JPH03115593A - 鍍金方法及びその鍍金方法に使用する鍍金装置 - Google Patents

鍍金方法及びその鍍金方法に使用する鍍金装置

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JPH03115593A
JPH03115593A JP1252093A JP25209389A JPH03115593A JP H03115593 A JPH03115593 A JP H03115593A JP 1252093 A JP1252093 A JP 1252093A JP 25209389 A JP25209389 A JP 25209389A JP H03115593 A JPH03115593 A JP H03115593A
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    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
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    • HELECTRICITY
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    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/241Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、被鍍金基板にw4鍍金を施す鍍金方法及びそ
の鍍金方法に使用する鍍金装置に関する。
(従来の技術) 昨今の電子機器において、高集積度が要求されるプリン
ト基板にあっては、配線巾及びその間隙が100μm以
下にまで細く、かつ接近するようになり、銅鍍金の均一
化が要求されている。
このような被鍍金基板に鍍金を施す鍍金方法及びその鍍
金方法に使用する鍍金装置について第5図によって説明
する。
図中符号1は鍍金タンクであり、鍍金タンク1内には被
鍍金基板2と、被鍍金基板2と間隙を有し、かつ被鍍金
基板2を介して対峙する陽極板3が配設されている。更
に鍍金タンクlの底部には気泡筐6が設けてあり、非作
動時において鍍金タンクlの上端を被う位置まで鍍金液
7により満されている。
このような鍍金装置により被鍍金基板2に鍍金を施すに
は陰極板となる被鍍金基板2及び陽極板3に電流を供給
し、かつ気泡筐6の孔6aから被鍍金基vji2の両側
面に沿って気泡が上昇するように鍍金液7内に気泡を放
出させることにより、鍍金液7内に上昇流を発生させ、
鍍金液7を撹拌する。
鍍金液7内の上昇流により、鍍金液7の液面は鎖線7′
で示すように盛り上り、陽極板3の外方へ流出し、陽極
板3の下部より陽極板3と被鍍金基板2間へ流入するこ
とにより鍍金液7を循環させつ被鍍金基板2に鍍金を施
す。
上記のような鍍金方法において被鍍金基板に均一な鍍金
を施すには鍍金液の金属イオン濃度を減じて析出する金
属結晶を細くなるようにして鍍金を行うが、金属イオン
濃度の低下は印加する陰極電流密度を低くしなければな
らず、従って鍍金時間が長くなる。例えば、一般に標準
鍍金浴において硫酸銅75g/j!(範囲60〜120
g/f)にあっては陰極電流密度が3A/dm”  (
範囲1〜5 A /dmt)であり、発明者の経験によ
れば60g/lの硫酸銅濃度において鍍金可能な陰極電
流密度の範囲は1〜1.5A/da+”である。
この条件中で例えば330m/m X 300m/mの
被鍍金基板に25〜30μmの銅鍍金を施し、各部位の
鍍金厚を測定すると最小値と最大値との差は10μmを
超えるのが現実である。
この対策として鍍金液の強撹拌及び陰極板である被鍍金
基板と陽極板との距離を小とすることが考えられる。
その理由は、被鍍金基板と陽極板との距離が大であると
、幅の大なる鍍金タンクとなり、大量の鍍金液が循環し
て対流し、液応力による流れが発生し、渦が生じて、被
鍍金基板表面に層流を作り、ヤケが発生するからである
。これに対し、被鍍金基板と陽極板との距離を小として
鍍金タンクの幅を小とすると陽極板等が撹拌による対流
に不整な抵抗を与え、渦の発生を抑制し、更に陰極板と
なる被鍍金基板と陽極板間の距離が小となるに従い、ま
た陰極電流密度が高くなるに従い被鍍金基板と陽極板間
の電気力線が強くなり、被鍍金基板と陽極板の端部に生
じる湾曲した電気力線が小さくなり、また数も減少する
ことにより被鍍金基板外縁における析出厚が薄くなり、
このため均一な鍍金が得られる。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら上記のように幅の小なる鍍金タンクであっ
ても気泡筐から発生する気泡筐が少ない等により鍍金液
の空気撹拌が充分に弱い場合、気泡によって生じる鍍金
液の対流は穏やかで被鍍金基板の表面には殆んど影響を
及ぼさず、この状態が連続することから高陰極電流密度
を与えることができず、低陰極電流密度による長時間に
亘る鍍金作業が必要となる。
また気泡面により気泡を充分に供給し、強い空気撹拌を
施し、高陰極電流密度を印加した場合であっても被鍍金
基板の両側面における鍍金液の上昇抵抗の均衡が何等の
原因により崩れると、一方の対流が強くなり、例えば第
6図において被鍍金基板2の固視右側の対流が左側に比
べ強い場合には、陽極板2の外側を経由して陽極板3の
下方から陽極板2の内側へ流入する対流が気泡面6の孔
6aから発生したばかりの気泡を被鍍金基板2の左側に
押し流し、被鍍金基板2の右側の鍍金液7の撹拌が不充
分となり、単に鍍金液のみが被鍍金基板2の表面を流れ
、被鍍金基板2の右側にヤケを惹き起す。
この状態が哲く続くと、被鍍金基板2の左側の液圧が右
側に比べ大となり、第7図に示すように前記とは逆に左
側の対流が強くなり、左側の陽極板3の下方から陽極板
3の内側に流入する鍍金液7の対流が気泡面6より放出
されたばかりの気泡を被鍍金基板2の右側に押し流し、
被鍍金基板2の左側の撹拌が不充分となり、被鍍金基板
2の左側にヤケを惹き起す。この現象を繰返し、適切な
鍍金処理が得られない。
また、被鍍金基板の左右側に気泡を均一に分割し得た場
合であっても第8図に示すように気泡面6の中央部から
発生した気泡は鍍金タンク1の内壁による抵抗もなく、
気泡自身が作り出す強い上昇液流であり、左右の気泡を
引き寄せ、更に強い上昇流となり、鍍金タンク1内の中
央部の液面を最も高く盛り上げる。この盛り上った鍍金
液は液面の低い左右に連続して流れ落ち、鍍金液は鍍金
タンク1の左右底部に向い強い流れとなり、鍍金タンク
1の中央部を除いて被鍍金板2の左右にヤケを起す等の
不具合がある。
従って本発明の目的は、幅の小なる鍍金タンクであって
、被鍍金基板の両側面において充分な鍍金液の撹拌を得
て、高陰極電流密度の印加を可能にして鍍金時間の短縮
及び被鍍金基板に発生するヤケを防ぎ、均一な鍍金が得
られる高品質な被鍍金基板が得られる鍍金方法及びその
鍍金方法に使用する鍍金装置を提供することにある。
(課題を解決するための手段) 上記目的を達成する鍍金方法は鍍金液内に配設した被鍍
金基板、被鍍金基板と間隙を有し、かつ被鍍金基板を介
して対峙する陽極板を具備する鍍金タンク、鍍金タンク
を囲繞する外部タンク及び鍍金タンクの底部に気泡面を
具備し、気泡面から被鍍金基板の両側面に沿って上昇す
る気泡を発して鍍金液内に上昇流を発生させて鍍金液を
撹拌し、かつ鍍金タンク上端から流出する鍍金液を外部
タンクにより回収して、回収した鍍金液を再び鍍金タン
ク下部に形成した流入口より鍍金タンク内へ供給する鍍
金方法において、気泡面から鍍金液内へ供給する気泡を
気泡面の上部に設けた気泡整流板により被鍍金基板の両
面側へ案内分配するものであり、また鍍金液内に配設し
た被鍍金基板、被鍍金基板と間隙を有し、かつ被鍍金基
板を介して対峙する陽極板を有する鍍金タンク、鍍金−
タンクを囲繞する外部タンク及び鍍金タンクの底部に気
泡面を具備し、気泡面から被鍍金基板の両側面に沿って
上昇する気泡を発して鍍金液内に上昇流を発生させて鍍
金液を撹拌し、かつ鍍金タンク上端から流出する鍍金液
を外部タンクにより回収して、回収した鍍金液を再び鍍
金タンク下部に形成した流入口より鍍金タンク内へ供給
する鍍金方法において、気泡面の両側から上方へ対峙し
て設けられた対流防除板により鍍金タンク内に流入口か
ら供給される鍍金液の流れが気泡面から発する直後の気
泡に影響しないように整流するものである。更に鍍金液
内に配設した被鍍金基板、被鍍金基板と間隙を有し、か
つ被鍍金基板を介して対峙する陽極板を具備する鍍金タ
ンクと、鍍金タンクの底部に設けられ、被鍍金基板の両
側面に沿って上昇する気泡を発する気泡面と、鍍金タン
クを囲繞し、かつ鍍金タンク上端から流出する鍍金液を
回収する外部タンクと、外部タンクに回収された鍍金液
を再び鍍金タンク内に供給する鍍金タンク下部に開口す
る流入口を具備する鍍金装置において、気泡面から供給
される気泡を被鍍金基板の両面側へ案内分配する気泡整
流板及び気泡筺の両側から上方へ対峙して設けられ、鍍
金タンク内へ流入口から供給される鍍金液の流れが気泡
筺から発する直後の気泡に影響しないように整流する対
流防除板の肉受なくとも一方を具備する装置により効率
的に達成される。
(作 用) 気泡筺の上部に設けた気泡整流板により気泡筺から鍍金
液内に供給される気泡を被鍍金基板の両側面に案内分配
、または対流防除板により鍍金タンク内へ流入口から供
給される鍍金液の対流を整流して気泡筺から供給される
気泡が被鍍金基板の一方側に押し流されることを防止し
、鍍金液の撹拌を充分に行い、高陰極電流密度の供給を
可能とし、鍍金処理時間の短縮、均一な鍍金が得られる
(実施例) 以下本発明の一実施例を第1図乃至第4図によって説明
する。なお第1図乃至第4図において第5図と同一部分
には説明の便宜上同一符号を付する。
第1図は鍍金装置の要部断面図であり第2図は第1図の
A部拡大図である。
図中符号1は鍍金タンクであり、鍍金タンク1内には陰
極板となる被鍍金基板2と、被鍍金基板2と間隙を有し
、かつ被鍍金基板2を介して対峙する陽極板3が配設さ
れている。鍍金タンク1の外周は外部タンク4により囲
繞されていて、鍍金タンク1の下部は流入口5により外
部タンク4と連通されている。鍍金タンク1の底部中央
部には気泡筺6が設けられ、気泡筺6の上部には断面V
字形の気泡整流板8が設けてあり、気泡M6の孔6aよ
り発生する気泡を被鍍金基板2の左右両面側に分配案内
するようになっている。更に気泡筐6を挾持して、流入
口5と対向するよう上方へ突出する対流防除板9が設け
られ、流入口5がら鍍金タンク1内へ流入する鍍金液の
対流による影響を気泡筺6の孔6aより射出される気泡
が受けないように鍍金液の対流を整流するようになされ
ている。非作動時には、鍍金タンクlの上端を被う位置
まで鍍金液7により満されている。
このように構成された鍍金装置により被鍍金基板2に鍍
金を施すには、陰極板となる被鍍金基板2及び陽極板3
に電流を供給し、かつ気泡筐6の孔6aより気泡を発す
る。
気泡筐6の孔6aから供給された気泡は気泡整流板8に
従って被鍍金基板2の両面側に分配され、更に後述する
流入口5から鍍金タンク1内へ流入する鍍金液の流れに
よる影響を回避するようになっている。
気泡整流板8によって被鍍金基板2の両面側に分配案内
された気泡は鍍金液7内に上昇流を発生させ、鍍金液7
を撹拌する。
鍍金液7に生ずる上昇流により鍍金液7の液面は鎖線7
′で示すように盛り上り、外部タンク4へ流出する。
鍍金液7より外部タンク4へ流出した鍍金液7は鍍金タ
ンクlの下部に開口する流入口5より鍍金タンク1内へ
流入し、気泡筺6に設けられた対流防除板9により気泡
筺6の孔6aより射出直後の気泡に影響することなく、
上方へ整流させ、鍍金液7を循環させつつ被鍍金基板2
に鍍金を施す。
この際、外部タンク4から流入口5を経て鍍金タンク1
内へ流入した鍍金液7の対流は、気泡整流板8及び対流
防除板9によって整流され、気泡筐6から供給直後の気
泡に作用する対流が阻止され、気泡が被鍍金基板2の一
方へ押し流されるのを防ぎ、被鍍金基板2の両側面にお
いて充分な撹拌が得られ、高陰極電流密度の印加を可能
にし、鍍金時間の短縮、被鍍金基板に発生するヤケが防
止できる。
以上説明では気泡箆6に気泡整流板8及び対流防除板9
を設けたが、気泡整流板8または対流防除板9の一方の
みを設けることも可能であり、鍍金タンク1を囲繞する
外部タンク4を第3図に要部断面斜視図及び第3図のB
−B線断面図である第4図に示すように上部タンク4a
及び下部タンク4bに分割して設け、互にパイプ4cに
より連通ずるようにすることも可能である。
次に以上説明した鍍金方法及び鍍金装置により被鍍金基
板に鍍金を施した実施例について説明する。
ふ 使用した装置は長さ1200m/m 、高さ80m/m
、幅2501Il/lI+の鍍金タンクに第 図に示す
分割した外部タンクを設け、ブロアーにより気泡筐へ圧
搾空気を圧送し、硫酸銅60g/j!、硫酸200g/
l、添加剤5g/l、温度28℃の鍍金液中で縦330
ffi/Tl、横30On+/m、厚さ1.6 m/m
の被鍍金基板に陰極電流密度5 Amp/dmzで30
分間鍍金処理を施した結果、析出平均厚が28.6μm
で、最大鍍金属と最小鍍金厚との差が1.35μmであ
った。
同様に7.5 Amp/dIII!の陰極電流密度で2
3分間鍍金処理を施したところ析出平均厚が30.93
μmであり最大鍍金属と最小鍍金厚の差カ月、91μm
であった。
更に、10An+p/da”の陰極電流密度で15分間
鍍金処理を施した結果析出平均厚が28.02μmであ
り、最大鍍金属と最小鍍金厚との差が1.89μmであ
り、全ての被鍍金基板にヤケの発生がなく、従来の最大
鍍金属と最小鍍金厚との差が10μm以上であったのに
対し格段に均一性の向上した鍍金処理が得られた。
(効 果) 本発明によれば、気泡整流板または対流防除板により気
泡筺から供給される気泡が被鍍金基板の一方側に押し流
されるのを防止し、鍍金液の撹拌が充分に行われること
により、高陰極電流密度の供給を可能にし、鍍金処理時
間の短縮、均一な鍍金処理が得られ、高品質な被鍍金基
板が安価に得られる等効果大なるもである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の鍍金装置の一実施例を示す要部断面図
、第2図は第1図のA部拡大図、第3図は本発明の他の
実施例を示す要部断面斜視図、第4図は第3図のB−B
線断面図、第5図乃至第8図は従来例を説明する要部断
面図である。 ■・・・鍍金タンク、2・・・被鍍金基板、3・・・陽
極板、4・・・外部タンク、5・・・流入口、6・・・
気泡筐、6a・・・孔、7・・・鍍金液、8・・・気泡
整流板、9・・・対流防除板。 第1図 第2図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)鍍金液内に配設した被鍍金基板、被鍍金基板と間
    隙を有し、かつ被鍍金基板を介して対峙する陽極板を具
    備する鍍金タンク、鍍金タンクを囲繞する外部タンク及
    び鍍金タンクの底部に気泡筐を具備し、気泡筐から被鍍
    金基板の両側面に沿って上昇する気泡を発して鍍金液内
    に上昇流を発生させて鍍金液を撹拌し、かつ鍍金タンク
    上端から流出する鍍金液を外部タンクにより回収して、
    回収した鍍金液を再び鍍金タンク下部に形成した流入口
    より鍍金タンク内へ供給する鍍金方法において、気泡筐
    から鍍金液内へ供給する気泡を気泡筐の上部に設けた気
    泡整流板により被鍍金基板の両面側へ案内分配すること
    を特徴とする鍍金方法。
  2. (2)鍍金液内に配設した被鍍金基板、被鍍金基板と間
    隙を有し、かつ被鍍金基板を介して対峙する陽極板を有
    する鍍金タンク、鍍金タンクを囲繞する外部タンク及び
    鍍金タンクの底部に気泡筐を具備し、気泡筐から被鍍金
    基板の両側面に沿って上昇する気泡を発して鍍金液内に
    上昇流を発生させて鍍金液を撹拌し、かつ鍍金タンク上
    端から流出する鍍金液を外部タンクにより回収して、回
    収した鍍金液を再び鍍金タンク下部に形成した流入口よ
    り鍍金タンク内へ供給する鍍金方法において、気泡筐の
    両側から上方へ対峙して設けられた対流防除板により鍍
    金タンク内に流入口から供給される鍍金液の流れが気泡
    筐から発生する直後の気泡に影響しないように整流する
    ことを特徴とする鍍金方法。
  3. (3)鍍金液内に配設した被鍍金基板、被鍍金基板と間
    隙を有し、かつ被鍍金基板を介して対峙する陽極板を具
    備する鍍金タンクと、鍍金タンクの底部に設けられ、被
    鍍金基板の両側面に沿って上昇する気泡を発する気泡筐
    と、鍍金タンクを囲繞し、かつ鍍金タンク上端から流出
    する鍍金液を回収する外部タンクと、外部タンクに回収
    された鍍金液を再び鍍金タンク内に供給する鍍金タンク
    下部に開口する流入口を具備する鍍金装置において、気
    泡筐から供給される気泡を被鍍金基板の両面側へ案内分
    配する気泡整流板及び気泡筐の両側から上方へ対峙して
    設けられ、鍍金タンク内へ流入口から供給される鍍金液
    の流れが気泡筐から発する直後の気泡に影響しないよう
    に整流する対流防除板の内少なくとも一方を具備するこ
    とを特徴とする鍍金装置。
JP1252093A 1989-09-29 1989-09-29 鍍金方法及びその鍍金方法に使用する鍍金装置 Granted JPH03115593A (ja)

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