。
　洗浄処理ユニット１６について図２を参照し説明する。図２は、洗浄処理ユニット１６の構成を示す断面図である。洗浄処理ユニット１６は、たとえば、スピン洗浄によりウェハＷを１枚ずつ洗浄する枚葉式の洗浄処理ユニットとして構成される。
　洗浄処理ユニット１６は、処理空間を形成するアウターチャンバー２３内に配置されたウェハ保持機構２５にてウェハＷをほぼ水平に保持し、このウェハ保持機構２５を鉛直軸周りに回転させることによりウェハＷを回転させる。そして、洗浄処理ユニット１６は、回転するウェハＷの上方にノズルアーム２６を進入させ、ノズルアーム２６の先端部に設けられた薬液ノズル２６ａから薬液やリンス液を予め定められた順に供給することにより、ウェハＷの表面の洗浄処理を行う。
　また、洗浄処理ユニット１６には、ウェハ保持機構２５の内部にも薬液供給路２５ａが形成されている。そして、薬液供給路２５ａから供給された薬液やリンス液によって、ウェハＷの裏面洗浄が行われる。
　上述のウェハＷの洗浄処理は、たとえば、最初にアルカリ性の薬液であるＳＣ１液（アンモニアと過酸化水素水の混合液）によるパーティクルや有機性の汚染物質の除去が行われ、次に、リンス液である脱イオン水（DeIonized　Water：以下、ＤＩＷと呼称する。）によるリンス洗浄が行われる。次に、酸性薬液である希フッ酸水溶液（Diluted　HydroFluoric　acid）による自然酸化膜の除去が行われ、次に、ＤＩＷによるリンス洗浄が行われる。
　上述の各種薬液は、アウターチャンバー２３や、アウターチャンバー２３内に配置されるインナーカップ２４に受け止められて、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排液口２３ａや、インナーカップ２４の底部に設けられる排液口２４ａから排出される。さらに、アウターチャンバー２３内の雰囲気は、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排気口２３ｂから排気される。
　上述のウェハＷのリンス処理の後には、ウェハ保持機構２５を回転させながら、ウェハＷの表面および裏面にＩＰＡ液体を供給し、ウェハＷの両面に残存しているＤＩＷと置換する。その後、ウェハ保持機構２５の回転を緩やかに停止する。
　こうして洗浄処理を終えたウェハＷは、その表面にＩＰＡ液体の液膜が形成される。液膜が形成されたウェハＷは、ウェハ保持機構２５に設けられた不図示の受け渡し機構により基板搬送装置１８に受け渡され、洗浄処理ユニット１６より搬出される。
　ウェハＷの表面に形成された液膜は、洗浄処理ユニット１６から乾燥処理ユニット１７へのウェハＷの搬送中や、乾燥処理ユニット１７への搬入動作中に、ウェハＷ表面の液体が蒸発（気化）することによってパターン倒れが発生することを防ぐ、乾燥防止用の液体として機能する。
　図１に戻り、乾燥処理ユニット１７は、洗浄処理ユニット１６によって洗浄処理されたウェハＷに対し、超臨界流体を用いて乾燥処理を行う。乾燥処理では、ウェハＷのＩＰＡ液体にＣＯ２の超臨界流体を接触させることで、ＩＰＡ液体が超臨界流体に溶解され除去される。これにより、ウェハＷが乾燥する。
　乾燥処理ユニット１７について図３を参照し説明する。図３は、乾燥処理ユニット１７の構成を示す外観斜視図である。
　乾燥処理ユニット１７は、本体３１と、保持板３２と、蓋部材３３とを有する。筐体状の本体３１には、ウェハＷを搬入出するための開口部３４が形成される。保持板３２は、処理対象のウェハＷを水平方向に保持する。蓋部材３３は、保持板３２を支持するとともに、ウェハＷを本体３１内に搬入したときに、開口部３４を密閉する。
　本体３１は、ウェハＷを収容可能な処理空間が内部に形成された容器であり、その壁部には、供給ポート３５Ａ、３５Ｂと排出ポート３６とが設けられる。供給ポート３５Ａ、３５Ｂは、超臨界流体を流通するための供給ラインＬ１（図４参照）に接続されている。排出ポート３６は、超臨界流体を排出するための排出ラインＬ２（図４参照）に接続されている。
　供給ポート３５Ａは、筐体状の本体３１において、開口部３４とは反対側の側面に接続されている。また、供給ポート３５Ｂは、本体３１の底面に接続されている。さらに、排出ポート３６は、開口部３４の下方側に接続されている。なお、図３には２つの供給ポート３５Ａ、３５Ｂと１つの排出ポート３６が図示されているが、供給ポート３５Ａ、３５Ｂや排出ポート３６の数は特に限定されない。
　また、本体３１の内部には、流体供給ヘッダー３７Ａ、３７Ｂと、流体排出ヘッダー３８とが設けられる。流体供給ヘッダー３７Ａ、３７Ｂと流体排出ヘッダー３８とは、いずれも多数の開孔が形成されている。
　流体供給ヘッダー３７Ａは、供給ポート３５Ａに接続され、筐体状の本体３１内部において、開口部３４とは反対側の側面に隣接して設けられる。また、流体供給ヘッダー３７Ａに形成される多数の開孔は、開口部３４側を向いている。
　流体供給ヘッダー３７Ｂは、供給ポート３５Ｂに接続され、筐体状の本体３１内部における底面の中央部に設けられる。また、流体供給ヘッダー３７Ｂに形成される多数の開孔は、上方を向いている。
　流体排出ヘッダー３８は、排出ポート３６に接続され、筐体状の本体３１内部において、開口部３４側の側面に隣接するとともに、開口部３４よりも下方に設けられる。また、流体排出ヘッダー３８に形成される多数の開孔は、流体供給ヘッダー３７Ａ側を向いている。
　流体供給ヘッダー３７Ａ、３７Ｂは、超臨界流体を本体３１内に供給する。また、流体排出ヘッダー３８は、本体３１内の超臨界流体を本体３１の外部に導いて排出する。なお、流体排出ヘッダー３８を介して本体３１の外部に排出される超臨界流体には、ウェハＷの表面から超臨界流体に溶け込んだＩＰＡ液体が含まれる。
　乾燥処理ユニット１７は、さらに、不図示の押圧機構を備える。押圧機構は、本体３１内部の処理空間内に供給された超臨界状態の超臨界流体によってもたらされる内圧に抗して、本体３１に向けて蓋部材３３を押し付け、処理空間を密閉する機能を有する。また、処理空間内に供給された超臨界流体が所定の温度を保てるように、本体３１の表面には、断熱材やテープヒータなどが設けられていてもよい。
　次に、乾燥処理ユニット１７のシステム全体の構成について図４を参照して説明する。図４は、乾燥処理ユニット１７のシステム全体の構成例を示す図である。
　乾燥処理ユニット１７のシステム全体において、乾燥処理ユニット１７よりも上流側には流体供給源５１が設けられている。また、流体供給源５１と乾燥処理ユニット１７とを接続し、乾燥処理ユニット１７において超臨界流体を流通させるための供給ラインＬ１が設けられている。供給ラインＬ１には、流体供給源５１から超臨界流体が供給される。流体供給源５１には、たとえば、ＣＯ2の超臨界流体を発生させるための原料ＣＯ2が貯蔵される。
　また、供給ラインＬ１には、上流側から下流側に向かって、バルブ５２ａと、オリフィス５５ａと、フィルタ５７と、バルブ５２ｂとが順次設けられる。なお、ここでいう上流側および下流側の用語は、供給ラインＬ１および排出ラインＬ２における超臨界流体の流れ方向を基準とする。
　バルブ５２ａは、流体供給源５１からの超臨界流体の供給のオンおよびオフを調整するバルブであり、開状態では下流側の供給ラインＬ１に超臨界流体を流し、閉状態では下流側の供給ラインＬ１に超臨界流体を流さない。たとえば、バルブ５２ａが開状態にある場合、１６～２０ＭＰａ程度の高圧の超臨界流体が、流体供給源５１からバルブ５２ａを介して供給ラインＬ１に供給される。
　オリフィス５５ａは、流体供給源５１から供給される超臨界流体の圧力を調整する機能を有する。オリフィス５５ａは、たとえば、オリフィス５５ａよりも下流側の供給ラインＬ１に、１６ＭＰａ程度に圧力が調整された超臨界流体を流通させることができる。
　フィルタ５７は、オリフィス５５ａから送られてくる超臨界流体に含まれる異物を取り除き、クリーンな超臨界流体を下流側に流す。
　バルブ５２ｂは、乾燥処理ユニット１７への超臨界流体の供給のオンおよびオフを調整するバルブである。バルブ５２ｂから乾燥処理ユニット１７に接続される供給ラインＬ１は、図３に示した供給ポート３５Ａに接続され、バルブ５２ｂを流れる超臨界流体は、供給ポート３５Ａと流体供給ヘッダー３７Ａとを介して、本体３１内部に供給される。
　なお、図４に示す乾燥処理ユニット１７のシステム全体では、フィルタ５７とバルブ５２ｂとの間で供給ラインＬ１が分岐している。具体的には、フィルタ５７とバルブ５２ｂとの間の供給ラインＬ１からは、バルブ５２ｃとオリフィス５５ｂとを介して乾燥処理ユニット１７に接続される供給ラインＬ１と、バルブ５２ｄとチェックバルブ５８ａとを介してパージ装置６２に接続される供給ラインＬ１とが分岐して延在する。
　バルブ５２ｃとオリフィス５５ｂとを介して乾燥処理ユニット１７に接続される供給ラインＬ１は、乾燥処理ユニット１７への超臨界流体の供給のための補助的な流路である。補助的な流路である供給ラインＬ１は、図３に示した供給ポート３５Ｂに接続され、バルブ５２ｃを流れる超臨界流体は、供給ポート３５Ｂと流体供給ヘッダー３７Ｂとを介して、本体３１内部に供給される。
　バルブ５２ｄとチェックバルブ５８ａとを介してパージ装置６２に接続される供給ラインＬ１は、窒素などの不活性ガスを乾燥処理ユニット１７に供給するための流路であり、たとえば、流体供給源５１から乾燥処理ユニット１７に対する超臨界流体の供給が停止している間に活用される。
　たとえば、乾燥処理ユニット１７を不活性ガスで満たして清浄な状態を保つ場合には、バルブ５２ｄとバルブ５２ｂとが開状態に制御され、パージ装置６２から供給ラインＬ１に送られた不活性ガスはチェックバルブ５８ａと、バルブ５２ｄと、バルブ５２ｂとを介して乾燥処理ユニット１７に供給される。
　乾燥処理ユニット１７のシステム全体において、乾燥処理ユニット１７よりも下流側には、乾燥処理ユニット１７から超臨界流体を排出する排出ラインＬ２が設けられている。
　排出ラインＬ２には、上流側から下流側に向かって、切替バルブ５２ｉと、サイトグラス７０と、切替バルブ５２ｊと、バルブ５２ｅと、排気調整バルブ５９と、バルブ５２ｆとが順次設けられている。排出ラインＬ２は、排出ポート３６に接続され、乾燥処理ユニット１７の本体３１内部の超臨界流体は、図３に示した流体排出ヘッダー３８と排出ポート３６とを介して、バルブ５２ｅに向かって送られる。
　サイトグラス７０は、図５に示すように、管部７１と、一対の透過窓７２と、透過窓７２を支持し、透過窓７２を管部７１に取り付ける一対のフレーム７３とを備える。図５は、サイトグラス７０の構成を示す断面図である。管部７１は、排出ラインＬ２と連通する。一対の透過窓７２は、向かい合うように配置される。なお、管部７１は排出ラインＬ２と一体的に構成されてもよい。
　サイトグラス７０の外側には、乾燥処理ユニット１７から排出される超臨界流体の光学情報を取得する取得部７５が配置される。
　取得部７５は、光源７６と、カメラ７７とを備える。光源７６は、一方の透過窓７２の外側から管部７１内に向けて光を照射する。カメラ７７は、ＣＯＭＳ（Complementary　Metal　Oxide　Semiconductor）やＣＣＤ（Charge　Coupled　Device）などの撮像素子を有するカメラである。カメラ７７は、もう一方の透過窓７２から管部７１内を撮影する。カメラ７７は、乾燥処理ユニット１７から排出される超臨界流体を撮影する。撮影により取得された画像データは、制御部１９に出力される。
　なお、サイトグラス７０および取得部７５は、例えば、バルブ５２ｅよりも下流側の排出ラインＬ２に設けられてもよい。
　図４に戻り、切替バルブ５２ｉは、サイトグラス７０に流通する流体を切り替えるバルブであり、三方弁である。切替バルブ５２ｉは、乾燥処理時には乾燥処理ユニット１７からサイトグラス７０に超臨界流体を流通させ、洗浄時には洗浄液供給ラインＬ３を介して、洗浄液供給源６３からサイトグラス７０にＩＰＡやＤＩＷなどの洗浄液を流通させる。
　切替バルブ５２ｊは、サイトグラス７０を流通した流体の流通方向（排出方向）を切り替えるバルブであり、三方弁である。切替バルブ５２ｊは、乾燥処理時には、サイトグラス７０から、切替バルブ５２ｊよりも下流側の排出ラインＬ２に超臨界流体を流通させ、洗浄時には、サイトグラス７０から洗浄液を排出する洗浄液排出ラインＬ４に洗浄液を流通させる。なお、切替バルブ５２ｉおよび切替バルブ５２ｊは、２つのバルブを組み合わせて構成されてもよい。例えば、洗浄液供給ラインＬ３と、洗浄液供給ラインＬ３が合流する箇所よりも上流側の排出ラインＬ２にそれぞれバルブを設けてもよい。
　バルブ５２ｅは、乾燥処理ユニット１７からの超臨界流体の排出のオンおよびオフを調整するバルブである。乾燥処理ユニット１７から超臨界流体を排出する場合にはバルブ５２ｅが開状態に制御され、乾燥処理ユニット１７から超臨界流体を排出しない場合にはバルブ５２ｅが閉状態に制御される。
　排気調整バルブ５９は、乾燥処理ユニット１７からの超臨界流体の排出量を調整するバルブであり、たとえば背圧弁によって構成することができる。排気調整バルブ５９の開度は、本体３１内部からの超臨界流体の所望の排出量に応じて、制御装置４の制御下で適応的に調整される。
　バルブ５２ｆは、乾燥処理ユニット１７からの超臨界流体の外部への排出のオンおよびオフを調整するバルブである。超臨界流体を外部に排出する場合にはバルブ５２ｆが開状態に制御され、超臨界流体を排出しない場合にはバルブ５２ｆが閉状態に制御される。なお、バルブ５２ｆの下流側には、排気調整ニードルバルブ６１ａとチェックバルブ５８ｂとが設けられる。
　排気調整ニードルバルブ６１ａは、バルブ５２ｆを介して送られてくる超臨界流体の外部への排出量を調整するバルブであり、排気調整ニードルバルブ６１ａの開度は超臨界流体の所望の排出量に応じて調整される。チェックバルブ５８ｂは、排出される超臨界流体の逆流を防ぐ弁であり、超臨界流体を確実に外部に排出する機能を有する。
　なお、図４に示す乾燥処理ユニット１７では、排気調整バルブ５９とバルブ５２ｆとの間で排出ラインＬ２が分岐している。具体的には、排気調整バルブ５９とバルブ５２ｆとの間の排出ラインＬ２からは、バルブ５２ｇを介して外部に接続される排出ラインＬ２と、バルブ５２ｈを介して外部に接続される排出ラインＬ２とが分岐して延在する。
　バルブ５２ｇとバルブ５２ｈとは、バルブ５２ｆと同様に、超臨界流体の外部への排出のオンおよびオフを調整するバルブである。バルブ５２ｇの下流側には、排気調整ニードルバルブ６１ｂとチェックバルブ５８ｃとが設けられ、超臨界流体の排出量の調整と超臨界流体の逆流防止とが行われる。バルブ５２ｈの下流側にはチェックバルブ５８ｄが設けられ、超臨界流体の逆流防止が行われる。
　そして、乾燥処理ユニット１７から超臨界流体を排出する場合、バルブ５２ｆと、バルブ５２ｇと、バルブ５２ｈとのうちの１以上のバルブが開状態に制御される。ここで、乾燥処理ユニット１７のシステム全体において、超臨界流体の外部への排出を複数のバルブ（バルブ５２ｆ、５２ｇ、５２ｈ）を介して行うことにより、超臨界流体の外部への排出量を細かく制御することができる。
　また、上述の供給ラインＬ１および排出ラインＬ２の様々な箇所には、超臨界流体の圧力を検出する圧力センサと、超臨界流体の温度を検出する温度センサとが設置される。図４に示す例では、バルブ５２ａとオリフィス５５ａとの間には圧力センサ５３ａと温度センサ５４ａとが設けられ、オリフィス５５ａとフィルタ５７との間には圧力センサ５３ｂと温度センサ５４ｂとが設けられる。
　また、フィルタ５７とバルブ５２ｂとの間には圧力センサ５３ｃが設けられ、バルブ５２ｂと乾燥処理ユニット１７との間には温度センサ５４ｃが設けられ、オリフィス５５ｂと乾燥処理ユニット１７との間には温度センサ５４ｄが設けられ、乾燥処理ユニット１７には温度センサ５４ｅが設けられる。
　さらに、乾燥処理ユニット１７とバルブ５２ｅとの間には圧力センサ５３ｄと温度センサ５４ｆとが設けられ、排気調整バルブ５９とバルブ５２ｆとの間には圧力センサ５３ｅと温度センサ５４ｇとが設けられる。
　また、乾燥処理ユニット１７において超臨界流体が流れる任意の箇所には、ヒータＨが設けられる。図４に示す例では、供給ラインＬ１であるバルブ５２ａとオリフィス５５ａとの間、オリフィス５５ａとフィルタ５７との間、フィルタ５７とバルブ５２ｂとの間、およびバルブ５２ｂと乾燥処理ユニット１７との間にヒータＨが設けられる。
　一方で、乾燥処理ユニット１７や、排出ラインＬ２を含む他の箇所にヒータＨが設けられていてもよい。すなわち、流体供給源５１から供給される超臨界流体が外部に排出されるまでの全流路においてヒータＨが設けられていてもよい。
　上述する乾燥処理ユニット１７のシステムでは、供給ラインＬ１を介して乾燥処理ユニット１７の本体３１に超臨界流体を供給し、本体３１内部を超臨界状態とする。そして、排出ラインＬ２によって超臨界流体を排出しつつ、超臨界流体を供給して本体３１内部を超臨界状態に維持し、ウェハＷ上のＩＰＡを超臨界流体で徐々に置換する。
　図１に戻り、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１９と記憶部２０とを備える。
　記憶部２０は、たとえば、ＲＡＭ（Random　Access　Memory）、フラッシュメモリ（Flash　Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。
　制御部１９は、ＣＰＵ（Central　Processing　Unit）、ＲＯＭ（Read　Only　Memory）、ＲＡＭ、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。マイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、基板搬送装置１３、１８や、洗浄処理ユニット１６、乾燥処理ユニット１７などの制御を実現する。また、制御部１９は、各センサの計測結果を受信し、計測結果に基づいて各バルブを制御する指示信号を出力する。
　なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置４の記憶部２０にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
　ここで、超臨界流体の光学情報に基づいてＩＰＡ（液体）の有無を判定する制御装置４の構成について図６を参照して説明する。図６は、ＩＰＡの有無を判定する制御装置４の概略構成を示すブロック図である。制御部１９は、指示部１９Ａと、入力部１９Ｂと、判定部１９Ｃと、出力部１９Ｄとを備える。
　指示部１９Ａは、乾燥処理ユニット１７による乾燥処理が開始されてから完了時間が経過すると、超臨界流体を撮影するようにカメラ７７に撮影指示を出力する。完了時間は、予め設定された時間であり、通常、ウェハＷ上のＩＰＡが超臨界流体に置換されるまでの時間である。
　入力部１９Ｂは、カメラ７７によって取得された超臨界流体の画像データが入力される。
　判定部１９Ｃは、取得された画像データと、記憶部２０に記憶された参考画像データとを比較し、ウェハＷ上のＩＰＡが超臨界流体に置換されたかどうか判定する。参考画像データは、ＩＰＡが含まれない超臨界流体の画像データである。
　ここで、超臨界流体に含まれるＩＰＡ量と、カメラ７７によって撮影される超臨界流体の画像との関係について図７を参照して説明する。図７は、カメラ７７によって撮影される超臨界流体の画像を模式的に示す図である。
　超臨界流体に含まれるＩＰＡ量が多い場合には、カメラ７７によって撮影された画像は暗く写り、ＩＰＡ量が少なくなるほど、すなわち、ウェハＷ上のＩＰＡが超臨界流体に置換されるほど、カメラ７７によって撮影される画像は明るく、白く写る。
　これは、ＣＯ２のみの超臨界流体は光を透過しやすく、ＩＰＡを含む超臨界流体は、ＣＯ２のみの超臨界流体よりも光を透過し難いためである。
　判定部１９Ｃは、カメラ７７によって撮影された画像データの色情報（色相、彩度、明度のうち少なくとも１つ）と、参考画像データの色情報（色相、彩度、明度のうち少なくとも１つ）とを比較し、撮影された画像データの色情報と、参考画像データの色情報との差が所定の閾値よりも大きい場合、ウェハＷ上のＩＰＡが超臨界流体に置換されていないと判定する。判定部１９Ｃは、撮影された画像データの色情報と、参考画像データの色情報との差が所定の閾値以下の場合、ウェハＷ上のＩＰＡが超臨界流体に置換されたと判定する。このようにして、判定部１９Ｃは、超臨界流体の光学情報に基づいて乾燥処理ユニット１７内のＩＰＡの有無を検出する。
　判定部１９Ｃは、乾燥処理が開始されてから完了時間が経過してもウェハＷ上のＩＰＡが超臨界流体に置換されていない場合には、乾燥処理で異常が発生していると判定する。
　出力部１９Ｄは、乾燥処理が開始されてから完了時間が経過してもウェハＷ上のＩＰＡが超臨界流体に置換されていない場合には、警告部７８に警告信号を出力する。
　これにより、警告部７８は、乾燥処理が異常であることを示す警告を行う。警告部７８は、警告灯や、モニタなどであり、乾燥処理が異常である場合、例えば、警告灯が点灯、点滅し、モニタに異常である旨が表示される。
　また、出力部１９Ｄは、乾燥処理が開始されてから完了時間が経過し、ウェハＷ上のＩＰＡが超臨界流体に置換されている場合には、乾燥処理ユニット１７に乾燥処理完了信号を出力する。
＜乾燥処理＞
　次に、第１実施形態に係る基板処理システム１における乾燥処理について図８を参照して説明する。図８は、第１実施形態に係る乾燥処理の処理手順を示すフローチャートである。
　基板処理システム１は、洗浄処理が終了し、液膜が形成されたウェハＷを乾燥処理ユニット１７の本体３１に搬入すると乾燥処理を実行する（Ｓ１０）。乾燥処理が進行するにつれて、ウェハＷ上のＩＰＡが徐々に超臨界流体に置換される。
　基板処理システム１は、乾燥処理を開始してから完了時間が経過するまで（Ｓ１１：Ｎｏ）乾燥処理を継続する。基板処理システム１は、乾燥処理を開始してから完了時間が経過すると（Ｓ１１：Ｙｅｓ）、カメラ７７によって超臨界流体を撮影する（Ｓ１２）。
　基板処理システム１は、撮影によって取得された画像データと、参考画像データとを比較し、超臨界流体によるウェハＷ上のＩＰＡの置換が完了しているかどうか判定する（Ｓ１３）。すなわち、基板処理システム１は、乾燥処理において異常が発生してないかどうか判定する。
　基板処理システム１は、置換が完了し、乾燥処理で異常が発生していない場合（Ｓ１３：Ｙｅｓ）には、本体３１内の圧力を大気圧まで下げて、乾燥処理を完了する（Ｓ１４）。
　基板処理システム１は、置換が完了しておらず、乾燥処理で異常が発生している場合（Ｓ１３：Ｎｏ）には、警告部７８によって乾燥処理で異常が発生していることを警告する（Ｓ１５）。
＜第１実施形態の効果＞
　基板処理システム１は、乾燥処理ユニット１７から排出される超臨界流体を撮影し、撮影によって取得された画像データに基づいて乾燥処理ユニット１７内のＩＰＡ（液体）の有無を検出することができる。
　基板処理システム１は、乾燥処理ユニット１７による乾燥処理を開始し、完了時間が経過するとカメラ７７によって超臨界流体を撮影する。そして、基板処理システム１は、撮影によって取得された画像データと、参考画像データとを比較し、完了時間が経過してもＩＰＡが超臨界流体に置換されておらず、乾燥処理で異常が発生している場合には、警告部７８によって警告を行う。これにより、乾燥処理で異常が発生した場合に、異常の発生を正確に検出し、異常の発生を警告することができる。
　基板処理システム１はカメラ７７によって超臨界流体を撮影することで、ＩＰＡの有無を検出することができる。
　基板処理システム１は、排出ラインＬ２に洗浄液を供給することで、サイトグラス７０の透過窓７２を洗浄する。これにより、サイトグラス７０の透過窓７２に付着した付着物を洗い流すことができ、カメラ７７によって超臨界流体を鮮明に撮影することができ、ＩＰＡの有無を検出することができる。
（第２実施形態）
＜基板処理システム１の構成＞
　次に、第２実施形態に係る基板処理システム１について説明する。第２実施形態に係る基板処理システム１では、超臨界流体の光学情報に基づいてＩＰＡの有無を判定する制御装置４が異なっており、ここでは、制御装置４について説明する。なお、制御装置４の概略構成は第１実施形態と同じであり、図６を参照して説明する。
　指示部１９Ａは、乾燥処理ユニット１７による乾燥処理が開始されると、カメラ７７によって超臨界流体を撮影するようにカメラ７７に撮影指示を出力する。指示部１９Ａは、予め設定された所定間隔で撮影指示を出力する。これにより、カメラ７７は、所定間隔で超臨界流体を撮影する。
　判定部１９Ｃは、所定間隔で取得された画像データと、記憶部２０に記憶された参考画像データとを比較し、ウェハＷ上のＩＰＡが超臨界流体に置換されたかどうか判定する。
　また、判定部１９Ｃは、乾燥処理を開始してから、完了時間が経過したかどうか判定する。
　出力部１９Ｄは、ウェハＷ上のＩＰＡが超臨界流体に置換された場合には、乾燥処理ユニット１７に置換完了指示を出力する。また、出力部１９Ｄは、乾燥処理が開始されてから完了時間が経過してもウェハＷ上のＩＰＡが超臨界流体に置換されていない場合には、警告部７８に警告信号を出力する。
　このように、第２実施形態では、超臨界流体を撮影して取得された画像データに基づいて乾燥処理の進行を判定し、ウェハＷ上のＩＰＡが超臨界流体に置換されたタイミングで乾燥処理を終了する。
＜乾燥処理＞
　次に第２実施形態に係る基板処理システム１における乾燥処理について図９を参照して説明する。図９は、第２実施形態に係る乾燥処理の処理手順を示すフローチャートである。
　基板処理システム１は、洗浄処理が終了し、液膜が形成されたウェハＷを乾燥処理ユニット１７の本体３１に搬入すると乾燥処理を実行する（Ｓ２０）。
　基板処理システム１は、カメラ７７によって超臨界流体を撮影する（Ｓ２１）。基板処理システム１は、撮影によって取得された画像データと、参考画像データとを比較し、超臨界流体によるウェハＷ上のＩＰＡの置換が完了しているかどうか判定する（Ｓ２２）。
　基板処理システム１は、置換が完了している場合（Ｓ２２：Ｙｅｓ）には、本体３１内の圧力を大気圧まで下げて、乾燥処理を完了する（Ｓ２３）。
　基板処理システム１は、置換が完了していない場合（Ｓ２２：Ｎｏ）には、乾燥処理を開始してから完了時間が経過したかどうか判定する（Ｓ２４）。
　基板処理システム１は、完了時間が経過していない場合（Ｓ２４：Ｎｏ）には、乾燥処理を継続する。基板処理システム１は、完了時間が経過した場合（Ｓ２４：Ｙｅｓ）には、警告部７８によって乾燥処理で異常が発生していることを警告する（Ｓ２５）。
＜第２実施形態の効果＞
　基板処理システム１は、カメラ７７によって超臨界流体を撮影し、撮影によって取得された画像データと参考画像データとを比較することで、超臨界流体によるＩＰＡの置換完了を検出する。これにより、ＩＰＡを正確に超臨界流体に置換することができる。また、超臨界流体によるＩＰＡの置換が完了したタイミングで本体３１内の圧力を下げることができ、完了時間の経過前に置換が完了する場合には、乾燥処理を短い時間で完了させることができる。
（変形例）
　上記実施形態では、取得部７５は、カメラ７７によって超臨界流体を撮影し、超臨界流体に対する光学情報を取得したが、例えば、分光光度計によって吸光度を測定し、超臨界流体に対する光学情報を取得してもよい。この場合、判定部１９Ｃは、吸光度に基づいてウェハＷ上のＩＰＡが超臨界流体に置換されたかどうか判定する。また、取得部７５は、超臨界流体による反射光に基づいて超臨界流体に対する光学情報を取得してもよい。
　また、取得部７５は、カメラ７７および分光光度計を有し、判定部１９Ｃは、カメラ７７に撮影されて取得された画像データおよび吸光度に基づいてウェハＷ上のＩＰＡが超臨界流体に置換されたかどうか判定してもよい。
　また、判定部１９Ｃは、機械学習、例えば、ディープラーニングによりウェハＷ上のＩＰＡが超臨界流体に置換された画像データの特徴量を学習し、カメラ７７によって撮影されて取得された画像データからウェハＷ上のＩＰＡが超臨界流体に置換されたかどうか判定してもよい。
　また、上記実施形態では、判定部１９Ｃは、ウェハＷ上のＩＰＡが超臨界流体に置換されたかどうか判定したが、カメラ７７によって撮影することで、液体の有無として、本体３１内が超臨界流体で満たされたかどうか判定してもよい。本体３１内が超臨界流体で満たされた前後で、本体３１内の流体の密度が変わるため、カメラ７７によって撮影された画像は、本体３１内が超臨界流体で満たされる前後で異なる画像となる。
　判定部１９Ｃは、本体３１内が超臨界流体で満たされる前の画像データ（または後の画像データ）を記憶し、記憶した画像データと撮影によって得られた画像データとを比較することで、本体３１内が超臨界流体で満たされかどうか判定してもよい。
　また、乾燥処理ユニット１７に異常が発生した場合には、気泡が発生する場合がある。そのため、カメラ７７によって撮影された画像に気泡が確認された場合には、判定部１９Ｃは、乾燥処理ユニット１７に異常が発生していると判定し、警告部７８によって警告を行ってもよい。
　また、上記実施形態の制御部１９における処理は、統合され、または分離されて行われてもよい。例えば、支持部１９Ａと出力部１９Ｄとを統合して、１つの出力部としてもよい。
　さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
１　　　基板処理システム(基板処理装置)
４　　　制御装置
１６　　洗浄処理ユニット
１７　　乾燥処理ユニット（乾燥処理部）
１９　　制御部
１９Ａ　指示部
１９Ｂ　入力部
１９Ｃ　判定部（検出部）
１９Ｄ　出力部
２０　　記憶部
６３　　洗浄液供給源（洗浄液供給部）
７０　　サイトグラス
７２　　透過窓
７５　　取得部
７７　　カメラ
７８　　警告部
Ｌ１　　供給ライン
Ｌ２　　排出ライン
Ｌ３　　洗浄液供給ライン
Ｌ４　　洗浄液排出ライン

Claims (7)

  1. 　液体により表面が濡れた状態の基板を超臨界流体と接触させて、前記液体を前記超臨界流体と置換することで前記基板の乾燥処理を行う乾燥処理部と、
    　前記乾燥処理部に設けられ前記乾燥処理部から流体を排出する排出ラインと、
    　前記排気ラインに設けられ前記乾燥処理部から排出される前記流体に対する光学情報を取得する取得部と、
    　前記取得部によって取得された前記光学情報に基づいて前記乾燥処理部内の前記液体の有無を検出する検出部とを備える
    　基板処理装置。
  2. 　前記検出部によって検出された前記乾燥処理部内の前記液体の有無が、前記乾燥処理を開始してから所定時間経過しても前記液体が前記超臨界流体に置換されていない状態である場合、警告を行う警告部を備える
    　請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記検出部は、
    　前記光学情報に基づいて前記超臨界流体による前記液体の置換完了を検出し、
    　前記乾燥処理部は、
    　前記検出部によって前記置換完了が検出された場合、前記乾燥処理を終了する
    　請求項１または２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記取得部は、
    　前記乾燥処理部から排出された前記流体を撮影して画像データを取得し、
    　前記検出部は、
    　前記画像データに基づいて前記乾燥処理部内の前記液体の有無を検出する
    　請求項１から３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  5. 　前記取得部は、
    　前記乾燥処理部から排出された前記流体に対する吸光度を測定し、
    　前記検出部は、
    　前記吸光度に基づいて前記乾燥処理部内の前記液体の有無を検出する
    　請求項１から４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  6. 　前記排出ラインに設けられ、前記取得部によって前記光学情報が取得される際に光を透過する透過窓と、
    　前記透過窓を洗浄する洗浄液を前記排出ラインに供給する洗浄液供給部を備える
    　請求項１から５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  7. 　液体により表面が濡れた状態の基板を超臨界流体と接触させて、前記液体を前記超臨界流体と置換することで前記基板を乾燥させる乾燥処理工程と、
    　前記基板を乾燥させる乾燥処理部から流体を排出する排出ラインにおいて、前記乾燥処理部から排出された前記流体に対する光学情報を取得する取得工程と、
    　前記取得工程によって取得された前記光学情報に基づいて前記乾燥処理部内の前記液体の有無を検出する検出工程とを含む
    　基板処理方法。
PCT/JP2018/009797 2017-03-21 2018-03-13 基板処理装置および基板処理方法 WO2018173861A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020197030159A KR102489837B1 (ko) 2017-03-21 2018-03-13 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2019507579A JP6735905B2 (ja) 2017-03-21 2018-03-13 基板処理装置および基板処理方法
CN201880019119.XA CN110462792B (zh) 2017-03-21 2018-03-13 基片处理装置和基片处理方法
US16/495,142 US20200020550A1 (en) 2017-03-21 2018-03-13 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017054128 2017-03-21
JP2017-054128 2017-03-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018173861A1 true WO2018173861A1 (ja) 2018-09-27

Family

ID=63585526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/009797 WO2018173861A1 (ja) 2017-03-21 2018-03-13 基板処理装置および基板処理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20200020550A1 (ja)
JP (1) JP6735905B2 (ja)
KR (1) KR102489837B1 (ja)
CN (1) CN110462792B (ja)
WO (1) WO2018173861A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020061404A (ja) * 2018-10-05 2020-04-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR20220031500A (ko) 2020-09-04 2022-03-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2022163313A1 (ja) * 2021-01-28 2022-08-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 置換終了時の判定方法、基板処理方法および基板処理装置
KR20220129467A (ko) 2021-03-16 2022-09-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI812465B (zh) * 2021-09-14 2023-08-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102606809B1 (ko) * 2021-10-08 2023-11-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 농도 측정 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007027696A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Tokyo Electron Ltd 超臨界流体処理のためのインラインメトロロジー
JP2008500743A (ja) * 2004-05-21 2008-01-10 バッテル メモリアル インスティチュート 付着材料を除去するための反応性流体システムおよびそれを使用するための方法
JP2012009705A (ja) * 2010-06-25 2012-01-12 Tokyo Electron Ltd 高温、高圧処理方法及び高温、高圧処理装置並びに記憶媒体

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4320924B2 (ja) * 1999-06-15 2009-08-26 東京エレクトロン株式会社 パーティクル計測装置及び処理装置
TWI238680B (en) * 2002-09-30 2005-08-21 Tokyo Electron Ltd Plasma processing system and method
CN100481308C (zh) * 2002-09-30 2009-04-22 东京毅力科创株式会社 采用具有等离子体处理系统的光学系统的装置和方法
KR20060018639A (ko) * 2004-08-25 2006-03-02 삼성전자주식회사 웨이퍼의 건조 설비
JP2007273827A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Tokyo Electron Ltd リフロー方法、パターン形成方法および液晶表示装置用ｔｆｔ素子の製造方法
JP2009064945A (ja) 2007-09-06 2009-03-26 Espec Corp 洗浄乾燥装置及び洗浄乾燥方法
JP5494146B2 (ja) * 2010-04-05 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2012049446A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Toshiba Corp 超臨界乾燥方法及び超臨界乾燥システム
JP5522124B2 (ja) 2011-06-28 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP5544666B2 (ja) * 2011-06-30 2014-07-09 セメス株式会社 基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008500743A (ja) * 2004-05-21 2008-01-10 バッテル メモリアル インスティチュート 付着材料を除去するための反応性流体システムおよびそれを使用するための方法
JP2007027696A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Tokyo Electron Ltd 超臨界流体処理のためのインラインメトロロジー
JP2012009705A (ja) * 2010-06-25 2012-01-12 Tokyo Electron Ltd 高温、高圧処理方法及び高温、高圧処理装置並びに記憶媒体

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020061404A (ja) * 2018-10-05 2020-04-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7179568B2 (ja) 2018-10-05 2022-11-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US11646212B2 (en) 2018-10-05 2023-05-09 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treatment device
KR20220031500A (ko) 2020-09-04 2022-03-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2022163313A1 (ja) * 2021-01-28 2022-08-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 置換終了時の判定方法、基板処理方法および基板処理装置
TWI821879B (zh) * 2021-01-28 2023-11-11 日商斯庫林集團股份有限公司 置換結束時間點的判定方法、基板處理方法以及基板處理裝置
KR20220129467A (ko) 2021-03-16 2022-09-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11901197B2 (en) 2021-03-16 2024-02-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI812465B (zh) * 2021-09-14 2023-08-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102489837B1 (ko) 2023-01-18
CN110462792A (zh) 2019-11-15
JP6735905B2 (ja) 2020-08-05
CN110462792B (zh) 2023-05-16
US20200020550A1 (en) 2020-01-16
KR20190126140A (ko) 2019-11-08
JPWO2018173861A1 (ja) 2020-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018173861A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6359925B2 (ja) 基板処理装置
JP6876417B2 (ja) 基板処理装置の洗浄方法および基板処理装置の洗浄システム
JP7142535B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US11515142B2 (en) Method of cleaning substrate processing apparatus, and substrate processing system
JP2018082043A (ja) 基板処理装置
US20180096863A1 (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium
KR20180101230A (ko) 기판 처리 장치
KR102658594B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP6836939B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20230173643A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102521416B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102482206B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102456832B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6840001B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2018121088A (ja) 基板処理装置
JP2003234319A (ja) ウエーハ洗浄処理槽のウエーハ検知装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18771665

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019507579

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197030159

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18771665

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1