TWI452613B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明關於一種於利用純水等處理液對半導體晶圓等基板進行處理之後，使基板於有機溶劑蒸氣之環境中乾燥的基板處理裝置及基板處理方法。

先前，作為此類第一裝置，有的具有：處理槽，儲留純水等處理液；腔體，包圍處理槽；保持機構，支撐基板，可至少跨及處理槽內之處理位置與位於處理槽上方之腔體內之乾燥位置而移動；溶劑蒸氣供給噴嘴，將異丙醇等有機溶劑之蒸氣供給至腔體內；以及，真空泵，使腔體內減壓(例如，日本專利特開2007-12860號公報)。

該第一裝置中，於基板浸漬於處理槽中之純水中之狀態下，使腔體內減壓之後，自溶劑蒸氣供給噴嘴供給高濃度(例如40%)之溶劑蒸氣，使基板移動至乾燥位置，藉此，利用溶劑取代附著於基板上之純水，使基板乾燥。

而且，作為此類第二裝置，有的具有：處理槽，儲留純水等處理液；腔體，包圍處理槽；乾燥室，配置於腔體內之處理槽上方，被環境阻隔構件遮蔽；保持機構，可至少跨及處理槽內之處理位置與乾燥室而移動；溶劑蒸氣供給噴嘴，向乾燥室供給有機溶劑之蒸氣；以及，真空泵，排出腔體內之氣體(例如，日本專利特開平11-186212號公報)。

該第二裝置中，於已將基板自處理槽中之純水移動至乾燥室之狀態下，將腔體內氣體排出且向乾燥室供給高濃度(例如30%)之溶劑蒸氣，藉此，利用溶劑取代附著在基板上之純水，而使基板乾燥。

而且，作為此類第三裝置，有的具有：腔體，經過純水等處理液處理之基板被送入腔體內；溶劑儲留部，儲留溶劑，配設於腔體之下部；加熱器，對溶劑儲留部進行加熱；以及，保持機構，將基板保持於腔體內之上部(例如，日本專利特開平6-77203號公報)。

該第三裝置中，利用加熱器對溶劑進行加熱而使腔體內產生高濃度(例如100%)之溶劑蒸氣，藉由溶劑取代附著在保持機構所保持之基板上的純水，從而使基板乾燥。

然而，於具有上述構成之先前例中，存在以下問題。

亦即，先前之裝置中，關鍵在於如何供給高濃度之溶劑蒸氣，進行乾燥處理時不進行減壓或排氣。因此，當基板上形成有微細圖案之情況下，存在以下問題，例如，無法使進入較深之溝槽構造深處之純水完全乾燥，會產生乾燥不良。

本發明係鑒於上述情況而成者，其目的在於提供一種基板處理裝置及基板處理方法，即便對於形成有微細圖案之基板，亦可防止乾燥不良。

本發明為了達成上述目的而採用如下之構成。

本發明之基板處理裝置，於利用處理液對基板進行處理之後，使基板於溶劑環境中乾燥，上述裝置包含以下要素：處理槽，儲留處理液；保持機構，保持基板，可至少跨及上述處理槽內之處理位置與位於上述處理槽上方之乾燥位置而移動；腔體，包圍於上述處理槽之周圍；溶劑蒸氣供給手段，向上述腔體內供給溶劑蒸氣；濃度測定手段，測定上述腔體內之溶劑濃度；排出手段，排出上述腔體內之氣體；以及，控制手段，於利用作為處理液之純水對位於上述處理槽內之處理位置的基板進行處理之後，藉由上述排出手段而使上述腔體內減壓，同時藉由上述溶劑蒸氣供給手段而向上述腔體內供給溶劑蒸氣，於已使基板移動至乾燥位置之狀態下，當溶劑濃度達到指定值之情況下，藉由上述排出手段而使上述腔體內再次減壓。

控制手段，於向處理槽供給純水作為處理液、且利用純水對於位於處理位置之基板進行處理之後，藉由排出手段而使腔體內減壓，同時藉由溶劑蒸氣供給手段而向腔體內供給溶劑蒸氣。藉此，雖然基板表面之純水被溶劑取代，但微細圖案之表面會形成蓋狀之物質，而無法取代進入微細圖案深處的純水。而且，於已使基板移動至乾燥位置之狀態下，當溶劑濃度達到指定值之情況下，藉由排出手段而使腔體內再次減壓。藉此，除去形成於微細圖案表面之蓋狀物質，利用溶劑取代進入微細圖案深處之純水。因此，即便對於形成有微細圖案之基板，亦可防止乾燥不良。

再者，藉由發明者等人之實驗，可確認：於減壓環境下，溶劑濃度越高，則溶劑對殘留於微細圖案深處之純水的取代效率越高。因此，藉由供給溶劑蒸氣後於溶劑濃度達到指定值之時間點再次進行減壓，可提高減壓環境下溶劑對殘留於微細圖案深處之純水的取代效率。

本發明之基板處理裝置係利用處理液對基板進行處理之後，使基板於溶劑環境中乾燥者，上述裝置包含以下要素：處理槽，儲留處理液；保持機構，保持基板，可至少跨及上述處理槽內之處理位置與位於上述處理槽上方之乾燥位置而移動；腔體，包圍於上述處理槽之周圍；溶劑蒸氣供給手段，向上述腔體內供給溶劑蒸氣；濃度測定手段，測定上述腔體內之溶劑濃度；吸引排氣手段，附設於上述乾燥位置，自乾燥位置周圍吸引排出氣體；以及，控制手段，於利用作為處理液之純水對位於上述處理槽內之處理位置的基板進行處理之後，於已使基板向上述乾燥位置移動之狀態下，藉由上述吸引排氣手段而進行吸引排氣，藉由上述溶劑蒸氣供給手段而向上述腔體內供給溶劑蒸氣，當溶劑濃度達到指定值之情況下，藉由上述吸引排氣手段而再次進行吸引排氣。

控制手段，於向處理槽供給純水作為處理液、且利用純水對於位於處理位置之基板進行處理之後，於已使基板向乾燥位置移動之狀態下，藉由吸引排氣手段而進行吸引排氣，藉由溶劑蒸氣供給手段而向腔體內供給溶劑蒸氣。藉此，雖然基板表面之純水被溶劑取代，但微細圖案之表面會形成蓋狀之物質，而無法取代進入微細圖案深處的純水。當溶劑濃度達到指定值之情況下，藉由吸引排氣手段而再次進行吸引排氣。藉此，除去形成於微細圖案表面之蓋狀物質，利用溶劑取代進入微細圖案深處之純水。因此，即便對於形成有微細圖案之基板，亦可防止乾燥不良。

本發明之基板處理裝置，使經過處理液處理之基板在溶劑環境中乾燥，上述裝置包含以下要素：腔體，可收容基板；保持機構，保持基板，可至少跨及上述處理槽外之待機位置與位於上述腔體內上方之乾燥位置而移動；溶劑蒸氣供給手段，配設於上述腔體內之下部，儲留溶劑且供給溶劑蒸氣；濃度測定手段，測定上述腔體內之溶劑濃度；吸引排氣手段，附設於上述乾燥位置，吸引排出基板周圍之氣體；以及，控制手段，於已將經過作為處理液之純水處理後之基板移動至上述腔體內之乾燥位置的狀態下，藉由上述吸引排氣手段而進行吸引排氣，藉由上述溶劑蒸氣供給手段而向上述腔體內供給溶劑蒸氣，當溶劑濃度達到指定值的情況下，藉由上述吸引排氣手段而再次進行吸引排氣。

控制手段，於已將經過作為處理液之純水處理後之基板移動至腔體內之乾燥位置的狀態下，藉由吸引排氣手段而進行吸引排氣，藉由溶劑蒸氣供給手段而向腔體內供給溶劑蒸氣。藉此，雖然基板表面之純水被溶劑取代，但微細圖案之表面會形成蓋狀之物質，而無法取代進入微細圖案深處的純水。當溶劑濃度達到指定值之情況下，藉由吸引排氣手段而再次進行吸引排氣。藉此，除去形成於微細圖案表面之蓋狀物質，利用溶劑取代進入微細圖案深處之純水。因此，即便對於形成有微細圖案之基板，亦可防止乾燥不良。

以下，參照圖式，對本發明之較佳實施例進行詳細說明。

[實施例1]

以下，參照圖式說明本發明之實施例1。

圖1為表示實施例1中之基板處理裝置之概略構成的方塊圖。

本實施例中之基板處理裝置具有用於儲留處理液之處理槽1。該處理槽1用於儲留處理液，可收容呈豎立姿態之多個基板W。於處理槽1之底部，沿著排列有多個基板W之方向(紙面方向)具有長軸，配設有用於供給處理液之二根供給管7。各供給管7連通連接於配管9之一端側，而配管9之另一端側連通連接於處理液供給源15，該處理液供給源15用於供給氫氟酸、或硫酸與過氧化氫水之混合液等藥液、或者純水等作為處理液。其流量由配設於配管9之處理液閥17控制。

處理槽1之周圍被腔體27包圍。腔體27之上部具有可自由開閉之上蓋29。保持多個基板W呈豎立姿態之挺桿31，藉由未圖示之驅動機構，可跨及位於腔體27上方之「待機位置」、位於處理槽1內部之「處理位置」以及處理槽1上方且位於腔體27內部的「乾燥位置」而移動。

再者，上述挺桿31相當於本發明中之「保持機構」。

於上蓋29下方且位於腔體27之上部內壁，配設有一對溶劑噴嘴33及一對惰性氣體噴嘴34。溶劑噴嘴33連通連接於供給管35之一端側。供給管35之另一端側連通連接於蒸氣產生桶37。於該供給管35上，自上游側依序配設有蒸氣閥38及線內加熱器40，該蒸氣閥38包括用於調整溶劑蒸氣流量之控制閥，該線內加熱器40用於對溶劑蒸氣進行加熱。

蒸氣產生桶37將蒸氣產生空間即內部空間調節到指定溫度且產生溶劑蒸氣。作為蒸氣產生桶37中使用之溶劑，可列舉例如異丙醇(IPA)。而且，亦可代替使用氫氟醚(HFE)。

惰性氣體噴嘴34連通連接於供給管45之一端側。供給管45之另一端側連通連接於用於供給惰性氣體之惰性氣體供給源47。作為惰性氣體，可列舉例如氮氣(N₂ )。來自惰性氣體供給源47之惰性氣體的供給量，由配設於供給管45之惰性氣體閥49調整。於惰性氣體閥49之下游側安裝有線內加熱器50。該線內加熱器50將自惰性氣體供給源47供給至供給管45中之惰性氣體加熱至指定溫度。

腔體27經由排氣閥21而連接於可自其內部排出氣體之排氣管51。於該排氣管51上配設有排氣泵52。而且，於腔體27上安裝有包括用於解除減壓狀態之控制閥之呼吸閥53。進而，於腔體27上配設有用於檢測內部壓力之壓力計55。

再者，上述排氣泵52相當於本發明之「排出手段」。

於處理槽1之底部配設有排出口57。於排出口57上安裝有QDR閥59。當自該QDR閥59排出處理槽1內之處理液時，處理液會暫時排出至腔體27內之底部。於腔體27之底部安裝有與氣液分離部61連通連接之排出管63。於該排出管63上安裝有排液閥65。氣液分離部61用於自排氣管51以及排出管63獲取氣體及液體，將該等氣體及液體分離且排出。

而且，於腔體27之內壁之一部位，配設有用於測定腔體27內之溶劑濃度的濃度測定部66。該濃度測定部66，預先設有針對每個壓力之校正曲線資料，當接受到指示之時間點輸出濃度信號，以便於腔體27內為減壓環境下亦能夠測定溶劑濃度。

再者，上述濃度測定部66相當於本發明之「濃度測定手段」。

上述處理液閥17、排氣閥21、上蓋29、挺桿31、蒸氣產生桶37、蒸氣閥38、線內加熱器40、惰性氣體閥49、線內加熱器50、排氣泵52、呼吸閥53、QDR閥59、排液閥65等之動作，統一由相當於本發明之「控制手段」的控制部67控制。控制部67參照預先記憶於記憶部69內之程式，控制上述各部。

再者，於記憶部69內預先記憶有用於決定再次減壓之時序的溶劑濃度之指定值。作為該溶劑濃度之指定值，可列舉例如「40%」。

控制部67使供給管7向處理槽1供給純水作為處理液，且於利用純水對位於處理位置之基板W進行處理之後，使純水急速排出且藉由排氣泵52而開始使腔體27內減壓，當經過指定時間後停止減壓。而且，自溶劑噴嘴33向腔體27內供給溶劑蒸氣，於已使基板W移動至乾燥位置之狀態下，接受來自濃度測定部66之濃度信號，當該溶劑濃度達到指定值(40%)時，藉由排氣泵52而使腔體27內再次減壓。之後，使腔體27內返回至大氣壓之後，打開上蓋29，使基板W移動至待機位置。藉由該等一系列處理，完成對基板W之清洗、乾燥處理。

此處，參照圖2。該圖2為示意性表示純水之取代效率對異丙醇之濃度依存性之實驗的圖，圖2A中表示濃度為60%，圖2B中表示濃度為80%。

該實驗中，為了以較深之溝槽構造模擬為將微細圖案，向針筒內注入純水，於固定之減壓環境下之不同溶劑濃度環境下，確認純水取代效率產生多大程度的差異。圖2A表示異丙醇濃度為60%時之情況，與處理前相比，3分鐘之取代處理後，僅有少量取代，故判斷為取代效率低。

另一方面，圖2B表示異丙醇濃度為80%時之情況，與處理前相比，3分鐘之取代處理後，所有純水被取代為異丙醇，可知取代效率高。於濃度為60%及濃度為80%時，難以向針筒內之相同位置注入等量之純水，故而，雖然該等純水的比例不同，但取代效率之差異仍比較明顯。

根據該結果，控制部67通過濃度測定部66確認減壓環境下溶劑濃度達到指定值(40%)。而且，發明者等人根據實驗可知，當於減壓環境下已利用溶劑取代純水的情況下，尤其是在基板W表面之微細圖案為較深之溝槽構造時，其開口部附近的純水被取代時會形成蓋狀物質，而產生深處之純水無法被取代之現象。因此，控制部67確認了溶劑濃度達到指定值之後，藉由排氣泵52而使腔體27內再次減壓，藉此除去該蓋狀物質。因此，再次減壓後，可利用溶劑取代儲留於微細圖案深處之純水，但溶劑濃度會提高，故而，藉由較高之取代效率可完全取代微細圖案深處之純水。

此處，參照圖3，對於具體之控制進行說明。再者，圖3表示再次減壓之時序例的時間流程。該時間流程中之實線表示壓力，虛線表示濃度。

控制部67於t1時間點使排氣泵52運行開始進行減壓，之後，於t2時間點已減壓至指定的壓力之後，停止減壓，同時，於t3時間點開始供給溶劑蒸氣。而且，於來自濃度測定部66之濃度信號達到40%之t4時間點，重啟排氣泵52。藉此，再次開始進行減壓，但因腔體27內已進行某種程度之減壓，故而壓力不會急遽下降。但是，藉由該再次減壓可除去堵塞微細圖案之溝槽構造之蓋狀物質，而由溶劑取代儲留於溝槽構造深處的純水。之後，於經過指定時間之t5時間點，停止供給溶劑，且藉由排氣泵52停止減壓。藉此，腔體27內之溶劑濃度急遽降低。

繼而，參照圖4對上述基板處理裝置之動作進行說明。再者，圖4為用於說明動作之流程圖。

(步驟S1)

於處理槽1內儲留有作為處理液之純水的狀態下，打開上蓋29之後，將保持基板W之挺桿31移動至處理位置，關閉上蓋29。藉此，對基板W利用純水進行清洗處理。

(步驟S2～S4)

使排氣泵52運行，同時打開惰性氣體閥49，自惰性氣體噴嘴34向腔體27內供給惰性氣體，降低腔體27內之氧氣濃度。維持此操作指定時間之後，使排氣泵52停止運行，同時停止供給惰性氣體。

(步驟S5)

於線內加熱器40運行之狀態下打開蒸氣閥38，自溶劑噴嘴33向腔體27內供給溶劑蒸氣。再者，自該時間點起使控制部67接收來自濃度測定部66之濃度信號，監視溶劑濃度是否達到指定值(40%)。

(步驟S6～S8)

使挺桿31上升至乾燥位置，使基板W位於溶劑蒸氣環境中。而且，當經過指定時間後，根據來自濃度測定部66之濃度信號是否達到指定值(40%)而進行分支處理。此時，雖然附著於基板W上之純水被溶劑取代，但微細圖案之較深的溝槽構造上形成有蓋狀物質，且儲留於其深處之純水無法被溶劑取代。

(步驟S9、S10)

當溶劑濃度達到指定值(40%)時，控制部67重啟排氣泵52，再次進行減壓。藉由降低腔體27內之壓力，而形成於微細圖案上之蓋狀物質被除去，且儲留於深處之純水被溶劑取代。而且，其濃度升高，故而純水之取代效率較高，即，能高效率地取代純水。

(步驟S11、S12)

控制部67使排氣泵52停止運行同時關閉蒸氣閥38，停止供給溶劑蒸氣。而且，使線內加熱器50運行同時打開惰性氣體閥49，將經加熱之惰性氣體供給至腔體27內。藉此，使基板W完全乾燥，打開呼吸閥53，使腔體27內返回至大氣壓，完成對基板W之清洗乾燥處理。

如上所述，控制部67向處理槽1供給純水作為處理液，而利用純水對位於處理位置之基板W進行處理之後，藉由排泵出52而使腔體27內減壓，同時自溶劑噴嘴33向腔體27內供給溶劑蒸氣。藉此，雖然基板W表面之純水被溶劑取代，但微細圖案表面會形成有蓋狀物質，而進入微細圖案深處之純水無法被取代。而且，於已使基板W移動至乾燥位置之狀態下，當溶劑濃度達到指定值之情況下，藉由排出泵52而使腔體27內再次減壓。藉此，除去形成於微細圖案表面之蓋狀物質，利用溶劑取代進入微細圖案深處之純水。因此，對於形成有微細圖案之基板W，亦可防止乾燥不良。

而且，於減壓環境下，溶劑濃度越高，則溶劑對殘留於微細圖案深處之純水的取代效率越高，故而，藉由於溶劑濃度達到指定值之時間點使排氣泵52運行且再次進行減壓，可提高減壓環境下溶劑對殘留於微細圖案深處之純水的取代效率。

[實施例2]

繼而，參照圖式，對本發明之實施例2進行說明。

圖5為表示實施例2中之基板處理裝置之概略構成的方塊圖。再者，對於與上述實施例1相同之構造，使用相同符號，省略詳細說明。

本實施例裝置中，自上述實施例1中之基板處理裝置中去除氣液分離部61，使排氣泵52及排氣管51與吸引排氣機構71連接。該吸引排氣機構71具有配設於乾燥位置兩側之一對吸引部73。各吸引部73具有多個開口75，開口75以面向基板W端緣之方式而配設。

繼而，參照圖6，對上述基板處理裝置之動作進行說明。再者，圖6為用於說明動作之流程圖。

(步驟T1)

於處理槽1內儲留有作為處理液之純水的狀態下，打開上蓋29，之後，使保持基板W之挺桿31移動至處理位置，關閉上蓋29。藉此，利用純水對基板W進行清洗處理。

(步驟T2～T4)

打開惰性氣體閥49，自惰性氣體噴嘴34向腔體27內供給惰性氣體，降低腔體27內之氧氣濃度。維持此操作指定時間之後，停止供給惰性氣體。

(步驟T5)

於線內加熱器40運行之狀態下打開蒸氣閥38，向腔體27內供給溶劑蒸氣。再者，自該時間點起使控制部67接收來自濃度測定部66之濃度信號，而監視溶劑濃度是否達到指定值(40%)。

(步驟T6～T8)

使挺桿31上升至乾燥位置，使基板W位於溶劑蒸氣環境中，同時使排氣泵52運行而由吸引排氣機構71吸引排出基板W附近之氣體。而且，當經過指定時間後，根據來自濃度測定部66之濃度信號是否達到指定值(40%)而進行分支處理。此時，雖然附著於基板W上之純水會被溶劑取代，但微細圖案之較深的溝槽構造上會形成蓋狀物質，故而，無法由溶劑取代儲留於其深處之純水。

(步驟T9、T10)

當溶劑濃度達到指定值(40%)的情況下，控制部67重啟排氣泵52而再次進行吸引排氣。藉由該再次吸引排氣，可去除形成於微細圖案上之蓋狀物質，而由溶劑取代儲留於深處之純水。而且，其濃度會升高，故而純水之取代效率較高，即，能高效率地取代純水。

(步驟T11、T12)

控制部67使排氣泵52停止運行，同時關閉蒸氣閥38，停止供給溶劑蒸氣。而且，使線內加熱器50運行同時打開惰性氣體閥49，將經加熱之惰性氣體供給至腔體27內。藉此，使基板W完全乾燥，完成對基板W之清洗乾燥處理。

如上所述，控制部67向處理槽1供給純水作為處理液，利用純水對位於處理位置之基板W進行處理之後，於已使基板W移動乾燥位置的狀態下，藉由吸引排氣機構71對基板W附近之氣體進行吸引排氣，藉由溶劑噴嘴33而向腔體27內供給溶劑蒸氣。藉此，基板W表面之純水被溶劑取代，但微細圖案之表面會形成蓋狀物質，而無法取代進入微細圖案深處之純水。當溶劑濃度達到指定值之情況下，藉由吸引排氣機構71而再次進行吸引排氣。藉此，除去形成於微細圖案表面之蓋狀物質，利用溶劑取代進入微細圖案深處之純水。因此，對於形成有微細圖案之基板W，亦可防止乾燥不良。

而且，根據本實施例2，吸引排氣機構71自基板W之端緣側起經由開口部75進行吸引，藉此，可高效率地排出基板W附近之氣體。

進而，與實施例1相同，於溶劑濃度較高之狀態下進行吸引排氣(減壓)，故而，可提高減壓環境下溶劑對殘留於微細圖案深處之純水的取代效率。

[實施例3]

繼而，參照圖式說明本發明之實施例3。

圖7為表示實施例3之基板處理裝置之概略構成的方塊圖。再者，對於與上述各實施例1、2相同之構成，使用相同符號，且省略詳細說明。

本實施例裝置中，自上述實施例2中之基板處理裝置中去除處理槽1及與其相關之配管9、以及蒸氣產生桶37及與其相關的供給管35等，且於腔體27之底部具有溶劑儲留部81，於腔體27之底部附設有加熱器83。亦即，本實施例裝置與上述各實施例1、2之不同之處在於：處理液僅用於乾燥而不用於處理。

繼而，參照圖8，對於上述裝置之動作進行說明。再者，圖8為用於說明動作之流程圖。

(步驟U1、U2)

打開惰性氣體閥49，向腔體27內供給惰性氣體，同時使排氣泵52運行且經由吸引排氣機構71而排出腔體27內之氧氣，降低腔體27內之氧氣濃度。維持此操作指定時間之後，進入下一步驟U3。

(步驟U3、U4)

由挺桿31保持經作為處理液之純水進行清洗處理後之基板W，於此狀態下，打開上蓋29之後，使挺桿31移動至乾燥位置，關閉上蓋29。而且，關閉惰性氣體閥49，停止供給惰性氣體。

(步驟U5、U6)

使加熱器83運行，向腔體27內供給溶劑蒸氣。再者，自該時間點起控制部67接收來自濃度測定部66之濃度信號，而監視溶劑濃度是否達到指定值(40%)。而且，將該狀態維持指定時間。

(步驟U7～U9)

根據來自濃度測定部66之濃度信號是否達到指定值(40%)，而進行分支處理。此時，雖然附著於基板W上之純水可被溶劑取代，但微細圖案之較深的溝槽構造上會形成蓋狀物質，而無法由溶劑取代儲留於其深處之純水。當溶劑濃度達到指定值(40%)的情況下，控制部67重啟排氣泵52，再次進行吸引排氣。藉此，可除去形成於微細圖案上之蓋狀物質，而由溶劑取代儲留於深處之純水。而且，其濃度升高，因此，純水之取代效率較高，即，能高效率地取代純水。將該吸引排氣操作維持指定時間。

(步驟U10、U11)

控制部67使排氣泵52停止運行同時關閉蒸氣閥38，停止供給溶劑蒸氣。繼而，使線內加熱器50運行同時打開惰性氣體閥49，而將經加熱之惰性氣體供給至腔體27內。藉此，使基板W完全乾燥，完成對基板W之乾燥處理。

如上所述，控制部67，於已將經作為處理液之純水進行處理後之基板W移動至腔體27內之乾燥位置的狀態下，藉由吸引排氣機構71而進行吸引排氣。藉此，基板W表面之純水被溶劑取代，但是微細圖案之表面會形成蓋狀物質，而無法取代進入微細圖案深處的純水。當溶劑濃度達到指定值之情況下，藉由吸引排氣機構71再次進行吸引排氣。藉此，除去形成於微細圖案表面之蓋狀物質，利用溶劑取代進入微細圖案深處之純水。因此，對於形成有微細圖案之基板W，亦可防止乾燥不良。

而且，吸引排氣機構71自基板W之端緣側經由開口部75進行吸引，藉此，能高效率地排出基板W附近之氣體。

本發明並不限於上述實施形態，亦可進行以下變形而實施。

(1)上述各實施例1～3中，作為溶劑濃度之指定值，列舉了40%，但亦可將例如超過30～40%之值設為指定值。

(2)上述各實施例1、2中，處理槽1為單槽式構成，但亦可為具有內槽、以及附設於內槽而回收自內槽溢出之處理液的外槽之多槽式構成。

(3)上述各實施例2、3中，吸引排氣機構71之吸引部73配置於基板W之兩側，但亦可將移動式吸引部73配置於例如基板W之下部。而且，亦可於腔體27之側壁配置吸引部73。

※本發明可於不脫離其思想或者本質之範圍內以其他具體形態實施，故而，作為表示本發明之範圍的內容，並非以上說明，而應參照隨附之申請專利範圍。

※本發明可具體表現為其他特定形式而不偏離其精神或實質屬性，且相應地在指示本發明保護範圍時應參考隨附之申請專利範圍而非前述發明內容。

1．．．處理槽

7．．．供給管

9．．．配管

15．．．處理液供給源

17．．．處理液閥

21．．．排氣閥

27．．．腔體

29．．．上蓋

31．．．挺桿

33．．．溶劑噴嘴

34．．．惰性氣體噴嘴

35．．．供給管

37．．．蒸氣產生桶

38．．．蒸氣閥

40．．．線內加熱器

45．．．供給管

47．．．惰性氣體供給源

49．．．惰性氣體閥

50．．．線內加熱器

51．．．排氣管

52．．．排氣泵

53．．．呼吸閥

55．．．壓力計

57．．．排出口

59．．．QDR閥

61．．．氣液分離部

63．．．排出管

65．．．排液閥

66．．．濃度測定部

67．．．控制部

69．．．記憶部

71．．．吸引排氣機構

73．．．吸引部

75．．．開口

81．．．溶劑儲留部

83．．．加熱器

W．．．基板

※為了說明發明而圖示出當前較佳之幾個形態，但希望讀者明白，本發明並不限於圖示之構成以及方案。

※為了說明本發明，在圖式中展示若干目前較佳之形式，但應理解本發明並不限於所示之排列及工具。

圖1為表示實施例1中之基板處理裝置之概略構成的方塊圖。

圖2為示意性地表示純水之取代效率對異丙醇之濃度依存性之實驗的圖，圖2A中表示濃度為60%，圖2B中表示濃度為80%。

圖3為表示再次減壓之時序例之時間流程。

圖4為用於說明動作之流程圖。

圖5為表示實施例2中之基板處理裝置之概略構成的方塊圖。

圖6為用於說明動作之流程圖。

圖7為表示實施例3中之基板處理裝置之概略構成的方塊圖。

圖8為用於說明動作之流程圖。

1．．．處理槽

7．．．供給管

9．．．配管

15．．．處理液供給源

17．．．處理液閥

21．．．排氣閥

27．．．腔體

29．．．上蓋

31．．．挺桿

33．．．溶劑噴嘴

34．．．惰性氣體噴嘴

35．．．供給管

37．．．蒸氣產生桶

38．．．蒸氣閥

40．．．線內加熱器

45．．．供給管

47．．．惰性氣體供給源

49．．．惰性氣體閥

50．．．線內加熱器

51．．．排氣管

52．．．排氣泵

53．．．呼吸閥

55．．．壓力計

57．．．排出口

59．．．QDR閥

61．．．氣液分離部

63．．．排出管

65．．．排液閥

66．．．濃度測定部

67．．．控制部

69．．．記憶部

W．．．基板

Claims (10)

1. 一種基板處理裝置，其利用處理液對基板進行處理之後，使基板於溶劑環境中乾燥，上述裝置包含以下要素：處理槽，係儲留處理液；保持機構，係保持基板，可至少跨及上述處理槽內之處理位置與位於上述處理槽上方之乾燥位置而移動；腔體，係包圍上述處理槽之周圍；溶劑蒸氣供給手段，係向上述腔體內供給溶劑蒸氣；濃度測定手段，係測定上述腔體內之溶劑濃度；排出手段，係排出上述腔體內之氣體；以及控制手段，係利用作為處理液之純水對位於上述處理槽內之處理位置的基板進行處理之後，藉由上述排出手段而使上述腔體內減壓，在指定時間後停止藉由上述排出手段對上述腔體內之減壓，並且藉由上述溶劑蒸氣供給手段向上述腔體內供給溶劑蒸氣，於使基板移動至乾燥位置之狀態下將純水置換為溶劑，當溶劑濃度達到指定值之情況下，藉由上述排出手段使上述腔體內再次減壓，去除形成於微細圖案表面之蓋狀物質，藉此使進入至微細圖案深處之純水置換為溶劑。
2. 一種基板處理裝置，其利用處理液對基板進行處理之後，使基板於溶劑環境中乾燥，上述裝置包含以下要素：處理槽，係儲留處理液；保持機構，係保持基板，可至少跨及上述處理槽內之處理 位置與位於上述處理槽上方之乾燥位置而移動；腔體，係包圍上述處理槽之周圍；溶劑蒸氣供給手段，係向上述腔體內供給溶劑蒸氣；濃度測定手段，係測定上述腔體內之溶劑濃度；吸引排氣手段，係附設於上述乾燥位置，自乾燥位置周圍吸引排出氣體；以及控制手段，係利用作為處理液之純水對位於上述處理槽內之處理位置的基板進行處理之後，於使基板向上述乾燥位置移動之狀態下將純水置換為溶劑，藉由上述吸引排氣手段而進行吸引排氣，在指定時間後停止藉由上述吸引排氣手段所進行之吸引排氣，並藉由上述溶劑蒸氣供給手段向上述腔體內供給溶劑蒸氣，當溶劑濃度達到指定值之情況下，藉由上述吸引排氣手段再次進行吸引排氣，去除形成於微細圖案表面之蓋狀物質，藉此使進入至微細圖案深處之純水置換為溶劑。
3. 一種基板處理裝置，其使經處理液處理之基板於溶劑環境中乾燥，上述裝置包含以下要素：腔體，係可收容基板；保持機構，係保持基板，可至少跨及上述腔體外之待機位置與位於上述腔體內上方之乾燥位置而移動；溶劑蒸氣供給手段，係配設於上述腔體內之下部，儲留溶劑且供給溶劑蒸氣； 濃度測定手段，係測定上述腔體內之溶劑濃度；吸引排氣手段，係附設於上述乾燥位置，吸引排出基板周圍之氣體；以及控制手段，係於將經過作為處理液之純水處理之基板移動至上述腔體內的乾燥位置之狀態下將純水置換為溶劑，藉由上述吸引排氣手段而進行吸引排氣，在指定時間後停止藉由上述吸引排氣手段所進行之吸引排氣，並藉由上述溶劑蒸氣供給手段向上述腔體內供給溶劑蒸氣，當溶劑濃度達到指定值的情況下，藉由上述吸引排氣手段再次進行吸引排氣，去除形成於微細圖案表面之蓋狀物質，藉此使進入至微細圖案深處之純水置換為溶劑。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中，上述溶劑濃度之指定值為40%以上。
5. 如申請專利範圍第2或3項之基板處理裝置，其中，上述吸引排氣手段具有吸引部，該吸引部朝向位於上述乾燥位置之基板的端緣而具有開口。
6. 一種基板處理方法，其利用處理液對基板進行處理之後，使基板於溶劑環境中乾燥，上述方法包含以下步驟：對於以腔體包圍周圍之處理槽內之處理位置上的基板，利用作為處理液之純水進行處理之步驟；藉由用於排出腔體內之氣體的排出手段而使腔體內減壓 之步驟；在指定時間後停止藉由排氣手段對腔體內之減壓之步驟；藉由溶劑蒸氣供給手段而向腔體內供給溶劑蒸氣而將純水置換為溶劑之步驟；以及於使基板向位於處理槽上方之乾燥位置移動的狀態下，當溶劑濃度達到指定值之情況下，藉由排出手段使腔體內再次減壓，去除形成於微細圖案表面之蓋狀物質，藉此使進入至微細圖案深處之純水置換為溶劑之步驟。
7. 一種基板處理方法，其利用處理液對基板進行處理之後，使基板於溶劑環境中乾燥，上述方法包含以下步驟：對於以腔體包圍周圍之處理槽內之處理位置上的基板，利用作為處理液之純水進行處理之步驟；於使基板向位於處理槽上方之乾燥位置移動的狀態下，利用附設於乾燥位置、且自乾燥位置之周圍吸引排出氣體之吸引排氣手段，進行吸引排氣之步驟；在指定時間後停止藉由吸引排氣所進行之吸引排氣之步驟；以及藉由溶劑蒸氣供給手段而向腔體內供給溶劑蒸氣而將純水置換為溶劑，當溶劑濃度達到指定值之情況下，藉由吸引排氣手段再次進行吸引排氣，去除形成於微細圖案表面之蓋狀物質，藉此使進入至微細圖案深處之純水置換為溶劑之步驟。
8. 一種基板處理方法，其使經處理液處理之基板於溶劑環 境中乾燥，上述方法包含以下步驟：使經作為處理液之純水處理之基板移動至腔體內的乾燥位置之步驟：藉由附設於乾燥位置、且對基板周圍之氣體進行吸引排氣之吸引排氣手段，進行吸引排氣的步驟；在指定時間後停止藉由吸引排氣所進行之吸引排氣之步驟；以及藉由配設於腔體內之下部、且儲留溶劑並供給溶劑蒸氣之溶劑蒸氣供給手段，向腔體內供給溶劑蒸氣而將純水置換為溶劑，當溶劑濃度達到指定值的情況下，藉由吸引排氣手段再次進行吸引排氣，去除形成於微細圖案表面之蓋狀物質，藉此使進入至微細圖案深處之純水置換為溶劑之步驟。
9. 如申請專利範圍第6至8項中任一項之基板處理方法，其中，上述溶劑濃度之指定值為40%以上。
10. 如申請專利範圍第6至8項中任一項之基板處理方法，其中，於上述各步驟之最後，向腔體內供給經加熱之惰性氣體。