JP6939960B1 - ウェハ洗浄水供給装置 - Google Patents
ウェハ洗浄水供給装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6939960B1 JP6939960B1 JP2020129743A JP2020129743A JP6939960B1 JP 6939960 B1 JP6939960 B1 JP 6939960B1 JP 2020129743 A JP2020129743 A JP 2020129743A JP 2020129743 A JP2020129743 A JP 2020129743A JP 6939960 B1 JP6939960 B1 JP 6939960B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning water
- wafer cleaning
- wafer
- water
- chemical solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 365
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 280
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 85
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 60
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 146
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 114
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 10
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims description 8
- 229940079593 drug Drugs 0.000 claims description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 claims description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 251
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 125
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000020477 pH reduction Effects 0.000 description 4
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/14—Removing waste, e.g. labels, from cleaning liquid; Regenerating cleaning liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B2203/002—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam the liquid being a degassed liquid
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
Description
[ウェハ洗浄水供給装置]
図1〜3は、本発明の第一の実施形態によるウェハ洗浄水供給装置を示している。図1及び図2において、ウェハ洗浄水供給装置1は、供給路5から供給された超純水Wからウェハ洗浄水W1を調製するウェハ洗浄水製造部2と、この調製されたウェハ洗浄水W1の貯留槽3と、この貯留槽3に貯留されたウェハ洗浄水W1を洗浄機4の洗浄ノズル4Aに供給するウェハ洗浄水供給配管6とを有する。このウェハ洗浄水供給配管6には、洗浄機4側に洗浄ノズル4Aの先端から距離(t)で分岐して、返送配管7が接続されていて、洗浄機4での余剰のウェハ洗浄水W1を貯留槽3にまで返送可能となっている。そして、本実施形態においては、この返送配管7は、洗浄ノズル4Aの先端からの距離(t)が10m以内、好ましくは8m以内、特に6m以内の箇所で分岐している。なお、5Aはドレン水の排出路である。
次に上述したようなウェハ洗浄水供給装置1を用いたウェハ洗浄水W1の供給方法について説明する。
まず、超純水Wの供給源(図示せず)から超純水Wを供給路5に流通させ、ウェハ洗浄水製造部2に所定量の超純水Wを供給する。一方、薬液タンク21には、第一の薬液M1及び第二の薬液M2が貯留されているので、超純水Wの供給量(供給路5の流量)に基づいて、第一の薬液M1及び第二の薬液M2が超純水Wに対して所定の濃度となるように制御装置によりポンプ23を制御し、これら第一の薬液M1及び第二の薬液M2を薬液供給管22から供給してウェハ洗浄水W1を調製する。
このようにして調製されたウェハ洗浄水W1は、そのまま貯留槽3に供給される。このとき貯留槽3にN2ガス供給配管31から一定圧力のN2ガスを供給して貯留槽3の上部空間をN2ガスで満たす。これにより貯留槽3内でのウェハ洗浄水W1への溶存酸素の上昇を防ぐことができ、これにより溶存ガスの増加によるpHや酸化還元電位の変動を抑制することができる。
貯留槽3に貯留されたウェハ洗浄水W1は常時洗浄機4に送液される。ウェハ洗浄水W1の使用時は洗浄ノズル4Aからウェハ9に向けて吐出されるが、ウェハ洗浄水W1の未使用時には、ウェハ洗浄水供給配管6から分岐した返送配管7から貯留槽3に戻される。あるいは、洗浄機4が稼働してウェハ洗浄水W1の使用時であっても、供給されたウェハ洗浄水W1の一部だけを使用し、残りは返送配管7から貯留槽3に戻すようにしてもよい。このとき、本実施形態においては、洗浄ノズル4Aの先端から10m以内の所定の地点に返送配管7を接続して、この返送配管7からウェハ洗浄水W1を貯留槽3に戻しているので、洗浄機4が停止してウェハ洗浄水W1の未使用時でも洗浄機4側のウェハ洗浄水供給配管6に滞留するウェハ洗浄水W1の水量の削減と滞留による洗浄水質の悪化を最低限に抑制することが可能になる。さらに、プリディスペンスが不要もしくは最低限で済むので、用排水設備への負荷低減および薬液の過剰使用の改善にもつながる、という効果も奏する。返送配管7の接続箇所が洗浄ノズル4Aの先端から10m超えると、上述したウェハ洗浄水W1の水量の削減と滞留による洗浄水質の悪化を最低限に抑制する効果が十分でない。
次に本発明の第二の実施形態について説明する。
図5及び図6は、本発明の第二の実施形態によるウェハ洗浄水供給装置を示している。第二実施形態のウェハ洗浄水供給装置は、前述した第一の実施形態において、複数の洗浄機に洗浄水W1を供給するものであり、基本的に同じ構成を有するので、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上述したようなウェハ洗浄水供給装置1を用いたウェハ洗浄水W1の供給方法について説明する。
超純水Wの供給源(図示せず)から超純水Wを供給路5に流通し、ウェハ洗浄水製造部2に所定量の超純水Wを供給する。一方、薬液タンク21には、第一の薬液M1及び第二の薬液M2が貯留されているので、超純水Wの供給量(供給路5の流量)に基づいて、第一の薬液M1及び第二の薬液M2が所定の濃度となるように制御装置によりポンプ23を制御してこれら第一の薬液M1及び第二の薬液M2を薬液供給管22から供給してウェハ洗浄水W1を調製する。ここで、第一の薬液M1又は第二の薬液M2としては、第一の実施形態と同様のものを用いることができる。
このようにして調製されたウェハ洗浄水W1は、そのまま貯留槽3に供給される。このとき貯留槽3にN2ガス供給配管31から一定圧力のN2ガスを供給して貯留槽3の上部空間をN2ガスで満たす。これにより貯留槽3内でのウェハ洗浄水W1への溶存酸素の上昇を防ぐことができ、これにより溶存ガスの増加によるpHや酸化還元電位の変動を抑制することができる。
貯留槽3に貯留されたウェハ洗浄水W1は、ウェハ洗浄水供給配管6(6A,6B及び6C)から複数台(3台)の洗浄機41,42及び43に供給可能となっている。このときウェハ洗浄水供給配管6A,6B及び6Cにそれぞれブースタポンプ11A,11B,11Cを設けているので、複数台の洗浄機にウェハ洗浄水W1を供給する際の送水圧力を確保することができるようになっている。そして、洗浄水W1は、洗浄ノズル41A,42A及び43Aからウェハ9A,9B及び9Cに向けてそれぞれ吐出されるが、ウェハ洗浄水W1の未使用時には、ウェハ洗浄水供給配管6から分岐した返送配管7から貯留槽3に戻される。あるいは、洗浄機41,42及び43が稼働してウェハ洗浄水W1の使用時であっても、供給されたウェハ洗浄水W1の一部だけを使用し、残りは返送配管7(7A,7B及び7C)から貯留槽3に戻すようにしてもよい。このとき、本実施形態においては、洗浄ノズル41A,42A及び43Aの先端から10m以内の所定の地点に返送配管7A,7B及び7Cを接続して、この返送配管7A,7B及び7Cからウェハ洗浄水W1を貯留槽3に戻しているので、洗浄機41,42及び43が停止してウェハ洗浄水W1の未使用時でも洗浄機4側のウェハ洗浄水供給配管6A,6B及び6Cに滞留するウェハ洗浄水W1の水量の削減と滞留による洗浄水質の悪化を最低限に抑制することが可能になる。さらに、プリディスペンスが不要もしくは最低限で済むので、用排水設備への負荷低減および薬液の過剰使用の改善にもつながる、という効果も奏する。
以上、本発明のウェハ洗浄水供給装置について、前記第一及び第二の実施形態に基づいて説明してきたが、ウェハ洗浄水製造部2は、上述した実施形態で用いた第一の態様のウェハ洗浄水製造部2に限らず、種々の態様を適用可能であるので、以下に例示する。
第二の態様のウェハ洗浄水製造部2は、基本的には前述した第一の態様のウェハ洗浄水製造部2と同じ構成を有するので、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第三の態様のウェハ洗浄水製造部2は、基本的には前述した第一の態様のウェハ洗浄水製造部2と同じ構成を有するので、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第四の態様のウェハ洗浄水製造部2は、基本的には前述した第三の態様のウェハ洗浄水製造部2と同じ構成を有するので、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第五の態様のウェハ洗浄水製造部2は、基本的には前述した第一の態様のウェハ洗浄水製造部2と同じ構成を有するので、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第六の態様のウェハ洗浄水製造部2は、基本的には前述した第五の態様のウェハ洗浄水製造部2と同じ構成を有するので、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第七の態様のウェハ洗浄水製造部2は、基本的には前述した第三の態様のウェハ洗浄水製造部2と同じ構成を有するので、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第八の態様のウェハ洗浄水製造部2は、基本的には前述した第四の態様のウェハ洗浄水製造部2と同じ構成を有するので、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図1に示すウェハ洗浄水供給装置1を用い、ウェハ洗浄水製造部2で第一の薬液M1としてアンモニアを、第二の薬液M2として過酸化水素をそれぞれ超純水Wに対して所定量添加し、アンモニア濃度及び過酸化水素濃度が安定するまで排出を継続し、ウェハ洗浄水W1としての極希薄APM(アンモニア濃度:10ppm(pH約10)、過酸化水素濃度:100ppm(酸化還元電位0.05V))を製造した。なお、ウェハ洗浄水供給装置1は、ウェハ洗浄水供給管6を洗浄ノズル4Aの先端から5mの箇所で返送配管7を接続して、ウェハ洗浄水W1を洗浄機4の洗浄ノズル4Aからの吐出量よりも多く供給することで、ウェハ洗浄水W1を常時循環させた。
実施例1において、図1に示すウェハ洗浄水供給装置1の返送配管7を閉止して、ウェハ洗浄水Wを10分間滞留させた後、洗浄ノズル4Aから吐出した初期のウェハ洗浄水W1の微粒子数、pH及び溶存酸素濃度を測定した。結果を図15〜17に示す。
実施例1において、ウェハ洗浄水供給管6を洗浄ノズル4Aの先端からの距離(t)から15mの箇所で返送配管7を接続して循環可能とした。
2 ウェハ洗浄水製造部
3 貯留槽
4,41,42,43 洗浄機
4A,41A,42A,43A 洗浄ノズル
5 供給路
5A ドレン水の排出路
6,6A,6B,6C ウェハ洗浄水供給配管
7,7A,7B,7C 返送配管
8 N2ガスの供給管(不活性ガスの供給管)
9,9A,9B,9C ウェハ
10 除去手段
11A,11B,11C ブースタポンプ
21 薬液タンク
21A 第一の薬液タンク
21B 第二の薬液タンク
22,22A,22B 薬液供給管
23,23A,23B ポンプ
24,24A,24B N2ガスの供給管
25 過酸化水素除去手段
26 脱気膜装置
27 真空ポンプ
W 超純水
W1 ウェハ洗浄水
W2 ドレン水
M1 第一の薬液
M2 第二の薬液
Claims (7)
- 超純水の流量に対して所定量の薬剤を溶解することで、所定の薬剤濃度のウェハ洗浄水を製造するウェハ洗浄水製造部と、
この製造されたウェハ洗浄水を貯留する貯留槽と、
前記ウェハ洗浄水を洗浄機に供給するウェハ洗浄水供給配管と、
前記ウェハ洗浄水供給配管から分岐して洗浄機での余剰のウェハ洗浄水を貯留槽にまで返送する返送配管と、を備えるウェハ洗浄水供給装置であって、
前記余剰のウェハ洗浄水を貯留槽にまで返送する返送配管が、前記洗浄機のウェハ洗浄水の吐出部から10m以下の箇所で分岐しており、
前記返送配管が洗浄機側に設けられており、前記貯留槽と前記ウェハ洗浄水供給配管と前記返送配管とで前記ウェハ洗浄水を循環可能となっている、ウェハ洗浄水供給装置。 - 前記薬剤が液体であり、該薬剤の超純水への添加機構が、給液ポンプ又は薬剤を充填した密閉タンクと該密閉タンクに不活性ガスを供給する加圧手段とによる圧送手段である、請求項1に記載のウェハ洗浄水供給装置。
- 前記貯留槽に水位を検知する検知手段が設けられているとともに、この検知手段の液位情報に基づいて前記ウェハ洗浄水製造部におけるウェハ洗浄水の製造開始・停止を制御する制御手段を備える、請求項1又は2に記載のウェハ洗浄水供給装置。
- 前記ウェハ洗浄水製造部におけるウェハ洗浄水の製造量が多段階に調整可能であり、前記貯留槽の水位に応じて前記ウェハ洗浄水製造部におけるウェハ洗浄水の製造量を多段階に調整する制御手段を備える、請求項1又は2に記載のウェハ洗浄水供給装置。
- 前記ウェハ洗浄水製造部と前記貯留槽との間に排出機構が設けられている、請求項1〜4のいずれか1項に記載のウェハ洗浄水供給装置。
- 前記排出機構が前記超純水の供給源に連通した戻り配管に接続していて、該排出機構に前記ウェハ洗浄水中の薬剤成分を除去可能なイオン交換装置及び/又は触媒装置が設けられている、請求項5に記載のウェハ洗浄水供給装置。
- 前記ウェハ洗浄水製造部に超純水又はウェハ洗浄水の溶存酸素を除去する機構を有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載のウェハ洗浄水供給装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020129743A JP6939960B1 (ja) | 2020-07-30 | 2020-07-30 | ウェハ洗浄水供給装置 |
CN202180058848.8A CN116057674A (zh) | 2020-07-30 | 2021-03-18 | 晶片清洗水供给装置 |
PCT/JP2021/011274 WO2022024451A1 (ja) | 2020-07-30 | 2021-03-18 | ウェハ洗浄水供給装置 |
KR1020237002446A KR20230043838A (ko) | 2020-07-30 | 2021-03-18 | 웨이퍼 세정수 공급 장치 |
US18/006,933 US20230347387A1 (en) | 2020-07-30 | 2021-03-18 | Wafer cleaning water supply device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020129743A JP6939960B1 (ja) | 2020-07-30 | 2020-07-30 | ウェハ洗浄水供給装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6939960B1 true JP6939960B1 (ja) | 2021-09-22 |
JP2022026336A JP2022026336A (ja) | 2022-02-10 |
Family
ID=78028269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020129743A Active JP6939960B1 (ja) | 2020-07-30 | 2020-07-30 | ウェハ洗浄水供給装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230347387A1 (ja) |
JP (1) | JP6939960B1 (ja) |
KR (1) | KR20230043838A (ja) |
CN (1) | CN116057674A (ja) |
WO (1) | WO2022024451A1 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11274125A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Shibaura Mechatronics Corp | 洗浄処理装置 |
KR20170020192A (ko) * | 2015-08-13 | 2017-02-22 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
JP2018182098A (ja) * | 2017-04-14 | 2018-11-15 | 栗田工業株式会社 | 洗浄水供給装置 |
JP2018182099A (ja) * | 2017-04-14 | 2018-11-15 | 栗田工業株式会社 | 洗浄水供給装置 |
JP2020031159A (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 栗田工業株式会社 | 電子部品用洗浄水製造システム及び電子部品用洗浄水製造システムの運転方法 |
-
2020
- 2020-07-30 JP JP2020129743A patent/JP6939960B1/ja active Active
-
2021
- 2021-03-18 CN CN202180058848.8A patent/CN116057674A/zh active Pending
- 2021-03-18 WO PCT/JP2021/011274 patent/WO2022024451A1/ja active Application Filing
- 2021-03-18 KR KR1020237002446A patent/KR20230043838A/ko unknown
- 2021-03-18 US US18/006,933 patent/US20230347387A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11274125A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Shibaura Mechatronics Corp | 洗浄処理装置 |
KR20170020192A (ko) * | 2015-08-13 | 2017-02-22 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
JP2018182098A (ja) * | 2017-04-14 | 2018-11-15 | 栗田工業株式会社 | 洗浄水供給装置 |
JP2018182099A (ja) * | 2017-04-14 | 2018-11-15 | 栗田工業株式会社 | 洗浄水供給装置 |
JP2020031159A (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 栗田工業株式会社 | 電子部品用洗浄水製造システム及び電子部品用洗浄水製造システムの運転方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN116057674A (zh) | 2023-05-02 |
US20230347387A1 (en) | 2023-11-02 |
JP2022026336A (ja) | 2022-02-10 |
WO2022024451A1 (ja) | 2022-02-03 |
KR20230043838A (ko) | 2023-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10186435B2 (en) | Chemical liquid preparation method of preparing a chemical liquid for substrate processing, chemical liquid preparation unit preparing a chemical liquid for substrate processing, and substrate processing system | |
US11069542B2 (en) | Cleaning water supply device | |
JP6435385B2 (ja) | 基板処理用の薬液生成方法、基板処理用の薬液生成ユニット、基板処理方法、および基板処理システム | |
JP7087444B2 (ja) | pH・酸化還元電位調整水の製造装置 | |
US11319226B2 (en) | Cleaning water supply device | |
JP6939960B1 (ja) | ウェハ洗浄水供給装置 | |
CN112530790B (zh) | 晶圆清洗装置和晶圆清洗方法 | |
JP6973534B2 (ja) | 希薄薬液供給装置 | |
JP2024032251A (ja) | ウェハ洗浄水供給装置 | |
JP3892670B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
KR100926159B1 (ko) | 약액 공급 장치 | |
WO2022070475A1 (ja) | 電子部品・部材の洗浄水供給装置及び電子部品・部材の洗浄水の供給方法 | |
US20230335417A1 (en) | Wafer cleaning water supply system and wafer cleaning water supply method | |
WO2022102252A1 (ja) | pH・酸化還元電位調整水の製造装置 | |
JP2022187362A (ja) | ウェハ洗浄水供給装置 | |
JPH11342356A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2000021839A (ja) | ウエハ洗浄装置及びウエハの洗浄方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210608 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210713 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210803 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210816 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6939960 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |