JP2002124505A - 乾燥装置 - Google Patents
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- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Abstract
(57)【要約】
【課題】 治具と被処理物の接触部分での乾燥残りを防
止でき、被処理物の全体を良好に乾燥させることができ
る乾燥装置を提供すること。 【解決手段】 第1のノズル４１に加えて第2のノズル４
２ａ，４２ｂを設ける。第2のノズル４２ａ，４２ｂ
は、半導体ウェハ３１とトレイ３２の接触部分に向けて
ＩＰＡを含んだＮ2ガスを噴射する。第1のノズル４１と
第2のノズル４２ａ，４２ｂに供給されるＩＰＡを含ん
だＮ2ガスはヒータ４３により加熱されている。
止でき、被処理物の全体を良好に乾燥させることができ
る乾燥装置を提供すること。 【解決手段】 第1のノズル４１に加えて第2のノズル４
２ａ，４２ｂを設ける。第2のノズル４２ａ，４２ｂ
は、半導体ウェハ３１とトレイ３２の接触部分に向けて
ＩＰＡを含んだＮ2ガスを噴射する。第1のノズル４１と
第2のノズル４２ａ，４２ｂに供給されるＩＰＡを含ん
だＮ2ガスはヒータ４３により加熱されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハや液
晶用ガラス基板などの被処理物を乾燥させる乾燥装置に
関する。
晶用ガラス基板などの被処理物を乾燥させる乾燥装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体製造工程においては、半導
体ウェハの各種の処理後に半導体ウェハの洗浄と乾燥が
行われている。ここで、半導体ウェハの乾燥に関して
は、乾燥残りを発生させることなく半導体ウェハの全体
を均一に乾燥させることが製造歩留まりを向上させる上
で重要である。
体ウェハの各種の処理後に半導体ウェハの洗浄と乾燥が
行われている。ここで、半導体ウェハの乾燥に関して
は、乾燥残りを発生させることなく半導体ウェハの全体
を均一に乾燥させることが製造歩留まりを向上させる上
で重要である。
【０００３】半導体ウェハの乾燥装置としては種々のも
のが開発されているが、その一つとして図４に示すよう
なものがある。この乾燥装置は、処理槽１１内の処理液
１６中に半導体ウェハ３１を浸漬させた状態とした後、
処理液１６の上方から気体を噴射させながら処理液１６
を処理槽１１の外部に排出することにより半導体ウェハ
３１を乾燥させるもので、以下詳細に説明される。
のが開発されているが、その一つとして図４に示すよう
なものがある。この乾燥装置は、処理槽１１内の処理液
１６中に半導体ウェハ３１を浸漬させた状態とした後、
処理液１６の上方から気体を噴射させながら処理液１６
を処理槽１１の外部に排出することにより半導体ウェハ
３１を乾燥させるもので、以下詳細に説明される。
【０００４】図４において、１１は処理槽で、上面は開
閉自在な蓋体１２となっており、蓋体１２の内面中央部
には気体噴射ノズル１３が取り付けられる。この処理槽
１１の底部一方側には、途中にバルブ１４を有する処理
液供給管１５が接続されており、この処理液供給管１５
を介して処理槽１１内に処理液１６が供給される。一
方、処理槽１１の底部他方側には、途中にバルブ１７を
有する処理液排出管１８が接続されており、この処理液
排出管１８を介して処理槽１１内の処理液１６を処理槽
１１の外部に排出できる。１９はＩＰＡ（イソプロピル
アルコール）２０を収容したＩＰＡタンクで、内部（Ｉ
ＰＡ２０内）には、途中にバルブ２１を有するＮ2供給
管２２を介してＮ2ガスが供給される。また、このＩＰ
Ａタンク１９内は、途中にバルブ２３を有するＩＰＡガ
ス供給管２４によって前記気体噴射ノズル１３に連通さ
れる。
閉自在な蓋体１２となっており、蓋体１２の内面中央部
には気体噴射ノズル１３が取り付けられる。この処理槽
１１の底部一方側には、途中にバルブ１４を有する処理
液供給管１５が接続されており、この処理液供給管１５
を介して処理槽１１内に処理液１６が供給される。一
方、処理槽１１の底部他方側には、途中にバルブ１７を
有する処理液排出管１８が接続されており、この処理液
排出管１８を介して処理槽１１内の処理液１６を処理槽
１１の外部に排出できる。１９はＩＰＡ（イソプロピル
アルコール）２０を収容したＩＰＡタンクで、内部（Ｉ
ＰＡ２０内）には、途中にバルブ２１を有するＮ2供給
管２２を介してＮ2ガスが供給される。また、このＩＰ
Ａタンク１９内は、途中にバルブ２３を有するＩＰＡガ
ス供給管２４によって前記気体噴射ノズル１３に連通さ
れる。
【０００５】上記のような乾燥装置を用いて半導体ウェ
ハ３１の乾燥を行う場合は、まず処理液供給管１５のバ
ルブ１４を開いて、処理液（純水）１６を処理槽１１内
に供給する。このとき、処理液１６は、後述する半導体
ウェハ３１が完全に処理液１６中に浸漬される高さまで
供給する。次に、処理槽１１の上面蓋体１２を開いて処
理槽１１内の処理液１６中に半導体ウェハ３１を浸漬さ
せる。このとき、半導体ウェハ３１は図５に示すように
多数枚が前後方向に並べられてトレイ３２内に収容され
ており、このトレイ３２ごと多数枚の半導体ウェハ３１
が処理液１６中に浸漬される。半導体ウェハ３１は、す
べてが完全に処理液１６中に浸漬される。
ハ３１の乾燥を行う場合は、まず処理液供給管１５のバ
ルブ１４を開いて、処理液（純水）１６を処理槽１１内
に供給する。このとき、処理液１６は、後述する半導体
ウェハ３１が完全に処理液１６中に浸漬される高さまで
供給する。次に、処理槽１１の上面蓋体１２を開いて処
理槽１１内の処理液１６中に半導体ウェハ３１を浸漬さ
せる。このとき、半導体ウェハ３１は図５に示すように
多数枚が前後方向に並べられてトレイ３２内に収容され
ており、このトレイ３２ごと多数枚の半導体ウェハ３１
が処理液１６中に浸漬される。半導体ウェハ３１は、す
べてが完全に処理液１６中に浸漬される。
【０００６】次に、バルブ２１と２３とを開いてＮ2供
給管２２からＮ2ガスをＩＰＡタンク１９内に供給する
ことによりＩＰＡタンク１９内のＩＰＡ２０をバブリン
グさせる。そして、それによってＩＰＡタンク１９内に
発生したＩＰＡを含んだＮ2ガス（気体）をＩＰＡガス
供給管２４を通して気体噴射ノズル１３に導き、この気
体噴射ノズル１３より、処理液１６の上方から噴射させ
る。これと同時に、あるいは、ＩＰＡを含んだＮ2ガス
の噴射を少し行って処理液１６上方の処理槽１１内にＩ
ＰＡ雰囲気が充満してから、処理液排出管１８のバルブ
１７を開いて処理槽１１内の処理液１６の排出を開始さ
せる。
給管２２からＮ2ガスをＩＰＡタンク１９内に供給する
ことによりＩＰＡタンク１９内のＩＰＡ２０をバブリン
グさせる。そして、それによってＩＰＡタンク１９内に
発生したＩＰＡを含んだＮ2ガス（気体）をＩＰＡガス
供給管２４を通して気体噴射ノズル１３に導き、この気
体噴射ノズル１３より、処理液１６の上方から噴射させ
る。これと同時に、あるいは、ＩＰＡを含んだＮ2ガス
の噴射を少し行って処理液１６上方の処理槽１１内にＩ
ＰＡ雰囲気が充満してから、処理液排出管１８のバルブ
１７を開いて処理槽１１内の処理液１６の排出を開始さ
せる。
【０００７】すると、ＩＰＡを含んだＮ2ガスの噴射で
処理液１６の上面にＩＰＡの薄膜が発生し、その状態で
処理液１６の上面が徐々に下がる。すると、半導体ウェ
ハ３１の、気体と液体の境界部分で処理液（純水）とＩ
ＰＡとによる表面張力を利用した乾燥が行われ、この乾
燥が処理液１６の排出に伴い半導体ウェハ３１の上端か
ら下端まで実施されるので、処理液１６の排出終了時点
では半導体ウェハ３１が清浄に乾燥する。このとき、同
時にトレイ３２も乾燥する。その後、バルブ２１と２３
を閉じてＩＰＡを含んだＮ2ガスの供給を停止した後、
処理槽１１の上面蓋体１２を開けて、乾燥した半導体ウ
ェハ３１とトレイ３２とを取出す。
処理液１６の上面にＩＰＡの薄膜が発生し、その状態で
処理液１６の上面が徐々に下がる。すると、半導体ウェ
ハ３１の、気体と液体の境界部分で処理液（純水）とＩ
ＰＡとによる表面張力を利用した乾燥が行われ、この乾
燥が処理液１６の排出に伴い半導体ウェハ３１の上端か
ら下端まで実施されるので、処理液１６の排出終了時点
では半導体ウェハ３１が清浄に乾燥する。このとき、同
時にトレイ３２も乾燥する。その後、バルブ２１と２３
を閉じてＩＰＡを含んだＮ2ガスの供給を停止した後、
処理槽１１の上面蓋体１２を開けて、乾燥した半導体ウ
ェハ３１とトレイ３２とを取出す。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４の
ような従来の乾燥装置では、半導体ウェハ３１とトレイ
３２との接触部分（図５および図６の符号３３で示す部
分）で乾燥残りが発生しやすいという問題点があった。
すなわち、半導体ウェハ３１は、トレイ３２に収容する
とき、図５に示すように、トレイ３２の両側部内面に形
成された溝３４に半導体ウェハ３１の両側部を挿入して
いる。したがって、半導体ウェハ３１の両側部がトレイ
３２と接し、この部分で乾燥残りが発生しやすかった。
ような従来の乾燥装置では、半導体ウェハ３１とトレイ
３２との接触部分（図５および図６の符号３３で示す部
分）で乾燥残りが発生しやすいという問題点があった。
すなわち、半導体ウェハ３１は、トレイ３２に収容する
とき、図５に示すように、トレイ３２の両側部内面に形
成された溝３４に半導体ウェハ３１の両側部を挿入して
いる。したがって、半導体ウェハ３１の両側部がトレイ
３２と接し、この部分で乾燥残りが発生しやすかった。
【０００９】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
被処理物と治具との接触部分で乾燥残りが発生せず、被
処理物の全体を良好に乾燥させることができる乾燥装置
を提供することを目的とする。
被処理物と治具との接触部分で乾燥残りが発生せず、被
処理物の全体を良好に乾燥させることができる乾燥装置
を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の乾燥装置は、治
具に収容された被処理物を処理槽内の処理液中に浸漬さ
せた状態とした後、処理液の上方から気体を噴射させな
がら処理液を処理槽の外部に排出することにより被処理
物の乾燥を行うようにした乾燥装置において、治具と被
処理物の接触部分に向けて気体を上方から噴射する噴射
部を設けたことを特徴とする。より具体的には、所定の
位置で気体を噴射する第1の噴射部に加えて、前記接触
部分に向けて気体を噴射する第2の噴射部を設ける。ま
た、第1の噴射部から噴射される気体はＩＰＡを含んだ
Ｎ2ガス、第2の噴射部から噴射される気体はＮ2ガスま
たはＩＰＡを含んだＮ2ガスとする。
具に収容された被処理物を処理槽内の処理液中に浸漬さ
せた状態とした後、処理液の上方から気体を噴射させな
がら処理液を処理槽の外部に排出することにより被処理
物の乾燥を行うようにした乾燥装置において、治具と被
処理物の接触部分に向けて気体を上方から噴射する噴射
部を設けたことを特徴とする。より具体的には、所定の
位置で気体を噴射する第1の噴射部に加えて、前記接触
部分に向けて気体を噴射する第2の噴射部を設ける。ま
た、第1の噴射部から噴射される気体はＩＰＡを含んだ
Ｎ2ガス、第2の噴射部から噴射される気体はＮ2ガスま
たはＩＰＡを含んだＮ2ガスとする。
【００１１】上記乾燥装置において、前記接触部分に向
けて噴射される気体は加熱されていることが好ましい。
また、前記接触部分に向けて噴射される気体は高圧で噴
射されることが好ましい。さらに、前記接触部分に向け
て噴射される気体は高圧で、かつ加熱されて噴射されて
もよい。
けて噴射される気体は加熱されていることが好ましい。
また、前記接触部分に向けて噴射される気体は高圧で噴
射されることが好ましい。さらに、前記接触部分に向け
て噴射される気体は高圧で、かつ加熱されて噴射されて
もよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明に
よる乾燥装置の実施の形態を詳細に説明する。図１は本
発明による乾燥装置の第1の実施形態を示す構成図であ
る。この第1の実施形態においては、処理槽１１の上面
蓋体１２の内面に、気体噴射部として、第1のノズル４
１と、一対の第2のノズル４２ａ，４２ｂが取り付けら
れる。また、これら３つのノズル４１，４２ａ，４２ｂ
にＩＰＡタンク１９からＩＰＡガス供給管２４によりＩ
ＰＡを含んだＮ2ガスが供給されるが、ＩＰＡガス供給
管２４上には、バルブ２３の手前においてヒータ４３が
設けられる。図１のその他の構成は図４の従来の装置と
同一であり、同一部分は図４と同一符号を付してその説
明を省略する。
よる乾燥装置の実施の形態を詳細に説明する。図１は本
発明による乾燥装置の第1の実施形態を示す構成図であ
る。この第1の実施形態においては、処理槽１１の上面
蓋体１２の内面に、気体噴射部として、第1のノズル４
１と、一対の第2のノズル４２ａ，４２ｂが取り付けら
れる。また、これら３つのノズル４１，４２ａ，４２ｂ
にＩＰＡタンク１９からＩＰＡガス供給管２４によりＩ
ＰＡを含んだＮ2ガスが供給されるが、ＩＰＡガス供給
管２４上には、バルブ２３の手前においてヒータ４３が
設けられる。図１のその他の構成は図４の従来の装置と
同一であり、同一部分は図４と同一符号を付してその説
明を省略する。
【００１３】第1のノズル４１は蓋体１２の内面中央部
に取り付けられており、図４の従来の装置の気体噴射ノ
ズル１３と同一である。一対の第2のノズル４２ａ，４
２ｂは、処理槽１１内の処理液１６中に浸漬された半導
体ウェハ３１とトレイ（治具）３２との接触部分に対応
して前記第1のノズル４１の両側に設けられており、前
記半導体ウェハ３１とトレイ３２の接触部分に向けてＩ
ＰＡを含んだＮ2ガスを噴射する。
に取り付けられており、図４の従来の装置の気体噴射ノ
ズル１３と同一である。一対の第2のノズル４２ａ，４
２ｂは、処理槽１１内の処理液１６中に浸漬された半導
体ウェハ３１とトレイ（治具）３２との接触部分に対応
して前記第1のノズル４１の両側に設けられており、前
記半導体ウェハ３１とトレイ３２の接触部分に向けてＩ
ＰＡを含んだＮ2ガスを噴射する。
【００１４】したがって、上記の乾燥装置によれば、処
理槽１１内の処理液（純水）１６中に半導体ウェハ３１
とトレイ３２とを浸漬させた状態とした後、処理液１６
の上方から第1と第2のノズル４１，４２ａ，４２ｂによ
りＩＰＡを含んだＮ2ガスを噴射させながら処理液１６
を処理槽１１の外部に排出して半導体ウェハ３１の乾燥
を行うとき、一対の第2のノズル４２ａ，４２ｂから
は、半導体ウェハ３１とトレイ３２との接触部分に向け
てＩＰＡを含んだＮ2ガスが噴射される。したがって、
半導体ウェハ３１とトレイ３２との接触部分での乾燥効
果が高まり、接触部分に乾燥残りが発生せず、半導体ウ
ェハ３１の全体を良好に乾燥させることができる。しか
も、図１の乾燥装置においては、ＩＰＡタンク１９から
導出されたＩＰＡを含んだＮ2ガスがヒータ４３により
例えば７０〜１００℃に加熱され、昇温したＩＰＡを含
んだＮ2ガスが第1および第2のノズル４１，４２ａ，４
２ｂから噴射される。したがって、半導体ウェハ３１と
トレイ３２との接触部分における乾燥効果が一層高ま
り、前記接触部分での乾燥残りが確実に防止される。
理槽１１内の処理液（純水）１６中に半導体ウェハ３１
とトレイ３２とを浸漬させた状態とした後、処理液１６
の上方から第1と第2のノズル４１，４２ａ，４２ｂによ
りＩＰＡを含んだＮ2ガスを噴射させながら処理液１６
を処理槽１１の外部に排出して半導体ウェハ３１の乾燥
を行うとき、一対の第2のノズル４２ａ，４２ｂから
は、半導体ウェハ３１とトレイ３２との接触部分に向け
てＩＰＡを含んだＮ2ガスが噴射される。したがって、
半導体ウェハ３１とトレイ３２との接触部分での乾燥効
果が高まり、接触部分に乾燥残りが発生せず、半導体ウ
ェハ３１の全体を良好に乾燥させることができる。しか
も、図１の乾燥装置においては、ＩＰＡタンク１９から
導出されたＩＰＡを含んだＮ2ガスがヒータ４３により
例えば７０〜１００℃に加熱され、昇温したＩＰＡを含
んだＮ2ガスが第1および第2のノズル４１，４２ａ，４
２ｂから噴射される。したがって、半導体ウェハ３１と
トレイ３２との接触部分における乾燥効果が一層高ま
り、前記接触部分での乾燥残りが確実に防止される。
【００１５】なお、半導体ウェハ３１は図２に示すよう
に多数枚が前後方向に並べられてトレイ３２（図示せ
ず）に収容され、さらに処理槽１１に投入される。した
がって、処理槽１１の蓋体１２内面に取り付けられた第
1および第2のノズル４１，４２ａ，４２ｂは、前後方向
に並べられた多数枚の半導体ウェハ３１の全厚さに対応
するように棒状に形成され、棒部の全長に渡って所定間
隔に複数の噴射孔４４が設けられる。これにより、前後
方向に並べられた全ての半導体ウェハ３１に対して第1
および第2のノズル４１，４２ａ，４２ｂから均一にＩ
ＰＡを含むＮ2ガスを噴射できる。
に多数枚が前後方向に並べられてトレイ３２（図示せ
ず）に収容され、さらに処理槽１１に投入される。した
がって、処理槽１１の蓋体１２内面に取り付けられた第
1および第2のノズル４１，４２ａ，４２ｂは、前後方向
に並べられた多数枚の半導体ウェハ３１の全厚さに対応
するように棒状に形成され、棒部の全長に渡って所定間
隔に複数の噴射孔４４が設けられる。これにより、前後
方向に並べられた全ての半導体ウェハ３１に対して第1
および第2のノズル４１，４２ａ，４２ｂから均一にＩ
ＰＡを含むＮ2ガスを噴射できる。
【００１６】図３は本発明の乾燥装置の第2の実施形態
を示す。この第2の実施形態では、ＩＰＡタンク１９で
発生したＩＰＡを含むＮ2ガスが従来と同様に加熱され
ずにＩＰＡガス供給管２４を介して第1のノズル４１の
みに供給される。一方、第2のノズル４２ａ，４２ｂに
は、Ｎ2ガスがヒータ４５により７０〜１００℃の温度
に加熱された上で、Ｎ2ガス供給管４６（途中にバルブ
４７を有する）によって供給される。
を示す。この第2の実施形態では、ＩＰＡタンク１９で
発生したＩＰＡを含むＮ2ガスが従来と同様に加熱され
ずにＩＰＡガス供給管２４を介して第1のノズル４１の
みに供給される。一方、第2のノズル４２ａ，４２ｂに
は、Ｎ2ガスがヒータ４５により７０〜１００℃の温度
に加熱された上で、Ｎ2ガス供給管４６（途中にバルブ
４７を有する）によって供給される。
【００１７】したがって、この第2の実施形態では、半
導体ウェハ３１の乾燥時、半導体ウェハ３１とトレイ３
２との接触部分に対しては、第2のノズル４２ａ，４２
ｂより、加熱したＮ2ガスが噴射される。このようにし
ても半導体ウェハ３１とトレイ３２の接触部分での乾燥
効果を高められることは上記第1の実施形態と同様であ
り、前記接触部分での乾燥残りを防止して、半導体ウェ
ハ３１の全体を良好に乾燥させることができる。
導体ウェハ３１の乾燥時、半導体ウェハ３１とトレイ３
２との接触部分に対しては、第2のノズル４２ａ，４２
ｂより、加熱したＮ2ガスが噴射される。このようにし
ても半導体ウェハ３１とトレイ３２の接触部分での乾燥
効果を高められることは上記第1の実施形態と同様であ
り、前記接触部分での乾燥残りを防止して、半導体ウェ
ハ３１の全体を良好に乾燥させることができる。
【００１８】なお、上記の第1および第２の実施形態に
おいて、第２のノズル４２ａ，４２ｂから噴射されるガ
スを高圧（４ｋＰａ〜１０ｋＰａ）で噴射させてもよ
い。そのようにすれば、第２のノズル４２ａ，４２ｂか
らガスが半導体ウェハ３１とトレイ３２との接触部分に
良好に到達するから、前記接触部分の乾燥効果をより高
めることができる。さらに、ガスの高圧化とガスの加熱
とを同時に行って、より接触部分での乾燥効果を高める
こともできる。
おいて、第２のノズル４２ａ，４２ｂから噴射されるガ
スを高圧（４ｋＰａ〜１０ｋＰａ）で噴射させてもよ
い。そのようにすれば、第２のノズル４２ａ，４２ｂか
らガスが半導体ウェハ３１とトレイ３２との接触部分に
良好に到達するから、前記接触部分の乾燥効果をより高
めることができる。さらに、ガスの高圧化とガスの加熱
とを同時に行って、より接触部分での乾燥効果を高める
こともできる。
【００１９】また、上記の実施形態ではノズルから噴射
される気体としてＮ2ガスまたはＩＰＡを含んだＮ2ガス
を使用したが、その他の気体（例えばＮ2に代えて乾燥
空気など）を使用することができる。さらに、上記の実
施形態は半導体ウェハを乾燥する場合について説明した
が、本発明の装置は、液晶用ガラス基板やその他の被処
理物を乾燥させることができる。
される気体としてＮ2ガスまたはＩＰＡを含んだＮ2ガス
を使用したが、その他の気体（例えばＮ2に代えて乾燥
空気など）を使用することができる。さらに、上記の実
施形態は半導体ウェハを乾燥する場合について説明した
が、本発明の装置は、液晶用ガラス基板やその他の被処
理物を乾燥させることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明の乾燥
装置によれば、治具と被処理物の接触部分に向けて気体
を上方から噴射する噴射部を設けたことにより、前記接
触部分での乾燥残りを防止でき、被処理物の全体を良好
に乾燥させることができる。
装置によれば、治具と被処理物の接触部分に向けて気体
を上方から噴射する噴射部を設けたことにより、前記接
触部分での乾燥残りを防止でき、被処理物の全体を良好
に乾燥させることができる。
【図１】本発明による乾燥装置の第1の実施形態を示す
構成図。
構成図。
【図２】本発明の実施の形態の処理槽およびノズル部分
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図３】本発明の乾燥装置の第2の実施形態を示す構成
図。
図。
【図４】従来の乾燥装置を示す構成図。
【図５】半導体ウェハがトレイに収容された状態を示す
平面図。
平面図。
【図６】乾燥残りを説明するために示した半導体ウェハ
の正面図。
の正面図。
１１ 処理槽 １５ 処理液供給管 １６ 処理液 １８ 処理液排出管 １９ ＩＰＡタンク ２２ Ｎ2供給管 ２４ ＩＰＡガス供給管 ４１ 第1のノズル ４２ａ，４２ｂ 第2のノズル ４３，４５ ヒータ ４６ Ｎ2ガス供給管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北川 賢一 静岡県島田市阿知ケ谷25番地 島田理化工 業株式会社島田製作所内 (72)発明者 園田 治毅 静岡県島田市阿知ケ谷25番地 島田理化工 業株式会社島田製作所内 (72)発明者 森戸 泰臣 静岡県島田市阿知ケ谷25番地 島田理化工 業株式会社島田製作所内 (72)発明者 早見 由香 三重県桑名郡多度町御衣野1500 富士通株 式会社三重工場内 Ｆターム(参考） 3L113 AA01 AB10 AC08 AC48 AC50 AC67 AC79 AC86 BA34 CB19 CB40 DA24
Claims (6)
- 【請求項１】 治具に収容された被処理物を処理槽内の
処理液中に浸漬させた状態とした後、処理液の上方から
気体を噴射させながら処理液を処理槽の外部に排出する
ことにより被処理物の乾燥を行うようにした乾燥装置に
おいて、 治具と被処理物の接触部分に向けて気体を上方から噴射
する噴射部を設けたことを特徴とする乾燥装置。 - 【請求項２】 所定の位置で気体を噴射する第1の噴射
部に加えて、前記接触部分に向けて気体を噴射する第2
の噴射部を設けたことを特徴とする請求項１に記載の乾
燥装置。 - 【請求項３】 第1の噴射部から噴射される気体はＩＰ
Ａを含んだＮ2ガス、第2の噴射部から噴射される気体は
Ｎ2ガスまたはＩＰＡを含んだＮ2ガスであることを特徴
とする請求項２に記載の乾燥装置。 - 【請求項４】 前記接触部分に向けて噴射される気体は
加熱されていることを特徴とする請求項１ないし３のい
ずれかに記載の乾燥装置。 - 【請求項５】 前記接触部分に向けて噴射される気体は
高圧で噴射されることを特徴とする請求項１ないし３の
いずれかに記載の乾燥装置。 - 【請求項６】 前記接触部分に向けて噴射される気体は
高圧で、かつ加熱されて噴射されることを特徴とする請
求項１ないし３のいずれかに記載の乾燥装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000315479A JP2002124505A (ja) | 2000-10-16 | 2000-10-16 | 乾燥装置 |
| KR1020010013708A KR100791114B1 (ko) | 2000-10-16 | 2001-03-16 | 건조장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000315479A JP2002124505A (ja) | 2000-10-16 | 2000-10-16 | 乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002124505A true JP2002124505A (ja) | 2002-04-26 |
Family
ID=18794580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000315479A Pending JP2002124505A (ja) | 2000-10-16 | 2000-10-16 | 乾燥装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002124505A (ja) |
| KR (1) | KR100791114B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006030560A1 (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | S.E.S. Co., Ltd. | 基板処理法及び基板処理装置 |
| KR100637721B1 (ko) | 2005-12-02 | 2006-10-25 | 세메스 주식회사 | 알코올증기를 공급하는 장치 및 방법 |
| CN111668136A (zh) * | 2019-03-07 | 2020-09-15 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100930747B1 (ko) * | 2003-01-07 | 2009-12-09 | 엘지전자 주식회사 | 질화물 기판 제조 방법 |
| CN114459217B (zh) * | 2021-12-24 | 2023-08-11 | 宁波芯健半导体有限公司 | 一种晶圆烘箱 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980015771A (ko) * | 1996-08-23 | 1998-05-25 | 김광호 | 반도체 웨이퍼의 ipa 건조장치 |
-
2000
- 2000-10-16 JP JP2000315479A patent/JP2002124505A/ja active Pending
-
2001
- 2001-03-16 KR KR1020010013708A patent/KR100791114B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006030560A1 (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | S.E.S. Co., Ltd. | 基板処理法及び基板処理装置 |
| KR100637721B1 (ko) | 2005-12-02 | 2006-10-25 | 세메스 주식회사 | 알코올증기를 공급하는 장치 및 방법 |
| CN111668136A (zh) * | 2019-03-07 | 2020-09-15 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 |
| CN111668136B (zh) * | 2019-03-07 | 2024-03-22 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020030245A (ko) | 2002-04-24 |
| KR100791114B1 (ko) | 2008-01-02 |
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|
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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