CN108447805A - 湿法链式刻蚀槽进液结构 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种湿法链式刻蚀槽进液结构，其特征是：包括设置于湿刻槽槽体底部的进液盒，进液盒设置于远离硅片进料方向的一侧；在所述进液盒朝向硅片进料方向的一侧设置有一排出液排孔，进液盒的底部设置进液口，进液盒通过进液口与进液管路连接。本发明能够提高槽体进液的稳定性，避免硅片表面产生气泡印而生的降低，减少或杜绝不良片的产生。

Description

湿法链式刻蚀槽进液结构
技术领域
本发明涉及一种用于太阳能光伏湿法链式刻蚀机，尤其是一种湿法链式刻蚀槽进液结构。
背景技术
太阳能电池制造经过扩散形成PN结后，需要通过刻蚀工序去掉硅片背面和硅片侧面的PN结，达到正面与背面绝缘的目的。目前，太阳能光伏湿法链式刻蚀机在使用中存在以下问题：现有的湿光链式刻蚀机的湿刻槽一般采用进液管的方式进行进液，如图1-1、图1-2所示，在湿刻槽槽体1a的底部连接多个进液管路2a，进液管路2a通过阀门3a连接多个进液管支路4a，进液管支路4a连接进液管5a的进口端，进液管5a设置于液刻槽槽体1a内侧底部，在进液管5a的下方排列有多个圆孔出液孔6a。上述的湿刻槽主要有以下缺陷：液体从进液管5a上的出液孔6a流出，管路易聚集气体从出液孔6a流出，硅片在刻蚀液中行走过程中，气泡浮出液面炸开会使硅片的正面粘液，造成硅片表面产生气泡印，造成硅片降级或形成不良片。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种湿法链式刻蚀槽进液结构，能够提高槽体进液的稳定性，避免硅片表面产生气泡印而生的降低，减少或杜绝不良片的产生。
按照本发明提供的技术方案，所述湿法链式刻蚀槽进液结构，其特征是：包括设置于湿刻槽槽体底部的进液盒，进液盒设置于远离硅片进料方向的一侧；在所述进液盒朝向硅片进料方向的一侧设置有一排出液排孔，进液盒的底部设置进液口，进液盒通过进液口与进液管路连接。
进一步地，在所述进液盒的内部设置有内衬板，内衬板的底部与进液盒的下部密封连接，内衬板的顶端与进液盒的上部之间具有出液间隙。
进一步地，在所述出液排孔的上方设置挡板。
进一步地，所述挡板向下方倾斜45°角设置。
进一步地，所述出液排孔采用两排或多排。
进一步地，在相邻的出液排孔之间设置有挡板。
进一步地，所述挡板的宽度从上至下依次减小。
进一步地，所述进液盒、内衬板和挡板采用PVDF材质。
进一步地，在所述进液管路上设置阀体。
本发明具有以下优点：
（1）本发明能够保证进液过程液面稳定，使进液更加均匀，提高槽体进液稳定性，能够极大地减缓气泡的流出；
（2）本发明通过挡片的设计能够阻挡气泡浮出液面炸开使硅片粘液，避免硅片表面产生气泡印而降级；
（3）本发明能够提高设备稳定性，增加工艺调试稳定性，并用设备改造成本低，改造结构简单方便、易操作。
附图说明
图1-1为现有技术中湿刻槽槽体的示意图。
图1-2为现有技术中湿刻槽体内进结构的示意图。
图2为本发明所述湿法链式刻蚀槽的结构示意图。
图3为本发明所述湿法链式刻蚀槽进液结构的示意图。
图4-1为所述进液盒的内部示意图。
图4-2为所述进液盒上出液排孔的示意图。
图4-3为所述进液盒的俯视图。
附图标记说明：1-湿刻槽槽体、2-进液盒、3-出液排孔、4-内衬板、5-出液间隙、6-进液口、7-进液管路、8-阀体、9-挡板。
具体实施方式
下面结合具体附图对本发明作进一步说明。
实施例一：
如图2、图3所示，本发明所述湿法链式刻蚀槽进液结构包括设置于湿刻槽槽体1底部的进液盒2，进液盒2设置于远离硅片进料方向的一侧；如图4-1、图4-2、图4-3所示，在所述进液盒2朝向硅片进料方向的一侧设置有一排出液排孔3，在进液盒2的内部设置有内衬板4，内衬板4的底部与进液盒2的下部密封连接，内衬板4的顶端与进液盒2的上部之间具有出液间隙5；所述进液盒2的底部设置进液口6，进液盒2通过进液口6与进液管路7连接，以实现进液；在所述进液管路7上设置阀体8，用于控制进液。
在进液过程中，液体从进液口6进入进液盒2内部，液体流向如图4-1所示，由内衬板4顶部的出液间隙5流向出液排孔3，由于出液排孔3位于远离硅片进料方向的一侧，并且出液排孔3朝向硅片进料方向进行出液，与硅片的进料方向相反，能够保证进液过程液面稳定，使进液更加均匀，提高槽体进液稳定性，能够极大地减缓气泡的流出。
另外，在所述出液排孔3的上方设置挡板9，挡板9向下方倾斜45°角设置，当有少量气泡流出出液排孔3时，挡板9可以起到阻挡的作用，从而使气泡避开硅片，避免对硅片的影响。
所述进液盒2、内衬板4和挡板9采用PVDF材质，能够抗腐蚀老化，增加使用寿命。
实施例二：
本发明所述湿法链式刻蚀槽进液结构包括设置于湿刻槽槽体1底部的进液盒2，进液盒2设置于远离硅片进料方向的一侧；在所述进液盒2朝向硅片进料方向的一侧设置有两排或两排以上的出液排孔3，在进液盒2的内部设置有内衬板4，内衬板4的底部与进液盒2的下部密封连接，内衬板4的顶端与进液盒2的上部之间具有出液间隙5；所述进液盒2的底部设置进液口6，进液盒2通过进液口6与进液管路7连接，以实现进液；在所述进液管路7上设置阀体8，用于控制进液。
在进液过程中，液体从进液口6进入进液盒2内部，液体流向如图4-1所示，由内衬板4顶部的出液间隙5流向出液排孔3，由于出液排孔3位于远离硅片进料方向的一侧，两排或多排的出液排孔3朝向硅片进料方向同时进行出液，与硅片的进料方向相反，能够保证进液过程液面稳定，使进液更加均匀，提高槽体进液稳定性，能够极大地减缓气泡的流出。
另外，在所述出液排孔3的上方设置挡板9，挡板9向下方倾斜45°角设置，当有少量气泡流出出液排孔3时，挡板9可以起到阻挡的作用，从而使气泡避开硅片，避免对硅片的影响。
所述进液盒2、内衬板4和挡板9采用PVDF材质，能够抗腐蚀老化，增加使用寿命。
实施例三：
本发明所述湿法链式刻蚀槽进液结构包括设置于湿刻槽槽体1底部的进液盒2，进液盒2设置于远离硅片进料方向的一侧；在所述进液盒2朝向硅片进料方向的一侧设置有两排或两排以上的出液排孔3，在进液盒2的内部设置有内衬板4，内衬板4的底部与进液盒2的下部密封连接，内衬板4的顶端与进液盒2的上部之间具有出液间隙5；所述进液盒2的底部设置进液口6，进液盒2通过进液口6与进液管路7连接，以实现进液；在所述进液管路7上设置阀体8，用于控制进液。
在进液过程中，液体从进液口6进入进液盒2内部，液体流向如图4-1所示，由内衬板4顶部的出液间隙5流向出液排孔3，由于出液排孔3位于远离硅片进料方向的一侧，两排或多排的出液排孔3朝向硅片进料方向同时进行出液，与硅片的进料方向相反，能够保证进液过程液面稳定，使进液更加均匀，提高槽体进液稳定性，能够极大地减缓气泡的流出。
在相邻的出液排孔3之间以及最上排的出液排孔3上方均设置有挡板9，挡板9分别向下方倾斜45°角设置，当有少量气泡流出出液排孔3时，挡板9可以对每一排的出液排孔3均起到较好的阻挡作用，从而使气泡避开硅片，避免对硅片的影响。
所述进液盒2、内衬板4和挡板9采用PVDF材质，能够抗腐蚀老化，增加使用寿命。

Claims (9)

1.一种湿法链式刻蚀槽进液结构，其特征是：包括设置于湿刻槽槽体（1）底部的进液盒（2），进液盒（2）设置于远离硅片进料方向的一侧；在所述进液盒（2）朝向硅片进料方向的一侧设置有一排出液排孔（3），进液盒（2）的底部设置进液口（6），进液盒（2）通过进液口（6）与进液管路（7）连接。
2.如权利要求1所述的湿法链式刻蚀槽进液结构，其特征是：在所述进液盒（2）的内部设置有内衬板（4），内衬板（4）的底部与进液盒（2）的下部密封连接，内衬板（4）的顶端与进液盒（2）的上部之间具有出液间隙（5）。
3.如权利要求1所述的湿法链式刻蚀槽进液结构，其特征是：在所述出液排孔（3）的上方设置挡板（9）。
4.如权利要求3所述的湿法链式刻蚀槽进液结构，其特征是：所述挡板（9）向下方倾斜45°角设置。
5.如权利要求1所述的湿法链式刻蚀槽进液结构，其特征是：所述出液排孔（3）采用两排或多排。
6.如权利要求5所述的湿法链式刻蚀槽进液结构，其特征是：在相邻的出液排孔（3）之间设置有挡板。
7.如权利要求6所述的湿法链式刻蚀槽进液结构，其特征是：所述挡板的宽度从上至下依次减小。
8.如权利要求1所述的湿法链式刻蚀槽进液结构，其特征是：所述进液盒（2）、内衬板（4）和挡板（9）采用PVDF材质。
9.如权利要求1所述的湿法链式刻蚀槽进液结构，其特征是：在所述进液管路（7）上设置阀体（8）。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6276379B1 (en) * 1998-05-29 2001-08-21 Lsi Logic Corporation Anti-microbubble deposition apparatus
US20060037698A1 (en) * 2004-08-19 2006-02-23 Kennedy Timothy J Systems and methods for processing microfeature workpieces
CN1853799A (zh) * 2005-04-20 2006-11-01 芝浦机械电子株式会社 基板的处理装置及处理方法
CN1908618A (zh) * 2005-08-05 2007-02-07 尚宏光电有限公司 一种刻蚀液的脱泡装置
KR100871824B1 (ko) * 2007-09-27 2008-12-03 세메스 주식회사 처리액 공급유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
CN203179850U (zh) * 2013-04-16 2013-09-04 天津英利新能源有限公司 一种湿法刻蚀机
CN206619606U (zh) * 2017-02-21 2017-11-07 无锡德鑫太阳能电力有限公司 匹配链式扩散的刻蚀槽的槽盖结构
CN208225848U (zh) * 2018-03-30 2018-12-11 无锡尚德太阳能电力有限公司 湿法链式刻蚀槽进液结构

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6276379B1 (en) * 1998-05-29 2001-08-21 Lsi Logic Corporation Anti-microbubble deposition apparatus
US20060037698A1 (en) * 2004-08-19 2006-02-23 Kennedy Timothy J Systems and methods for processing microfeature workpieces
CN1853799A (zh) * 2005-04-20 2006-11-01 芝浦机械电子株式会社 基板的处理装置及处理方法
CN1908618A (zh) * 2005-08-05 2007-02-07 尚宏光电有限公司 一种刻蚀液的脱泡装置
KR100871824B1 (ko) * 2007-09-27 2008-12-03 세메스 주식회사 처리액 공급유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
CN203179850U (zh) * 2013-04-16 2013-09-04 天津英利新能源有限公司 一种湿法刻蚀机
CN206619606U (zh) * 2017-02-21 2017-11-07 无锡德鑫太阳能电力有限公司 匹配链式扩散的刻蚀槽的槽盖结构
CN208225848U (zh) * 2018-03-30 2018-12-11 无锡尚德太阳能电力有限公司 湿法链式刻蚀槽进液结构

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