JP3442219B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置用のガラス基板などの基板に対して洗浄処理
やエッチング処理などの所定の基板処理を施す基板処理
装置に係り、特には、処理室内で基板に処理液を供給し
て枚葉処理で基板処理する基板処理装置に関する。
晶表示装置用のガラス基板などの基板に対して洗浄処理
やエッチング処理などの所定の基板処理を施す基板処理
装置に係り、特には、処理室内で基板に処理液を供給し
て枚葉処理で基板処理する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置としては、
チャンバなどで周囲が覆われて形成された処理室内に、
基板を水平姿勢で保持して鉛直軸周りに回転させるスピ
ンチャックなどが備えられ、スピンチャックに保持され
た基板を鉛直軸周りに回転させながらその基板に薬液や
純水などの処理液を供給して基板洗浄などの基板処理を
行う装置が知られている。
チャンバなどで周囲が覆われて形成された処理室内に、
基板を水平姿勢で保持して鉛直軸周りに回転させるスピ
ンチャックなどが備えられ、スピンチャックに保持され
た基板を鉛直軸周りに回転させながらその基板に薬液や
純水などの処理液を供給して基板洗浄などの基板処理を
行う装置が知られている。
【０００３】また、この種の装置の処理室には基板搬入
口と基板搬出口が設けられ、基板搬送機構によって、基
板搬入口からスピンチャックへと処理前の基板が搬入さ
れ、また、スピンチャックから基板搬出口へと処理済の
基板が搬出されるように構成されている。
口と基板搬出口が設けられ、基板搬送機構によって、基
板搬入口からスピンチャックへと処理前の基板が搬入さ
れ、また、スピンチャックから基板搬出口へと処理済の
基板が搬出されるように構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、上記装置のように処理室内で基板に処
理液を供給しながら基板処理すると、基板処理中に処理
液の蒸気が発生したり、基板に供給された処理液が基板
で跳ね返ったりして、その処理液の蒸気や跳ね返りが処
理室内の基板の上方の構造物に結露、付着する。このよ
うな現象は、処理室の上部を覆い、基板搬入口や基板搬
出口に開閉自在のシャッターを設け、基板処理中、基板
搬入口や基板搬出口のシャッターを閉じて処理室内をあ
る程度密閉するように構成された装置でより顕著に現れ
る。
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、上記装置のように処理室内で基板に処
理液を供給しながら基板処理すると、基板処理中に処理
液の蒸気が発生したり、基板に供給された処理液が基板
で跳ね返ったりして、その処理液の蒸気や跳ね返りが処
理室内の基板の上方の構造物に結露、付着する。このよ
うな現象は、処理室の上部を覆い、基板搬入口や基板搬
出口に開閉自在のシャッターを設け、基板処理中、基板
搬入口や基板搬出口のシャッターを閉じて処理室内をあ
る程度密閉するように構成された装置でより顕著に現れ
る。
【０００５】基板搬入口や基板搬出口にシャッターが設
けられた装置では、基板搬入や基板搬出の際シャッター
が開かれるが、この際の基板搬入口や基板搬出口付近の
気流などの影響で、搬入、搬出される基板よりも上方の
基板搬入口の天井部分や基板搬出口の天井部分に結露、
付着した処理液が液滴となって搬入、搬出される基板上
に落下し易かった。
けられた装置では、基板搬入や基板搬出の際シャッター
が開かれるが、この際の基板搬入口や基板搬出口付近の
気流などの影響で、搬入、搬出される基板よりも上方の
基板搬入口の天井部分や基板搬出口の天井部分に結露、
付着した処理液が液滴となって搬入、搬出される基板上
に落下し易かった。
【０００６】このように、基板搬入口や基板搬出口付近
で処理液の液滴が基板上に落下すると、以下のような不
都合が起こる。すなわち、基板搬入口付近で処理前の基
板上に処理液（薬液）の液滴が落下すると、液滴が落下
した部分とそれ以外の部分で薬液による基板処理の進行
がばらつき、均一な基板処理が行えない。
で処理液の液滴が基板上に落下すると、以下のような不
都合が起こる。すなわち、基板搬入口付近で処理前の基
板上に処理液（薬液）の液滴が落下すると、液滴が落下
した部分とそれ以外の部分で薬液による基板処理の進行
がばらつき、均一な基板処理が行えない。
【０００７】また、基板搬出口付近で基板処理が終了し
た処理済の基板上に処理液の液滴が落下すると、処理液
が落下した部分において不必要な処理が生じたり、液滴
に含まれていたパーティクルが処理済の基板に付着する
など基板の処理品質を低下させる原因になる。また、こ
の種の基板処理装置では、処理液を基板に供給しての基
板処理の後、スピンチャックを高速回転させて基板を液
切り乾燥させることもあるが、乾燥後の基板に処理液の
液滴が落下すると、基板の一部が濡れたまま処理室から
搬出され、基板の汚染などを招来することにもなる。
た処理済の基板上に処理液の液滴が落下すると、処理液
が落下した部分において不必要な処理が生じたり、液滴
に含まれていたパーティクルが処理済の基板に付着する
など基板の処理品質を低下させる原因になる。また、こ
の種の基板処理装置では、処理液を基板に供給しての基
板処理の後、スピンチャックを高速回転させて基板を液
切り乾燥させることもあるが、乾燥後の基板に処理液の
液滴が落下すると、基板の一部が濡れたまま処理室から
搬出され、基板の汚染などを招来することにもなる。
【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、基板搬入口や基板搬出口付近で基板上
に処理液の液滴が落下するのを防止する基板処理装置を
提供することを目的とする。
たものであって、基板搬入口や基板搬出口付近で基板上
に処理液の液滴が落下するのを防止する基板処理装置を
提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、処理室内で基板に処理液
を供給して枚葉処理で基板処理する基板処理装置におい
て、前記処理室内において基板を鉛直軸周りに回転させ
るスピンチャックと、前記処理室を内部に形成するチャ
ンバと、前記チャンバの側面に開口する基板搬入口と、
前記基板搬入口を開閉するシャッターと、前記シャッタ
ーに取り付けられ、該シャッターが前記基板搬入口を閉
じた状態で、前記基板搬入口の天井部分の下面を下方か
ら覆う庇部材と、を備えたことを特徴とするものであ
る。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、処理室内で基板に処理液
を供給して枚葉処理で基板処理する基板処理装置におい
て、前記処理室内において基板を鉛直軸周りに回転させ
るスピンチャックと、前記処理室を内部に形成するチャ
ンバと、前記チャンバの側面に開口する基板搬入口と、
前記基板搬入口を開閉するシャッターと、前記シャッタ
ーに取り付けられ、該シャッターが前記基板搬入口を閉
じた状態で、前記基板搬入口の天井部分の下面を下方か
ら覆う庇部材と、を備えたことを特徴とするものであ
る。
【００１０】また、請求項２に記載の発明は、処理室内
で基板に処理液を供給して枚葉処理で基板処理する基板
処理装置において、前記処理室内において基板を鉛直軸
周りに回転させるスピンチャックと、前記処理室を内部
に形成するチャンバと、前記チャンバの側面に開口する
基板搬出口と、前記基板搬出口を開閉するシャッター
と、前記シャッターに取り付けられ、該シャッターが前
記基板搬出口を閉じた状態で、前記基板搬出口の天井部
分の下面を下方から覆う庇部材と、を備えたことを特徴
とするものである。
で基板に処理液を供給して枚葉処理で基板処理する基板
処理装置において、前記処理室内において基板を鉛直軸
周りに回転させるスピンチャックと、前記処理室を内部
に形成するチャンバと、前記チャンバの側面に開口する
基板搬出口と、前記基板搬出口を開閉するシャッター
と、前記シャッターに取り付けられ、該シャッターが前
記基板搬出口を閉じた状態で、前記基板搬出口の天井部
分の下面を下方から覆う庇部材と、を備えたことを特徴
とするものである。
【００１１】また、請求項３に記載の発明は、上記請求
項１または２のいずれかに記載の基板処理装置におい
て、前記庇部材の上面と、前記基板搬入口、基板搬出口
の天井部分の下面とを密着させる密着部材を、前記庇部
材の上面の前記処理室側の端部に設けたことを特徴とす
るものである。また、請求項４に記載の発明は、上記請
求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置におい
て、前記スピンチャックに保持された基板の表面に近接
される遮蔽板をさらに備えたことを特徴とするものであ
る。
項１または２のいずれかに記載の基板処理装置におい
て、前記庇部材の上面と、前記基板搬入口、基板搬出口
の天井部分の下面とを密着させる密着部材を、前記庇部
材の上面の前記処理室側の端部に設けたことを特徴とす
るものである。また、請求項４に記載の発明は、上記請
求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置におい
て、前記スピンチャックに保持された基板の表面に近接
される遮蔽板をさらに備えたことを特徴とするものであ
る。
【００１２】
【作用】請求項１に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。すなわち、基板処理時、シャッターは基板搬入口を
閉じ、庇部材は基板搬入口の天井部分の下面を下方から
覆っている。この際、処理液の蒸気や跳ね返りは、基板
搬入口付近では庇部材の下面に結露、付着するが、基板
搬入口の天井部分の下面には結露、付着しない。一方、
基板搬入時には、シャッターは基板搬入口を開き、これ
に伴って庇部材は搬入される基板の上方から外れた位置
に移動される。例えば、シャッターが上下に開閉される
場合、シャッターが閉じられた状態で基板搬入口の天井
部分の下面を下方から覆っていた庇部材は、シャッター
が降下されて基板搬入口が開かれると搬入される基板の
下方に移動される。従って、基板搬入時、基板は処理液
が結露、付着していない基板搬入口の天井部分の下方を
通過するので、基板搬入口付近での基板上への処理液の
液滴の落下が防止できる。
る。すなわち、基板処理時、シャッターは基板搬入口を
閉じ、庇部材は基板搬入口の天井部分の下面を下方から
覆っている。この際、処理液の蒸気や跳ね返りは、基板
搬入口付近では庇部材の下面に結露、付着するが、基板
搬入口の天井部分の下面には結露、付着しない。一方、
基板搬入時には、シャッターは基板搬入口を開き、これ
に伴って庇部材は搬入される基板の上方から外れた位置
に移動される。例えば、シャッターが上下に開閉される
場合、シャッターが閉じられた状態で基板搬入口の天井
部分の下面を下方から覆っていた庇部材は、シャッター
が降下されて基板搬入口が開かれると搬入される基板の
下方に移動される。従って、基板搬入時、基板は処理液
が結露、付着していない基板搬入口の天井部分の下方を
通過するので、基板搬入口付近での基板上への処理液の
液滴の落下が防止できる。
【００１３】また、請求項２に記載の発明によれば、基
板搬出口付近において、上記請求項１に記載の発明と同
様の作用により、基板搬出時に基板は処理液が結露、付
着していない基板搬出口の天井部分の下方を通過し、基
板搬出口付近での基板上への処理液の液滴の落下が防止
できる。
板搬出口付近において、上記請求項１に記載の発明と同
様の作用により、基板搬出時に基板は処理液が結露、付
着していない基板搬出口の天井部分の下方を通過し、基
板搬出口付近での基板上への処理液の液滴の落下が防止
できる。
【００１４】請求項３に記載の発明によれば、シャッタ
ーが閉じている状態で、庇部材の上面の処理室側の端部
に設けた密着部材が、基板搬入（出）口の天井部分の下
面に密着するので、基板処理時の処理液の蒸気や跳ね返
りが庇部材の上面と前記天井部分の下面との間の隙間に
入り込むのが防止でき、その天井部分の下面への処理液
の付着をより好適に抑止できる。また、請求項４に記載
の発明によれば、スピンチャックに保持された基板の表
面に近接される遮蔽板をさらに備えた場合においても、
基板搬入口、基板搬出口付近での基板への処理液の液滴
の落下を防止できる。
ーが閉じている状態で、庇部材の上面の処理室側の端部
に設けた密着部材が、基板搬入（出）口の天井部分の下
面に密着するので、基板処理時の処理液の蒸気や跳ね返
りが庇部材の上面と前記天井部分の下面との間の隙間に
入り込むのが防止でき、その天井部分の下面への処理液
の付着をより好適に抑止できる。また、請求項４に記載
の発明によれば、スピンチャックに保持された基板の表
面に近接される遮蔽板をさらに備えた場合においても、
基板搬入口、基板搬出口付近での基板への処理液の液滴
の落下を防止できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
施の形態を説明する。
【００１６】＜第１の実施の形態＞図１は、本発明の第
１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す縦断面
図である。なお、この第１の実施の形態および後述する
第２、第３の実施の形態では、基板に薬液や純水などの
基板洗浄用の処理液を供給して枚葉処理で基板洗浄する
装置を例に採り説明する。
１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す縦断面
図である。なお、この第１の実施の形態および後述する
第２、第３の実施の形態では、基板に薬液や純水などの
基板洗浄用の処理液を供給して枚葉処理で基板洗浄する
装置を例に採り説明する。
【００１７】この基板処理装置１は、円筒型のチャンバ
２に周囲が囲まれて、その内部に処理室３が形成されて
いる。チャンバ２の蓋２ａは本体部に対して着脱自在に
取り付けられていて、その蓋２ａの下面が処理室３の上
部を覆うように構成されている。
２に周囲が囲まれて、その内部に処理室３が形成されて
いる。チャンバ２の蓋２ａは本体部に対して着脱自在に
取り付けられていて、その蓋２ａの下面が処理室３の上
部を覆うように構成されている。
【００１８】処理室３内には、基板Ｗを水平姿勢で保持
し、図示しない電動モーターにより回転軸４ａを介して
保持した基板Ｗを鉛直軸周りに回転させるためのスピン
チャック４が設けられている。このスピンチャック４は
図示しないエアシリンダにより昇降する。また、薬液や
純水などの処理液をスピンチャック４に保持された基板
Ｗの表面に供給する複数のノズル５や、処理液を前記基
板Ｗの裏面に供給する複数のノズル６も設けられてい
る。さらに、排水や排気を行うための複数の流路７など
も設けられている。またさらに、チャンバ２の蓋２ａに
は基板Ｗに不活性ガスを吹き付け、そして、チャンバ２
内を不活性ガス雰囲気にするために不活性ガス（窒素
（Ｎ2 ）ガスなど）を吹き出すノズル４０が設けられて
いる。
し、図示しない電動モーターにより回転軸４ａを介して
保持した基板Ｗを鉛直軸周りに回転させるためのスピン
チャック４が設けられている。このスピンチャック４は
図示しないエアシリンダにより昇降する。また、薬液や
純水などの処理液をスピンチャック４に保持された基板
Ｗの表面に供給する複数のノズル５や、処理液を前記基
板Ｗの裏面に供給する複数のノズル６も設けられてい
る。さらに、排水や排気を行うための複数の流路７など
も設けられている。またさらに、チャンバ２の蓋２ａに
は基板Ｗに不活性ガスを吹き付け、そして、チャンバ２
内を不活性ガス雰囲気にするために不活性ガス（窒素
（Ｎ2 ）ガスなど）を吹き出すノズル４０が設けられて
いる。
【００１９】なお、図では、基板Ｗの外周端部を部分的
に下面から支持するとともに、基板Ｗの水平位置を規制
する複数個の保持部材４ｂが設けられた（図では、２個
だけ描いているが、基板Ｗの外周に沿って所定間隔ごと
に６個程度設けられる）メカニカル式のスピンチャック
４を描いているが、基板Ｗの裏面を吸着する真空吸着式
のスピンチャック４が備えられていてもよい。
に下面から支持するとともに、基板Ｗの水平位置を規制
する複数個の保持部材４ｂが設けられた（図では、２個
だけ描いているが、基板Ｗの外周に沿って所定間隔ごと
に６個程度設けられる）メカニカル式のスピンチャック
４を描いているが、基板Ｗの裏面を吸着する真空吸着式
のスピンチャック４が備えられていてもよい。
【００２０】また、チャンバ２の側面には、チャンバ２
の外側から処理室３内のスピンチャック４に基板Ｗを搬
入するための基板搬入口（開口）８と、処理室３内のス
ピンチャック４からチャンバ２の外側に基板Ｗを搬出す
るための基板搬出口（開口）９が形成されている。基板
搬入口８、基板搬出口９にはエアシリンダなどのアクチ
ュエータ１０によって昇降駆動されて開閉するシャッタ
ー１１がそれぞれ設けられている。
の外側から処理室３内のスピンチャック４に基板Ｗを搬
入するための基板搬入口（開口）８と、処理室３内のス
ピンチャック４からチャンバ２の外側に基板Ｗを搬出す
るための基板搬出口（開口）９が形成されている。基板
搬入口８、基板搬出口９にはエアシリンダなどのアクチ
ュエータ１０によって昇降駆動されて開閉するシャッタ
ー１１がそれぞれ設けられている。
【００２１】そして、各シャッター１１の内側面側に
は、シャッター１１が基板搬入口８、基板搬出口９を閉
じた状態で基板搬入口８の天井部分８ａ、基板搬出口９
の天井部分９ａの下面を下方から覆うように庇部材１２
が、ネジ止めや接着、溶接などで取り付けられている。
この庇部材１２は、耐薬品性で、汚染を溶出しない材
質、例えば、ＰＴＦＥ（ポリ四フッ化エチレン樹脂）や
ＰＦＡ（テトラフルエチレン─パーフルオロアルキルビ
ニルエーテル共重合体）などのフッ素樹脂、ＳｉＣ（炭
化ケイ素）などのセラミックス、石英などで形成されて
いる。
は、シャッター１１が基板搬入口８、基板搬出口９を閉
じた状態で基板搬入口８の天井部分８ａ、基板搬出口９
の天井部分９ａの下面を下方から覆うように庇部材１２
が、ネジ止めや接着、溶接などで取り付けられている。
この庇部材１２は、耐薬品性で、汚染を溶出しない材
質、例えば、ＰＴＦＥ（ポリ四フッ化エチレン樹脂）や
ＰＦＡ（テトラフルエチレン─パーフルオロアルキルビ
ニルエーテル共重合体）などのフッ素樹脂、ＳｉＣ（炭
化ケイ素）などのセラミックス、石英などで形成されて
いる。
【００２２】基板搬入口８を介しての基板Ｗの搬入は、
チャンバ２の外側に設置された基板搬入ロボット１３に
よって行われる。この基板搬入ロボット１３は、例え
ば、屈伸しながら出退する多関節型のアームを備えたロ
ボットなどで構成されている。また、基板搬出口９側の
チャンバ２の外側にも基板搬入ロボット１３と同様の構
成を有する図示を省略した基板搬出ロボットが設置され
ていて、その基板搬出ロボットによって基板搬出口９を
介しての基板Ｗの搬出が行われる。
チャンバ２の外側に設置された基板搬入ロボット１３に
よって行われる。この基板搬入ロボット１３は、例え
ば、屈伸しながら出退する多関節型のアームを備えたロ
ボットなどで構成されている。また、基板搬出口９側の
チャンバ２の外側にも基板搬入ロボット１３と同様の構
成を有する図示を省略した基板搬出ロボットが設置され
ていて、その基板搬出ロボットによって基板搬出口９を
介しての基板Ｗの搬出が行われる。
【００２３】なお、この第１の実施の形態に係る装置１
では、スピンチャック４に保持されたときの基板Ｗの高
さで、基板Ｗの搬入、基板処理、基板Ｗの搬出が行われ
る。
では、スピンチャック４に保持されたときの基板Ｗの高
さで、基板Ｗの搬入、基板処理、基板Ｗの搬出が行われ
る。
【００２４】この装置１の動作は、基板Ｗの搬入、基板
処理、基板Ｗの搬出がその順で（連続して複数枚の基板
Ｗに対して基板処理される場合には、それら動作が繰り
返して）行われる。
処理、基板Ｗの搬出がその順で（連続して複数枚の基板
Ｗに対して基板処理される場合には、それら動作が繰り
返して）行われる。
【００２５】基板Ｗは次のように搬入される。まず、基
板搬入口８側のシャッター１１が開き、基板搬入ロボッ
ト１３のアームが基板搬入口８から進入する。このと
き、スピンチャック４は保持部材４ｂと搬入される基板
Ｗとが接触するのを防ぐために若干下降する。そして、
スピンチャック４上方に基板Ｗが進入するとスピンチャ
ック４は上昇して基板Ｗを保持する。このようにして、
基板搬入ロボット１３のアームに支持された処理前の基
板Ｗが基板搬入口８からスピンチャック４に搬入され
る。そして、基板搬入ロボット１３のアームがチャンバ
２の外側に後退すると基板搬入口８側のシャッター１１
が閉じる。
板搬入口８側のシャッター１１が開き、基板搬入ロボッ
ト１３のアームが基板搬入口８から進入する。このと
き、スピンチャック４は保持部材４ｂと搬入される基板
Ｗとが接触するのを防ぐために若干下降する。そして、
スピンチャック４上方に基板Ｗが進入するとスピンチャ
ック４は上昇して基板Ｗを保持する。このようにして、
基板搬入ロボット１３のアームに支持された処理前の基
板Ｗが基板搬入口８からスピンチャック４に搬入され
る。そして、基板搬入ロボット１３のアームがチャンバ
２の外側に後退すると基板搬入口８側のシャッター１１
が閉じる。
【００２６】基板処理は、前記基板Ｗの搬入でスピンチ
ャック４に水平姿勢に保持された基板Ｗを鉛直軸周りに
回転させながら、ノズル５、６から薬液や純水などの処
理液を基板Ｗに供給して行われる。この処理液の供給時
に、ノズル４０から不活性ガスを基板Ｗに供給し、基板
Ｗの周囲に不活性ガス雰囲気を形成することで、自然酸
化膜の成長などを抑制でき基板処理効果が向上する。ま
た、処理液を基板Ｗに供給しての基板処理が終了した
後、スピンチャック４を高速回転させて基板Ｗに対して
液切り乾燥処理を施すこともある。
ャック４に水平姿勢に保持された基板Ｗを鉛直軸周りに
回転させながら、ノズル５、６から薬液や純水などの処
理液を基板Ｗに供給して行われる。この処理液の供給時
に、ノズル４０から不活性ガスを基板Ｗに供給し、基板
Ｗの周囲に不活性ガス雰囲気を形成することで、自然酸
化膜の成長などを抑制でき基板処理効果が向上する。ま
た、処理液を基板Ｗに供給しての基板処理が終了した
後、スピンチャック４を高速回転させて基板Ｗに対して
液切り乾燥処理を施すこともある。
【００２７】基板Ｗの搬出は次のように行われる。ま
ず、基板搬出口９側のシャッター１１が開き、基板搬出
ロボットのアームが基板搬出口９から進入し、さらに基
板Ｗの下方に進入する。そして、スピンチャック４が下
降し、スピンチャック４に保持された処理済の基板Ｗが
アームに受け取られる。このアームが後退することで、
処理済の基板Ｗがスピンチャック４から基板搬出口９を
経てチャンバ２の外側へと搬出される。そして、基板搬
出ロボットのアームがチャンバ２の外側に後退すると基
板搬出口９側のシャッター１１が閉じる。
ず、基板搬出口９側のシャッター１１が開き、基板搬出
ロボットのアームが基板搬出口９から進入し、さらに基
板Ｗの下方に進入する。そして、スピンチャック４が下
降し、スピンチャック４に保持された処理済の基板Ｗが
アームに受け取られる。このアームが後退することで、
処理済の基板Ｗがスピンチャック４から基板搬出口９を
経てチャンバ２の外側へと搬出される。そして、基板搬
出ロボットのアームがチャンバ２の外側に後退すると基
板搬出口９側のシャッター１１が閉じる。
【００２８】基板処理時は、基板搬入口８、基板搬出口
９のシャッター１１は共に閉じられており、庇部材１２
は、図２（ａ）に示すように、基板搬入、基板搬出され
る際の基板Ｗ（二点鎖線で示している）の上方に位置
し、基板搬入口８の天井部分８ａ、基板搬出口９の天井
部分９ａの下面を下方から覆っている。従って、基板処
理において、処理液が基板Ｗに供給される際に、処理液
の蒸気が発生したり、基板Ｗからの跳ね返りが起こって
も、それら処理液の蒸気や跳ね返りは、基板搬入口８、
基板搬出口９付近では、それぞれ庇部材１２の下面に結
露、付着することになり、基板搬入口８の天井部分８
ａ、基板搬出口９の天井部分９ａの下面には結露、付着
しない。
９のシャッター１１は共に閉じられており、庇部材１２
は、図２（ａ）に示すように、基板搬入、基板搬出され
る際の基板Ｗ（二点鎖線で示している）の上方に位置
し、基板搬入口８の天井部分８ａ、基板搬出口９の天井
部分９ａの下面を下方から覆っている。従って、基板処
理において、処理液が基板Ｗに供給される際に、処理液
の蒸気が発生したり、基板Ｗからの跳ね返りが起こって
も、それら処理液の蒸気や跳ね返りは、基板搬入口８、
基板搬出口９付近では、それぞれ庇部材１２の下面に結
露、付着することになり、基板搬入口８の天井部分８
ａ、基板搬出口９の天井部分９ａの下面には結露、付着
しない。
【００２９】そして、基板搬入時にはシャッター１１が
開かれるが、図２（ｂ）に示すように、庇部材１２はシ
ャッター１１の開動作に連動して降下され、搬入される
基板Ｗの下方に移動される。上述したように、基板処理
時の処理液の蒸気や跳ね返りは庇部材１２の下面に結
露、付着して、基板搬出口８の天井部分８ａには結露、
付着されない。そして、基板搬入時には、庇部材１２は
搬入される基板Ｗの下方に位置しているので、基板Ｗは
処理液の蒸気や跳ね返りが結露、付着してない基板搬入
口８の天井部分８ａの下方を通過して処理室３内に搬入
される。従って、基板搬入口８付近での基板Ｗへの処理
液の液滴の落下が防止できる。
開かれるが、図２（ｂ）に示すように、庇部材１２はシ
ャッター１１の開動作に連動して降下され、搬入される
基板Ｗの下方に移動される。上述したように、基板処理
時の処理液の蒸気や跳ね返りは庇部材１２の下面に結
露、付着して、基板搬出口８の天井部分８ａには結露、
付着されない。そして、基板搬入時には、庇部材１２は
搬入される基板Ｗの下方に位置しているので、基板Ｗは
処理液の蒸気や跳ね返りが結露、付着してない基板搬入
口８の天井部分８ａの下方を通過して処理室３内に搬入
される。従って、基板搬入口８付近での基板Ｗへの処理
液の液滴の落下が防止できる。
【００３０】また、基板搬出時においても、上記基板搬
出時と同様に、基板Ｗは処理液の蒸気や跳ね返りが結
露、付着してない基板搬出口９の天井部分９ａの下方を
通過して処理室３内から搬出されるので、基板搬出口９
付近での基板Ｗへの処理液の液滴の落下を防止できる。
出時と同様に、基板Ｗは処理液の蒸気や跳ね返りが結
露、付着してない基板搬出口９の天井部分９ａの下方を
通過して処理室３内から搬出されるので、基板搬出口９
付近での基板Ｗへの処理液の液滴の落下を防止できる。
【００３１】なお、上記第１の実施の形態（後述する第
２、第３の実施の形態も同じ）では、基板搬入口８、基
板搬出口９の双方に庇部材１２を設けたが、必要に応じ
て、いずれか一方にのみ庇部材１２を設けるようにして
もよい。
２、第３の実施の形態も同じ）では、基板搬入口８、基
板搬出口９の双方に庇部材１２を設けたが、必要に応じ
て、いずれか一方にのみ庇部材１２を設けるようにして
もよい。
【００３２】また、上記第１の実施の形態、および、後
述する第２、第３の実施の形態において、図３に示すよ
うに、庇部材１２の上面の処理室３側の端部に、フッ素
ゴムやＰＴＦＥシートなどの密着部材１４を取り付け、
シャッター１１が閉じられた状態において、上記密着部
材１４をパッキンのごとく作用させて庇部材１２の上面
と、基板搬入口８の天井部分８ａの下面、基板搬出口９
の天井部分９ａの下面とを密着させるように構成しても
よい。このように構成すれば、シャッター１１が閉じら
れた状態で、庇部材１２の上面と上記天井部分８ａ、９
ａの下面との間に隙間があっても、密着部材１４によっ
てその隙間への基板処理時の処理液の蒸気や跳ね返りが
進入するのを好適に抑止でき、上記天井部分８ａ、９ａ
の下面に処理液が付着することを一層好適に抑止できる
ようになる。なお、図３（ａ）は要部の縦断面図、図３
（ｂ）は庇部材を上面側から見た平面であり、図３
（ｂ）では、参考のために搬入、搬出される基板Ｗを二
点鎖線で描いている。
述する第２、第３の実施の形態において、図３に示すよ
うに、庇部材１２の上面の処理室３側の端部に、フッ素
ゴムやＰＴＦＥシートなどの密着部材１４を取り付け、
シャッター１１が閉じられた状態において、上記密着部
材１４をパッキンのごとく作用させて庇部材１２の上面
と、基板搬入口８の天井部分８ａの下面、基板搬出口９
の天井部分９ａの下面とを密着させるように構成しても
よい。このように構成すれば、シャッター１１が閉じら
れた状態で、庇部材１２の上面と上記天井部分８ａ、９
ａの下面との間に隙間があっても、密着部材１４によっ
てその隙間への基板処理時の処理液の蒸気や跳ね返りが
進入するのを好適に抑止でき、上記天井部分８ａ、９ａ
の下面に処理液が付着することを一層好適に抑止できる
ようになる。なお、図３（ａ）は要部の縦断面図、図３
（ｂ）は庇部材を上面側から見た平面であり、図３
（ｂ）では、参考のために搬入、搬出される基板Ｗを二
点鎖線で描いている。
【００３３】さらに、上記第１の実施の形態、および、
後述する第２、第３の実施の形態では、シャッター１１
は昇降して上下に開閉されるように構成したが、例え
ば、シャッターを水平方向に開閉されるように構成され
ていてもよい。このような構成でも、シャッターが開か
れた状態で庇部材は、搬入、搬出される基板の上方であ
ってもその側方に移動されるので、搬入、搬出される基
板Ｗの上方から外れた位置に庇部材が位置され、結果的
に上記第１の実施の形態と同様に基板搬入口８、基板搬
出口９付近での基板Ｗへの処理液の液滴の落下を防止で
きる。
後述する第２、第３の実施の形態では、シャッター１１
は昇降して上下に開閉されるように構成したが、例え
ば、シャッターを水平方向に開閉されるように構成され
ていてもよい。このような構成でも、シャッターが開か
れた状態で庇部材は、搬入、搬出される基板の上方であ
ってもその側方に移動されるので、搬入、搬出される基
板Ｗの上方から外れた位置に庇部材が位置され、結果的
に上記第１の実施の形態と同様に基板搬入口８、基板搬
出口９付近での基板Ｗへの処理液の液滴の落下を防止で
きる。
【００３４】＜第２の実施の形態＞図４は、本発明の第
２の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す縦断面
図である。
２の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す縦断面
図である。
【００３５】この第２の実施の形態には、基板処理時に
基板Ｗの表面に不活性ガス雰囲気を好適に形成すること
などを目的とした遮蔽板２１が設けられている。この遮
蔽板２１は、適宜の支持アーム（図示せず）などによっ
て処理室３内のスピンチャック４の上方に支持され、図
示しない昇降機構によってスピンチャック４と遮蔽板２
１とが相対昇降されるようになっている。また、遮蔽板
２１の中央部付近には、処理液供給管２２を介して供給
される処理液をスピンチャック４に保持された基板Ｗの
表面の中心付近に供給するノズル２３が取り付けられて
いる。このノズル２３の周りにはノズル２３と同心軸に
開口２４が形成されている。この開口２４は、不活性ガ
ス供給管２５を介して供給される不活性ガスを遮蔽板２
１の下方に噴出するためのものである。
基板Ｗの表面に不活性ガス雰囲気を好適に形成すること
などを目的とした遮蔽板２１が設けられている。この遮
蔽板２１は、適宜の支持アーム（図示せず）などによっ
て処理室３内のスピンチャック４の上方に支持され、図
示しない昇降機構によってスピンチャック４と遮蔽板２
１とが相対昇降されるようになっている。また、遮蔽板
２１の中央部付近には、処理液供給管２２を介して供給
される処理液をスピンチャック４に保持された基板Ｗの
表面の中心付近に供給するノズル２３が取り付けられて
いる。このノズル２３の周りにはノズル２３と同心軸に
開口２４が形成されている。この開口２４は、不活性ガ
ス供給管２５を介して供給される不活性ガスを遮蔽板２
１の下方に噴出するためのものである。
【００３６】そして、基板処理時には、スピンチャック
４と遮蔽板２１とが相対昇降されてスピンチャック４に
保持された基板Ｗの表面と遮蔽板２１の下面とが近接さ
れ、その状態で開口２４から不活性ガスが噴出されると
ともに、ノズル２３、６から処理液が基板Ｗの表裏面に
供給されて基板処理が行われる。この際、基板Ｗの表面
の上方の空間には遮蔽板２１が配置されるので、その空
間へ不活性ガスが好適に広がるとともに充満し、基板Ｗ
の表面の上方に好適に不活性ガス雰囲気が形成される。
４と遮蔽板２１とが相対昇降されてスピンチャック４に
保持された基板Ｗの表面と遮蔽板２１の下面とが近接さ
れ、その状態で開口２４から不活性ガスが噴出されると
ともに、ノズル２３、６から処理液が基板Ｗの表裏面に
供給されて基板処理が行われる。この際、基板Ｗの表面
の上方の空間には遮蔽板２１が配置されるので、その空
間へ不活性ガスが好適に広がるとともに充満し、基板Ｗ
の表面の上方に好適に不活性ガス雰囲気が形成される。
【００３７】その他の構成は上記第１の実施の形態と略
同じであるので、図１と同一符号を付してその詳述を省
略する。
同じであるので、図１と同一符号を付してその詳述を省
略する。
【００３８】この第２の実施の形態においても、上記第
１の実施の形態と同様に、基板搬入口８、基板搬出口９
付近での基板Ｗへの処理液の液滴の落下を防止すること
ができる。
１の実施の形態と同様に、基板搬入口８、基板搬出口９
付近での基板Ｗへの処理液の液滴の落下を防止すること
ができる。
【００３９】＜第３の実施の形態＞図５は、本発明の第
３の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す縦断面
図である。
３の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す縦断面
図である。
【００４０】この第３の実施の形態は次のように構成さ
れている。チャンバ２の蓋２ａの中央部付近に処理液供
給管３１を介して供給される処理液をスピンチャック４
に保持された基板Ｗの表面の中心付近に供給するノズル
３２が取り付けられている。このノズル３２の周りにノ
ズル３２と同心軸に開口３３が形成され、この開口３３
から不活性ガス供給管３４を介して供給される不活性ガ
スをチャンバ２の蓋２ａの下方に噴出するようになって
いる。また、この第３の実施の形態では、図示しない昇
降機構によりスピンチャック４をチャンバ２の蓋２ａに
対して接離自在に構成し、基板処理時にスピンチャック
４に保持された基板Ｗの表面をチャンバ２の蓋２ａの下
面に近接させるように構成することもある。
れている。チャンバ２の蓋２ａの中央部付近に処理液供
給管３１を介して供給される処理液をスピンチャック４
に保持された基板Ｗの表面の中心付近に供給するノズル
３２が取り付けられている。このノズル３２の周りにノ
ズル３２と同心軸に開口３３が形成され、この開口３３
から不活性ガス供給管３４を介して供給される不活性ガ
スをチャンバ２の蓋２ａの下方に噴出するようになって
いる。また、この第３の実施の形態では、図示しない昇
降機構によりスピンチャック４をチャンバ２の蓋２ａに
対して接離自在に構成し、基板処理時にスピンチャック
４に保持された基板Ｗの表面をチャンバ２の蓋２ａの下
面に近接させるように構成することもある。
【００４１】その他の構成は上記第１の実施の形態と略
同じであるので、図１と同一符号を付してその詳述を省
略する。
同じであるので、図１と同一符号を付してその詳述を省
略する。
【００４２】この第３の実施の形態においても、上記第
１の実施の形態と同様に、基板搬入口８、基板搬出口９
付近での基板Ｗへの処理液の液滴の落下を防止すること
ができる。
１の実施の形態と同様に、基板搬入口８、基板搬出口９
付近での基板Ｗへの処理液の液滴の落下を防止すること
ができる。
【００４３】なお、上記各実施の形態では、基板洗浄す
る装置を例に採り説明したが、露光および現像後のエッ
チング処理を行う（被回転状態の基板にエッチング液を
噴射供給しながらエッチング処理する）基板処理装置な
どにも本発明は同様に適用することが可能である。
る装置を例に採り説明したが、露光および現像後のエッ
チング処理を行う（被回転状態の基板にエッチング液を
噴射供給しながらエッチング処理する）基板処理装置な
どにも本発明は同様に適用することが可能である。
【００４４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、処理室の基板搬入口の天井部
分の下面を下方から覆う庇部材を、基板搬入口を開閉す
るシャッターに取り付けたので、基板搬入口付近での基
板上への処理液の液滴の落下を防止でき、基板の搬入の
際に基板上に処理液の液滴が落下することにより起こる
処理の不均一などの不都合を無くすことができるように
なった。
１に記載の発明によれば、処理室の基板搬入口の天井部
分の下面を下方から覆う庇部材を、基板搬入口を開閉す
るシャッターに取り付けたので、基板搬入口付近での基
板上への処理液の液滴の落下を防止でき、基板の搬入の
際に基板上に処理液の液滴が落下することにより起こる
処理の不均一などの不都合を無くすことができるように
なった。
【００４５】また、請求項２に記載の発明によれば、処
理室の基板搬出口の天井部分の下面を下方から覆う庇部
材を、基板搬出口を開閉するシャッターに取り付けたの
で、基板搬出口付近での基板上への処理液の液滴の落下
を防止でき、基板の搬出の際に基板上に処理液の液滴が
落下することにより起こる処理品質の低下や基板の汚染
などの不都合を無くすことができるようになった。
理室の基板搬出口の天井部分の下面を下方から覆う庇部
材を、基板搬出口を開閉するシャッターに取り付けたの
で、基板搬出口付近での基板上への処理液の液滴の落下
を防止でき、基板の搬出の際に基板上に処理液の液滴が
落下することにより起こる処理品質の低下や基板の汚染
などの不都合を無くすことができるようになった。
【００４６】また、請求項３に記載の発明によれば、庇
部材の上面と、基板搬入口、基板搬出口の天井部分の下
面とを密着させる密着部材を、庇部材の上面の処理室側
の端部に設けたので、庇部材の上面と上記天井部分の下
面との隙間に基板処理時の処理液の蒸気や跳ね返りが進
入するのをより一層好適に抑止でき、基板搬入口や基板
搬出口付近での基板上への処理液の液滴の落下を一層好
適に防止できる。また、請求項４に記載の発明によれ
ば、スピンチャックに保持された基板の表面に近接され
る遮蔽板をさらに備えた場合においても、基板搬入口、
基板搬出口付近での基板への処理液の液滴の落下を防止
できる。
部材の上面と、基板搬入口、基板搬出口の天井部分の下
面とを密着させる密着部材を、庇部材の上面の処理室側
の端部に設けたので、庇部材の上面と上記天井部分の下
面との隙間に基板処理時の処理液の蒸気や跳ね返りが進
入するのをより一層好適に抑止でき、基板搬入口や基板
搬出口付近での基板上への処理液の液滴の落下を一層好
適に防止できる。また、請求項４に記載の発明によれ
ば、スピンチャックに保持された基板の表面に近接され
る遮蔽板をさらに備えた場合においても、基板搬入口、
基板搬出口付近での基板への処理液の液滴の落下を防止
できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置
の構成を示す縦断面図である。
の構成を示す縦断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の作用効果を説明するため
の要部縦断面図である。
の要部縦断面図である。
【図３】本発明の各実施の形態の変形例の構成を示す図
である。
である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置
の構成を示す縦断面図である。
の構成を示す縦断面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置
の構成を示す縦断面図である。
の構成を示す縦断面図である。
１ … 基板処理装置
２ … チャンバ
２ａ … チャンバの蓋
３ … 処理室
５、６、２３、３２ … 処理液などを基板に供給する
ノズル ８ … 基板搬入口 ８ａ … 基板搬入口の天井部分 ９ … 基板搬出口 ９ａ … 基板搬出口の天井部分 １１ … シャッター １２ … 庇部材 １４ … 密着部材 Ｗ … 基板
ノズル ８ … 基板搬入口 ８ａ … 基板搬入口の天井部分 ９ … 基板搬出口 ９ａ … 基板搬出口の天井部分 １１ … シャッター １２ … 庇部材 １４ … 密着部材 Ｗ … 基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 泉 昭
滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原
2426番１ 大日本スクリーン製造株式会
社 野洲事業所内
(56)参考文献 特開 平７−180094（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/304
H01L 21/027
H01L 21/306
Claims (4)
- 【請求項１】 処理室内で基板に処理液を供給して枚葉
処理で基板処理する基板処理装置において、前記処理室内において基板を鉛直軸周りに回転させるス
ピンチャックと、 前記処理室を内部に形成するチャンバと、 前記チャンバ の側面に開口する基板搬入口と、 前記 基板搬入口を開閉するシャッターと、 前記シャッターに取り付けられ、該シャッターが前記基
板搬入口を閉じた状態で、前記基板搬入口の天井部分の
下面を下方から覆う庇部材と、 を備えた ことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 処理室内で基板に処理液を供給して枚葉
処理で基板処理する基板処理装置において、前記処理室内において基板を鉛直軸周りに回転させるス
ピンチャックと、 前記処理室を内部に形成するチャンバと、 前記チャンバ の側面に開口する基板搬出口と、 前記 基板搬出口を開閉するシャッターと、 前記シャッターに取り付けられ、該シャッターが前記基
板搬出口を閉じた状態で、前記基板搬出口の天井部分の
下面を下方から覆う庇部材と、 を備えた ことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項３】 請求項１または２のいずれかに記載の基
板処理装置において、 前記庇部材の上面と、前記基板搬入口、基板搬出口の天
井部分の下面とを密着させる密着部材を、前記庇部材の
上面の前記処理室側の端部に設けたことを特徴とする基
板処理装置。 - 【請求項４】 請求項１から３のいずれかに記載の基板
処理装置において、前記スピンチャックに保持された基
板の表面に近接される遮蔽板をさらに備えたことを特徴
とする基板処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10473096A JP3442219B2 (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | 基板処理装置 |
| KR1019970007114A KR970072119A (ko) | 1996-04-01 | 1997-03-04 | 기판 처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10473096A JP3442219B2 (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09275089A JPH09275089A (ja) | 1997-10-21 |
| JP3442219B2 true JP3442219B2 (ja) | 2003-09-02 |
Family
ID=14388624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10473096A Expired - Lifetime JP3442219B2 (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | 基板処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| KR (1) | KR970072119A (ja) |
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| US6807972B2 (en) * | 2002-03-29 | 2004-10-26 | Applied Materials, Inc. | Gutter and splash-guard for protecting a wafer during transfer from a single wafer cleaning chamber |
| JP4476330B2 (ja) * | 2005-11-23 | 2010-06-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板洗浄乾燥装置、基板処理方法、および、基板処理プログラム |
| KR100797079B1 (ko) | 2006-07-12 | 2008-01-22 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| KR100816740B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2008-03-27 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| US8376428B2 (en) | 2006-11-15 | 2013-02-19 | Dynamic Micro System Semiconductor Equipment GmbH | Integrated gripper for workpiece transfer |
| KR102017867B1 (ko) | 2011-06-23 | 2019-09-03 | 다이나믹 마이크로시스템즈 세미컨덕터 이큅먼트 게엠베하 | 반도체 클리너 시스템들 및 방법들 |
| JP6042427B2 (ja) | 2011-06-28 | 2016-12-14 | ディーエムエス ダイナミック マイクロシステムズ セミコンダクター イクイップメント ゲーエムベーハーＤＭＳ Ｄｙｎａｍｉｃ Ｍｉｃｒｏ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ＧｍｂＨ | 半導体ストッカシステム及び半導体ストック方法 |
| JP6092653B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2017-03-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置及び洗浄方法 |
-
1996
- 1996-04-01 JP JP10473096A patent/JP3442219B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-03-04 KR KR1019970007114A patent/KR970072119A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970072119A (ko) | 1997-11-07 |
| JPH09275089A (ja) | 1997-10-21 |
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