KR100930747B1 - 질화물 기판 제조 방법 - Google Patents

질화물 기판 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100930747B1
KR100930747B1 KR1020030000863A KR20030000863A KR100930747B1 KR 100930747 B1 KR100930747 B1 KR 100930747B1 KR 1020030000863 A KR1020030000863 A KR 1020030000863A KR 20030000863 A KR20030000863 A KR 20030000863A KR 100930747 B1 KR100930747 B1 KR 100930747B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
nitride
chamber
powder
group iii
Prior art date
Application number
KR1020030000863A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040063448A (ko
Inventor
김진교
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020030000863A priority Critical patent/KR100930747B1/ko
Publication of KR20040063448A publication Critical patent/KR20040063448A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100930747B1 publication Critical patent/KR100930747B1/ko

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S10/00—Lighting devices or systems producing a varying lighting effect
    • F21S10/02—Lighting devices or systems producing a varying lighting effect changing colors
    • F21S10/023—Lighting devices or systems producing a varying lighting effect changing colors by selectively switching fixed light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/61—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using light guides
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S10/00—Lighting devices or systems producing a varying lighting effect
    • F21S10/005—Lighting devices or systems producing a varying lighting effect using light guides
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S6/00—Lighting devices intended to be free-standing
    • F21S6/002—Table lamps, e.g. for ambient lighting
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S6/00—Lighting devices intended to be free-standing
    • F21S6/005—Lighting devices intended to be free-standing with a lamp housing maintained at a distance from the floor or ground via a support, e.g. standing lamp for ambient lighting
    • F21S6/007—Lighting devices intended to be free-standing with a lamp housing maintained at a distance from the floor or ground via a support, e.g. standing lamp for ambient lighting for indirect lighting only, e.g. torchiere with reflector bowl directed towards ceiling
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21W—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO USES OR APPLICATIONS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS
    • F21W2121/00—Use or application of lighting devices or systems for decorative purposes, not provided for in codes F21W2102/00 – F21W2107/00
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2113/00—Combination of light sources
    • F21Y2113/10—Combination of light sources of different colours
    • F21Y2113/13—Combination of light sources of different colours comprising an assembly of point-like light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S362/00—Illumination
    • Y10S362/80—Light emitting diode
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S362/00—Illumination
    • Y10S362/806—Ornamental or decorative

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

본 발명은 질화물 기판 제조 방법에 관한 것으로, 사파이어와 같은 이종 기판의 양면에 각기 질화물층을 성장시키도록 함으로써, 이종 성장에 의하여 발생되는 열팽창 계수나 격자 상수의 차이로 인한 스트레스를 기판의 양면에서 상쇄시켜 질화물 기판의 휘어짐(bending)이나 처짐을 최소한으로 줄일 수 있도록 한다.
질화물, 기판, 양면, 성장, 스트레스

Description

질화물 기판 제조 방법{Method for manufacturing substrate of Nitride chemical substrate}
도 1은 일반적인 질화물 기판 제조 방법에 적용되는 장치를 도시한 도면이고,
도 2는 도 1에 도시된 장치를 이용해 기판의 일측에만 질화물층을 형성시킨 양태를 도시한 도면이고,
도 3은 본 발명에 따른 질화물 기판 제조 방법에 적용되는 장치를 도시한 도면이고,
도 4는 도 3의 기판 고정 장치를 예로 들어 도시한 도면이고,
도 5는 도 3에 도시된 장치를 이용해 기판의 양면에 질화물층을 형성시킨 양태를 도시한 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
30 : 전기로 31 : 챔버
32 : 보트(boat) 33 : 제 1 반응관
34 : 제 2 반응관 35 : 기판 고정 장치
40 : 프레임 41 : 지지대
42 : 기판 43 : 핀
본 발명은 사파이어와 같은 이종 기판의 양면에 각기 질화물층을 성장시키도록 함으로써, 이종 성장에 의하여 발생되는 열팽창 계수나 격자 상수의 차이로 인한 스트레스를 기판의 양면에서 상쇄시켜 질화물 기판의 휘어짐(bending)이나 처짐을 최소한으로 줄일 수 있도록 하는 질화물 기판 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 질화갈륨, 질화알루미늄 등과 같은 Ⅲ족 원소의 질화물은 열적 안정성이 우수하고, 큰 직접 천이형의 에너지 띠 구조를 갖고 있어 최근 청색 및 자외선 영역의 광전소자용 물질로 많은 각광을 받고 있다.
특히, 질화갈륨(GaN)을 이용한 청색 및 녹색 발광 소자는 대규모 천연색 평판 표시 장치, 신호등, 실내 조명과 고밀도 광원, 고해상도 출력 시스템과 광통신 등 다양한 응용 분야에 활용되고 있다.
이러한 질화갈륨은 동일한 육방 정계의 구조를 갖는 사파이어(Sapphire)나 실리콘 카바이드(SiC)와 같은 이종 기판에서 금속 유기 화학 증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)이나 분자 빔 에피텍시(Molecular Beam Epitaxy ; MBE)공정을 통해 박막 성장이 가능하다.
한편, 현재까지 기판으로는 사파이어를 주로 사용하고 있지만, 질화갈륨과 의 격자 상수 및 열 팽창 계수에 있어 큰 차이를 가지고 있기 때문에 표면 가공 공정을 추가적으로 실시하여야 하는 부담이 있었다.
이런 문제를 원천적으로 해결하기 위해서는 단결정 질화갈륨을 기판으로 사용하여 소자를 제조하여야 하는데, 통상적으로 하이드라이드 기상 박막 성장(Hydride Vapor Phase Epitaxy)방법이나, 고온 고압에서 질소(N2)를 액화시켜 질화갈륨을 성장시키는 방법 또는 승화법으로 제조한다.
도 1은 이러한 방법들 중, 특히 하이드라이드 기상 박막 성장법이 적용되는 질화물 기판 장치를 도시한 것으로, 이에 도시한 바와 같이, 외주면에 전기로(10)가 장착되어 고온으로 가열되는 챔버(11)와, 상기 챔버(11)의 일측에 연결되어 상기 챔버(11)로 N2 생성 가스인 암모니아(NH3)를 주입하는 제 1 반응관(12)과, 상기 챔버(11)의 타측에 연결되어 염화수소(HCl)를 주입하며, 주입한 염화수소를 갈륨 분말을 수용하고 있는 갈륨 보트(13)로 흘려 보내고 상기 갈륨 분말과 염화수소가 반응하여 생성한 염화갈륨을 상기 챔버(11)로 토출하는 제 2 반응관(14)과, 상기 챔버(11)내에 안착되고 기판을 지지하여, 상기 제 1 반응관(12)을 통해 주입된 암모니아(NH3)와 상기 제 2 반응관(13)에 토출된 염화갈륨이 결합되어 형성된 질화물을, 상기 기판에 성장시키도록 하는 서셉터(15)로 이루어진다.
이렇게 이루어진 장치를 이용해 형성된 질화물층은 상기 도 2에 도시된 바와 같이, 사파이어나 실리콘 카바이드와 같은 이종 기판의 일측 상부에만 형성되어 있다.
하지만, 이와 같이 이종 기판의 일측 상부에만 질화물층을 형성하게 되면, 이종 기판과 질화물층과의 열팽창 계수나 격자 상수 차이로 인해 질화물 기판의 모 재가 되는 질화물층에 휘어짐(bending)이나 처짐이 발생되고, 이러한 휘어짐이나 처짐은 폴리싱 과정에서 기판 표면(surface flat)과 결정면(crystallographic)이 일치하지 않아 양질의 질화물 기판을 얻을 수 없게 하는 문제점을 초래한다.
이에 본 발명은 상기한 문제점을 해소시키기 위하여 개발된 것으로, 이종 기판과 질화물층과의 열팽창 계수나 격자 상수 차이로 인해 발생되는 기판의 휘어짐(bending)이나 처짐을 최소한으로 줄일 수 있도록 하는, 질화물 기판 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이를 위해 본 발명은, 사파이어와 같은 이종 기판의 양면에 각기 질화물층을 성장시키도록 함으로써, 이종 성장에 의하여 발생되는 열팽창 계수나 격자 상수의 차이로 인한 스트레스를 기판의 양면에서 상쇄시켜 질화물 기판의 휘어짐(bending)이나 처짐을 최소한으로 줄일 수 있도록 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 도 3은 본 발명이 적용되는 질화물 반도체 기판 제조장치를 예로 들어 도시한 도면이다.
이에 도시한 바와 같이, 본 발명이 적용되는 질화물 반도체 기판 제조 장치는, 전기로(30)에서 가열된 열을 전달받는 챔버(31)와, 상기 챔버(31)의 내부에 위치하여 Ⅲ족원 분말을 수용하는 보트(32)와, 상기 챔버(31)의 일측에 설치되어 상기 보트(32)내로 반응 가스를 주입하여 상기 수용된 Ⅲ족원 분말과 결합되어 생성 된 반응물을 토출하는 제 1 반응관(33)과, 상기 챔버(31)의 일측부에 상기 제 1 반응관과 일정 거리 이격되어 설치되어 N2 생성 가스를 주입하는 제 2 반응관(34)과, 상기 챔버(31) 내부의 일영역에 설치되고 기판을 고정시켜, 상기 제 1 반응관(33)에서 토출한 반응물과 상기 제 2 반응관(34)을 통해 주입된 N2 생성 가스가 화학 반응되어 형성된 질화물을 상기 고정된 기판의 양면에 성장될 수 있도록 하는 기판 고정 장치(35)로 이루어진다.
이렇게 이루어진 장치에 적용되는 본 발명의 질화물 기판 제조 방법은, 먼저 전기로(30)에서 가열된 열을 이용해 상기 챔버(31)의 온도를 800℃~ 1000℃ 정도로 조절하고 유지한다.
이러한 상태에서, 상기 제 1 반응관(33)으로 반응 가스를 주입하여 상기 보트(32)에 수용되어 있는 Ⅲ족원 분말과 화학 반응시키도록 한다.
이 때, 상기 반응 가스는 염화수소(HCL)를 사용하고, 상기 Ⅲ족원 분말은 질화갈륨 분말이나 메탈 갈륨 또는 이들의 혼합된 분말 중 선택된 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 제 1 반응관(33)을 통해 주입된 반응 가스와 상기 보트(32)에 수용되어 있는 Ⅲ족원 분말의 화학 반응에 따라 특정 반응물이 형성되는데, 예를 들면, 상기 반응 가스가 염화수소(HCL)이고, 상기 Ⅲ족원 분말이 메탈 갈륨일 경우에 염화수소 분자와 갈륨분자가 결합되어 염화갈륨이 형성되는데 그 화학 반응식은 다음과 같다.
2Ga + 2HCL -> 2GaCl + H2 ↑
다음, 상기 보트(32)내에 형성된 반응물이 제 2 반응관(33)을 통해 챔버(31)내부로 토출되면, 상기 챔버(31)의 일측부에 연결된 제 2 반응관(34)을 통해 N2 생성 가스를 주입한다.
그러면, 상기 챔버(31)내에서는 N2 생성 가스와 상기 제 1 반응관(34)에서 토출된 화합물이 결합하여 질화물이 형성되고, 형성된 질화물은 상기 기판 고정 장치(35)에 고정된 기판의 양면에 각기 증착되어 성장되는데, 상기 기판은 사파이어(Al2O3)나 실리콘 카바이드(SiC) 또는 사파이어와 질화갈륨이 혼합된 것을 사용하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 N분자 생성 가스는 암모니아(NH3) 가스를 사용하는 것이 바람직하며, 상기 질화물 형성에 대한 화학 반응식의 일예는 다음과 같다.
GaCl + NH3 -> GaN + HCL + H2 ↑
한편, 상기 기판 고정 장치(35)는 도 4에 도시된 바와 같은 웨이퍼 트레이(wafer tray)를 사용하는 것이 바람직한데, 상기 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 사용된 웨이퍼 트레이는, 사각 형상의 프레임(40)과, 상기 프레임(40)을 지지하는 두 개의 지지대(41)와, 상기 지지대(41)에 의해 지지대는 프레임(40)의 일측에 각기 연결되어 기판(42)을 고정시키는 핀(43)으로 이루어져 있다.
이러한 웨이퍼 트레이에서, 상기 사각 형상의 프레임(40)에 연결된 3개의 핀(43)은 석영 등의 재질로 형성되며, 이 3 개의 석영 핀(43)은 도시되지 않은 미끄럼 방지링에 결착되어 사파이어나 실리콘 카바이드와 같은 기판(42)을 고정시키는데 사용된다.
이렇게 기판을 고정시킨 웨이퍼 트레이는 챔버내에 상기 반응관들과 평행하거나 또는 수직한 방향으로 설치되어 상기 챔버내로 주입된 N2 생성 가스와 상기 제 1 반응관에서 토출된 화합물이 결합하여 형성된 질화물을 상기 고정된 기판의 양면에 각기 형성되도록 하는데 사용된다.
전술한 웨이퍼 트레이는 기판의 양면에 질화물을 형성하는 데 사용되는 장치의 일예에 불과하며, 이외에도 기판을 챔버의 하부로부터 부상시켜, 질화물이 기판의 양면에 성장될 수 있도록 하는 다양한 장치들을 사용하는 것도 얼마든지 가능하다.
한편, 도 5는 본 발명의 질화물 기판 제조 방법을 이용해 기판의 양면에 질화물층이 형성된 양태를 도시한 도면으로서, 이에 도시한 바와 같이, 사파이어나 실리콘 카바이드와 같은 기판(50)의 일측과 타측의 상부 전면에는 각기 질화물층(51)이 형성되어 있다.
그리고, 종래와 같이 기판의 일측에 질화물층을 성장시킴으로써 열팽창계수 나 격자 상수의 차이로 인해 발생되는 스트레스를 기판의 타측에도 질화물층을 성장시켜 그 스트레스를 상쇄시킴으로써 상기 도 5에 도시된 바와 같이, 질화물 기판으로 사용되는 질화물층의 휘어짐이나 처짐이 최소한으로 줄어든 양태를 볼 수 있 는데, 이 때 기판(50)의 일측과 타측에 각기 형성된 질화물층의 두께는 예컨대, 500㎛ 이상으로 두껍게 형성되도록 하는 것이 바람직하다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명의 질화물 기판 제조 방법은 사파이어와 같은 이종 기판의 양면에 각기 질화물층을 성장시키도록 함으로써, 이종 성장에 의하여 발생되는 열팽창 계수나 격자 상수의 차이로 인한 스트레스를 기판의 양면에서 상쇄시켜 질화물 기판의 휘어짐(bending)이나 처짐을 최소한으로 줄일 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 기재된 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (4)

  1. 챔버에 내장되어 있는 보트에 Ⅲ족원 분말을 수납하고 상기 챔버 내부의 일영역에 설치되고, 사각 형상의 프레임과, 상기 프레임을 지지하는 지지대와, 상기 프레임에 각기 연결되어 기판을 고정시키는 핀으로 이루어진 기판 고정 장치에 기판을 고정하는 제 1 단계;
    상기 챔버에 열을 가하여 상기 챔버의 온도를 질화물 성장 온도(T℃)로 조절하고, 상기 Ⅲ족 원소 분말이 수납된 보트로 반응 가스를 주입하는 제 2 단계;
    상기 챔버의 일측에 연결된 주입관을 통해 N2 생성 가스를 주입하고, 상기 제 2 단계의 반응 가스와 상기 Ⅲ족원 분말의 화학 반응으로 생성된 반응물과 상기 주입한 N2 생성 가스의 화학 반응을 통해 상기 기판의 양면에 질화물을 성장시키는 제 3 단계로 이루어지는, 질화물 기판 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 Ⅲ족원 분말은 ;
    질화갈륨 분말이나 메탈 갈륨 또는 이들의 혼합된 분말 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 질화물 기판 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 반응 가스와 N2 생성 가스는;
    각기 염화수소(HCL)와 암모니아(NH3)이고,
    상기 T℃는;
    800℃ ~ 1000℃ 정도인 것을 특징으로 하는, 질화물 기판 제조 방법.
KR1020030000863A 2003-01-07 2003-01-07 질화물 기판 제조 방법 KR100930747B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030000863A KR100930747B1 (ko) 2003-01-07 2003-01-07 질화물 기판 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030000863A KR100930747B1 (ko) 2003-01-07 2003-01-07 질화물 기판 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040063448A KR20040063448A (ko) 2004-07-14
KR100930747B1 true KR100930747B1 (ko) 2009-12-09

Family

ID=37354351

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030000863A KR100930747B1 (ko) 2003-01-07 2003-01-07 질화물 기판 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100930747B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140109122A (ko) 2013-03-05 2014-09-15 코닝정밀소재 주식회사 광추출 효율이 향상된 유기발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980043941A (ko) * 1996-12-05 1998-09-05 구자홍 질화갈륨 반도체 단결정 기판의 제조방법
KR20020030245A (ko) * 2000-10-16 2002-04-24 고지마 히로요시 건조장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980043941A (ko) * 1996-12-05 1998-09-05 구자홍 질화갈륨 반도체 단결정 기판의 제조방법
KR20020030245A (ko) * 2000-10-16 2002-04-24 고지마 히로요시 건조장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140109122A (ko) 2013-03-05 2014-09-15 코닝정밀소재 주식회사 광추출 효율이 향상된 유기발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040063448A (ko) 2004-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6372041B1 (en) Method and apparatus for single crystal gallium nitride (GaN) bulk synthesis
US6648966B2 (en) Wafer produced thereby, and associated methods and devices using the wafer
KR102177385B1 (ko) GaN 웨이퍼 제조용 HVPE 장치 및 그에 의한 GaN 웨이퍼 제조 방법
JP5238924B2 (ja) 単結晶基板及び窒化物半導体単結晶の製造方法
KR100450781B1 (ko) Gan단결정제조방법
KR100930747B1 (ko) 질화물 기판 제조 방법
JP2003526203A (ja) ＩＩＩ族−Ｎ、（ＩＩＩ−Ｖ）族−Ｎおよび金属−窒素の所定成分による層構造をＳｉ基板上に作成する方法および装置
KR100472630B1 (ko) 복수의 질화물 기판 성장 장치
JP2004247412A (ja) 半導体積層構造及びその製造方法並びにそれを備えた半導体装置
KR100949212B1 (ko) 질화물 기판 제조 방법
KR100643155B1 (ko) 실리콘 기판-단결정 ＧａＮ 박막 적층체의 제조방법
KR100447414B1 (ko) 질화갈륨 결정기판 제조방법 및 화학 기상 증착 반응기
KR101445673B1 (ko) 반도체 결정 성장 장치 및 방법
KR100829697B1 (ko) 질화갈륨 기판의 제조 장치 및 방법
KR102007418B1 (ko) 질화물 반도체 결정 성장 장치 및 방법
JP3104677B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物結晶成長装置
KR20030071098A (ko) 질화갈륨 기판의 제조 장치
KR20090077471A (ko) 질화갈륨 성장용 서셉터 및 질화갈륨 성장 방법
JP2001302398A (ja) 単結晶基板上に第３族窒化物のエピタキシャル層を成長させる方法及びその装置
KR20040005271A (ko) 질화갈륨 결정기판 및 그 제조방법
KR20040063447A (ko) 질화물 기판 제조시 사용되는 버퍼층 형성 방법
KR20040014873A (ko) 성장 챔버내에서의 질화물 분말 획득 방법
JP5071703B2 (ja) 半導体製造装置
KR100949213B1 (ko) 질화갈륨 기판 제조 방법
KR19990032082A (ko) ＧａＮ 단결정 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121128

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131122

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141124

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151124

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee