CN117772720A - 一种冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构及方法 - Google Patents
一种冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117772720A CN117772720A CN202311811882.5A CN202311811882A CN117772720A CN 117772720 A CN117772720 A CN 117772720A CN 202311811882 A CN202311811882 A CN 202311811882A CN 117772720 A CN117772720 A CN 117772720A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer cleaning
- hot water
- valve
- wafer
- pipeline
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 216
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 86
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 78
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 73
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 27
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 8
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明涉及晶圆清洗技术领域，具体涉及一种冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构及方法，冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构，包括：热水供给源；第三三通阀连接于热水供给源和第一阀门之间，且第三三通阀与化学清洗液输送系统靠近输送化学清洗液末端的管路连接；第一阀门设置于晶圆清洗腔内部管路靠近进口处；第三三通阀适于断开化学清洗液输送系统向晶圆清洗腔内部管路输送的化学清洗液，且将热水供给源的热水经第一阀门流通至晶圆清洗腔内部管路，并进行冲洗；本申请使用热水替代化学清洗液对晶圆清洗腔内部管路进行冲洗，既保证晶圆清洗腔内部管路的洁净度和晶圆表面颗粒的良好水平，又减少化学清洗液的消耗，降低成本。
Description
技术领域
本发明涉及晶圆清洗技术领域，具体涉及一种冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构及方法。
背景技术
单晶圆清洗机一般都会配有化学清洗液输送系统，用于化学清洗液的输送，连接示意图如图1所示。化学清洗液输送系统包括：依次连接的化学清洗液供给源1、第一管路5、第一三通阀11、第二管路6、第二三通阀12、第三管路7、第一阀门13和第四管路8，连接化学清洗液供给源1和第二三通阀12的第五管路9、以及化学清洗液供给源1和第一三通阀11的第六管路10。第四管路8连通单晶圆清洗机设有的晶圆清洗腔2。
为保证进入晶圆清洗腔2中的化学清洗液不会静置沉积，从而导致晶圆表面颗粒增多，晶圆表面颗粒水平变差。一般会按图1中标注的循环线路在管路中进行循环化学清洗液；具体的，所述循环线路沿着化学清洗液供给源1、第一管路5、第一三通阀11、第二管路6、第二三通阀12和第五管路9进行循环化学清洗液。但是，晶圆清洗腔2内部管路无法参与循环化学清洗液，导致晶圆清洗腔2在工艺作业后，会有一定的化学清洗液静置残留，形成晶圆清洗腔2内部管路的静置区域4，从而导致晶圆表面的颗粒水平变差。
为了避免上述问题，目前单晶圆清洗机一般会在机台正常运行但未跑货时，定时定量地用化学清洗液对与喷嘴3所连接的晶圆清洗腔2内部管路进行冲洗，冲洗后的化学清洗液大多会直接通过晶圆清洗腔2内的排液口排出。并且，单晶圆清洗机为了保证晶圆表面的颗粒水平合格，会对晶圆清洗腔2内部管路进行多次冲洗，而大量消耗化学清洗液，导致成本较高。
发明内容
因此，本发明要解决的技术问题在于克服通过化学清洗液输送系统利用化学清洗液对晶圆清洗腔内部管路进行多次冲洗，多次冲洗后的化学清洗液排出，而大量消耗化学清洗液，导致成本较高的缺陷。
为了解决上述问题，本发明提供一种冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构，包括：
热水供给源，适于提供热水；
第三三通阀，连接于热水供给源和第一阀门之间，且第三三通阀与化学清洗液输送系统靠近输送化学清洗液末端的管路连接；所述第一阀门设置于晶圆清洗腔内部管路靠近进口处；所述第三三通阀适于断开化学清洗液输送系统向晶圆清洗腔内部管路输送的化学清洗液，且将热水供给源的热水经第一阀门流通至晶圆清洗腔内部管路，并进行冲洗。
可选地，还包括：
设置于第三三通阀与化学清洗液输送系统之间的第二阀门。
可选地，还包括：
设置于第三三通阀与热水供给源之间的第三阀门。
可选地，所述热水的温度范围为：50℃～60℃。
可选地，利用热水对晶圆清洗腔内部管路进行冲洗的流量不小于1.5L/min。
可选地，所述第一阀门、第三阀门和第三三通阀均为电磁阀。
可选地，还包括：
控制器，与第一阀门、第三阀门、第三三通阀均信号连接。
本发明还提供一种冲洗晶圆清洗腔内部管路的方法，利用所述的冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构，包括：
在晶圆清洗机运行但未放入晶圆时，利用第三三通阀断开化学清洗液输送系统向晶圆清洗腔内部管路输送的化学清洗液，且将热水供给源的热水经第一阀门流通至晶圆清洗腔内部管路，并进行冲洗；所述晶圆清洗腔设置于晶圆清洗机内；
利用第三三通阀断开热水供给源向晶圆清洗腔内部管路输送的热水；
在晶圆清洗机放入晶圆，通过第三三通阀使得化学清洗液输送系统向晶圆清洗腔内部管路输送化学清洗液，以清除热水；
晶圆清洗机运行。
可选地，在晶圆清洗机运行但未放入晶圆时，每间隔10min利用热水对晶圆清洗腔内部管路进行冲洗一次。
可选地，利用热水对晶圆清洗腔内部管路进行冲洗一次的时间不少于15s。
本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
1.本发明提供的冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构，包括：热水供给源，适于提供热水；第三三通阀，连接于热水供给源和第一阀门之间，且第三三通阀与化学清洗液输送系统靠近输送化学清洗液末端的管路连接；所述第一阀门设置于晶圆清洗腔内部管路靠近进口处；所述第三三通阀适于断开化学清洗液输送系统向晶圆清洗腔内部管路输送的化学清洗液，且将热水供给源的热水经第一阀门流通至晶圆清洗腔内部管路，并进行冲洗；本申请采用上述技术方案，使用热水替代化学清洗液对晶圆清洗腔内部管路进行冲洗，确保热水能够进入晶圆清洗腔内部管路，但不进入化学清洗液输送系统；既保证晶圆清洗腔内部管路的洁净度和晶圆表面颗粒的良好水平，又减少化学清洗液的消耗，降低成本。热水冲洗相较于化学清洗液冲洗，对一些杂质的溶解度更高，能更有效地去除一些污染物，如酸碱化学液产生的盐结晶等；且热水冲洗不会引入其它杂质污染物；能更有效地改善晶圆清洗腔内部管路，有助于改善晶圆表面的颗粒水平，提升晶圆产品的良率。
2.本发明提供的冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构，还包括：设置于第三三通阀与化学清洗液输送系统之间的第二阀门；本申请采用上述技术方案，进一步确保热水能够进入晶圆清洗腔内部管路，但不进入化学清洗液输送系统。
3.本发明提供的冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构，还包括：设置于第三三通阀与热水供给源之间的第三阀门；本申请采用上述技术方案，进一步方便可靠地控制热水输送的通断。
4.本发明所述热水的温度范围为：50℃～60℃；本申请采用上述技术方案，利用足够温度的热水，确保清洗质量。
5.本发明利用热水对晶圆清洗腔内部管路进行冲洗的流量不小于1.5L/min；本申请采用上述技术方案，保证热水足量冲洗晶圆清洗腔内部管路，确保清洗质量。
6.本发明提供的冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构，还包括：控制器，与第一阀门、第三阀门、第三三通阀均信号连接；本申请采用上述技术方案，方便自动化控制第一阀门、第三阀门和第三三通阀。
7.本发明提供的冲洗晶圆清洗腔内部管路的方法，利用所述的冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构，包括：在晶圆清洗机运行但未放入晶圆时，利用第三三通阀断开化学清洗液输送系统向晶圆清洗腔内部管路输送的化学清洗液，且将热水供给源的热水经第一阀门流通至晶圆清洗腔内部管路，并进行冲洗；所述晶圆清洗腔设置于晶圆清洗机内；利用第三三通阀断开热水供给源向晶圆清洗腔内部管路输送的热水；在晶圆清洗机放入晶圆，通过第三三通阀使得化学清洗液输送系统向晶圆清洗腔内部管路输送化学清洗液，以清除热水；晶圆清洗机运行；本申请采用上述技术方案，在晶圆清洗机运行前，用化学清洗液冲洗晶圆清洗腔内部管路，以去除晶圆清洗腔内部管路中的热水残留。
8.本发明在晶圆清洗机运行但未放入晶圆时，每间隔10min利用热水对晶圆清洗腔内部管路进行冲洗一次；本申请采用上述技术方案，保证热水定时冲洗晶圆清洗腔内部管路，确保清洗质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中化学清洗液输送系统的连接示意图；
图2为本发明实施方式中提供的冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构连接示意图。
附图标记说明：
1、化学清洗液供给源；2、晶圆清洗腔；3、喷嘴；4、静置区域；5、第一管路；6、第二管路；7、第三管路；8、第四管路；9、第五管路；10、第六管路；11、第一三通阀；12、第二三通阀；13、第一阀门；14、第三三通阀；15、第二阀门；16、第三阀门；17、热水供给源。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
如图1所示，现有化学清洗液输送系统配备的化学清洗液中，有的是有机溶剂，而冲洗晶圆清洗腔2内部管路的化学清洗液一般会直接排放掉，导致生产成本较高。化学清洗液或者可以是：缓冲氧化物刻蚀液、四甲基氢氧化铵或N－甲基吡咯烷酮等；上述化学清洗液很容易产生结晶或粘度系数高，频繁冲洗晶圆清洗腔2内部管路，会导致晶圆清洗腔2内部管路环境变差，严重影响晶圆表面颗粒水平。也是基于上述问题，本申请提出一种冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构及方法。
如图2所示的冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构的一种具体实施方式，包括：热水供给源17、第三三通阀14、第二阀门15、第三阀门16和控制器。本申请所述冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构是在图1现有化学清洗液输送系统上的改造，不影响化学清洗液输送系统的功能。
所述热水供给源17适于提供热水，具体的，所述热水的温度范围为：50℃～60℃。所述第三三通阀14连接于热水供给源17和第一阀门13之间，且第三三通阀14与化学清洗液输送系统靠近输送化学清洗液末端的管路连接；所述第一阀门13设置于晶圆清洗腔2内部管路靠近进口处；参考图1，在现有化学清洗液输送系统中，所述第一阀门13的一端通过第四管路8与晶圆清洗腔2内部管路连接，所述第一阀门13的另一端通过第三管路7与化学清洗液输送系统中的第三三通阀14连接。所述第三三通阀14适于断开化学清洗液输送系统向晶圆清洗腔2内部管路输送的化学清洗液，且将热水供给源17的热水经第一阀门13流通至晶圆清洗腔2内部管路，并进行冲洗。第三三通阀14和第一阀门13均设置于第三管路7上。利用热水对晶圆清洗腔2内部管路进行冲洗的流量不小于1.5L/min；优选的，利用热水对晶圆清洗腔2内部管路进行冲洗的流量为1.5L/min。冲洗后的热水直接通过晶圆清洗腔2内的排液口排出。进一步的，所述第二阀门15设置于第三三通阀14与化学清洗液输送系统之间；所述第三阀门16设置于第三三通阀14与热水供给源17之间。所述第一阀门13、第三阀门16和第三三通阀14均为电磁阀。所述控制器与第一阀门13、第三阀门16、第三三通阀14均信号连接。第一阀门13、第二阀门15和第三阀门16均为常闭阀。化学清洗液输送系统更换新化学清洗液后，化学清洗液输送系统内的化学清洗液按图2中沿着化学清洗液供给源1、第一管路5、第一三通阀11、第二管路6、第二三通阀12和第六管路10进行循环化学清洗液，使得化学清洗液参数趋于稳定
参考图2，本发明还提供一种冲洗晶圆清洗腔内部管路的方法，利用所述的冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构，包括以下步骤：
S1、在晶圆清洗机运行但未放入晶圆时，利用第三三通阀14断开化学清洗液输送系统向晶圆清洗腔2内部管路输送的化学清洗液，且将热水供给源17的热水经第一阀门13流通至晶圆清洗腔2内部管路，并进行冲洗；所述晶圆清洗腔2设置于晶圆清洗机内。具体的，每间隔10min利用热水对晶圆清洗腔2内部管路进行冲洗一次，利用热水对晶圆清洗腔2内部管路进行冲洗一次的时间不少于15s；优选的，利用热水对晶圆清洗腔2内部管路进行冲洗一次的时间为15s。
S2、利用第三三通阀14断开热水供给源17向晶圆清洗腔2内部管路输送的热水。此时，第一阀门13和第三阀门16均打开，第二阀门15关闭。
S3、在晶圆清洗机放入晶圆，通过第三三通阀14使得化学清洗液输送系统向晶圆清洗腔2内部管路输送化学清洗液，以清除热水，即进行预冲洗。此时，第一阀门13和第二阀门15均打开，第三阀门16关闭。
S4、晶圆清洗机运行。所述晶圆清洗机可以为单晶圆清洗机。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其他不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构，其特征在于，包括：
热水供给源(17)，适于提供热水；
第三三通阀(14)，连接于热水供给源(17)和第一阀门(13)之间，且第三三通阀(14)与化学清洗液输送系统靠近输送化学清洗液末端的管路连接；所述第一阀门(13)设置于晶圆清洗腔(2)内部管路靠近进口处；所述第三三通阀(14)适于断开化学清洗液输送系统向晶圆清洗腔(2)内部管路输送的化学清洗液，且将热水供给源(17)的热水经第一阀门(13)流通至晶圆清洗腔(2)内部管路，并进行冲洗。
2.根据权利要求1所述的冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构，其特征在于，还包括：
设置于第三三通阀(14)与化学清洗液输送系统之间的第二阀门(15)。
3.根据权利要求2所述的冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构，其特征在于，还包括：
设置于第三三通阀(14)与热水供给源(17)之间的第三阀门(16)。
4.根据权利要求1－3中任一项所述的冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构，其特征在于，所述热水的温度范围为：50℃～60℃。
5.根据权利要求1－3中任一项所述的冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构，其特征在于，利用热水对晶圆清洗腔(2)内部管路进行冲洗的流量不小于1.5L/min。
6.根据权利要求3所述的冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构，其特征在于，所述第一阀门(13)、第三阀门(16)和第三三通阀(14)均为电磁阀。
7.根据权利要求6所述的冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构，其特征在于，还包括：
控制器，与第一阀门(13)、第三阀门(16)、第三三通阀(14)均信号连接。
8.一种冲洗晶圆清洗腔内部管路的方法，利用权利要求1－7中任一项所述的冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构，其特征在于，包括：
在晶圆清洗机运行但未放入晶圆时，利用第三三通阀(14)断开化学清洗液输送系统向晶圆清洗腔(2)内部管路输送的化学清洗液，且将热水供给源(17)的热水经第一阀门(13)流通至晶圆清洗腔(2)内部管路，并进行冲洗；所述晶圆清洗腔(2)设置于晶圆清洗机内；
利用第三三通阀(14)断开热水供给源(17)向晶圆清洗腔(2)内部管路输送的热水；
在晶圆清洗机放入晶圆，通过第三三通阀(14)使得化学清洗液输送系统向晶圆清洗腔(2)内部管路输送化学清洗液，以清除热水；
晶圆清洗机运行。
9.根据权利要求8所述的冲洗晶圆清洗腔内部管路的方法，其特征在于，
在晶圆清洗机运行但未放入晶圆时，每间隔10min利用热水对晶圆清洗腔(2)内部管路进行冲洗一次。
10.根据权利要求9所述的冲洗晶圆清洗腔内部管路的方法，其特征在于，利用热水对晶圆清洗腔(2)内部管路进行冲洗一次的时间不少于15s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311811882.5A CN117772720A (zh) | 2023-12-26 | 2023-12-26 | 一种冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311811882.5A CN117772720A (zh) | 2023-12-26 | 2023-12-26 | 一种冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构及方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117772720A true CN117772720A (zh) | 2024-03-29 |
Family
ID=90384641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311811882.5A Pending CN117772720A (zh) | 2023-12-26 | 2023-12-26 | 一种冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构及方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117772720A (zh) |
-
2023
- 2023-12-26 CN CN202311811882.5A patent/CN117772720A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102353792B1 (ko) | 기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 장치의 세정 방법 및 기억 매체 | |
| WO2018192466A1 (zh) | 一种洗衣机进水控制方法及洗衣机 | |
| CN109068932A (zh) | 用于清洗待洗器皿的传送式洗碗机 | |
| CN117772720A (zh) | 一种冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构及方法 | |
| JP2017034188A (ja) | 基板処理装置および処理液吐出方法 | |
| CN112735983B (zh) | 一种单晶圆载体清洗高度集成装置 | |
| CN112656229A (zh) | 饮品机的奶路清洗装置及其清洗方法 | |
| CN112586981A (zh) | 自动清洗奶路的饮品机及其清洗方法 | |
| KR20210045933A (ko) | 기판 처리 장치 및 장치 세정 방법 | |
| CN116921374A (zh) | 清洗装置、晶圆处理设备及其清洗方法 | |
| US6745783B2 (en) | Cleaning processing method and cleaning processing apparatus | |
| CN111014205B (zh) | 一种槽体清洗、保养和维护方法及清洗槽系统 | |
| KR100273204B1 (ko) | 반도체 왯-스테이션 장비의 필터 클리닝 장치 | |
| CN115090602A (zh) | 半导体清洗设备及其清洗方法 | |
| JP2000326225A (ja) | スラリー調合・供給装置 | |
| JP2000183024A (ja) | 基板処理装置 | |
| CN112349629A (zh) | 清洗槽组件和半导体清洗设备 | |
| CN220426235U (zh) | 一种cip清洗系统 | |
| CN219324572U (zh) | 一种自动调节酸碱清洗液电导率的装置 | |
| CN209935442U (zh) | 一种排气管路及制程设备 | |
| JP4565718B2 (ja) | ウエハ洗浄装置 | |
| JP6939960B1 (ja) | ウェハ洗浄水供給装置 | |
| CN220767009U (zh) | 一种兼备细菌裂解与在线清洗功能的组合系统 | |
| CN216779747U (zh) | 一种清洗剂定量添加装置 | |
| CN114413177B (zh) | 一种用于异常硅片的药液添加装置及其工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |