JPH07230959A

JPH07230959A - 被処理体近傍空間の気流の制御方法及び減圧装置

Info

Publication number: JPH07230959A
Application number: JP4510094A
Authority: JP
Inventors: Mitsuaki Komino; 光明小美野
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1994-02-17
Filing date: 1994-02-17
Publication date: 1995-08-29

Abstract

(57)【要約】【目的】搬送アームなどの搬送手段をその内部に備え
た真空予備室内での気流を制御して、パーティクルの巻
き上げ等を防止し、搬送手段上の平板状の被処理体のコ
ンタミネーションを防止する。【構成】被処理体であるウエハＷを保持する搬送アー
ム６１の保持部６２に、気流吹出し口６５を設け、この
気流吹出し口６５から吹き出される気流によって、ウエ
ハＷ上に層流Ｌを形成する。層流ＬはウエハＷ上のパー
ティクルを吹き落とし、またエア・バリアとなって他の
パーティクルの飛来、付着を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、被処理体近傍空間の気
流の制御方法、及び当該気流の制御方法を応用した減圧
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体の製造プロセスにおいて
は、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）表面に対
してエッチング処理、成膜処理などの各種処理が行われ
ているが、これらの処理は所定の減圧度に調整可能な処
理室内で行われている。ところが被処理体であるウエハ
の処理毎にその都度減圧するのでは、時間がかかり、し
かもパーティクルなどの巻き込みが発生してウエハを汚
染することがあるので、前記各種処理を行う装置には、
ロードロック室と呼ばれる真空予備室がゲートバルブを
介して前記処理室に並設されている。

【０００３】このロードロック室は、例えば真空ポンプ
に通ずる排気口を有しており、この排気口を通じて所定
の減圧雰囲気にまで減圧自在となるように構成され、さ
らにこのロードロック室内にはウエハを搬送するための
搬送アームなどが設けられており、処理室と同一減圧度
にまで減圧した後、ゲートバルブを介して、被処理体で
あるウエハをこの搬送アームによって処理室との間で搬
送するようになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで今日では、半
導体デバイスの高集積化に伴い、ウエハに対するパーテ
ィクルの付着が、その大きさ、付着数ともより厳格に要
求されている。例えば８インチウエハにおいては、パー
ティクルの粒径が０．０５μｍ以上、付着数が３個以下
というようなレベルにまで必要となってきている。

【０００５】これに対処するため、製造プロセスについ
てはコンタミネーションの発生防止に関して、種々の提
案がなされているが、例えば前記したロードロック室な
ど処理室以外の部分については、特に気流の制御面から
パーティクルフリーに対しての手段がなかった。即ち従
来のロードロック室は、単に例えば底面に設けた排気口
から室内を真空引きするだけの構成となっており、その
ため、例えば排気時において室内はもちろんのこと、被
処理体であるウエハ近傍に気流の乱れが生じ、その結果
既にこのロードロック室内に存在していたパーティクル
などを舞上げてしまい、ウエハに付着させてしまうな
ど、コンタミネーションの原因となっていた。

【０００６】一方これに対し、例えばロードロック室内
にガスをパージするため、適宜のパージガスを供給する
ことも考えられるが、単純にロードロック室内にパージ
ガスを供給するだけでは、やはりウエハ近傍に気流の乱
れを発生させ、パーティクルを舞上げてコンタミネーシ
ョンの原因となってしまう。この点、気流の乱れのみに
ついていえば、パージガスの供給量、風速などを抑えれ
ることにより、ある程度これを改善させることができる
が、そうすると、目的圧力にまで到達するのに時間がか
かってしまい、スループットの低下は否めない。

【０００７】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、従来顧慮されていたなかった、被処理体近傍の気
流を制御して、ウエハに対する各種パーティクルの付着
を防止して、コンタミネーションの低減を図ることを目
的とするものである。また本発明では、さらに各種パー
ティクルのパージを図りつつしかもパージや所定の減圧
度に達するまでの時間を短縮させて、結果としてスルー
プットを向上させることもその目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、まず請求項１によれば、略平板状の被処理体の近傍
空間の気流を制御する方法であって、前記被処理体の一
端部近傍に配置した気流吹出し口から、対向する他端部
に向けて、この被処理体に沿って平行な層流（laminar
flow）を被処理体の上面に形成させることを特徴とす
る、被処理体近傍空間の気流の制御方法が提供される。

【０００９】この場合、請求項２に記載したように、前
記被処理体を挟んで前記気流吹出し口と対向する位置に
気流吸込口を設けてもよい。

【００１０】請求項３によれば、排気口を具備し、この
排気口から特定空間内の気体を排気可能な如く構成され
た当該特定空間内に、被処理体を搬送する搬送手段を具
備した減圧装置であって、前記被処理体に沿って平行な
層流を被処理体の上面に形成する気流吹出し口を前記搬
送手段に設けたことを特徴とする、減圧装置が提供され
る。

【００１１】ここでいう排気口を具備し、この排気口か
ら特定空間内の気体を排気可能な如く構成された当該特
定空間とは、例えば所定の減圧度に調整自在に構成され
ている既述の処理室やロードロック室を始めとして、そ
の他各種処理装置が収容されている空間、例えばクリー
ンルームなどであってもよい。また被処理体を搬送する
搬送手段としては、処理室やロードロック室内に設置さ
れる搬送アームなどの搬送手段や、その他クリーンルー
ム内を走行して被処理体を搬送する、例えば搬送ロボッ
トであってもよい。

【００１２】この場合も請求項４に記載したように、前
記被処理体を挟んで前記気流吹出し口と対向する位置に
気流吸込口を設けてもよい。

【００１３】さらに請求項５のように、前記空間内にパ
ージガスを供給する給気口を、前記排気口と対向する位
置に設け、さらにこれら給気口と排気口とを結ぶ空間内
に、前記搬送手段を位置させないように構成した減圧装
置としてもよく、またこの場合、この給気口を、請求項
６に記載したように、略ノズル形状としてもよい。

【００１４】そして請求項７に記載したように、前記空
間内に供給される給気量と、この空間内から排出される
排気量とを、個別に独立して調整可能なように構成して
もよい。この場合、前記空間内に供給される給気量と
は、給気口を有する場合には、前記気流吹出し口と給気
口から供給される吹出量とがあり、また排気量とは、気
流吸込口がある場合には、排気口と当該気流吸込口から
の吸込量とがある。

【００１５】また前記減圧装置を、請求項８に記載した
ように、被処理体に対して所定の処理を施す如く構成さ
れた処理室に並設される、ロードロック室として構成し
てもよい。

【００１６】

【作用】請求項１によれば、被処理体の上面に、この被
処理体に沿って層流が他端部に向けて形成されているか
ら、被処理体表面の気流に乱れはない。しかもこの層流
は被処理体の一端部に配置した気流吹出し口から供給さ
れる気流によって形成されているから、例えば清浄空気
を供給することにより、被処理体表面は常に清浄な気流
で覆われ、塵埃などのパーティクルが被処理体表面に付
着することが防止できる。

【００１７】請求項２のように、前記被処理体を挟んで
気流吹出し口と対向する位置に気流吸込口を設けた場合
には、層流の形成が容易であり、しかも層流を形成した
気流は直ちに回収されるので、層流を形成した気流自体
がパーティクルを巻き上げるおそれはない。

【００１８】請求項３によれば、請求項１と同様、搬送
対象となる被処理体の表面に、層流が形成されているの
で、前記空間内に存在する塵埃などのパーティクルが、
当該被処理体表面に付着することが防止できる。またこ
の層流を形成する気流吹出し口は、搬送手段に設けられ
ているから、搬送手段が適宜移動して空間内における位
置関係が変化するものであっても、被処理体に対する層
流を維持させることが可能になる。

【００１９】請求項４によれば、請求項２と同様、層流
の形成が容易であり、しかも層流を形成した気流自体が
前記空間内のパーティクルを巻き上げるおそれはない。

【００２０】請求項５によれば、被処理体の上面に形成
される層流とは別個に、給気口と排気口との間に気流が
前記空間内に形成されるので、この気流の風量、風速、
給気量と排気量を適宜調整することにより、当該気流の
周囲の気体を誘引して排気口に搬送することが可能とな
る。従って前記空間内の塵埃などのパーティクルを効果
的に空間内から排出させることができる。しかもこれら
給気口と排気口とを結ぶ空間内には、前記搬送手段が位
置していないので、給気口と排気口との間に形成される
気流は前記空間内の気流を乱してパーティクルを乱舞さ
せることはない。

【００２１】請求項６によれば、給気口が略ノズル形状
をなしているので、ベンチュリー（venturi）効果が得
られ、請求項５に記載した周囲の気体の誘引、搬送作用
がさらに向上する。

【００２２】そして請求項７に記載したように、前記空
間内に供給される給気量と、この空間内から排出される
排気量とを、個別に独立して調整可能なように構成した
場合には、パージ速度、パージ程度並びに減圧速度並び
に減圧度を自在に調整することが可能になる。例えば給
気量と排気量とを同一に設定すれば、空間内圧力は一定
に維持され、排気量を多くすれば、空間内は次第に減圧
されていく。しかも減圧中においても、被処理体の表面
に依然として層流を形成させておくことも可能である。
また気流吹出し口、給気口、及び気流吸込口、排気口か
らの各給気量、排気量をさらに個別に調整する如く構成
すれば、空間内の状況に応じたより精細な調整、制御が
可能になる。

【００２３】請求項８によれば、被処理体に処理を施す
処理室に並設されたロードロック室において、請求項３
〜請求項７の各作用効果が得られるものである。

【００２４】

【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき説
明すると、図１は本実施例が用いられたプラズマエッチ
ング装置１の断面を模式的に示しており、このプラズマ
エッチング装置１は、電極板が平行に対向した所謂平行
平板型ＲＩＥ装置として構成されている。

【００２５】このプラズマエッチング装置１は、例えば
表面が酸化アルマイト処理された矩形状の処理容器２を
有しており、この処理容器２は接地されている。またこ
の処理容器２内に形成される処理室内の底部には、セラ
ミックスなどの絶縁板３を介して、被処理体、例えば半
導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）Ｗを載置するた
めの略円柱状のサセプタ支持台４が収容され、さらにこ
のサセプタ支持台４の上部には、下部電極を構成するサ
セプタ５が設けられている。

【００２６】前記サセプタ支持台４の内部には、冷媒室
６が設けられており、この冷媒室６には、例えば液体窒
素などの温度調節用の冷媒が冷媒導入管７を介して導入
可能であり、導入された冷媒はこの冷媒室６内を循環
し、その間生ずる冷熱は冷媒室６から前記サセプタ５を
介して前記ウエハＷに対して伝熱され、このウエハＷの
処理面を所望する温度まで冷却することが可能である。
なお冷媒として、例えば前記したような液体窒素を用い
た場合、その核沸騰により生じた窒素ガスは冷媒排出管
８より処理容器２外へと排出されるようになっている。

【００２７】前記サセプタ５には、処理容器２外部に設
置されている高周波電源１１からの高周波電力、例えば
１３．５６ＭＨｚの高周波電力が、整合器１２、ブロッ
キングコンデンサ１３を介して、印加されるようになっ
ている。このサセプタ５の上面中央部は凸状の円板状に
成形され、その上にウエハＷと略同形の静電チャック２
１が設けられている。この静電チャック２１は、２枚の
高分子ポリイミド・フィルムによって導電層２２が挟持
された構成を有しており、この導電層２２に対して、処
理容器２外部に設置されている直流高圧電源２３から、
例えば１．５ｋＶの直流高電圧を印加することによっ
て、この静電チャック２１上面に載置されたウエハＷ
は、クーロン力よってその位置で吸着保持されるように
なっている。

【００２８】前記サセプタ５の上端周縁部には、静電チ
ャック２１上に載置されたウエハＷを囲むように、環状
のフォーカスリング２５が配置されている。このフォー
カスリング２５は反応性イオンを引き寄せない絶縁性の
材質からなり、プラズマよって発生した反応性イオン
を、その内側のウエハＷにだけ効果的に入射せしめるよ
うに構成されている。

【００２９】前記サセプタ５の上方には、このサセプタ
５と平行に対向して、これより約１５〜２０ｍｍ程度離
間させた位置に、接地線３０によって接地された上部電
極３１が、絶縁材３２を介して、処理容器２の上部に支
持されている。この上部電極３１は、前記サセプタ５と
の対向面に、多数の拡散孔３３を有する、例えばＳｉＣ
又はアモルファスカーボンからなる電極板３４と、この
電極板３４と平行に位置して、両者間に中空部３５を形
成する例えば表面が酸化アルマイト処理されたアルミニ
ウムからなる支持板３６とを有している。

【００３０】前記上部電極３１における支持板３６の中
央には、ガス導入口３７が設けられ、さらにこのガス導
入口３７には、ガス導入管３８が接続されている。この
ガス導入管３８には、図１に示したように、ガス供給管
４１、４２が接続されており、前記ガス供給管４１に
は、バルブ４３、マスフローコントローラ４４を介し
て、処理ガス供給源４５が接続されている。本実施例に
おいては、処理ガスとして例えばＣＦ₄が用意されてい
る。他方他のガス供給管４２には、バルブ４６、マスフ
ローコントローラ４７を介してパージガス供給源４８が
接続されている。本実施例ではパージガスとして例えば
Ｎ₂が供給されるように構成されている。

【００３１】前記処理容器２の下部には排気管５１が接
続されており、この処理容器２とゲートバルブ５２を介
して隣接しているロードロック室５３の排気管５４共
々、対応するバルブ５５、５６を介してターボ分子ポン
プなどの排気手段５７に通じており、処理容器２、ロー
ドロック室５３共、所定の減圧雰囲気まで真空引きでき
るように構成されている。

【００３２】そして前記ロードロック室５３内には、搬
送手段となる搬送アーム６１が設けられている。この搬
送アーム６１は、図２、図３に示した構造を有してお
り、自体の上面に載置されるウエハＷを保持する保持部
６２と、この保持部６２を回転駆動自在に支持している
回転シャフト６３とによって構成される。

【００３３】前記保持部６２の前縁には、ウエハＷのオ
リフラ部を係止する係止部６４が形成されており、この
係止部６４の高さは、保持されたウエハＷの上面と面一
となるように設定されている。また前記保持部６２の後
方には、図２、図３、図４に示したように、保持したウ
エハＷを挟んで前記係止部６４側に向けられた気流吹出
し口６５を多数有する気流形成部材６６を備えた気流形
成部６７が設けられている。

【００３４】本実施例においては図４に示したように、
気流形成部材６６として平板状のものを使用し、これに
多数の透孔を穿設して気流吹出し口６５としているが、
もちろんこれに限らず、例えば図５に示したように多孔
質の部材をそのまま気流形成部材６６’として用いても
よい。この場合には多孔質の部材における多数の孔がそ
のまま気流吹出し口を形成する。さらに多孔質の部材と
して例えばＵＬＰＡフィルタをそのまま用いたり、前記
気流形成部材６６にＵＬＰＡフィルタを併用したりして
もよく、その場合には、清浄空気を気流吹出し口から吹
き出させることが可能である。

【００３５】さらに気流形成部材も、前記したような平
板状のものに限らず、図６に示したように、その吹出し
面が被処理体であるウエハＷの円弧の曲率と適合した円
弧形を有する気流形成部材６８としてもよい。

【００３６】前記保持部６２、気流形成部６７、及び回
転シャフト６３内には、気流形成部材６６の気流吹出し
口６５と通ずる流路６９が形成されており、さらにこの
流路６９には、ガス供給管７０が接続されている。そし
てこのガス供給管７０は、バルブ７１、マスフローコン
トローラ７２を介して既述のパージガス供給源４８に接
続されている。

【００３７】従って、前記パージガス供給源４８からガ
ス供給管７０を通じてＮ₂が供給されると、図２に示し
たように、気流形成部材６６の各気流吹出し口６５から
吹き出され、保持部６２上面に保持されたウエハＷの表
面に沿って、Ｎ₂による層流Ｌが形成される。

【００３８】一方前記ロードロック室５３底部に設けら
れた排気管５４は、排気口５４ａを形成しているが、こ
の排気口５４ａに対向するロードロック室５３上部に
は、給気口７５ａを形成する給気管７５が接続されてい
る。そしてこの給気管７５は、バルブ７６、マスフロー
コントローラ７７を介して、前出パージガス供給源４８
に接続されている。

【００３９】なお本発明の作用効果を十分に得るために
は、前記排気口５４ａの面積を大きくとることが好まし
く、そのため例えば図３に示したように複数（図示の例
では３つ）の排気口５４ａを形成してもよく、これに対
応する給気口７５ａも同一数形成してもよい。

【００４０】前記ロードロック室５３内の減圧度は、圧
力センサ７８によって検知されるようになっており、こ
の圧力センサ７８によって検知された信号はコントロー
ラ７９に入力される。そしてこのコントローラ７９は、
前記信号に基づいて、既述の排気手段５７に通ずる排気
管５４に介在しているバルブ５６、並びにパージガス供
給源４８に接続されているガス供給管７０のバルブ７
１、マスフローコントローラ７２、及び給気管７５のバ
ルブ７６、マスフローコントローラ７７を夫々独立して
あるいは、連動して制御可能なように構成されている。

【００４１】本実施例が使用されたプラズマエッチング
装置１は以上のように構成されており、次にその動作等
について説明すると、まず被処理体であるウエハＷは、
カセットチャンバ（図示せず）から、ゲートバルブ（図
示せず）を通って搬送アーム６１によってまずロードロ
ック室５３内に搬入される。そしてこのロードロック室
５３内は、処理容器２内の減圧度と同一になるまで、排
気管５４から排気されていく。

【００４２】この時搬送アーム６１の保持部６２上に保
持されているウエハＷの表面には、ガス供給管７０から
供給されるＮ₂が、気流形成部材６６の各気流吹出し口
６５から吹き出され、層流ＬとなってウエハＷの表面を
覆っている。従って、前記ロードロック室５３内への搬
入動作やカセットチャンバ内への搬入動作によってウエ
ハＷ表面上に付着していた塵埃などは吹き落とされ、排
気管５４の排気口５４ａからロードロック室５３外部へ
と排出される。また前記層流Ｌは、ウエハＷ表面を覆う
一種のエア・バリアを形成するので、既にロードロック
室５３内に存在していた塵埃などのパーティクルが、ウ
エハＷ表面に付着することはなく、排気管５４の排気口
５４ａからロードロック室５３外部へと排出される。

【００４３】この場合、ロードロック室５３上部の給気
口７５ａからさらにパージガス供給源４８のＮ₂をロー
ドロック室５３内に供給するようにすれば、ロードロッ
ク室５３内に存在していた塵埃などのパーティクルは、
給気口７５ａと排気口５４ａとの間で形成されるＮ₂の
気流によって誘引され、そのまま排気口５４ａへと搬送
される。従って、ロードロック室５３内のパーティクル
のパージを迅速に実施することが可能である。なおかか
る作用に鑑みれば、前記層流ＬとこのＮ₂のいわば誘引
・搬送気流とは、なるべく距離を隔てて形成されること
が好ましい。

【００４４】そしてそのようにロードロック室５３内を
パージしつつ所定の減圧度にまで達する時間を早くする
には、例えば排気管５４からの排気量をより多くするこ
とによって実現でき、かかる動作はコントローラ７９に
よって自動的に制御することが可能である。

【００４５】以上のようにしてロードロック室５３内が
所定の減圧度に設定された後、ゲートバルブ５２が開放
され、ウエハＷは搬送アーム６１によって処理容器２内
へと搬入され、静電チャック２１上に載置される。そし
て高圧直流電源２３の印加によって前記ウエハＷは、こ
の静電チャック２１上に吸着保持される。その後搬送ア
ーム６１がロードロック室５３内へ後退したのち、処理
容器２内は排気手段５７によって真空引きされていく。

【００４６】他方バルブ４３が開放されて、マスフロー
コントローラ４４によってその流量が調整されつつ、処
理ガス供給源４５からＣＦ₄ガスが処理容器２内に供給
され、この処理容器２内の圧力が例えば１０ｍＴｏｒｒ
に設定、維持された後、高周波電源１１が作動して、サ
セプタ５に高周波が印加されると、このサセプタ５と上
部電極３１との間でプラズマが生起され、ウエハＷに対
して所定のエッチングが施されるのである。

【００４７】この間ロードロック室５３内に待避した前
記搬送アーム６１では、保持部６２上に気流形成部材６
６の各気流吹出し口６５からＮ₂を吹き出させて、表面
を清浄化させてもよく、例えば処理容器が複数存在する
いわゆる、マルチチャンバタイプの装置においては、他
の処理容器に搬送するウエハの表面を清浄化しつつ、前
記と同様な手順、作用によって再度ロードロック室５３
内をパージしつつ、減圧していってもよい。

【００４８】なお前記実施例における搬送手段たる搬送
アーム６１は、特に被処理体であるウエハを待機保持さ
せるためのバッファ機構を具備していなかったが、近年
スループットのさらなる向上化を意図した新しいマルチ
チャンバタイプの装置が開発されつつある。この種の新
しいマルチチャンバタイプの装置においては、処理容器
からの搬出入の無駄を省いたりするため、搬送アームに
バッファ機構が付設されている。また一般的にこの種の
バッファ機構に保持される被処理体は上下平行に位置し
ている。かかる環境に鑑みれば、本発明は、このような
バッファ機構に対しても容易に適用でき、バッファ機構
に保持された被処理体の表面にも、層流を形成するよう
にすれば、バッファ機構に保持された被処理体に対する
パーティクルの付着も同時に防止できる。

【００４９】次に他の実施例について説明すれば、図７
は、前出実施例における搬送アーム６１の保持部６２
に、さらに気流吸込口８１を付加した搬送アーム６１’
の縦断面を示している。なお同図中前記実施例と同一番
号で引用される部材は、前記実施例と同一部材を示して
いる。この搬送アーム６１’においては、前記気流吹出
し口６５と対向するように係止部６４の略上方後部に気
流吸込口８１を設け、さらに保持部６２、回転シャフト
６３内に、この気流吸込口８１と通ずる専用の流路８２
を形成し、この流路と接続される排気管８３を、バルブ
８４を介して前出排気手段５７に接続した構成をとって
いる。そしてこのバルブ８４の開閉制御を前出コントロ
ーラ７９で行うようにしたものである。かかる搬送アー
ム６１’を使用した場合には、保持部６２上に保持され
たウエハＷの表面の層流の形成が容易であり、またこの
層流の回収は気流吸込口８１を通じて別個になされてい
るので、前記のロードロック室５３底部の排気管５４ａ
からの排気の直接の影響を受けない。

【００５０】また図８に示したのは、排気口５４ａに対
向してロードロック室５３の上部に設ける給気口を、ノ
ズル形状の給気口７５ｂとした例である。即ち給気管７
５の先端を延設してロードロック室５３内にまで延ば
し、その端部を先細りとなるテーパ形状とし、その先端
にノズル形状の給気口７５ｂを構成したものである。か
かる給気口７５ｂを用いてロードロック室５３内にパー
ジガスを供給すると、給気口７５ｂからの吹出し流によ
ってベンチュリー効果が得られ、周囲の気体の誘引、搬
送作用がさらに向上する。従って、前出実施例における
給気口７５ａの場合よりも、さらにパージ時間を短縮さ
せることが可能になっている。もちろんこの場合にも、
かかる形状の給気口７５ｂを複数設置してもよい。

【００５１】なお前出実施例は、いわゆる平行平板型の
プラズマエッチング装置に並設されるロードロック室に
適用した例であったが、本発明はこれに限らず、他のエ
ッチング装置、例えばマグネトロンＲＩＥ装置、ＥＣＲ
エッチング装置のロードロック室に対しても適用可能で
あり、さらには処理容器自体にも適用することが可能で
ある。また被処理体自体も既述の如き半導体ウエハに限
らず、例えばＬＣＤ基板であっても全く同様な効果が得
られる。

【００５２】

【発明の効果】請求項１によれば、処理体表面を常に清
浄な気流で覆うことが可能になり、塵埃などのパーティ
クルの付着を防止することが可能である。

【００５３】請求項２によれば、前記請求項１の効果を
得るための層流の形成が容易であり、しかもこの層流を
形成した気流自体がパーティクルを巻き上げるおそれは
ない。

【００５４】請求項３によれば、搬送手段を有する空間
内にあるパーティクルが被処理体へ付着させることを防
止できる。また前記搬送手段が移動した場合であって
も、前記効果をもたらす層流をそのまま維持させること
が可能である。

【００５５】請求項４によれば、請求項３の効果に加え
て、層流の形成が容易で、しかも層流を形成した気流自
体が前記空間内のパーティクルを巻き上げないという効
果が得られる。

【００５６】請求項５によれば、前記空間内の塵埃など
のパーティクルをより効果的に空間内から排出させるこ
とができ、スループットも向上する。また被処理体への
パーティクル付着の可能性がより低下し、空間内のコン
タミネーションを効果的に防止できる。

【００５７】請求項６によれば、請求項５よりもさらに
効率よくパーティクルを前記空間外へ排出させることが
可能であり、スループットをさらに向上させることが可
能である。

【００５８】請求項７によれば、前記空間内のパージ速
度、パージ程度並びに減圧速度並びに減圧度を自在に調
整することが可能になる。

【００５９】請求項８によれば、被処理体に処理を施す
処理室に並設されたロードロック室において、請求項３
〜請求項７の各作用効果が得られるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例にかかるロードロック室を用い
たプラズマエッチング装置の縦断面を模式的に示した説
明図である。

【図２】本発明の実施例における搬送アームの要部断面
図である。

【図３】本発明の実施例にかかるロードロック室を用い
たプラズマエッチング装置の平面を模式的に示した説明
図である。

【図４】本発明の実施例における搬送アームに使用され
た気流形成部材の正面図である。

【図５】本発明の実施例における搬送アームに使用可能
な他の気流形成部材の正面図である。

【図６】本発明の実施例における搬送アームに使用可能
な他の形状の気流形成部材の平面図である。

【図７】本発明の他の実施例における搬送アームの要部
断面図である。

【図８】本発明の他の実施例におけるロードロック室の
給気口を示す縦断面の説明図である。

【符号の説明】

１プラズマエッチング装置２処理容器４８パージガス供給源５３ロートロック室５４排気管５４ａ排気口６１搬送アーム６２保持部６５気流吹出し口６６気流形成部材７５給気管７５ａ給気口Ｗウエハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/306 21/31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】略平板状の被処理体の近傍空間の気流を
制御する方法であって、前記被処理体の一端部近傍に配
置した気流吹出し口から、対向する他端部に向けて、こ
の被処理体に沿って平行な層流を被処理体の上面に形成
させることを特徴とする、被処理体近傍空間の気流の制
御方法。
【請求項２】前記被処理体を挟んで前記気流吹出し口
と対向する位置に気流吸込口を設けたことを特徴とす
る、請求項１に記載の被処理体近傍空間の気流の制御方
法。
【請求項３】排気口を具備し、この排気口から特定空
間内の気体を排気可能な如く構成された当該特定空間内
に、被処理体を搬送する搬送手段を具備した減圧装置で
あって、前記被処理体に沿って平行な層流を被処理体の上面に形
成する気流吹出し口を前記搬送手段に設けたことを特徴
とする、減圧装置。
【請求項４】前記被処理体を挟んで前記気流吹出し口
と対向する位置に気流吸込口を設けたことを特徴とす
る、請求項３に記載の被処理体の減圧装置。
【請求項５】前記空間内にパージガスを供給する給気
口を、前記排気口と対向する位置に設け、さらにこれら
給気口と排気口とを結ぶ空間内に、前記搬送手段を位置
させないことを特徴とする、請求項３又は４に記載の減
圧装置。
【請求項６】前記給気口を略ノズル形状としたことを
特徴とする、請求項３、４又は５に記載の減圧装置。
【請求項７】前記空間内に供給される給気量と、この
空間内から排出される排気量とを、個別に制御する如く
構成したことを特徴とする、請求項３、４、５又は６に
記載の減圧装置。
【請求項８】前記減圧装置が、前記被処理体に対して
所定の処理を施す如く構成された処理室に並設される、
ロードロック室として構成されていることを特徴とす
る、請求項３、４、５、６又は７に記載の減圧装置。