KR100871824B1 - 처리액 공급유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR100871824B1
KR100871824B1 KR1020070097361A KR20070097361A KR100871824B1 KR 100871824 B1 KR100871824 B1 KR 100871824B1 KR 1020070097361 A KR1020070097361 A KR 1020070097361A KR 20070097361 A KR20070097361 A KR 20070097361A KR 100871824 B1 KR100871824 B1 KR 100871824B1
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박귀수
이승호
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 처리액을 공급하는 유닛 및 이를 구비하여 반도체 기판을 처리조에 침지시켜 세정하는 장치에 관한 것이다. 본 발명은 자연낙하방식으로 저장탱크로부터 처리조로 처리액을 공급하는 공급라인을 구비하되, 공급라인에는 공급라인의 길이방향을 따라 복수의 토출홀들이 형성된다. 본 발명은 공정시 처리조에 채워지는 처리액의 압력으로 인해, 처리조로의 처리액 공급이 지연되는 것을 방지한다.
반도체, 웨이퍼, 세정, 베스, 처리조, 공급라인,

Description

처리액 공급유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치{treating liquid supply unit and apparatus for treating substrate with the same}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 처리액을 공급하는 유닛 및 상기 유닛으로부터 처리액을 공급받아 기판을 세정 처리하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조 공정은 웨이퍼 상의 미립자 금속 불순물, 유기 오염물, 표면 피막 등의 다양한 이물질을 제거하는 세정 공정을 포함한다. 이러한 세정 공정을 수행하는 장치 중 배치식 웨이퍼 세정장치는 처리액 공급유닛 및 기판 세정유닛 포함한다. 처리액 공급유닛은 저장탱크 및 처리조로 처리액을 공급하는 공급라인을 포함한다. 기판 세정유닛은 웨이퍼의 세정을 수행하는 유닛이다. 기판 세정유닛은 적어도 하나의 처리조(treating bath)를 포함한다. 이러한 기판 세정장치는 공정시 처리조가 공급라인으로부터 처리액을 공급받아 저장하고, 복수의 웨이퍼들을 처리조 내부에 채워진 처리액에 침지시켜 웨이퍼를 세정한다.
그러나, 상술한 구조의 세정 장치는 처리액 공급유닛의 신속한 처리액 공급이 어렵다. 즉, 공급라인은 자연낙하 방식으로 저장탱크 내 처리액을 처리조로 공 급한다. 그러나, 공급라인의 토출단은 처리조 내 공간까지 연결되어 있으므로, 처리액이 처리조에 채워질수록 공급라인의 토출단이 처리조 내 처리액에 의해 잠기면서, 처리조 내 처리액에 가해지는 수압에 의해 공급라인의 처리액 공급이 지연된다.
본 발명은 처리액의 공급을 효과적으로 수행하는 처리액 공급유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다. 특히, 본 발명은 자연낙하 방식으로 처리액을 공급하는 처리액 공급유닛의 처리액 공급 효율을 향상시킨다.
본 발명은 처리액이 채워지는 처리조 내 처리액의 교체를 신속하게 할 수 있는 처리액 공급유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 처리액 공급유닛은 처리액을 저장하는 저장탱크 및 상기 저장탱크 내 처리액을 처리조로 공급하는 공급라인을 포함하되, 상기 공급라인은 상기 처리조의 상부로부터 아래방향으로 연장되도록 설치되고, 상기 공급라인의 길이방향을 따라 형성되는 토출홀을 가지고, 상기 토출홀은 상기 처리조 내 처리액에 잠겨지는 상기 공급라인의 부분에 형성된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 공급라인은 상기 저장탱크 내 처리액을 자연낙하 방식으로 처리액을 공급한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 공급라인은 상기 처리조의 하부벽과 인접하도록 연장된다.
본 발명의 일 실시에에 따르면, 상기 토출홀은 복수개가 균등한 간격으로 형성된다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 토출홀은 복수개가 상기 공급라인의 하단으로 갈수록 크기가 증가하도록 형성된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 토출홀은 슬릿 형상이다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 토출홀은 상기 공급라인의 하단으로 갈수록 개구밀도가 증가하는 슬릿 형상이다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리액이 채워지는 공간을 가지는, 그리고 공정시 상기 공간에 채워진 처리액이 기판을 침지시켜 세정하는 처리조 및 상기 처리조로 처리액을 공급하는 처리액 공급유닛을 포함하되, 상기 처리액 공급유닛은 처리액을 저장하는 저장탱크 및 상기 저장탱크 내 처리액을 자연낙하 방식으로 상기 베스로 공급하는 공급라인을 포함하고, 상기 공급라인은 상기 처리조의 상부로부터 아래방향으로 연장되도록 설치되고, 상기 공급라인의 길이방향을 따라 형성되는 토출홀을 가지고, 상기 토출홀은 상기 처리조 내 처리액에 잠겨지는 상기 공급라인의 부분에 형성된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 공급라인은 상기 저장탱크 내 처리액을 자연낙하 방식으로 처리액을 공급한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 공급라인은 상기 처리조의 하부벽과 인접하게 연장된다.
본 발명의 일 실시에에 따르면, 상기 토출홀은 복수개가 균등한 간격으로 형성된다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 토출홀은 복수개가 상기 공급라인의 하단으로 갈수록 크기가 증가하도록 형성된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 토출홀은 슬릿 형상이다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 토출홀은 상기 공급라인의 하단으로 갈수록 개구밀도가 증가하는 슬릿 형상이다.
본 발명에 따른 처리액 공급유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치는 처리액의 공급을 효과적으로 수행한다. 특히, 본 발명은 자연낙하 방식으로 처리액을 공급하는 유닛의 처리액 공급 효율을 향상시킨다.
본 발명에 따른 처리액 공급유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치는 처리액이 채워지는 처리조 내 처리액의 교체를 신속하게 수행할 수 있어, 설비 가동률을 향상시킨다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
또한, 본 발명에 따른 실시예는 웨이퍼를 세정액에 침지시켜 세정하는 반도 체 기판 세정 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 소정의 처리액으로 기판을 처리하는 모든 기판 처리 장치에 적용이 가능할 수 있다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 공급라인을 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(10)는 처리액 공급유닛(treating liquid supply unit)(100) 및 기판 세정유닛(substrate cleaning unit)(200)을 포함한다.
처리액 공급유닛(100)은 기판 세정유닛(200)으로 처리액을 공급한다. 처리액 공급유닛(100)은 저장탱크(storage tank)(110), 유입라인(inflow line)(120), 그리고 공급라인(supply line)(130)을 포함한다. 저장탱크(110)는 내부에 처리액을 저장하는 공간을 가진다. 저장탱크(110)는 적어도 하나가 기판 세정유닛(200)의 상부에 구비된다. 유입라인(120)은 처리액 공급원(미도시됨)으로부터 저장탱크(110)로 처리액을 유입시킨다. 그리고, 공급라인(130)은 저장탱크(110) 처리액을 기판 세정유닛(200)으로 공급한다. 공급라인(130)에 대한 상세한 설명은 후술하겠다.
기판 세정유닛(200)은 반도체 기판(이하, '웨이퍼')(W)을 세정한다. 기판 세정유닛(200)은 처리조(treating bath)(210) 및 순환부재(circulation member)(220)를 포함한다. 처리조(210)는 적어도 하나가 구비된다. 처리조(210)는 내부베스(inner bath)(212) 및 외부베스(outer bath)(214)를 포함한다.
내부베스(212)는 제1 하우징(first housing)(212a), 분사노즐(injection nozzle)(212b), 그리고 보우트(boat)(212c)를 가진다. 제1 하우징(212a)은 내부에 복수의 웨이퍼(W)들의 세정 공정이 수행되는 공간을 가진다. 제1 하우징(212a)은 상부가 개방되며, 개방된 상부를 공정시 웨이퍼(W)들의 출입이 이루어지는 통로로 이용된다. 분사노즐(212b)은 공정시 제1 하우징(212a) 내부로 처리액을 분사한다. 그리고, 보우트(212c)는 공정시 제1 하우징(212a) 내부에서 복수의 웨이퍼(W)들을 상하로 수직하게 지지한다.
외부베스(214)는 제2 하우징(second housing)(214a) 및 커버(cover)(214b)를 가진다. 제2 하우징(214a)은 제1 하우징(212a)의 측부를 감싸도록 설치된다. 제2 하우징(214a)의 측벽의 상단 높이는 제1 하우징(212a)의 측벽 상단의 높이보다 높도록 제공된다. 제2 하우징(214a)은 공정시 제1 하우징(212a)의 개방된 상부로부터 넘쳐흐르는 처리액을 수용하도록 상부가 개방된다.
순환부재(220)은 처리조(210) 내 처리액을 순환시킨다. 순환부재(220)는 순환라인(circulation line)(222), 펌프(pump)(224), 그리고 필터(filter)(226)를 포함한다. 순환라인(222)의 일단은 제1 하우징(212a)과 연결되고, 순환라인(222)의 타단은 분사노즐(212b)에 연결된다. 순환라인(222)은 공정시 제2 하우징(214a) 내 처리액을 분사노즐(212b)로 공급한다. 펌프(224)는 순환라인(222) 상에 설치되어, 순환라인(222) 내 처리액에 유동압을 제공한다. 그리고, 필터(226)는 순환라인(222) 상에 설치되어, 순환라인(222)을 따라 흐르는 처리액 내 이물질을 필터링(filtering)한다.
계속해서, 본 발명에 따른 공급라인(130)을 상세히 설명한다. 도 2를 참조하면, 공급라인(130)은 저장탱크(110) 내 처리액을 처리조(210)로 공급한다. 공급라인(130)의 상단은 저장탱크(110)와 연결되고, 공급라인(130)의 하단은 제1 하우징(212a) 내부 공간으로 연장된다. 공급라인(130)은 대체로 상하수직하게 설치된다. 공급라인(130)은 제1 하우징(212a)의 측벽 상단(212a')의 높이(또는, 공정시 제1 하우징(212a) 내 처리액의 수위의 높이(H)를 기준으로 상부라인(132)과 딥라인(dip line)(134)으로 나뉜다.
상부라인(132)은 공정시 제1 하우징(212a) 내 처리액에 잠기지 않는 부분이고, 딥라인(134)은 공정시 제1 하우징(212a) 내 처리액에 잠기는 부분이다. 딥라인(134)에는 다수의 토출홀(134a)들이 형성된다. 일 실시예로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 토출홀(134a)들은 딥라인(134)의 길이방향을 따라 균등한 간격으로 배치된다. 각각의 토출홀(134a)들은 동일한 크기로 제공된다. 복수의 토출홀(134a)들이 형성되는 딥라인(134)은 공정시 제1 하우징(212a)에 신속하게 처리액을 공급한다. 즉, 공급라인(130)은 자연낙하 방식으로 제1 하우징(212a)에 처리액을 공급하므로, 공정시 제1 하우징(212a)에 처리액이 채워질수록, 제1 하우징(212a) 내 처리액에 딥라인(134)이 잠겨지므로, 제1 하우징(212a) 내 처리액의 수압으로 인해 공급라인(130)의 처리액 공급이 지연된다. 따라서, 딥라인(134)은 제1 하우징(212a) 내 처리액의 수위가 점차 상승되어 딥라인(134)이 처리액에 잠기더라도, 각각의 토출홀(134a)들이 외부 공간과 통하고 있으므로, 제1 하우징(212a) 내 처리액에 가해지 는 수압에 상관없이 처리액을 공급할 수 있어 제1 하우징(212a)에 효과적으로 처리액을 공급하도록 한다.
본 실시예에서는 균등한 크기 및 간격으로 형성되는 딥라인(130)을 예로 들어 설명하였으나, 딥라인(130)에 형성되는 토출홀(134a)들의 크기 및 간격, 그리고 모양 등은 다양하게 변경 및 변형될 수 있다.
예컨대, 도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 딥라인(130a)은 아래로 갈수록 개구밀도가 증가되도록 형성되는 토출홀(134a'')들을 가진다. 이러한 구조의 딥라인(130a)은 제1 하우징(212a)으로의 처리액 공급시 딥라인(130a)의 상부측에 형성되는 토출홀(134a'')로부터 토출되는 처리액의 양이 하부측에 형성되는 토출홀(134a'')로부터 토출되는 처리액의 양보다 적다. 따라서, 딥라인(130a)은 공정시 제1 하우징(212a)으로 처리액을 토출할 때, 딥라인(130a)의 상부측에 형성되는 토출홀(134a'')을 통해 토출되는 처리액의 양을 감소시킬 수 있어, 처리액이 제1 하우징(212a)으로 낙하함으로써 발생되는 처리액의 버블 현상 및 흄(fume)의 발생량을 감소시킨다. 또는, 상술한 딥라인(130a)과 반대되는 방식으로써, 딥라인은 상부로 갈수록 개구밀도가 증가되도록 형성되는 토출홀들을 갖도록 제공될 수 있다.
또는, 도 4를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 딥라인(130b)은 상하로 길게 형성되는 토출홀(134a'')을 가진다. 즉, 딥라인(130b)에 형성되는 토출홀(134a'')은 딥라인(130b)의 길이 방향을 따라 슬릿 형상으로 제공된다.
또는, 도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 딥라인(130c)은 상하로 길게 형성되되 아래로 갈수록 개구밀도가 증가되는 토출홀(134a''')을 가진다. 즉, 딥라인(130c)에 형성되는 토출홀(134a''')은 딥라인(130c)의 길이 방향을 따라 슬릿 형상으로 제공되되, 딥라인(130c)의 하단으로 갈수록 개구밀도가 증가된다. 또는, 상술한 딥라인(130a''')과 반대되는 방식으로써, 딥라인은 상부로 갈수록 개구밀도가 증가되도록 형성되는 슬릿 형상의 토출홀을 갖도록 제공될 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 상세히 설명한다. 도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
웨이퍼 세정 공정이 개시되면, 처리액이 채워진 처리조(210)에 복수의 웨이퍼(W)들을 침지시켜 웨이퍼(W)를 세정한다. 제1 하우징(212a) 내부에는 처리액 공급유닛(100)으로부터 공급받은 처리액이 저장되어 있으며, 로봇암(미도시됨)은 복수의 웨이퍼(W)들을 상하로 수직하게 지지한 후 제1 하우징(212a)에 침지시켜 보우트(212c)에 안착시킨다. 그리고, 순환부재(220)의 펌프(224)이 가동되어 순환라인(222)은 제2 하우징(214a)으로부터 분사노즐(212b)로 처리액을 공급한다. 분사노즐(212b)은 공급받은 처리액을 웨이퍼(W)들을 향해 분사하고, 분사된 처리액은 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 이물질을 제거한다.
상술한 웨이퍼(W) 세정 공정이 지속적으로 수행되면, 처리조(210) 내 처리액이 오염된다. 따라서, 세정 공정이 일정 횟수 이상으로 수행되면, 처리조(210) 내 처리액의 교체가 이루어진다. 처리조(210) 내 처리액의 교체가 수행되면, 처리 조(210) 내 처리액은 소정의 배수라인(미도시됨)을 통해 모두 배수된다.
처리조(210) 내 처리액이 모두 배수되면, 처리액 공급유닛(100)은 처리조(210)로 처리액을 공급한다. 즉, 도 6a를 참조하면, 밸브(V)가 오픈되어, 공급라인(130)은 저장탱크(110)로부터 제1 하우징(212a)으로 처리액을 공급한다. 여기서, 저장탱크(110) 내 처리액은 공급라인(130)에 형성되는 토출홀(134a)들 통해 제1 하우징(212a)으로 공급된다. 제1 하우징(212a)에 처리액이 공급되어, 제1 하우징(212a) 내 처리액의 수위가 상승되면, 공급라인(130)의 토출단(134)이 처리액에 점차 잠기게된다. 이때, 도 6b에 도시된 바와 같이, 공급라인(130)의 토출홀(134a)들 중 처리액에 잠기지 않은 토출홀(134a)들이 외부 공간과 통하고 있으므로, 제1 하우징(212a) 내 처리액에 점차 가해지는 수압으로 인해 제1 하우징(212a)으로의 처리액 공급이 지연되는 것을 방지한다.
제1 하우징(212a)의 처리액이 모두 채워지면, 제1 하우징(212a)으로부터 제2 하우징(214a)으로 처리액이 넘쳐흐르게 된다. 이때, 도 6c에 도시된 바와 같이, 공급라인(130)에 형성되는 토출홀(134a)들은 모두 제1 하우징(212a)에 채워진 처리액에 의해 잠겨진다. 처리조(210)에 처리액이 모두 채워지면, 도 6d에 도시된 바와 같이, 순환부재(220)가 처리조(210) 내 처리액을 순환시키면서, 웨이퍼(W)의 세정 공정이 수행된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 처리액 공급유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치는 공정시 처리액의 공급을 효과적으로 수행함으로써, 기판 처리 공정을 신속하게 수행할 수 있다. 특히, 본 발명은 중력에 의한 자연낙하 방식으로 처리조에 처리액을 공급하는 방식에 있어서, 처리조에 채워지는 처리액의 압력에 의해 처리액의 공급이 지연되는 현상을 방지함으로써, 처리조로의 처리액 공급을 신속하게 완료할 수 있다. 따라서, 본 발명은 처리조의 처리액 공급 교체를 신속하게 수행함으로써, 설비 가동률을 향상시킨다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 처리액 공급유닛의 공급라인을 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 공급라인을 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 공급라인을 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 공급라인을 보여주는 도면이다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
10 : 기판 처리 장치
100 : 처리액 공급유닛
110 : 저장탱크
120 : 유입라인
130 : 공급라인
200 : 세정유닛
210 : 처리조
220 : 순환부재

Claims (14)

  1. 처리액을 저장하는 처리조로 처리액을 공급하는 유닛에 있어서,
    처리액을 저장하는 저장탱크와,
    상기 저장탱크 내 처리액을 상기 처리조로 공급하는 공급라인을 포함하되,
    상기 공급라인은,
    상기 처리조의 상부로부터 아래방향으로 연장되도록 설치되고, 상기 공급라인의 길이방향을 따라 형성되는 토출홀을 가지고,
    상기 토출홀은,
    상기 처리조 내 처리액에 잠겨지는 상기 공급라인의 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 처리액 공급유닛.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공급라인은,
    상기 저장탱크 내 처리액을 자연낙하 방식으로 처리액을 공급하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급유닛.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 공급라인은,
    상기 처리조의 하부벽과 인접하게 연장되는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 유닛.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 토출홀은,
    복수개가 균등한 간격으로 형성되는 것을 특징으로 하는 처리액 공급유닛.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 토출홀은,
    복수개가 상기 공급라인의 하단으로 갈수록 크기가 증가하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 처리액 공급유닛.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 토출홀은,
    슬릿 형상인 것을 특징으로 하는 처리액 공급유닛.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 토출홀은,
    상기 공급라인의 하단으로 갈수록 개구밀도가 증가하는 슬릿 형상인 것을 특징으로 하는 처리액 공급유닛.
  8. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리액이 채워지는 공간을 가지는, 그리고 공정시 상기 공간에 채워진 처리액이 기판을 침지시켜 세정하는 처리조와,
    상기 처리조로 처리액을 공급하는 처리액 공급유닛을 포함하되,
    상기 처리액 공급유닛은,
    처리액을 저장하는 저장탱크와,
    상기 저장탱크 내 처리액을 자연낙하 방식으로 상기 처리조로 공급하는 공급라인을 포함하고,
    상기 처리조의 상부로부터 아래방향으로 연장되도록 설치되고, 상기 공급라인의 길이방향을 따라 형성되는 토출홀을 가지고,
    상기 토출홀은,
    상기 처리조 내 처리액에 잠겨지는 상기 공급라인의 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 공급라인은,
    상기 저장탱크 내 처리액을 자연낙하 방식으로 처리액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 공급라인은,
    상기 처리조의 하부벽과 인접하게 연장되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 토출홀은,
    복수개가 균등한 간격으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 토출홀은,
    복수개가 상기 공급라인의 하단으로 갈수록 크기가 증가하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 토출홀은,
    슬릿 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 토출홀은,
    상기 공급라인의 하단으로 갈수록 개구밀도가 증가하는 슬릿 형상인 것을 특 징으로 하는 기판 처리 장치.
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