JP6938253B2 - 半導体製造装置および半導体装置の処理方法 - Google Patents
半導体製造装置および半導体装置の処理方法 Download PDFInfo
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図1から図3を参照して、本実施の形態に係る半導体製造装置および半導体装置の処理方法について説明する。なお、以下では、本発明の半導体製造装置の一例として、半導体装置の製造工程において用いられる無電解メッキ処理装置(基板表面処理装置)を例示し説明する。
半導体製造装置10では、後述するように、処理液Lがポンプ30によって処理槽12からバッファ槽14へ還流する構成となっている。
しかしながら、処理液Lがオーバーフローする方向を制限したい等の理由から、処理槽12の側面部22の外壁の一部に沿って設けてもよい。
一方、バンチング板16の下側の下槽では、排液口18に向かう処理液Lの流れによって乱流TFが発生する可能性があるが、仮に発生したとしてもバンチング板16が存在することにより該乱流TFが被処理ウェハWAFへ影響することが極力抑制されている。換言すれば、被処理ウェハWAFは、処理液Lの乱流TFから隔離されている。このことによっても、処理槽12内の被処理ウェハWAFの面内での、あるいは被処理ウェハWAF間でのメッキ金属の膜厚の均一化、および膜質の均質化がより向上する。
図4を参照して、本実施の形態に係る半導体製造装置10Aについて説明する。半導体製造装置10Aは、上述した半導体製造装置10に対して、処理槽12の形状が異なる形態の無電解メッキ処理装置である。従って、半導体製造装置10と同様の構成には同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
12、12A 処理槽
14、14A バッファ槽
16 バンチング板
18 排液口
20 開口部
22 側面部
24 底面部
26 側面部
28 底面部
29 底面
30 ポンプ
32 フィルタ
34 還流口
50 半導体製造装置
52 処理槽
54 バッファ槽
56 処理液供給ノズル
60 開口部
70 ポンプ
72 フィルタ
80 半導体製造装置
86 バンチング板
90 開口部
D1、D2、D3、D4、D5、D6 方向
L 処理液
TF 乱流
WAF 被処理ウェハ
Claims (8)
- 処理液を用いて半導体基板の表面処理を行う半導体製造装置であって、
底面部と前記底面部に接続された側面部とを備えるとともに前記処理液を蓄え、前記表面処理を行う処理槽と、
前記底面部に設けられるとともに前記処理液を排液する排液口と、
前記処理槽の側面部に接して設けられるとともに前記処理液を蓄え、前記処理液の液面が、前記処理槽の前記処理液の液面より予め定められた長さだけ高くされたバッファ槽と、
前記バッファ槽の底面部または側面部に設けられるとともに前記処理液を還流させる還流口と、を備え、
前記排液口から排液された前記処理槽内の処理液を、前記還流口および前記バッファ槽を介し、前記バッファ槽の液面から前記処理槽の液面へオーバーフローさせることによって前記処理槽に供給する
半導体製造装置。 - 前記還流口が前記バッファ槽の底面部に設けられ、
前記バッファ槽が前記処理槽の側面部の外壁に沿って全周にわたって設けられている
請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記処理液を通過させる複数の開口部を有するとともに前記底面部と平行に前記処理槽の内部に設けられたバンチング板をさらに備え、
前記処理槽は、前記バンチング板により前記バンチング板より上側の上槽と、前記バンチング板より下側の下槽とに区画され、前記表面処理に際して前記半導体基板が前記上槽に配置される
請求項1または請求項2に記載の半導体製造装置。 - 前記還流口が前記バッファ槽の側面部に設けられ、
前記バッファ槽が前記処理槽の側面部の内壁に沿って全周にわたって設けられている
請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記バッファ槽の底部の高さは前記処理槽の前記底面部よりも高く、
前記処理槽は前記バッファ槽の底部の下側まで延伸して設けられている
請求項4に記載の半導体製造装置。 - 前記処理液を通過させる複数の開口部を有するとともに前記底面部と平行に前記処理槽の内部に設けられたバンチング板をさらに備え、
前記処理槽は、前記バンチング板により前記バンチング板より上側の上槽と、前記バンチング板より下側の下槽とに区画され、前記表面処理に際して前記半導体基板が前記上槽に配置される
請求項4または請求項5に記載の半導体製造装置。 - 前記バンチング板は、前記底面部と平行にかつ前記バッファ槽の底部の下側まで延伸して前記処理槽の内部に設けられる
請求項6に記載の半導体製造装置。 - 処理液を蓄え半導体基板の表面処理を行う処理槽、および前記処理槽の側面部に接して設けられるとともに液面を前記処理槽の液面より高い位置として前記処理液を蓄えるバッファ槽を備えた半導体製造装置を用いた半導体装置の処理方法であって、
前記処理槽に設けられるとともに前記処理液を排液する排液口から、前記バッファ槽の底面部または側面部に設けられるとともに前記排液口からの前記処理液を還流させる還流口へ前記処理液を還流させ、
前記還流によって前記バッファ槽の液面をオーバーフローさせ前記処理液を前記処理槽に供給する
半導体装置の処理方法。
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