JPH11342356A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法

Info

Publication number
JPH11342356A
JPH11342356A JP16593598A JP16593598A JPH11342356A JP H11342356 A JPH11342356 A JP H11342356A JP 16593598 A JP16593598 A JP 16593598A JP 16593598 A JP16593598 A JP 16593598A JP H11342356 A JPH11342356 A JP H11342356A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing liquid
tank
processing
substrate
weighing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16593598A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiji Sano
精二 佐野
Toshiro Hiroe
敏朗 廣江
Masato Tanaka
眞人 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu VLSI Ltd, Fujitsu Ltd, Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Fujitsu VLSI Ltd
Priority to JP16593598A priority Critical patent/JPH11342356A/ja
Publication of JPH11342356A publication Critical patent/JPH11342356A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板を均一に処理することができる基板処理
装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板処理装置は、処理液槽2と、処理液
槽2の上方に設置された秤量槽3と、秤量槽3に処理液
を供給するための処理液吐出管4と、処理液槽2と秤量
槽3とを接続する処理液供給管32および処理液補充管
33とを有する。処理液槽2に貯留された処理液により
一定量の基板Wを処理した後には、処理液槽2および秤
量槽3中の処理液がドレイン17に排出され、新たな処
理液が処理液槽2および秤量槽3に供給される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用
マスク基板等の基板を処理液槽に貯留した処理液中に浸
漬して処理する基板処理装置および基板処理方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】この種の基板処理装置においては、処理
液槽に処理液を供給するために秤量槽が利用されてい
る。この秤量槽は処理液槽の上方に設置されており、処
理液槽内に貯留された処理液の交換時において、そこに
貯留した処理液を比較的大径の処理液供給管を介して処
理液槽に流下させることにより、ポンプ等による供給に
比べて処理液をより迅速に処理液槽へ供給することを可
能とするものである。
【0003】また、秤量槽と処理液槽とは、その途中に
定量ポンプを配設した比較的小径の処理液補充管により
接続されている。そして、この処理液補充管を介して秤
量槽内の処理液を処理液槽に補充することにより、基板
の処理に伴って発生する処理液の疲労を防止するよう構
成されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような基板処理装
置においては、基板の処理に伴って発生する処理液の疲
労を補充により防止するよう構成されていることから、
処理液槽に貯留された処理液のライフタイムは比較的長
いものとなる。このため、秤量槽に貯留された処理液
は、処理液槽に貯留された処理液を新しい処理液に交換
するまでの長期間その状態で放置されることになり、処
理液の劣化や濃度の経時変化が生ずる。また、秤量槽中
の処理液の液位を一定に維持するための手段として、処
理液中に窒素ガスをバブリングさせ、そのときの窒素ガ
スの圧力から処理液の液位を測定する方式の液面計を利
用した場合においては、処理液の劣化がさらに助長され
る。
【0005】このような劣化や濃度変化を生じた処理液
により基板を処理した場合においては、基板の処理を均
一に行うことが不可能となり、当該基板により製造され
る製品の歩留まりを低下させるという問題を生ずる。
【0006】特に、近年、少量の薬液と多量の純水とを
混合して生成した濃度の極めて薄い処理液により基板を
処理するプロセスが増加している。例えば、SC−1と
呼称される洗浄処理においては、アンモニア水溶液と過
酸化水素と純水とを1:1:100の割合で混合するこ
とにより処理液を生成しており、また、DHFと呼称さ
れる洗浄処理においては、フッ化水素と純水とを1:2
00や1:1000の割合で混合することにより処理液
を生成している。このような場合において、アンモニア
水溶液や過酸化水素あるいはフッ化水素に劣化や濃度変
化が生ずれば、基板の処理結果に与える影響は特に大き
なものとなる。
【0007】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、基板を均一に処理することができる基
板処理装置および基板処理方法を提供することを目的と
する。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、そこに貯留した処理液中に基板を浸漬することによ
り当該基板を処理する処理液槽と、前記処理液槽に供給
するための処理液を貯留する秤量槽と、前記秤量槽に処
理液を供給する処理液供給手段と、前記秤量槽に貯留さ
れた処理液を前記処理液槽に供給するための処理液供給
路と、前記秤量槽に貯留された処理液を前記処理液槽に
貯留された処理液中に補充するための処理液補充路と、
処理液槽内に貯留された処理液の交換時において、前記
秤量槽に貯留された処理液を排出した後、前記処理液供
給手段により前記秤量槽内に処理液を供給し、しかる
後、秤量槽内の処理液を前記処理液供給路を介して前記
処理液槽に供給する処理液交換手段とを備えたことを特
徴とする。
【0009】請求項2に記載の発明は、基板を処理液槽
に貯留された処理液中に浸漬して処理するとともに、基
板の処理に伴って秤量槽から前記処理液槽に処理液を補
充することにより処理液の疲労を防止する基板処理方法
において、前記処理液槽中の処理液の交換時に、前記秤
量槽中の処理液を排出した後、前記秤量槽内に処理液を
供給し、しかる後、前記秤量槽内の処理液を前記処理液
槽に供給することを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図1は、この発明の第1実施形
態に係る基板処理装置の要部を示す模式図である。
【0011】この基板処理装置は、処理液槽2と、処理
液槽2の上方に設置された秤量槽3と、秤量槽3に処理
液を供給するための処理液吐出管4とを有する。
【0012】処理液槽2は、その内部に処理液を貯留
し、チャック12により保持した複数の基板Wを処理液
中に一括して浸漬して処理するためのものである。
【0013】この処理液槽2は、処理部13からオーバ
フロー部14にオーバフローした処理液を、ポンプ15
およびフィルタ16を介して再度処理部13に投入する
ことにより、処理液を循環するよう構成されている。ま
た、処理部13の底部には、ドレイン17に電磁弁18
を介して接続する排液部19が配設されている。
【0014】秤量槽3は、処理液槽2に供給するための
処理液を秤量して貯留するためのものである。
【0015】この秤量槽3は、処理液の導入部22と、
秤量槽3中の処理液の液位を一定に維持するため処理液
中にバブリングした窒素ガスの圧力から処理液の液位を
検出する液面計23と、処理液が蒸発することにより生
ずるガスを秤量槽3から排出するための排気管24とを
有する。また、処理液の導入部22には、電磁弁25を
有し、図示しない処理液の供給源と接続する処理液吐出
管4の先端部が設置されている。
【0016】処理液槽2と秤量槽3とは、比較的大径の
処理液供給管32と処理液供給管32に比べて小径の処
理液補充管33とにより接続されている。処理液供給管
32は、処理液槽2内に貯留した処理液の交換時におい
て、秤量槽3内に貯留した処理液を迅速に処理液槽2に
流下させるためのものであり、秤量槽3の底部と処理液
槽2における処理部13の側壁とを電磁弁34を介して
接続している。また、処理液補充管33は、基板Wの処
理に伴う処理液の疲労に対応するため、秤量槽3内に貯
留した処理液を所定量だけ処理液槽2に補充するための
ものであり、秤量槽3の底部と処理液槽2におけるオー
バフロー部14の上方とを定量ポンプ35を介して接続
している。
【0017】なお、図1においては、単一の秤量槽3の
みを図示しているが、処理液槽2に貯留すべき処理液が
複数の薬液や純水を混合したものにより生成される場合
においては、処理液槽2は、図1に示す秤量槽3と同一
の構成を有する他の複数の秤量槽と接続される。
【0018】図2は、この基板処理装置の電気的構成の
要部を示すブロック図である。この基板処理装置は、R
OM62、RAM63およびCPU64よりなる制御部
65を有する。この制御部65は、インターフェース6
6を介して電磁弁18、25、34等を開閉制御する電
磁弁駆動部67およびポンプ15、35等を駆動制御す
るポンプ駆動部68と接続されている。この基板処理装
置は、制御部65の制御により後述する処理液の供給お
よび補充動作を実行する。
【0019】この基板処理装置により基板Wを処理する
場合においては、予め秤量槽3に貯留された処理液が処
理液槽3中に供給され、当該処理液により基板Wが処理
される。基板Wの処理に伴い処理液槽2中の処理液が疲
労した場合には、秤量槽3中の処理液が処理液補充管3
3を介して処理液槽2中に補充される。そして、一定量
の基板Wを処理した後には、処理液槽2中の処理液がド
レイン17に排出され、新たな処理液が秤量槽3より処
理液槽2に供給される。
【0020】次に、この発明に係る処理液の供給および
補充動作について説明する。図3は、上述した基板処理
装置の処理液の供給および補充動作に基づく処理液槽2
および秤量槽3中の処理液の液位の変化を示すタイムチ
ャートである。
【0021】基板Wの処理を開始するに先立ち、秤量槽
3に一定量の処理液を貯留する。すなわち、電磁弁25
を開放することにより、処理液吐出管4を介して図示し
ない処理液の供給源から秤量槽3に処理液を供給する。
そして、液面計23により処理液の液位を検出し、処理
液の液位が一定となった時点で電磁弁25を閉止する。
【0022】そして、電磁弁34を開放する。これによ
り、処理液供給管32を介して秤量槽3から処理液槽2
の処理部13へと処理液が流下し、処理液槽2に処理液
が供給される。このとき、処理液供給管32は比較的大
径となっていることから、処理液槽2への処理液の供給
動作は迅速に完了する。秤量槽3から処理液槽2への処
理液の供給が完了すれば、秤量槽3には、再度一定量の
処理液が貯留される。
【0023】なお、秤量槽3から処理液槽2へ供給され
る処理液の量(秤量槽が複数個ある場合にはその合計
量)は、処理液槽2の処理部13の容量よりやや多くな
っている。このため、秤量槽3より流下した処理液の一
部は処理液槽2のオーバフロー部14にオーバフローす
る。そして、この処理液はポンプ15およびフィルタ1
6を介して処理部13へ投入されることにより循環す
る。
【0024】この状態において、チャック12により保
持した複数の基板Wを、順次処理液槽2に貯留された処
理液中に浸漬することにより処理する。そして、基板W
の処理に伴って処理液槽2中の処理液が疲労すれば、秤
量槽3に貯留された処理液を処理液補充管33を介して
処理液槽2に貯留された処理液中に補充する。この補充
動作は、定量ポンプ35を一定時間駆動することにより
実行される。また、この補充動作により秤量槽3から流
出した処理液と同一量の処理液が、処理液吐出管4を介
して秤量槽3に供給される。
【0025】このような基板Wの処理および処理液の補
充動作を繰り返し、処理液槽2に貯留した処理液により
所定量の基板Wを処理すれば、処理液槽2中の処理液の
交換動作が実行される。このときには、処理液槽2中の
処理液のみではなく秤量槽3中の処理液も交換される。
【0026】すなわち、電磁弁34を開放することによ
り秤量槽3中の処理液を処理液供給管32を介して処理
液槽2に流下させる。また、電磁弁18を開放すること
により処理液槽2中の処理液をドレイン17に流下させ
る。
【0027】そして、秤量槽3中の処理液が全て処理液
槽2に排出されれば、電磁弁34を閉止すると共に、電
磁弁25を開放することにより処理液吐出管4を介して
図示しない処理液の供給源から秤量槽3に処理液を供給
する。そして、液面計23により処理液の液位を検出
し、処理液の液位が一定となった時点で電磁弁25を閉
止する。一方、処理液槽2中の処理液が全てドレイン1
7に排出されれば、電磁弁18を閉止する。そして、電
磁弁34を開放することにより、秤量槽3に貯留された
新しい処理液を処理液槽2に供給する。
【0028】秤量槽3中の処理液が全て処理液槽2に供
給されれば、電磁弁34を閉止すると共に、電磁弁25
を開放することにより処理液吐出管4を介して図示しな
い処理液の供給源から秤量槽3に処理液を再度供給す
る。そして、液面計23により処理液の液位を検出し、
処理液の液位が一定となった時点で電磁弁25を閉止す
る。
【0029】このように、この発明に係る処理液の供給
および補充動作においては、処理液槽2に貯留された処
理液を新しい処理液と交換する際に、秤量槽3に貯留さ
れた処理液をも新しい処理液と交換することから、秤量
槽3中に長期間貯留されることにより劣化や濃度の経時
変化を生じた処理液により基板Wが処理されることを防
止することができる。
【0030】なお、上述した実施の形態においては、補
充動作により秤量槽3から処理液が流出した場合に、そ
れと同量の処理液を処理液吐出管4から秤量槽3に供給
しているが、秤量槽3が空となるまで処理液吐出管4か
らの処理液の供給を行わないようにしてもよい。
【0031】次に、この発明の他の実施形態について説
明する。図4は、この発明の第2実施形態に係る基板処
理装置の要部を示す模式図である。なお、図1に示す基
板処理装置と同一の部材については、同一の符号を付し
て詳細な説明を省略する。
【0032】この基板処理装置は、秤量槽3からの処理
液の排出専用の処理液排出管42を配設した点が図1に
示す基板処理装置と異なる。すなわち、この基板処理装
置においては、処理液槽2に貯留された処理液を新しい
処理液と交換する際に、秤量槽3からより迅速に処理液
を排出できるようにするため、秤量槽3とドレイン17
とを、電磁弁44と処理液強制排出手段としてのポンプ
43とを有する処理液排出管42により接続している。
なお、この電磁弁44は図2に示す電磁弁駆動部67に
より開閉制御され、ポンプ43は図2に示すポンプ駆動
部68により駆動制御される。
【0033】この基板処理装置によれば、秤量槽3より
迅速に処理液を排出することができることから、処理液
槽2および秤量槽3に貯留された処理液の交換をより効
率的に実行することが可能となる。
【0034】また、この基板処理装置においては、秤量
槽3からの処理液の排出専用の処理液排出管42を有す
ることから、処理液槽2における基板Wの処理と秤量槽
3からの処理液の排出とを並行して実行することが可能
となり、処理液槽2に貯留された処理液の交換を行う前
に秤量槽3からの処理液の排出動作を開始することがで
きる。このため、処理液槽2および秤量槽3に貯留され
た処理液の交換をより効率的に実行することが可能とな
る。
【0035】なお、この基板処理装置において、処理液
排出管42をドレイン17と接続するかわりに、図示し
ない処理液回収部と接続することにより、処理液排出管
42より排出された処理液を再利用する構成をとること
も可能である。
【0036】次に、この発明のさらに他の実施形態につ
いて説明する。図5は、この発明の第3実施形態に係る
基板処理装置の要部を示す模式図である。なお、図1に
示す基板処理装置と同一の部材については、同一の符号
を付して詳細な説明を省略する。
【0037】この基板処理装置も、秤量槽3からの処理
液の排出専用の処理液排出管52を配設した点が図1に
示す基板処理装置と異なる。すなわち、この基板処理装
置においては、処理液槽2に貯留された処理液を新しい
処理液と交換する際に、秤量槽3からより迅速に処理液
を排出できるようにするため、秤量槽3とドレイン17
とを、電磁弁54と希釈水供給源と接続された処理液強
制排出手段としてのアスピレータ53とを有する処理液
排出管52により接続している。なお、この電磁弁54
は図2に示す電磁弁駆動部67により開閉制御され、ア
スピレータ53への希釈水の供給は図2に示す制御部6
5により制御される。
【0038】この基板処理装置によれば、図4に示す基
板処理装置同様、秤量槽3より迅速に処理液を排出する
ことができることから、処理液槽2および秤量槽3に貯
留された処理液の交換をより効率的に実行することが可
能となる。
【0039】また、この基板処理装置においても、秤量
槽3からの処理液の排出専用の処理液排出管52を有す
ることから、処理液槽2における基板Wの処理と秤量槽
3からの処理液の排出とを並行して実行することが可能
となり、処理液槽2に貯留された処理液の交換を行う前
に秤量槽3からの処理液の排出動作を開始することがで
きる。このため、処理液槽2および秤量槽3に貯留され
た処理液の交換をより効率的に実行することが可能とな
る。
【0040】さらに、この基板処理装置においては、秤
量槽3に貯留された処理液を希釈水により希釈した上で
排出することが可能となる。
【0041】上述した実施の形態においては、いずれ
も、複数の基板Wをチャック12により保持して処理液
槽2に貯留された処理液中に浸漬する基板処理装置にこ
の発明を適用した場合について説明したが、複数の基板
Wをカセットに収納した状態で処理液槽2に貯留された
処理液中に浸漬する基板処理装置にこの発明を適用する
ことも可能である。
【0042】
【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、処理液
槽内に貯留された処理液の交換時において、秤量槽に貯
留された処理液を排出した後、処理液供給手段により秤
量槽内に処理液を供給し、しかる後、秤量槽内の処理液
を前記処理液供給路を介して処理液槽に供給する処理液
交換手段を備えることから、秤量槽中に長期間貯留され
ることにより劣化や濃度の経時変化を生じた処理液によ
り基板が処理されることを防止することができる。従っ
て、基板を均一に処理することが可能となり、当該基板
により製造される製品の歩留まりの低下を防止すること
ができる。
【0043】請求項2に記載の発明によれば、処理液槽
中の処理液の交換時に、秤量槽中の処理液を排出した
後、秤量槽内に処理液を供給し、しかる後、秤量槽内の
処理液を処理液槽に供給することから、秤量槽中に長期
間貯留されることにより劣化や濃度の経時変化を生じた
処理液により基板が処理されることを防止することがで
きる。従って、基板を均一に処理することが可能とな
り、当該基板により製造される製品の歩留まりの低下を
防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1実施形態に係る基板処理装置の
要部を示す模式図である。
【図2】基板処理装置の電気的構成の要部を示すブロッ
ク図である。
【図3】処理液槽および秤量槽中の処理液の液位の変化
を示すタイムチャートである。
【図4】この発明の第2実施形態に係る基板処理装置の
要部を示す模式図である。
【図5】この発明の第3実施形態に係る基板処理装置の
要部を示す模式図である。
【符号の説明】
2 処理液槽 3 秤量槽 4 処理液吐出管 17 ドレイン 18 電磁弁 32 処理液供給管 33 処理液補充管 34 電磁弁 42 処理液排出管 43 ポンプ 44 電磁弁 52 処理液排出管 53 アスピレータ 54 電磁弁 65 制御部 W 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐野 精二 愛知県春日井市高蔵寺町2丁目1844番2 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 (72)発明者 廣江 敏朗 滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番1 大日本スクリーン製造株式会社 野洲事業所内 (72)発明者 田中 眞人 滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番1 大日本スクリーン製造株式会社 野洲事業所内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 そこに貯留した処理液中に基板を浸漬す
    ることにより当該基板を処理する処理液槽と、 前記処理液槽に供給するための処理液を貯留する秤量槽
    と、 前記秤量槽に処理液を供給する処理液供給手段と、 前記秤量槽に貯留された処理液を前記処理液槽に供給す
    るための処理液供給路と、 前記秤量槽に貯留された処理液を前記処理液槽に貯留さ
    れた処理液中に補充するための処理液補充路と、 処理液槽内に貯留された処理液の交換時において、前記
    秤量槽に貯留された処理液を排出した後、前記処理液供
    給手段により前記秤量槽内に処理液を供給し、しかる
    後、秤量槽内の処理液を前記処理液供給路を介して前記
    処理液槽に供給する処理液交換手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 基板を処理液槽に貯留された処理液中に
    浸漬して処理するとともに、基板の処理に伴って秤量槽
    から前記処理液槽に処理液を補充することにより処理液
    の疲労を防止する基板処理方法において、 前記処理液槽中の処理液の交換時に、前記秤量槽中の処
    理液を排出した後、前記秤量槽内に処理液を供給し、し
    かる後、前記秤量槽内の処理液を前記処理液槽に供給す
    ることを特徴とする基板処理方法。
JP16593598A 1998-05-29 1998-05-29 基板処理装置および基板処理方法 Pending JPH11342356A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16593598A JPH11342356A (ja) 1998-05-29 1998-05-29 基板処理装置および基板処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16593598A JPH11342356A (ja) 1998-05-29 1998-05-29 基板処理装置および基板処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11342356A true JPH11342356A (ja) 1999-12-14

Family

ID=15821819

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16593598A Pending JPH11342356A (ja) 1998-05-29 1998-05-29 基板処理装置および基板処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11342356A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100871824B1 (ko) 2007-09-27 2008-12-03 세메스 주식회사 처리액 공급유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR100897549B1 (ko) 2007-09-27 2009-05-15 세메스 주식회사 처리액 공급유닛, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 장치 및방법
US11676828B2 (en) 2020-03-17 2023-06-13 Kioxia Corporation Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100871824B1 (ko) 2007-09-27 2008-12-03 세메스 주식회사 처리액 공급유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR100897549B1 (ko) 2007-09-27 2009-05-15 세메스 주식회사 처리액 공급유닛, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 장치 및방법
US11676828B2 (en) 2020-03-17 2023-06-13 Kioxia Corporation Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3338134B2 (ja) 半導体ウエハ処理方法
KR100390545B1 (ko) 기판세정건조장치,기판세정방법및기판세정장치
JP3074366B2 (ja) 処理装置
JP3464843B2 (ja) 基板処理装置における基板処理方法および基板処理装置
US8652344B2 (en) Liquid treatment method and storage system
JP2739419B2 (ja) 基板処理装置
US20170037499A1 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium
JPH11342356A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4484639B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
WO2023027100A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP3892670B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
TWI839145B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
WO2023223908A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20060129790A (ko) 기판 세정 건조 장치
JPH08195372A (ja) 洗浄装置およびその方法
JP6939960B1 (ja) ウェハ洗浄水供給装置
GB2348120A (en) Method and apparatus for rinsing an object which has been cleaned with an acidic or alkaline cleaning chemical
JP3254519B2 (ja) 洗浄処理方法及び洗浄処理システム
JP3451567B2 (ja) 洗浄処理装置
JPH10172947A (ja) 単槽式洗浄方法およびその装置
JP2009087958A (ja) 洗浄・乾燥処理方法及びその装置並びにそのプログラム
JP2024032251A (ja) ウェハ洗浄水供給装置
JP3519603B2 (ja) 基板処理装置
JP2023135013A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
CN116889994A (zh) 基板处理装置和基板处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Effective date: 20051215

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060117

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060316

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060627