CN110462792A - 基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents

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Abstract

实施方式的基片处理装置(1)包括干燥处理部(17)、排出通路(L2)、获取部(75)和检测部(19C)。干燥处理部(17)使表面被液体润湿了的状态的基片与超临界流体接触，将液体置换为超临界流体来进行基片的干燥处理。排出通路(L2)设置在干燥处理部(17)，用于从干燥处理部(17)排出流体。获取部(75)设置在排出通路(L2)，获取从干燥处理部(17)排出的流体的光学信息。检测部(19C)基于由获取部(75)获取的光学信息来检测干燥处理部(17)内有无液体。

Description

基片处理装置和基片处理方法
技术领域
本发明的实施方式涉及基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
一直以来，已知有一种基片处理装置，其在基片的表面形成防干燥用的液膜，使形成了液膜的基片与超临界流体接触而将形成液膜的液体置换为超临界流体，从而进行干燥处理(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-12538号公报。
发明内容
发明要解决的技术问题
然而，在上述基片处理装置中，在检测进行干燥处理的干燥处理部内的基片表面的液体是否消失并使干燥处理恰当地结束这一方面，尚有改善的余地。
实施方式的一方式的目的在于，提供一种检测进行干燥处理的干燥处理部内有无液体的基片处理装置和基片处理方法。
用于解决技术问题的技术手段
实施方式的一方式的基片处理装置包括干燥处理部、排出通路、获取部和检测部。干燥处理部使表面被液体润湿了的状态的基片与超临界流体接触，将液体置换为超临界流体来进行基片的干燥处理。排出通路设置在干燥处理部，用于从干燥处理部排出流体。获取部设置在排出通路，获取从干燥处理部排出的流体的光学信息。检测部基于由获取部获取的光学信息来检测干燥处理部内有无液体。
发明效果
依照实施方式的一方式，能够检测干燥处理部内有无液体。
附图说明
图1是表示第一实施方式的基片处理系统的概略结构的图。
图2是表示清洗处理单元的结构的截面图。
图3是表示干燥处理单元的结构的外观立体图。
图4是表示干燥处理单元的系统整体的结构例的图。
图5是表示窥镜的结构的截面图。
图6是表示判断有无液体的控制装置的概略结构的框图。
图7是示意性地表示由摄像机拍摄的超临界流体的图像的图。
图8是表示第一实施方式的干燥处理的处理顺序的流程图。
图9是表示第二实施方式的干燥处理的处理顺序的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本申请公开的基片处理装置和基片处理方法的实施方式进行详细的说明。此外，本发明并不由以下所示的实施方式限定。
(第一实施方式)
＜基片处理系统1的概要＞
参照图1，对第一实施方式的基片处理系统1的概略结构进行说明。图1是表示第一实施方式的基片处理系统1的概略结构的图。以下，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，将Z轴正方向设为铅垂方向的上方向。
基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2与处理站3相邻设置。
送入送出站2包括承载器载置部11和输送部12。在承载器载置部11载置用于将多片半导体晶片W(以下，称为晶片W。)以水平状态收纳的多个承载器C。
输送部12与承载器载置部11相邻设置，在内部设有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13包括保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置13能够在水平方向和铅垂方向移动并且能够以铅垂轴为中心转动，使用晶片保持机构在承载器C与交接部14之间进行晶片W的输送。
处理站3与输送部12相邻设置。处理站3包括输送部15、多个清洗处理单元16和多个干燥处理单元17。多个清洗处理单元16和多个干燥处理单元17排列地设置在输送部15的两侧。此外，图1所示的清洗处理单元16和干燥处理单元17的配置和个数为一个例子，并不限于图示的情况。
输送部15在内部设有基片输送装置18。基片输送装置18包括保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置18能够在水平方向和铅垂方向移动并且能够以铅垂轴为中心转动，使用晶片保持机构在交接部14、清洗处理单元16和干燥处理单元17之间进行晶片W的输送。
清洗处理单元16对由基片输送装置18输送的晶片W进行规定的清洗处理。
参照图2对清洗处理单元16进行说明。图2是表示清洗处理单元16的结构的截面图。清洗处理单元16构成为例如通过旋转清洗对晶片W逐片地进行清洗的单片式的清洗处理单元。
清洗处理单元16中，由配置于在处理空间形成的外腔室23内的晶片保持机构25将晶片W保持为大致水平，使该晶片保持机构25绕铅垂轴旋转以使晶片W旋转。而且，清洗处理单元16中，使喷嘴臂26进入旋转的晶片W的上方，从设置于喷嘴臂26的前端部的药液喷嘴26a按预先规定的顺序供给药液或冲洗，从而进行晶片W的正面的清洗处理。
另外，在清洗处理单元16，在晶片保持机构25的内部也形成有药液供给路径25a。而且，利用从药液供给路径25a供给来的药液或冲洗液，对晶片W的背面进行清洗。
上述的晶片W的清洗处理中，例如，首先利用作为碱性药液的SC1液(氨气与过氧化氢水溶液的混合液)来除去颗粒或有机性的污染物质，接着利用作为冲洗液的去离子水(DeIonized Water：以下，称为DIW。)进行冲洗。接着，利用作为酸性药液的稀氟酸水溶液(Diluted Hydro Fluoric acid)来除去自然酸化膜，接着，利用DIW进行冲洗。
上述的各种药液由外腔室23和配置在外腔室23内的内杯24承接，从设置在外腔室23的底部的排液口23a或设置在内杯24的底部的排液口24a排出。而且，外腔室23内的气氛从设置在外腔室23的底部的排气口23b排出。
在上述的晶片W的冲洗处理后，一边使晶片保持机构25旋转，一边对晶片W的正面和背面供给IPA液体，将残留于晶片W的两面的DIW置换。然后，缓缓使晶片保持机构25停止旋转。
这样一来，结束了清洗处理的晶片W在其表面形成IPA液体的液膜。形成了液膜的晶片W由设置于晶片保持机构25的未图示的交接机构交接到基片输送装置18，从清洗处理单元16送出。
形成于晶片W的表面的液膜在从清洗处理单元16向干燥处理单元17输送晶片W的期间或向干燥处理单元17的送入动作期间，防止由于晶片W表面的液体蒸发(气化)而发生图案毁坏，作为防干燥用的液体发挥作用。
回到图1，干燥处理单元17对由清洗处理单元16清洗处理后的晶片W使用超临界流体进行干燥处理。在干燥处理中，通过使晶片W的IPA液体与CO2的超临界流体接触，使IPA液体溶解于超临界流体中而除去IPA液体。由此，使晶片W干燥。
参照图3对干燥处理单元17进行说明。图3使表示干燥处理单元17的结构的外观立体图。
干燥处理单元17包括主体31、保持板32和盖部件33。在框体状的主体31形成用于送入送出晶片W的开口部34。保持板32将处理对象的晶片W保持为水平方向。盖部件33支承保持板32，并且在将晶片W送入主体31内时将开口部34密闭。
主体31在内部形成有能够收纳晶片W的处理空间，在其壁部设置有供给端口35A、35B和排出端口36。供给端口35A、35B与用于使超临界流体流通的供给通路L1(参照图4)连接。排出端口36与用于将超临界流体排出的排出通路L2(参照图4)连接。
供给端口35A与框体状的主体31的与开口部34相反一侧的侧面连接。另外，供给端口35B与主体31的底面连接。而且，排出端口36与开口部34的下方侧连接。此外，在图3中图示了2个供给端口35A、35B和1个排出端口36，不过供给端口35A、35B和排出端口36的数量没有特殊限制。
另外，在主体31的内部设置有流体供给头37A、37B和流体排出头38。流体供给头37A、37B和流体排出头38均形成有多个开孔。
流体供给头37A与供给端口35A连接，在框体状的主体31内部，与开口部34的相反侧的侧面相邻地设置。另外，形成在流体供给头37A的多个开孔朝向开口部34侧。
流体供给头37B与供给端口35B连接，设置在框体状的主体31内部的底面的中央部。另外，形成在流体供给头37B的多个开孔朝向上方。
流体排出头38与排出端口36连接，在框体状的主体31内部与开口部34侧的侧面相邻并且设置在比开口部34靠下方处。另外，形成在流体排出头38的多个开孔朝向流体供给头37A侧。
流体供给头37A、37B将超临界流体供给到主体31内。另外，流体排出头38将主体31内的超临界流体引导到主体31的外部而将其排出。此外，经由流体排出头38被排出到主体31的外部的超临界流体中，含有从晶片W的表面溶解的超临界流体中的IPA液体。
干燥处理单元17还包括未图示的推压机构。推压机构具有如下功能，也就是，对抗由被供给到主体31内部的处理空间内的超临界状态的超临界流体导致的内压，向主体31推压盖部件33，以密闭处理空间。另外，也可以在主体31的表面设置隔热部件或者带式加热器等，以将被供给到处理空间内的超临界流体保持为规定的温度。
接着，参照图4，对干燥处理单元17的系统整体的结构进行说明。图4是表示干燥处理单元17的系统整体的结构例的图。
在干燥处理单元17的系统整体中，在比干燥处理单元17靠上游侧处设置有流体供给源51。另外，将流体供给源51与干燥处理单元17连接，在干燥处理单元17中设置有用于使超临界流体流通的供给通路L1。从流体供给源51对供给通路L1供给超临界流体。在流体供给源51储存有用于产生例如CO2的超临界流体的原料CO2。
另外，在供给通路L1从上游侧向下游侧依次设置有阀52a、节流孔55a、过滤器57和阀52b。此外，此处所称的上游侧和下游侧的用语以供给通路L1和排出通路L2中的超临界流体的流动方向为基准。
阀52a是调节来自流体供给源51的超临界流体的供给的开启(ON)和关闭(OFF)的阀，在打开状态下超临界流体流向下游侧的供给通路L1，在关闭状态下超临界流体不流向下游侧的供给通路L1。例如，当阀52a为打开状态时，16～20MPa程度的高压的超临界流体从流体供给源51经由阀52a被供给到供给通路L1。
节流孔55a具有调节从流体供给源51供给的超临界流体的压力的功能。节流孔55a例如能够使将压力调节成16MPa程度的超临界流体流向比节流孔55a靠下游侧的供给通路L1。
过滤器57去除从节流孔55a送来的超临界流体所含的异物，使干净的超临界流体流向下游侧。
阀52b是调节向干燥处理单元17的超临界流体的供给的开启和关闭的阀。从阀52b连接到干燥处理单元17的供给通路L1，与图3所示的供给端口35A连接，流过阀52b的超临界流体经由供给端口35A和流体供给头37A被供给到主体31内部。
此外，在图4所示的干燥处理单元17的系统整体中，在过滤器57与阀52b之间供给通路L1分支。具体而言，经由阀52c和节流孔55b而与干燥处理单元17连接的供给通路L1以及经由阀52d和止逆阀58a而与吹扫装置62连接的供给通路L1，从过滤器57与阀52b之间的供给通路L1分支出来并延伸。
经由阀52c和节流孔55b与干燥处理单元17连接的供给通路L1是用于向干燥处理单元17供给超临界流体的辅助性的流路。作为辅助性的流路的供给通路L1与图3所示的供给端口35B连接，流过阀52c的超临界流体经由供给端口35B和流体供给头37B被供给到主体31内部。
经由阀52d和止逆阀58a与吹扫装置62连接的供给通路L1是用于将氮气等非活性气体供给到干燥处理单元17的流路，例如在从流体供给源51对干燥处理单元17的超临界流体的供给停止的期间利用。
例如，在干燥处理单元17被非活性气体充满而保持清洁的状态的情况下，将阀52d和阀52b控制为打开状态，将从吹扫装置62送到供给通路L1的非活性气体经由止逆阀58a、阀52d和阀52b供给到干燥处理单元17。
在干燥处理单元17的系统整体中，在比干燥处理单元17靠下游侧处设置有从干燥处理单元17将超临界流体排出的排出通路L2。
在排出通路L2从上游侧向下游侧依次设置有切换阀52i、窥镜70、切换阀52j、阀52e、排气调节阀59和阀52f。排出通路L2与排出端口36连接，干燥处理单元17的主体31内部的超临界流体经由图3所示的流体排出头38和排出端口36被送往阀52e。
窥镜70如图5所示，包括管部71、一对透射窗72和支承透射窗72并将透射窗72安装在管部71的一对框架73。图5是表示窥镜70的结构的截面图。管部71与排出通路L2连通。一对透射窗72彼此相对地配置。此外，也可以为管部71与排出通路L2形成为一体。
在窥镜70的外侧，配置获取从干燥处理单元17排出的超临界流体的光学信息的获取部75。
获取部75包括光源76和摄像机77。光源76从一个透射窗72的外侧向管部71内照射光。摄像机77是具有COMS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)或CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合器件)等拍摄元件的摄像机。摄像机77从另一个透射窗72拍摄管部71内。摄像机77拍摄从干燥处理单元17排出的超临界流体。通过拍摄而获取的图像数据被输出到控制部19。
此外，窥镜70和获取部75也可以设置在例如比阀52e靠下游侧的排出通路L2。
回到图4，切换阀52i是对在窥镜70中流通的流体进行切换的阀是三通阀。切换阀52i在干燥处理时使超临界流体从干燥处理单元17向窥镜70流通，在清洗时使IPA或DIW等清洗液经由清洗液供给通路L3从清洗液供给源63向窥镜70流通。
切换阀52j是对在窥镜70中流通的流体的流通方向(排出方向)进行切换的阀，是三通阀。切换阀52j在干燥处理时使超临界流体从窥镜70向比切换阀52j靠下游侧的排出通路L2流通，在清洗时使清洗液从窥镜70向排出清洗液的清洗液排出通路L4。此外，切换阀52i和切换阀52j也可以为将2个阀组合而构成。例如，也可以在比清洗液供给通路L3和清洗液供给通路L3合流的部位靠上游侧的排出通路L2分别设置有阀。
阀52e是调节从干燥处理单元17排出超临界流体的开启和关闭的阀。在从干燥处理单元17排出超临界流体的情况下，将阀52e控制为打开状态，在从干燥处理单元17不排出超临界流体的情况下，将阀52e控制为关闭状态。
排气调节阀59是调节超临界流体从干燥处理单元17排出的排出量的阀，能够由例如背压阀构成。根据来自主体31内部的所希望的超临界流体的排出量，在控制装置4的控制下适当地调节排气调节阀59的开度。
阀52f是调节从干燥处理单元17向外部排出超临界流体的开启和关闭的阀。在将超临界流体排出到外部的情况下，将阀52f控制为打开状态，在不排出超临界流体的情况下，将阀52f控制为关闭状态。此外，在阀52f的下游侧设置有排气调节针形阀61a和止逆阀58b。
排气调节针形阀61a是调节经由阀52f送出的超临界流体向外部的排出量的阀，根据超临界流体的所希望的排出量调节排气调节针形阀61a的开度。止逆阀58b是防止排出的超临界流体的逆流的阀，具有将超临界流体可靠地排出到外部的功能。
此外，在图4所示的干燥处理单元17中，在排气调节阀59与阀52f之间排出通路L2分支。具体而言，经由阀52g与外部连接的排出通路L2和经由阀52h与外部连接的排出通路L2，从排气调节阀59与阀52f之间的排出通路L2分支而延伸。
阀52g和阀52h与阀52f同样，是调节超临界流体向外部排出的开启和关闭的阀。在阀52g的下游侧设置有排气调节针形阀61b和止逆阀58c，进行超临界流体的排出量的调节和防止超临界流体的逆流。在阀52h的下游侧设置有止逆阀58d，防止超临界流体的逆流。
而且，在从干燥处理单元17排出超临界流体的情况下，将阀52f、阀52g和阀52h中一个以上的阀控制为打开状态。此处，在干燥处理单元17的系统整体中，经由多个阀(阀52f、52g、52h)向外部排出超临界流体，由此能够精细地控制超临界流体向外部排出量。
另外，在上述的供给通路L1和排出通路L2的各个部位，设置有检测超临界流体的压力的压力传感器和检测超临界流体的温度的温度传感器。在图4所示的例中，在阀52a与节流孔55a之间设置有压力传感器53a和温度传感器54a，在节流孔55a与过滤器57之间设置有压力传感器53b和温度传感器54b。
另外，在过滤器57与阀52b之间设置有压力传感器53c，在阀52b与干燥处理单元17之间设置有温度传感器54c，在节流孔55b与干燥处理单元17之间设置有温度传感器54d，在干燥处理单元17设置有温度传感器54e。
而且，在干燥处理单元17与阀52e之间设置有压力传感器53d和温度传感器54f，在排气调节阀59与阀52f之间设置有压力传感器53e和温度传感器54g。
另外，在干燥处理单元17中超临界流体流动的任意部位设置有加热器H。在图4所示的例中，在作为供给通路L1的阀52a与节流孔55a之间、节流孔55a与过滤器57之间、过滤器57与阀52b之间、以及阀52b与干燥处理单元17之间设置有加热器H。
另一方面，也可以在干燥处理单元17和包含排出通路L2的其他部位设置有加热器H。即，也可以在从流体供给源51供给的超临界流体被排出到外部为止的整个流路中设置有加热器H。
在上述的干燥处理单元17的系统中，经由供给通路L1将超临界流体供给到干燥处理单元17的主体31，使主体31内部成为超临界状态。然后，由排出通路L2将超临界流体排出，并且供给超临界流体以将主体31内部维持为超临界状态，用超临界流体逐渐置换晶片W上的IPA。
回到图1，基片处理系统1具有控制装置4。控制装置4为例如计算机，具有控制部19和存储部20。
存储部20由例如RAM(Random Access Memory)、闪存(Flash Memory)等半导体存储元件或者硬盘、光盘等存储装置实现。
控制部19包括具有CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM、输入输出口等的微型计算机和各种电路。通过微型计算机读取并执行存储于CPU、ROM的程序，来实现基片输送装置13、18或清洗处理单元16、干燥处理单元17等控制。另外，控制部19接收各传感器的计测结果，基于计测结果输出控制各阀的指示信号。
此外，程序存储于计算机可读取的存储介质中，也可以从该存储介质安装到控制装置4的存储部20。作为计算机可读取的存储介质，有例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
此处，参照图6，说明基于超临界流体的光学信息来判断有无IPA(液体)的控制装置4的结构。图6是表示判断有无IPA的控制装置4的概略结构的框图。控制部19包括指示部19A、输入部19B、判断部19C和输出部19D。
指示部19A在开始基于干燥处理单元17的干燥处理后经过完成时间后，对摄像机77输出拍摄指示以拍摄超临界流体。完成时间是预先设定的时间，通常，是将晶片W上的IPA置换为超临界流体为止的时间。
输入部19B输入由摄像机77获取的超临界流体的图像数据。
判断部19C比较所获取的图像数据和存储于存储部20的参考图像数据，判断晶片W上的IPA是否被置换为超临界流体。参考图像数据是不包含IPA的超临界流体的图像数据。
此处，参照图7，说明超临界流体所含的IPA量与由摄像机77拍摄的超临界流体的图像的关系。图7是示意性地表示由摄像机77拍摄的超临界流体的图像的图。
在超临界流体所含的IPA量较多的情况下，由摄像机77拍摄的图像被照得较暗，如果IPA量越少，即晶片W上的IPA越多地被置换成超临界流体，则由摄像机77拍摄的图像越明亮，被照得越白。
这是由于，仅含有CO2的超临界流体容易透射光，含有IPA的超临界流体与仅含有CO2的超临界流体相比难以透射光。
判断部19C比较由摄像机77拍摄的图像数据的色信息(色调、饱和度、明度中至少任一者)与参考图像数据的色信息(色调、饱和度、明度中至少任一者)，在所拍摄的图像数据的颜色信息与参考图像数据的颜色信息之差大于规定的阈值的情况下，判断为晶片W上的IPA没有被置换为超临界流体。判断部19C在所拍摄的图像数据的颜色信息与参考图像数据的颜色信息之差为规定的阈值以下的情况下，判断为晶片W上的IPA被置换为超临界流体。这样一来，判断部19C基于超临界流体的光学信息来检测干燥处理单元17内有无IPA。
判断部19C在开始干燥处理后经过完成时间后晶片W上的IPA也没有被置换为超临界流体的情况下，判断为在干燥处理中发生了异常。
输出部19D在开始干燥处理后经过完成时间后晶片W上的IPA也没有被置换为超临界流体的情况下，对报警部78输出报警信号。
由此，报警部78进行表示干燥处理异常的报警。报警部78为报警灯或者监视器等，在干燥处理异常的情况下，例如，报警灯点亮、熄灭，在监视器显示出表示异常的信息。
另外，输出部19D在开始干燥处理后经过完成时间后晶片W上的IPA被置换为超临界流体的情况下，对干燥处理单元17输出干燥处理完成信号。
＜干燥处理＞
接着，参照图8，对第一实施方式的基片处理系统1中的干燥处理进行说明。图8是表示第一实施方式的干燥处理的处理顺序的流程图。
基片处理系统1在清洗处理结束，将形成了液膜的晶片W送入干燥处理单元17的主体31时执行干燥处理(S10)。随着干燥处理的进行，晶片W上的IPA逐渐被置换为超临界流体。
基片处理系统1从开始干燥处理至经过完成时间为止(S11：否)持续进行干燥处理。基片处理系统1从开始干燥处理至经过完成时间时(S11：是)，由摄像机77拍摄超临界流体(S12)。
基片处理系统1比较由拍摄获取的图像数据与参考图像数据，判断基于超临界流体的晶片W上的IPA的置换是否完成(S13)。即，基片处理系统1判断在干燥处理中是否没有发生异常。
基片处理系统1在置换完成且在干燥处理中没有发生异常的情况下(S13：是)，将主体31内的压力降至大气压压，完成干燥处理(S14)。
基片处理系统1无论置换是否完成，在干燥处理中发生了异常的情况下(S13：否)，由报警部78报警在干燥处理中发生了异常(S15)。
＜第一实施方式的效果＞
基片处理系统1能够拍摄从干燥处理单元17排出的超临界流体，基于通过拍摄而获取的图像数据来检测干燥处理单元17内有无IPA(液体)。
基片处理系统1开始由干燥处理单元17进行干燥处理，当经过完成时间时由摄像机77拍摄超临界流体。然后，基片处理系统1比较通过拍摄而获取的图像数据与参考图像数据，在不论经过完成时间后IPA是否被置换为超临界流体，都在干燥处理中发生了异常的情况下，由报警部78进行报警。由此，在干燥处理发生了异常的情况下，能够正确地检测异常的发生，报知异常的发生。
基片处理系统1能够由摄像机77拍摄超临界流体，从而检测有无IPA。
基片处理系统1通过对排出通路L2供给清洗液，来清洗窥镜70的透射窗72。由此，能够洗去附着于窥镜70的透射窗72附着物，能够用摄像机77清晰地拍摄超临界流体，能够检测有无IPA。
(第二实施方式)
＜基片处理系统1的结构＞
接着，对第二实施方式的基片处理系统1进行说明。在第二实施方式的基片处理系统1中，与基于超临界流体的光学信息来判断有无IPA的控制装置4不同，此处对控制装置4进行说明。此外，控制装置4的概略结构与第一实施方式相同，参照图6进行说明。
指示部19A在开始由干燥处理单元17进行干燥处理时，对摄像机77输出拍摄指示，使摄像机77拍摄超临界流体。指示部19A按预先设定的规定间隔输出拍摄指示。由此，摄像机77按规定间隔拍摄超临界流体。
判断部19C比较按规定间隔获取的图像数据与存储于存储部20的参考图像数据，判断晶片W上的IPA是否被置换为超临界流体。
另外，判断部19C判断开始干燥处理后是否经过了完成时间。
输出部19D在晶片W上的IPA被置换为超临界流体的情况下，对干燥处理单元17输出置换完成指示。另外，输出部19D在开始干燥处理后经过完成时间后晶片W上的IPA也没有被置换为超临界流体的情况下，对报警部78输出报警信号。
这样一来，在第二实施方式中，基于拍摄超临界流体而获取的图像数据来判断干燥处理的进程，在晶片W上的IPA被置换为超临界流体的时刻结束干燥处。
＜干燥处理＞
接着，参照图9，对第二实施方式的基片处理系统1中的干燥处理进行说明。图9是表示第二实施方式的干燥处理的处理顺序的流程图。
基片处理系统1在清洗处理结束，将形成了液膜的晶片W送入干燥处理单元17的主体31时执行干燥处理(S20)。
基片处理系统1由摄像机77拍摄超临界流体(S21)。基片处理系统1比较由拍摄获取的图像数据与参考图像数据，判断基于超临界流体的晶片W上的IPA的置换是否完成(S22)。
基片处理系统1在置换完成了的情况下(S22：是)，将主体31内的压力降至大气压压，完成干燥处理(S23)。
基片处理系统1在置换完成了的情况下(S22：否)，判断开始干燥处理后是否经过了完成时间(S24)。
基片处理系统1在没有经过完成时间的情况下(S24：否)，继续进行干燥处理。基片处理系统1在经过了完成时间的情况下(S24：是)，由报警部78报警在干燥处理中发生了异常(S25)。
＜第二实施方式的效果＞
基片处理系统1由摄像机77拍摄超临界流体，比较通过拍摄获取的图像数据与参考图像数据，从而检测超临界流体对IPA的置换是否完成。由此，能够将IPA准确地置换为超临界流体。另外，能够在超临界流体对IPA的置换完成了的时刻使主体31内的压力下降，从而在经过完成时间前置换完成了的情况下，能够以短的时间完成干燥处理。
(变形例)
在上述实施方式中，获取部75用摄像机77拍摄超临界流体，获取了超临界流体的光学信息，不过也可以例如由分光光度计测量吸光度，获取对超临界流体的光学信息。该情况下，判断部19C基于吸光度来判断晶片W上的IPA是否被置换为超临界流体。此外，也可以为获取部75基于被超临界流体反射的反射光来获取对超临界流体的光学信息。
另外，也可以为获取部75具有摄像机77和分光光度计，判断部19C基于摄像机77拍摄而获取的图像数据和吸光度，判断晶片W上的IPA是否被置换为超临界流体。
另外，也可以为判断部19C通过机器学习例如深度学习，来学习将晶片W上的IPA置换为超临界流体的图像数据的特征量，根据由摄像机77拍摄而获取的图像数据来判断晶片W上的IPA是否被置换为超临界流体。
另外，在上述实施方式中，判断部19C判断晶片W上的IPA是否被置换为超临界流体，但是也可以为用摄像机77进行拍摄，来判断主体31内是否被超临界流体充满，作为液体的有无情况。由于在主体31内被超临界流体充满的前后，主体31内的流体的密度会变化，因此用摄像机77拍摄的图像在主体31内被超临界流体充满的前后成为不同的图像。
也可以为判断部19C存储主体31内被超临界流体充满前的图像数据(或者充满后的图像数据)，比较存储的图像数据与通过拍摄得到的图像数据，判断主体31内是否被超临界流体充满。
另外，在干燥处理单元17中发生了异常的情况下，存在产生气泡的情况。因此，也可以为在由摄像机77拍摄的图像中确认了气泡的情况下，判断部19C判断为干燥处理单元17中发生了异常，使报警部78进行报警。
另外，也可以为统一或者分离地执行上述实施方式的控制部19中的处理。例如，可以为将支承部19A和输出部19D统一作为一个输出部。
进一步的效果和变形例对于本领域技术人员来说能够容易地导出。因此，本发明的更广范围的方式不限于如以上那样表示并记述的特定的详细内容和代表性的实施方式。因此，在不超出由所附的权利要求的范围及其等同物所定义的总体的发明的概念的精神或者范围的情况下，能够进行各种改变。
附图标记说明
1 基片处理系统(基片处理装置)
4 控制装置
16 清洗处理单元
17 干燥处理单元(干燥处理部)
19 控制部
19A 指示部
19B 输入部
19C 判断部(检测部)
19D 输出部
20 存储部
63 清洗液供给源(清洗液供给部)
70 窥镜
72 透射窗
75 获取部
77 摄像机
78 报警部
L1 供给通路
L2 排出通路
L3 清洗液供给通路
L4 清洗液排出通路。

Claims (7)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
干燥处理部，其使表面被液体润湿了的状态的基片与超临界流体接触，将所述液体置换为所述超临界流体来进行所述基片的干燥处理；
排出通路，其设置在所述干燥处理部，用于从所述干燥处理部排出流体；
获取部，其设置在所述排出通路，获取从所述干燥处理部排出的所述流体的光学信息；和
检测部，其基于由所述获取部获取的所述光学信息来检测所述干燥处理部内有无所述液体。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
包括报警部，其在由所述检测部检测出的所述干燥处理部内有无所述液体的结果是，开始所述干燥处理后经过规定时间所述液体也没有被置换为所述超临界流体的状态的情况下，进行报警。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述检测部基于所述光学信息来检测所述超临界流体对所述液体的置换是否完成，
所述干燥处理部在由所述检测部检测为所述置换完成了的情况下，结束所述干燥处理。
4.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述获取部拍摄从所述干燥处理部排出的所述流体来获取图像数据，
所述检测部基于所述图像数据来检测所述干燥处理部内有无所述液体。
5.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述获取部测量从所述干燥处理部排出的所述流体的吸光度，
所述检测部基于所述吸光度来检测所述干燥处理部内有无所述液体。
6.如权利要求1至5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，包括：
透射窗，其设置在所述排出通路，在所述获取部获取所述光学信息时使光透射；和
清洗液供给部，其将用于清洗所述透射窗的清洗液供给到所述排出通路。
7.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
干燥处理步骤，使表面被液体润湿了的状态的基片与超临界流体接触，将所述液体置换为所述超临界流体来使所述基片干燥；
获取步骤，在用于从干燥处理部排出流体的排出通路中，获取从所述干燥处理部排出的所述流体的光学信息，其中，所述干燥处理部使所述基片干燥；和
检测步骤，其基于由所述获取步骤获取的所述光学信息来检测所述干燥处理部内有无所述液体。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7179568B2 (ja) 2018-10-05 2022-11-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2022043882A (ja) 2020-09-04 2022-03-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法
JP2022115405A (ja) * 2021-01-28 2022-08-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 置換終了時の判定方法、基板処理方法および基板処理装置
KR20220129467A (ko) 2021-03-16 2022-09-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230036647A (ko) * 2021-09-08 2023-03-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
JP2023042255A (ja) * 2021-09-14 2023-03-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102606809B1 (ko) * 2021-10-08 2023-11-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 농도 측정 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007027696A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Tokyo Electron Ltd 超臨界流体処理のためのインラインメトロロジー
CN1961410A (zh) * 2004-05-21 2007-05-09 巴特尔纪念研究院 用于去除沉积材料的反应流体系统和使用该系统的方法
JP2012009705A (ja) * 2010-06-25 2012-01-12 Tokyo Electron Ltd 高温、高圧処理方法及び高温、高圧処理装置並びに記憶媒体
CN102386052A (zh) * 2010-08-30 2012-03-21 株式会社东芝 超临界干燥方法以及超临界干燥系统

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4320924B2 (ja) * 1999-06-15 2009-08-26 東京エレクトロン株式会社 パーティクル計測装置及び処理装置
TWI238680B (en) * 2002-09-30 2005-08-21 Tokyo Electron Ltd Plasma processing system and method
JP2006501620A (ja) * 2002-09-30 2006-01-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システムとともに光学系を使用するための装置及び方法
KR20060018639A (ko) * 2004-08-25 2006-03-02 삼성전자주식회사 웨이퍼의 건조 설비
JP2007273827A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Tokyo Electron Ltd リフロー方法、パターン形成方法および液晶表示装置用ｔｆｔ素子の製造方法
JP2009064945A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Espec Corp 洗浄乾燥装置及び洗浄乾燥方法
JP5494146B2 (ja) * 2010-04-05 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5522124B2 (ja) 2011-06-28 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP5544666B2 (ja) * 2011-06-30 2014-07-09 セメス株式会社 基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1961410A (zh) * 2004-05-21 2007-05-09 巴特尔纪念研究院 用于去除沉积材料的反应流体系统和使用该系统的方法
JP2007027696A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Tokyo Electron Ltd 超臨界流体処理のためのインラインメトロロジー
JP2012009705A (ja) * 2010-06-25 2012-01-12 Tokyo Electron Ltd 高温、高圧処理方法及び高温、高圧処理装置並びに記憶媒体
CN102386052A (zh) * 2010-08-30 2012-03-21 株式会社东芝 超临界干燥方法以及超临界干燥系统

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