KR100691241B1 - 습식 세정 장치의 건조 장치 및 건조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 습식 세정 장치의 건조 장치 및 건조 방법에 관한 것으로, 건조 장치를 구성하는 구성요소들 간의 동작관계를 최소화하여 건조 공정 시간을 단축하고, 건조 공정 진행 중에 웨이퍼가 공기중에 노출되는 시간을 최소화하기 위해서, 웨이퍼의 습식 세정 장치의 건조 장치로서, 웨이퍼를 상하로 이동시킬 수 있는 리프트가 설치되어 있으며, 탈이온수에 의해 수세 공정이 진행되는 프로세스 탱크와; 습식 세정 공정의 마지막 단계에 배치된 세정조에서 세정 공정이 완료된 웨이퍼를 상기 리프트로 이송하는 로더와; 건조 공정이 완료된 웨이퍼가 적재되는 언로딩 스테이지; 및 수세 공정이 완료된 웨이퍼에 대한 건조 공정이 이루어지며, 건조 공정이 완료된 웨이퍼를 상기 언로딩 스테이지로 언로딩하는 덮개;를 포함하며, 상기 덮개는, 상기 리프트에 의해 상승된 웨이퍼가 들어갈 수 있는 내부 공간이 형성된 덮개 몸체와; 상기 덮개 몸체의 내부 공간에 들어온 웨이퍼를 고정하고, 고정된 상태를 해제하는 웨이퍼 탈착부와; 상기 덮개 몸체에 설치되며, 상기 덮개 몸체의 내부 공간에 들어온 웨이퍼에 건조가스를 공급하는 건조가스 공급부; 및 상기 프로세스 탱크의 상부와 언로딩 스테이지로 상기 덮개 몸체를 이동시키는 구동부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치의 건조 장치를 제공한다.
습식 세정, 건조, IPA(Isopropyl Alcohol), 프로세스 탱크, 탈이온수

Description

습식 세정 장치의 건조 장치 및 건조 방법{Dry apparatus of wet station and drying method}
도 1은 종래기술에 따른 습식 세정 장치의 건조 장치를 보여주는 도면,
도 2는 도 1의 건조 장치를 이용한 웨이퍼 건조 공정을 나타내는 공정도,
도 3은 본 발명에 따른 습식 세정장치의 건조 장치를 보여주는 도면,
도 4는 도 3의 건조기를 이용한 웨이퍼 건조 공정을 나타내는 공정도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *
12, 62 : 세정조 13, 63 : 리프트
14, 64 : 프로세스 탱크 15, 65 : 탈이온수
17, 67 : 웨이퍼 카세트 18, 68 : 언로딩 스테이지
31, 33, 81, 83 : 웨이퍼 32, 82 : 로더
34 : 언로더 40, 90 : 덮개
50, 100 : 건조 장치 92 : 덮개 몸체
94 : 웨이퍼 탈착부 96 : 건조가스 공급부
98 : 구동부
본 발명은 반도체용 습식 세정 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 습식 세정 공정을 거친 웨이퍼를 건조시키는 습식 세정 장치의 건조 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 FAB내에 기류하는 파티클(particle)뿐 아니라 장비로부터의 오염 및 공정 진행중의 반응물 또는 생성물에 의한 오염 등 다양한 오염원을 가지고 있기 때문에, 수백 단계의 메모리 제조공정 진행중에 웨이퍼의 표면을 깨끗하게 유지하는 것은 매우 힘든 일이다.
또한 회로의 미세화 및 제품의 고밀도화, 고집적화가 급속히 진행됨에 따라 과거 저집적화 제품에서는 중요하게 생각하지도 않고 측정하기도 어려웠던 0.1㎛정도의 오염원들이 제품의 성능에 큰 영향을 미치고 있다.
현재, 반도체 공정은 세정 공정을 반복진행해 전 공정의 약 30∼40%정도를 세정 공정이 차지하고 있으며, 디자인 룰(design rule)이 미세화되면서 이 비율은 점점 더 증가하고 있다.
도 1은 종래기술에 따른 습식 세정 장치의 건조 장치(50)를 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 종래기술에 건조 장치(50)는 로더(32; loader), 프로세스 탱크(14; process tank), 덮개(40; lid), 언로더(34; unloader), 언로딩 스테이지(18; unloading stage)로 구성된다. 한편, 도면부호 36은 웨이퍼(31, 33)를 파지한 구성요소들의 이동경로를 나타내고, 도면부호 38은 웨이퍼(31, 33)를 파지하지 않은 구성요소들의 이동경로를 나타낸다.
로더(32)는 웨이퍼(31)를 세정조(12)에서 프로세스 탱크(14)로 공급하는 수단으로서, 로더(32)가 이송하는 웨이퍼(31)는 습식 세정 공정이 완료된 웨이퍼로서, 습식 세정 공정의 마지막 단계에 배치된 세정조(12)에 위치하는 웨이퍼이다.
프로세스 탱크(14)는 수세 공정(rinse step)이 이루어지는 부분으로서, 프로세스 탱크(14) 내부는 탈이온수(15; deionized water)로 채워진다. 프로세스 탱크(14) 안으로 또는 상부로 웨이퍼(31)를 상하로 이동시키는 리프트(13; lift)가 설치되어 있다. 프로세스 탱크(14)의 하부에 탈이온수(15)를 배출할 수 있는 배출 밸브(19)가 설치되어 있다.
덮개(40)는 프로세스 탱크(14) 상부의 일측에 설치되어 있으며, 건조 공정 진행시 덮개(40) 안으로 이동한 웨이퍼(31)에 질소/이소프로필 알콜(Isopropyl Alcohol; IPA)가스와 같은 건조가스를 공급하는 건조가스 공급부(도시안됨)가 설치되어 있다.
언로더(34)는 건조 공정이 완료된 웨이퍼(33)를 리프트(13)로부터 언로딩하여 언로딩 스테이지(18)로 이동시키는 수단이다. 언로딩 스테이지(18) 하부에는 언로딩 스테이지(18) 상에 안착된 웨이퍼(33)가 수납될 수 있는 웨이퍼 캐리어(17)가 배치된다. 즉, 언로딩 스테이지(18) 상에 웨이퍼 캐리어(17)에 수납될 양의 웨이퍼(33)가 안착되면, 언로딩 스테이지(18)가 웨이퍼 캐리어(17)로 하강하여 언로딩 스테이지(18) 상의 웨이퍼(33)를 웨이퍼 캐리어(17)로 수납시킨다.
이와 같은 구조를 갖는 건조 장치(50)를 이용한 건조 공정도(20)가 도 2에 도시되어 있다. 도 1 및 도 2를 참조하여 웨이퍼의 건조 공정을 설명하면 다음과 같다.
습식 세정 공정의 마지막 단계에 배치된 세정조(12)에서 세정 공정이 완료된 웨이퍼(31)를 준비(21)하는 단계로부터 시작된다.
다음으로 웨이퍼 로딩 공정(22)이 진행된다. 즉, 웨이퍼(31)를 수세용 탈이온수(15)로 채워진 프로세스 탱크(14) 안으로 투입하기 위한 리프트(13)가 프로세스 탱크(14) 안에서 상부로 상승한다.(22a) 다음으로, 로더(32)가 세정조의 웨이퍼(31)를 집어서 리프트(13) 상부로 로딩한다.
다음으로 웨이퍼 수세 공정(23)이 진행된다. 즉, 웨이퍼(31)가 안착된 리프트(13)는 탈이온수(15)가 채워진 프로세스 탱크(14) 안으로 하강하여 웨이퍼(31)를 수세한다. 이때 로더(32)는 원래의 위치로 돌아간다.
다음으로 수세 공정이 완료된 웨이퍼에 대한 건조 공정(24)이 진행된다. 먼저, 프로세스 탱크(14) 상부로 덮개(40)를 이동(24a)시킨 다음, 리프트(13)를 상승시켜 덮개(40) 안으로 수세가 완료된 웨이퍼(31)를 이동시킨다(24b). 계속해서 덮개(40) 안으로 질소/IPA가스를 주입하여 웨이퍼(31)를 건조시킨다(24c).
마지막으로 웨이퍼 언로딩 공정(25)이 진행된다. 먼저 프로세스 탱크(13) 하부의 배출 밸브(19)를 열어 탈이온수(15)를 배출시킨다(25a). 리프트(13)를 하강시켜 덮개(14) 안의 건조 공정이 완료된 웨이퍼(33)를 프로세스 탱크(14) 안으로 하강시킨다(25b). 덮개(40)는 프로세스 탱크(14)의 상부에서 벗어나 원래의 위치로 돌아간다(25c). 프로세스 탱크(14) 상부로 리프트(13)를 상승(25d)시킨 다음 언로더(34)로 리프트(13) 위의 웨이퍼(33)를 언로딩 스테이지(18)로 언로딩한다(25e).
이와 같은 종래기술에 따른 건조 장치는 실질적인 건조 공정에 필요한 기계적 동작에 따른 공정 시간보다, 그 외의 기계적인 동작에 따른 부가적인 시간이 길기 때문에, 전체적인 건조 공정 시간이 길어지는 문제점을 안고 있다.
그리고, 건조 공정 이후에 언로딩 스테이지로 웨이퍼를 언로딩하는데 전술된 바와 같이 구성요소들 간의 복잡한 기계적인 동작을 필요로 하기 때문에, 많은 시간이 소요되고 더불어 웨이퍼가 공기중에 노출되는 시간이 길기 때문에, 물반점(water mark)이 발생될 우려가 크다.
따라서, 본 발명의 목적은 건조 장치를 구성하는 구성요소들 간의 동작관계를 최소화하여 건조 공정 시간을 단축하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼가 공기중에 노출되는 시간을 최소화하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 웨이퍼의 습식 세정 장치의 건조 장치로서, 웨이퍼를 상하로 이동시킬 수 있는 리프트가 설치되어 있으며, 탈이온수에 의해 수세 공정이 진행되는 프로세스 탱크와; 습식 세정 공정의 마지막 단계에 배치된 세정조에서 세정 공정이 완료된 웨이퍼를 상기 리프트로 이송하는 로더와; 건조 공정이 완료된 웨이퍼가 적재되는 언로딩 스테이지; 및 수세 공정이 완료된 웨이퍼에 대한 건조 공정이 이루어지며, 건조 공정이 완료된 웨이퍼를 상기 언로딩 스테이지로 언로딩하는 덮개;를 포함하며,
상기 덮개는,
상기 리프트에 의해 상승된 웨이퍼가 들어갈 수 있는 내부 공간이 형성된 덮개 몸체와; 상기 덮개 몸체의 내부 공간에 들어온 웨이퍼를 고정하고, 고정된 상태를 해제하는 웨이퍼 탈착부와; 상기 덮개 몸체에 설치되며, 상기 덮개 몸체의 내부 공간에 들어온 웨이퍼에 건조가스를 공급하는 건조가스 공급부; 및 상기 프로세스 탱크의 상부와 언로딩 스테이지로 상기 덮개 몸체를 이동시키는 구동부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치의 건조 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 덮개의 덮개 몸체는 내부의 웨이퍼를 확인할 수 있도록 투명한 재질로 제조하는 것이 바람직하다.
본 발명은 또한 전술된 건조 장치를 이용한 웨이퍼의 건조 방법을 제공한다. 즉, (a) 습식 세정 공정의 마지막 단계에 배치된 세정조에서 세정 공정이 완료된 웨이퍼를 준비하는 단계와; (b) 로더가 상기 웨이퍼를 탈이온수가 채워진 프로세스 탱크 안의 리프트로 이송하여 수세 공정을 진행하는 단계와; (c) 상기 덮개가 상기 프로세스 탱크 상부로 이동하는 단계와; (d) 상기 프로세스 탱크 안의 리프트가 상승하여 수세 공정이 완료된 웨이퍼를 상기 덮개 몸체의 내부공간으로 이송하는 단계와; (e) 상기 덮개 몸체로 이송된 웨이퍼를 상기 웨이퍼 탈착부가 고정하는 단계와; (f) 상기 건조가스 공급부가 덮개 몸체의 내부공간으로 건조가스를 공급하여 상기 웨이퍼를 건조시키는 단계; 및 (g) 상기 덮개가 상기 건조 공정이 완료된 웨이퍼를 상기 언로딩 스테이지로 언로딩하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 건조 장치를 이용한 건조 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 건조 방법에 있어서, (g) 단계에서 덮개가 언로딩 스테이지로 이동 중 일정시간 동안 건조가스 공급부가 덮개 몸체 안의 웨이퍼에 건조가스를 공급한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 3은 본 발명에 따른 습식 세정 장치의 건조 장치(100)를 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 건조 장치(100)는 로더(82), 프로세스 탱크(64), 덮개(90) 및 언로딩 스테이지(68)로 구성된다. 한편, 도면부호 86은 웨이퍼를 파지한 구성요소들의 이동경로를 나타내고, 도면부호 88은 웨이퍼를 파지하지 않은 구성요소들의 이동경로를 나타낸다. 후술되겠지만, 덮개(90)가 언로더의 역할도 수행한다.
로더(82)는 웨이퍼를 세정조(62)에서 프로세스 탱크(64)로 직접 공급하는 수단으로서, 로더(82)가 이송하는 웨이퍼는 습식 세정 공정이 완료된 웨이퍼로서, 습식 세정 공정의 마지막 단계에 배치된 세정조(62)에 위치하는 웨이퍼이다.
프로세스 탱크(64)는 건조 공정이 이루어지기 전에 웨이퍼(81)에 대한 수세 공정이 진행되는 곳으로서, 수세 공정을 진행할 수 있도록 프로세스 탱크(64) 내부는 탈이온수로 채워진다. 프로세스 탱크(64) 안으로 또는 상부로 웨이퍼를 상하로 이동시키는 리프트(63)가 설치되어 있다. 프로세스 탱크(64)의 하부에 탈이온수를 배출할 수 있는 배출 밸브(69)가 설치되어 있다.
언로딩 스테이지(68)는 건조 공정이 완료된 웨이퍼가 적재되는 곳으로서, 언로딩 스테이지 (68)하부에는 언로딩 스테이지(68) 상에 안착된 웨이퍼가 수납될 수 있는 웨이퍼 캐리어(67)가 배치된다. 즉, 언로딩 스테이지(68) 상에 웨이퍼 캐리어(67)에 수납될 양의 웨이퍼가 안착되면, 언로딩 스테이지(68)가 웨이퍼 캐리어(67)로 하강하여 언로딩 스테이지(68) 상의 웨이퍼를 웨이퍼 캐리어(67)로 수납시킨다.
덮개(90)는 수세 공정이 완료된 웨이퍼에 대한 건조 공정을 진행하고, 동시에 건조 공정이 완료된 웨이퍼를 언로딩 스테이지(68)로 언로딩하는 수단으로서, 덮개 몸체(92), 웨이퍼 탈착부(94), 건조가스 공급부(96) 및 구동부(98)로 구성된다. 덮개 몸체(92)는 리프트(63)에 의해 상승된 웨이퍼가 들어갈 수 있는 아래 방향으로 개방된 내부 공간을 갖는다. 웨이퍼 탈착부(94)는 리프트(63)에 의해 덮개 몸체(92)의 내부 공간에 들어온 웨이퍼를 고정하고, 고정된 상태를 해제하는 수단으로서, 덮개 몸체(92)의 하단부에 설치된다. 건조가스 공급부(96)는 덮개 몸체(92)에 설치되어, 내부 공간에 들어온 웨이퍼에 질소/IPA가스와 같은 건조가스를 공급한다. 그리고, 구동부(98)는 프로세스 탱크(64)의 상부와 언로딩 스테이지(68)로 덮개 몸체(92)를 이동시키는 수단으로서, 덮개 몸체(92)를 상하좌우 이동시킨다. 하나의 바람직한 실시 양태로, 구동부(98)를 로더(82)의 반송 장치에 연결하여 프로세스 탱크(64)와 언로딩 스테이지(68) 사이를 왕복할 수 있도록 설치할 수도 있고, 별도의 반송 장치를 구현하여 독자적으로 구동할 수 있도록 설치할 수도 있다. 특히, 덮개 몸체(92)는 내부에 수납된 웨이퍼를 확인할 수 있도록 투명한 재질로 제조하는 것이 바람직하다.
덮개(90)의 구동 관계를 살펴보면, 리프트(63)에 의해 수세 공정이 완료된 웨이퍼가 덮개 몸체(92)의 내부 공간으로 들어오면 웨이퍼 탈착부(94)는 웨이퍼를 고정한다. 건조가스 공급부(96)는 웨이퍼 탈착부(94)에 고정된 웨이퍼에 건조가스를 공급하여 건조 공정을 진행하고, 건조 공정이 완료되면, 구동부(98)는 웨이퍼를 고정하고 있는 덮개 몸체(92)를 프로세스 탱크(64) 상부에서 언로딩 스테이지(68) 상부로 이동시킨다. 마지막으로 웨이퍼 탈착부(94)가 웨이퍼를 언로딩 스테이지(68)에 언로딩한다.
이와 같은 구조를 갖는 건조 장치(100)를 이용한 건조 공정도(70)가 도 4에 도시되어 있다. 도 3 및 도 4를 참조하여 웨이퍼의 건조 공정을 설명하면 다음과 같다.
습식 세정 공정의 마지막 단계에 배치된 세정조(62)에서 세정 공정이 완료된 웨이퍼를 준비하는 단계로부터 출발한다(71).
다음으로 프로세스 탱크(94) 안의 리프트(63)로 웨이퍼 로딩하는 단계와 동시에 수세 공정이 진행된다(72). 즉, 본 발명에서는 로더(82)가 세정조(62)의 웨이퍼를 집어서 탈이온수가 채워진 프로세스 탱크(64) 안에 위치한 리프트(63)로 직접 웨이퍼를 로딩한다. 따라서, 로딩된 웨이퍼에 대한 수세 공정이 바로 이루어진다. 웨이퍼를 로딩한 이후에 로더(82)는 원래의 위치로 돌아간다.
한편, 종래에는 탈이온수가 채워진 프로세스 탱크 상부로 리프트가 상승하는 단계와, 상승된 리프트에 웨이퍼를 로딩하는 단계와, 리프트가 탈이온수가 채워진 프로세스 탱크 안으로 하강하여 웨이퍼에 대한 수세 공정을 진행하는 단계로 진행되었지만, 본 발명에서는 바로 프로세스 탱크(64) 안의 리프트(63)로 직접 웨이퍼를 이송하기 때문에, 웨이퍼 로딩에서부터 수세 공정 사이의 구성요소 사이의 기계적인 동작을 최소화할 수 있다. 따라서 공정시간을 단축할 수 있다.
다음으로 수세 공정이 완료된 웨이퍼에 대한 건조 공정이 진행된다(74). 먼저, 프로세스 탱크(64) 상부로 덮개(90)를 이동(74a)시킨 다음, 리프트(63)를 상승시켜 덮개(90) 안으로 수세가 완료된 웨이퍼를 이동시킨다(74b). 즉, 덮개 몸체(92)의 내부 공간으로 웨이퍼가 들어가며, 내부 공간으로 들어간 웨이퍼는 웨이퍼 탈착부(94)에 의해 고정된다. 계속해서 건조가스 공급부(96)는 내부 공간으로 질소/IPA가스를 주입하여 웨이퍼를 건조시킨다(74c). 본 발명에 따른 건조 방식은, 질소가스 분위기에서 IPA가스와 탈이온수의 치환 즉, 마란고니 효과(Marangoni effect)를 응용한 증기 건조 방식이다.
마지막으로 웨이퍼 언로딩 공정이 진행된다(75). 즉, 건조 공정이 진행되는 덮개(90)가 직접 웨이퍼를 언로딩 스테이지(68)로 이동하여 웨이퍼를 언로딩한다. 좀더 상세히 설명하면, 덮개의 구동부(98)는 웨이퍼를 고정하고 있는 덮개 몸체(92)를 프로세스 탱크(64) 상부에서 언로딩 스테이지(68) 상부로 이동시킨다. 이때, 프로세스 탱크(64)에서 언로딩 스테이지(68)로 이동하는 중에 웨이퍼에 대한 건조 능력을 향상시키고 웨이퍼가 공기중에 노출되는 것을 방지하기 위해서, 이동 중에도 소정의 시간동안 건조가스 공급부(96)는 덮개 몸체(92)의 내부 공간으로 질소/IPA가스 또는 질소가스를 공급한다. 마지막으로 웨이퍼 탈착부(94)가 웨이퍼에 대한 고정 상태를 해제하여 언로딩 스테이지(68)에 언로딩한다. 물론 언로딩 공정 이후에 덮개(90)는 원래의 위치로 돌아간다.
또한 언로딩 스테이지(68) 상에 웨이퍼 캐리어(67)에 수납될 양의 웨이퍼가 안착되면, 언로딩 스테이지(68)가 웨이퍼 캐리어(67)로 하강하여 언로딩 스테이지(68) 상의 웨이퍼를 웨이퍼 캐리어(67)로 수납시키는 공정을 진행한다.
본 발명에 따른 건조 장치 및 건조 방법에 따르면, 건조 장치를 구성하는 구성요소들 간의 동작관계를 최소화하여 건조 공정 시간을 단축할 수 있다.
더불어, 건조 공정 시간의 단축으로 웨이퍼가 공기중에 노출되는 시간을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라 웨이퍼를 언로딩 스테이지로 이송하는 도중에도 질소/IPA가스 또는 질소가스를 공급하여 웨이퍼에 건조 능력 강화 및 웨이퍼가 공기중에 노출되는 것을 억제할 수 있다.

Claims (5)

  1. 웨이퍼의 습식 세정 장치의 건조 장치로서,
    웨이퍼를 상하로 이동시킬 수 있는 리프트가 설치되어 있으며, 탈이온수에 의해 수세 공정이 진행되는 프로세스 탱크와;
    습식 세정 공정의 마지막 단계에 배치된 세정조에서 세정 공정이 완료된 웨이퍼를 상기 리프트로 이송하는 로더와;
    건조 공정이 완료된 웨이퍼가 적재되는 언로딩 스테이지; 및
    상기 프로세스 탱크의 상부에 위치하여 수세 공정이 완료된 웨이퍼를 제공받아 건조 공정을 진행하고, 상기 프로세스 탱크에서 상기 언로딩 스테이지로 이동하여 건조 공정이 완료된 웨이퍼를 언로딩하는 덮개;를 포함하며,
    상기 덮개는,
    상기 리프트에 의해 상승된 웨이퍼가 들어갈 수 있는 내부 공간이 형성된 덮개 몸체와;
    상기 덮개 몸체의 내부 공간에 들어온 웨이퍼를 고정하고, 고정된 상태를 해제하는 웨이퍼 탈착부와;
    상기 덮개 몸체에 설치되며, 상기 덮개 몸체의 내부 공간에 들어온 웨이퍼에 건조가스를 공급하는 건조가스 공급부; 및
    상기 프로세스 탱크의 상부와 언로딩 스테이지의 상부로 상기 덮개 몸체를 이동시키는 구동부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치의 건조 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 덮개 몸체는 내부의 웨이퍼를 확인할 수 있도록 투명한 재질로 제조된 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치의 건조 장치.
  3. 제 1항에 따른 건조 장치를 이용한 웨이퍼의 건조 방법은,
    (a) 습식 세정 공정의 마지막 단계에 배치된 세정조에서 세정 공정이 완료된 웨이퍼를 준비하는 단계와;
    (b) 로더가 상기 웨이퍼를 탈이온수가 채워진 프로세스 탱크 안의 리프트로 이송하여 수세 공정을 진행하는 단계와;
    (c) 상기 덮개가 상기 프로세스 탱크 상부로 이동하는 단계와;
    (d) 상기 프로세스 탱크 안의 리프트가 상승하여 수세 공정이 완료된 웨이퍼를 상기 덮개 몸체의 내부공간으로 이송하는 단계와;
    (e) 상기 덮개 몸체로 이송된 웨이퍼를 상기 웨이퍼 탈착부가 고정하는 단계와;
    (f) 상기 건조가스 공급부가 덮개 몸체의 내부공간으로 건조가스를 공급하여 상기 웨이퍼를 건조시키는 단계; 및
    (g) 상기 덮개가 상기 언로딩 스테이지의 상부로 이동하여 상기 건조 공정이 완료된 웨이퍼를 상기 언로딩 스테이지로 언로딩하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 건조 장치를 이용한 건조 방법.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 (g) 단계에서 상기 덮개가 상기 언로딩 스테이지로 이동 중 일정시간 동안 상기 건조가스 공급부가 상기 덮개 몸체 안의 웨이퍼에 건조가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 건조 장치를 이용한 건조 방법.
  5. 제 3항에 있어서, 상기 덮개 몸체는 내부의 웨이퍼를 확인할 수 있도록 투명한 재질로 제조된 것을 특징으로 하는 건조 장치를 이용한 건조 방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3560962B1 (ja) * 2003-07-02 2004-09-02 エス・イー・エス株式会社 基板処理法及び基板処理装置
DE102013102545A1 (de) * 2012-04-27 2013-10-31 Awt Advanced Wet Technologies Gmbh Verfahren zum Behandeln von zumindest einem Substrat in einem flüssigen Medium
JP2015185632A (ja) * 2014-03-24 2015-10-22 株式会社荏原製作所 基板処理装置
US9829249B2 (en) * 2015-03-10 2017-11-28 Mei, Llc Wafer dryer apparatus and method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10154689A (ja) * 1996-09-27 1998-06-09 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置及び洗浄方法
KR19980025067A (ko) * 1996-09-27 1998-07-06 히가시 데츠로우 세정장치 및 세정방법
JPH10209110A (ja) * 1997-01-24 1998-08-07 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置及び洗浄方法
KR19980081033A (ko) * 1997-04-02 1998-11-25 히가시데츠로우 세정·건조처리장치, 기판의 처리장치 및 기판의 처리방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980012044A (ko) * 1996-03-01 1998-04-30 히가시 데츠로 기판건조장치 및 기판건조방법
JP3151613B2 (ja) * 1997-06-17 2001-04-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄・乾燥処理方法及びその装置
US6119366A (en) * 1998-03-03 2000-09-19 Ferrell; Gary W. Chemical drying and cleaning method
JP3043709B2 (ja) * 1997-11-19 2000-05-22 株式会社カイジョー 基板の乾燥装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10154689A (ja) * 1996-09-27 1998-06-09 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置及び洗浄方法
KR19980025067A (ko) * 1996-09-27 1998-07-06 히가시 데츠로우 세정장치 및 세정방법
JPH10209110A (ja) * 1997-01-24 1998-08-07 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置及び洗浄方法
KR19980081033A (ko) * 1997-04-02 1998-11-25 히가시데츠로우 세정·건조처리장치, 기판의 처리장치 및 기판의 처리방법

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