CN220513437U - 电子级氢氟酸提纯用降膜蒸发器 - Google Patents

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Abstract

电子级氢氟酸提纯用降膜蒸发器,包括上管箱、上管板、壳体、下管板和下封头,壳体内设置有碳化硅换热管和多个折流板,所述碳化硅换热管的上端穿设通过上管板后连接有降膜头,碳化硅换热管的下端依次穿设通过多个折流板后穿设在下管板中,所述上管箱内设置有挡圈,上管箱与挡圈之间形成进料空间,所述上管箱的一侧设置有进料口,所述挡圈下部设置有进料缺口,所述降膜头设置在挡圈内,所述降膜头上设置有多个下液孔,下液孔倾斜向下设置,下液孔的出液口端沿降膜头内壁圆周的切向方向设置。本实用新型成膜所需液体流量小,成膜效果好,适用于正压操作条件的降膜蒸发器,实现了低流量下良好的换热效果,不容易造成液体阻塞。

Description

电子级氢氟酸提纯用降膜蒸发器
技术领域
本实用新型涉及氢氟酸生产技术领域,尤其涉及电子级氢氟酸提纯用降膜蒸发器。
背景技术
氢氟酸是重要的化工原料,随着化工行业的发展尤其是半导体行业的兴起,对于氢氟酸纯度的要求日益提高,在氢氟酸的提纯工艺中,精馏是重要的工序,降膜蒸发器由于需要物料流量小,传热效率高,在氢氟酸精馏过程中的应用日益广泛。
目前常规的降膜蒸发器顶部采用溢流方式进入换热管,管内成膜效果较差,所需单位换热长度液体流量大,要满足换热要求,换热管管长会较长,正压条件下由于气体流向与液体流量相反,容易造成液体阻塞,影响设备正常运行。
实用新型内容
为了克服上述技术的不足,本实用新型的目的是提供电子级氢氟酸提纯用降膜蒸发器。
本实用新型所采用的技术方案是:电子级氢氟酸提纯用降膜蒸发器,包括上管箱、上管板、壳体、下管板和下封头,壳体的上部与上管板的下部连接,上管板的上部与上管箱连接,壳体的下部与下管板的上部连接,下管板的下部与下封头连接,壳体内设置有碳化硅换热管和多个折流板,所述多个折流板沿壳体长度方向依次间隔交叉设置,所述碳化硅换热管的上端穿设通过上管板后连接有降膜头,碳化硅换热管的下端依次穿设通过多个折流板后穿设在下管板中,所述上管箱内设置有挡圈,上管箱与挡圈之间形成进料空间,所述上管箱的一侧设置有进料口,所述挡圈下部设置有进料缺口,所述降膜头设置在挡圈内,所述降膜头上设置有多个下液孔,下液孔倾斜向下设置,下液孔的出液口端沿降膜头内壁圆周的切向方向设置。
进一步的,所述多个下液孔沿降膜头圆周方向依次间隔设置。
进一步的,所述下液孔设置在降膜头的中部。
所述上管箱呈圆柱状,上管箱与挡圈同轴设置。
所述挡圈四周装有固定螺栓,挡圈通过所述固定螺栓与上管箱连接。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:本实用新型成膜所需液体流量小,成膜效果好,适用于正压操作条件的降膜蒸发器,实现了低流量下良好的换热效果,不容易造成液体阻塞,降膜头的下液孔采用切向方向进入碳化硅换热管,可以在小流量下实现良好的成膜效果,同时下液孔沿液体流动方向向下倾斜,可以加快液膜的形成,避免液膜初始形成阶段液膜过厚,造成气体流通截面变小,影响降膜蒸发器运行的稳定。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是本实用新型的降膜头的结构示意图;
图3是图2的俯视结构示意图;
图4是挡圈的结构示意图;
图5是上管箱的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作详细说明。
如图1至图5所示,电子级氢氟酸提纯用降膜蒸发器,包括上管箱1、上管板2、壳体3、下管板4和下封头5,壳体3的上部与上管板2的下部连接,上管板2的上部与上管箱1连接,壳体3的下部与下管板4的上部连接,下管板4的下部与下封头5连接,壳体3内设置有碳化硅换热管6和多个折流板7,所述多个折流板7沿壳体3长度方向依次间隔交叉设置,所述碳化硅换热管6的上端穿设通过上管板2后连接有降膜头8,碳化硅换热管6的下端依次穿设通过多个折流板7后穿设在下管板4中,所述上管箱1内设置有挡圈9,上管箱1与挡圈9之间形成进料空间,所述上管箱1的一侧设置有进料口11,所述挡圈9下部设置有进料缺口91,所述降膜头8设置在挡圈9内,所述降膜头8上设置有多个下液孔81,下液孔81倾斜向下设置,下液孔81的出液口端沿降膜头8内壁圆周的切向方向设置。
所述多个下液孔81沿降膜头8圆周方向依次间隔设置。
所述上管箱1呈圆柱状,上管箱1与挡圈9同轴设置。
所述挡圈9四周装有固定螺栓,挡圈9通过所述固定螺栓与上管箱1连接。
本实用新型工作时,待提纯氢氟酸由进料口11进入,沿挡圈9底部的进料缺口91进入上管板1上方,上管板1上方液位超过降膜头下液孔81一定高度后,通过下液孔流出液体流量与进料液体流量平衡,稳定时的液位高度可以通过设计不同下液孔的直径大小进行调节,液位差的存在避免了降膜头安装时的轻微差异导致的碳化硅内液位分配不均。下液孔81沿切向方向进入降膜头内圆,可在小流量下实现良好的成膜效果。下液孔81沿液体流动方向向下倾斜,可以加快液膜的形成,避免液膜初始形成阶段液膜过厚,造成气体流通截面变小,影响降膜蒸发器运行的稳定。
本实用新型针对目前氢氟酸提纯中降膜蒸发器的不足,提出一种成膜所需液体流量小,成膜效果好,适用于正压操作条件的降膜蒸发器,实现了低流量下良好的换热效果,不容易造成液体阻塞。
降膜蒸发器采用气体流向与液体流向反向运行的方式,可以在正压体系下实现降膜蒸发器的良好运行。
降膜蒸发器物料侧向进口,内设挡圈,液体由挡圈和上管箱之间的进料空间流入,由挡圈下部的进料缺口进入各降膜头的下液孔,可有效保证液面的稳定,避免液体直接喷溅进入碳化硅换热管。
降膜头的下液孔采用切向方向进入碳化硅换热管,可以在小流量下实现良好的成膜效果,同时下液孔沿液体流动方向向下倾斜,可以加快液膜的形成,避免液膜初始形成阶段液膜过厚,造成气体流通截面变小,影响降膜蒸发器运行的稳定。
换热管采用碳化硅管,可以避免氢氟酸的腐蚀导致对氢氟酸的污染,实现高纯度氢氟酸的制备。
上述实施例以本实用新型技术方案为前提,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本实用新型的保护范围不限于上述的实施例。

Claims (4)

1.电子级氢氟酸提纯用降膜蒸发器,包括上管箱(1)、上管板(2)、壳体(3)、下管板(4)和下封头(5),壳体(3)的上部与上管板(2)的下部连接,上管板(2)的上部与上管箱(1)连接,壳体(3)的下部与下管板(4)的上部连接,下管板(4)的下部与下封头(5)连接,壳体(3)内设置有碳化硅换热管(6)和多个折流板(7),所述多个折流板(7)沿壳体(3)长度方向依次间隔交叉设置,所述碳化硅换热管(6)的上端穿设通过上管板(2)后连接有降膜头(8),碳化硅换热管(6)的下端依次穿设通过多个折流板(7)后穿设在下管板(4)中,其特征在于:所述上管箱(1)内设置有挡圈(9),上管箱(1)与挡圈(9)之间形成进料空间,所述上管箱(1)的一侧设置有进料口(11),所述挡圈(9)下部设置有进料缺口(91),所述降膜头(8)设置在挡圈(9)内,所述降膜头(8)上设置有多个下液孔(81),下液孔(81)倾斜向下设置,下液孔(81)的出液口端沿降膜头(8)内壁圆周的切向方向设置。
2.如权利要求1所述的电子级氢氟酸提纯用降膜蒸发器,其特征在于:所述多个下液孔(81)沿降膜头(8)圆周方向依次间隔设置。
3.如权利要求1所述的电子级氢氟酸提纯用降膜蒸发器,其特征在于:所述上管箱(1)呈圆柱状,上管箱(1)与挡圈(9)同轴设置。
4.如权利要求1所述的电子级氢氟酸提纯用降膜蒸发器,其特征在于:所述挡圈(9)四周装有固定螺栓,挡圈(9)通过所述固定螺栓与上管箱(1)连接。
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