JPH11217670A - 枚葉式ロードロック装置及び基板清浄化方法 - Google Patents
枚葉式ロードロック装置及び基板清浄化方法Info
- Publication number
- JPH11217670A JPH11217670A JP16521198A JP16521198A JPH11217670A JP H11217670 A JPH11217670 A JP H11217670A JP 16521198 A JP16521198 A JP 16521198A JP 16521198 A JP16521198 A JP 16521198A JP H11217670 A JPH11217670 A JP H11217670A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- nozzle
- vacuum vessel
- substrate table
- flange
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】パーティクルを迅速に除去し基板を清浄に保つ
ことができる枚葉式ロードロック装置の提供。 【解決手段】ノズル付きフランジ２５中心から基板１外
周に向かって、ガスを吹き出す噴射ノズル４０を有し、
基板１外周部における基板１とノズル付きフランジ内壁
４１の隙間は３ｍｍ以下であり、基板テーブル２４中心
に排気ポート２９Ａを有している、真空容器２１の上部
に設けられた開口部を真空容器２１内側から密閉する基
板テーブル２４と真空容器２１外側から密閉するノズル
付きフランジ２５とで形成された小部屋６０に基板１を
挿入し、小部屋６０を粗引き後基板テーブル２４が下降
し本排気を行う、枚葉式ロードロック装置。
ことができる枚葉式ロードロック装置の提供。 【解決手段】ノズル付きフランジ２５中心から基板１外
周に向かって、ガスを吹き出す噴射ノズル４０を有し、
基板１外周部における基板１とノズル付きフランジ内壁
４１の隙間は３ｍｍ以下であり、基板テーブル２４中心
に排気ポート２９Ａを有している、真空容器２１の上部
に設けられた開口部を真空容器２１内側から密閉する基
板テーブル２４と真空容器２１外側から密閉するノズル
付きフランジ２５とで形成された小部屋６０に基板１を
挿入し、小部屋６０を粗引き後基板テーブル２４が下降
し本排気を行う、枚葉式ロードロック装置。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体、液晶、太
陽電池、メモリディスク製造分野で用いられる基板の成
膜装置あるいはクラスタツールにおいて、大気中から高
真空に排気された処理装置への基板の搬入および処理装
置から大気中への搬出を行うためのロードロック装置お
よびその基板の清浄化方法に関する。
陽電池、メモリディスク製造分野で用いられる基板の成
膜装置あるいはクラスタツールにおいて、大気中から高
真空に排気された処理装置への基板の搬入および処理装
置から大気中への搬出を行うためのロードロック装置お
よびその基板の清浄化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の枚葉式ロードロック機構を用いた
装置として、特公昭６３−４５４６７号公報がある。ま
た、処理装置から独立したロードロック装置の例として
は特公平１０−５０７９８号公報がある。
装置として、特公昭６３−４５４６７号公報がある。ま
た、処理装置から独立したロードロック装置の例として
は特公平１０−５０７９８号公報がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなロードロッ
ク装置に求められる条件は、基板雰囲気を大気から所定
の圧力まで出来るだけ短い時間で粗排気し、また、真空
から大気圧に短時間で昇圧することである。従来から、
前記従来の技術に示したように基板テーブルとノズル付
きフランジで構成される小部屋のみを大気に開放し、基
板テーブル上に基板を搬入後、ノズル付きフランジを降
下させ小部屋６０を密閉し、粗排気を行い、小部屋の圧
力が所定の圧力に達した時点で基板テーブルを降下させ
本排気を行う方式のロードロック装置が用いられてい
る。この方式のロードロック装置においては、真空容器
内は常に高真空ポンプにより排気されているため、基板
テーブル降下後は、基板雰囲気は速やかに排気され比較
的短時間で目標の圧力に到達できる。しかし、粗引きの
過程は、単に小部屋内のガスを排出するのみではなく、
基板表面および内壁に吸着している水分を剥離し排出す
る過程である。一般に、真空容器を一度大気中に露出す
ると一瞬の間におよそ１００層の水分子を表面に吸着さ
れるといわれる。この容器を真空排気する場合には、水
分子が最表面の１層を残す程度にまで取り除いてしまわ
なければ高真空ポンプに切替え可能な１０Ｐａ程度まで
圧力は下がらない。したがって、この排気時間を短縮す
ることは、排気時間全体を短縮する上で重要になる。一
方、排気段階において小部屋内を急激に減圧すると、小
部屋内のガス流が乱流となり小部屋底面や基板裏面に付
着しているパーティクルが巻き上げられ基板上面に付着
してしまう不都合が生じる。また、粗排気段階には小部
屋内のガスは断熱膨張し急激に温度が下がる。その結果
空気中の水分あるいは揮発性有機物が凝結しエアロゾル
を生じ、これが基板上面に落下し電子デバイス特性に悪
影響を及ぼす。また、一般の装置においては、搬入専用
と搬出専用のロードロック装置を設けている。処理装置
に搬入される基板は十分に清浄化されているが、処理装
置の中では反応ガスを流しながら物理的、化学的な反応
により膜付けあるいはエッチングが行われており、反応
ガスや副生成物がパーティクルとして多く基板に付着す
る。１つのロードロック室を用いて基板の搬入と搬出を
行うと、搬出基板に付着しているガスや副生成物がロー
ドロック室を介して搬入基板に悪影響を及ぼす。これが
搬入および搬出用の２個のロードロック装置を設けてい
た理由である。
ク装置に求められる条件は、基板雰囲気を大気から所定
の圧力まで出来るだけ短い時間で粗排気し、また、真空
から大気圧に短時間で昇圧することである。従来から、
前記従来の技術に示したように基板テーブルとノズル付
きフランジで構成される小部屋のみを大気に開放し、基
板テーブル上に基板を搬入後、ノズル付きフランジを降
下させ小部屋６０を密閉し、粗排気を行い、小部屋の圧
力が所定の圧力に達した時点で基板テーブルを降下させ
本排気を行う方式のロードロック装置が用いられてい
る。この方式のロードロック装置においては、真空容器
内は常に高真空ポンプにより排気されているため、基板
テーブル降下後は、基板雰囲気は速やかに排気され比較
的短時間で目標の圧力に到達できる。しかし、粗引きの
過程は、単に小部屋内のガスを排出するのみではなく、
基板表面および内壁に吸着している水分を剥離し排出す
る過程である。一般に、真空容器を一度大気中に露出す
ると一瞬の間におよそ１００層の水分子を表面に吸着さ
れるといわれる。この容器を真空排気する場合には、水
分子が最表面の１層を残す程度にまで取り除いてしまわ
なければ高真空ポンプに切替え可能な１０Ｐａ程度まで
圧力は下がらない。したがって、この排気時間を短縮す
ることは、排気時間全体を短縮する上で重要になる。一
方、排気段階において小部屋内を急激に減圧すると、小
部屋内のガス流が乱流となり小部屋底面や基板裏面に付
着しているパーティクルが巻き上げられ基板上面に付着
してしまう不都合が生じる。また、粗排気段階には小部
屋内のガスは断熱膨張し急激に温度が下がる。その結果
空気中の水分あるいは揮発性有機物が凝結しエアロゾル
を生じ、これが基板上面に落下し電子デバイス特性に悪
影響を及ぼす。また、一般の装置においては、搬入専用
と搬出専用のロードロック装置を設けている。処理装置
に搬入される基板は十分に清浄化されているが、処理装
置の中では反応ガスを流しながら物理的、化学的な反応
により膜付けあるいはエッチングが行われており、反応
ガスや副生成物がパーティクルとして多く基板に付着す
る。１つのロードロック室を用いて基板の搬入と搬出を
行うと、搬出基板に付着しているガスや副生成物がロー
ドロック室を介して搬入基板に悪影響を及ぼす。これが
搬入および搬出用の２個のロードロック装置を設けてい
た理由である。
【０００４】本発明は以上のような課題を解決するため
になされたもので、特に、パーティクルを迅速に除去し
基板を清浄に保つことができる枚葉式ロードロック装置
及び基板清浄化方法を提供することを目的とする。
になされたもので、特に、パーティクルを迅速に除去し
基板を清浄に保つことができる枚葉式ロードロック装置
及び基板清浄化方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による枚葉式ロー
ドロック装置は、真空容器の上部に設けられた開口部を
前記真空容器内側から密閉する基板テーブルと前記真空
容器外側から密閉するノズル付きフランジとで形成され
た小部屋に基板を挿入し、前記小部屋を粗排気後基板テ
ーブルが下降し本排気を行う枚葉式ロードロック装置に
おいて、前記ノズル付きフランジ中心から前記基板外周
に向かって、ガスを吹き出す噴射ノズルを有し、基板外
周部における基板とノズル付きフランジ内壁の隙間は３
ｍｍ以下であり、基板テーブル中心に排気ポートを有し
ている構成であり、また、真空容器の上部に設けられた
開口部を前記真空容器内側から密閉する基板テーブルと
前記真空容器外側から密閉するノズル付きフランジとで
形成された小部屋に基板を挿入し、前記小部屋を粗排気
後基板テーブルが下降し本排気を行う枚葉式ロードロッ
ク装置において、前記小部屋を粗排気する過程におい
て、前記噴射ノズルから一時的にガスパージを行い、基
板の表裏面および小部屋底面に付着しているパーティク
ルを粗引きポンプ側へ排出する構成であり、また、真空
容器の上部に設けられた開口部を前記真空容器内側から
密閉する基板テーブルと前記真空容器外側から密閉する
ノズル付きフランジとで形成された小部屋に基板を挿入
し、前記小部屋を粗排気後基板テーブルが下降し本排気
を行う枚葉式ロードロック装置において、前記小部屋を
粗排気する過程において、前記噴射ノズルから一時的に
乾燥ガスによるパージを行い、基板の表裏面に吸着して
いる水分子を粗引きポンプ側へ排出する方法であり、ま
た、記真空容器の上部に設けられた開口部を前記真空容
器内側から密閉する基板テーブルと前記真空容器外側か
ら密閉するノズル付きフランジとで形成された小部屋に
基板を挿入し、前記小部屋を粗引き後基板テーブルが下
降し本排気を行う枚葉式ロードロック装置において、前
記小部屋をベントする過程で、一時的に排気を行い、基
板に付着しているパーティクルを粗引きポンプ側に排出
する方法であり、また、前記パージガス又は乾燥ガスは
１００℃程度に加熱されている方法であり、さらに、前
記パージガス又は乾燥ガスを、噴射ノズルの上流側のイ
オナイザにより噴射直前でイオン化する方法である。
ドロック装置は、真空容器の上部に設けられた開口部を
前記真空容器内側から密閉する基板テーブルと前記真空
容器外側から密閉するノズル付きフランジとで形成され
た小部屋に基板を挿入し、前記小部屋を粗排気後基板テ
ーブルが下降し本排気を行う枚葉式ロードロック装置に
おいて、前記ノズル付きフランジ中心から前記基板外周
に向かって、ガスを吹き出す噴射ノズルを有し、基板外
周部における基板とノズル付きフランジ内壁の隙間は３
ｍｍ以下であり、基板テーブル中心に排気ポートを有し
ている構成であり、また、真空容器の上部に設けられた
開口部を前記真空容器内側から密閉する基板テーブルと
前記真空容器外側から密閉するノズル付きフランジとで
形成された小部屋に基板を挿入し、前記小部屋を粗排気
後基板テーブルが下降し本排気を行う枚葉式ロードロッ
ク装置において、前記小部屋を粗排気する過程におい
て、前記噴射ノズルから一時的にガスパージを行い、基
板の表裏面および小部屋底面に付着しているパーティク
ルを粗引きポンプ側へ排出する構成であり、また、真空
容器の上部に設けられた開口部を前記真空容器内側から
密閉する基板テーブルと前記真空容器外側から密閉する
ノズル付きフランジとで形成された小部屋に基板を挿入
し、前記小部屋を粗排気後基板テーブルが下降し本排気
を行う枚葉式ロードロック装置において、前記小部屋を
粗排気する過程において、前記噴射ノズルから一時的に
乾燥ガスによるパージを行い、基板の表裏面に吸着して
いる水分子を粗引きポンプ側へ排出する方法であり、ま
た、記真空容器の上部に設けられた開口部を前記真空容
器内側から密閉する基板テーブルと前記真空容器外側か
ら密閉するノズル付きフランジとで形成された小部屋に
基板を挿入し、前記小部屋を粗引き後基板テーブルが下
降し本排気を行う枚葉式ロードロック装置において、前
記小部屋をベントする過程で、一時的に排気を行い、基
板に付着しているパーティクルを粗引きポンプ側に排出
する方法であり、また、前記パージガス又は乾燥ガスは
１００℃程度に加熱されている方法であり、さらに、前
記パージガス又は乾燥ガスを、噴射ノズルの上流側のイ
オナイザにより噴射直前でイオン化する方法である。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明による枚
葉式ロードロック装置及び基板清浄化方法の好適な実施
の形態について説明する。図１は本発明による枚葉式ロ
ードロック装置を概略的に示す斜視図であり、図２は図
１の要部を詳細に示す構成図である。図１及び図２にお
いて符号２１で示されるものは真空容器であり、この真
空容器２１には各々独立した昇降機能である第１、第２
アクチュエータ２２により昇降自在に構成された基板テ
ーブル２４及びノズル付きフランジ２５が設けられてい
る。前記各々アクチュエータ２２はベローズ２６により
真空が保たれるように構成され、前記真空容器２１の底
部には高真空ポンプ用弁板２７を有するヘッドバルブ２
８を介して高真空ポンプ４が接続されている。この基板
テーブル２４には、図７で示すような円錐状の複数の側
面受け３４及び上面が球形の底部受け３５が設けられて
いる。
葉式ロードロック装置及び基板清浄化方法の好適な実施
の形態について説明する。図１は本発明による枚葉式ロ
ードロック装置を概略的に示す斜視図であり、図２は図
１の要部を詳細に示す構成図である。図１及び図２にお
いて符号２１で示されるものは真空容器であり、この真
空容器２１には各々独立した昇降機能である第１、第２
アクチュエータ２２により昇降自在に構成された基板テ
ーブル２４及びノズル付きフランジ２５が設けられてい
る。前記各々アクチュエータ２２はベローズ２６により
真空が保たれるように構成され、前記真空容器２１の底
部には高真空ポンプ用弁板２７を有するヘッドバルブ２
８を介して高真空ポンプ４が接続されている。この基板
テーブル２４には、図７で示すような円錐状の複数の側
面受け３４及び上面が球形の底部受け３５が設けられて
いる。
【０００７】前記ロードロック装置に真空ゲート弁８を
介して接続された搬送チャンバ６の真空搬送ロボット３
８で搬送された半導体基板である基板１は前記底面受け
３５上に搬送載置され、処理後は大気搬送ロボット３９
により外部へ搬送できるように構成されている。さら
に、前記ノズル付きフランジ２５の内面には、基板１及
び基板テーブル２４の中心に対応して噴射ノズル４０が
形成され、この噴射ノズル４０からのガスは、ノズル付
きフランジ２５の内面のノズル付きフランジ内壁４１を
介して基板１上に供給されるように構成されている。従
って、この噴射ノズル４０は基板１及び基板テーブル２
４の中心に対応している。また、他の形態としては、図
４に示されるように、噴射ノズル４０の下方に多数の小
孔４０ａを有する。ノズル板４２が設けられ、この各小
孔４０ａを介して基板１上にガスを供給するように構成
することもできる。
介して接続された搬送チャンバ６の真空搬送ロボット３
８で搬送された半導体基板である基板１は前記底面受け
３５上に搬送載置され、処理後は大気搬送ロボット３９
により外部へ搬送できるように構成されている。さら
に、前記ノズル付きフランジ２５の内面には、基板１及
び基板テーブル２４の中心に対応して噴射ノズル４０が
形成され、この噴射ノズル４０からのガスは、ノズル付
きフランジ２５の内面のノズル付きフランジ内壁４１を
介して基板１上に供給されるように構成されている。従
って、この噴射ノズル４０は基板１及び基板テーブル２
４の中心に対応している。また、他の形態としては、図
４に示されるように、噴射ノズル４０の下方に多数の小
孔４０ａを有する。ノズル板４２が設けられ、この各小
孔４０ａを介して基板１上にガスを供給するように構成
することもできる。
【０００８】前記、ノズル付きフランジ２５の下面及び
基板テーブル２４の上面には、真空容器２１と密合する
ためのアリ溝に設けられたＯリング５０が設けられ、前
記噴射ノズル４０の上流側には、パージバルブ５１、ガ
スヒータ５２及びガスをイオン化するためのイオナイザ
５３が設けられている。なお、前述の構成は３００ｍｍ
のシリコン基板に対応した構造である。さらに、基板１
外周部における基板１とノズル付きフランジ内壁４１と
の隙間は３ｍｍ以下とし、基板テーブル２４中心に排気
ポート２９Ａを設けた。ノズル付きフランジ２５の中央
部の内壁と基板の隙間は、基板周辺より大きくし、ノズ
ルからの基板１上の気流速度をほぼ一定にするようにし
ている。これにより排気およびベントの過程において、
気流がパーティクル７０を巻き上げ基板１に付着させる
ことをなくした。すなわち、小部屋６０内においてパー
ジガスは、基板１の上面において中心から外周部へ軸対
象の流れとなり、排気ガスは基板１の下面において外周
部から中心部への軸対象な流れとなる。また、基板１の
縁部では小部屋６０の内壁と基板１の隙間が狭く、基板
１の外周全体にわたり一定となっているため、気流は上
面から下面へ一様な流れとなる。装置立上げ後の初期の
状態において小部屋６０内は、清浄化されている。しか
し、装置が稼働し基板の搬送が始まると、基板１が持ち
込むパーティクル７０、基板１と基板受け３４，３５や
ロホットフィンガ３８，３９との接触によるパーティク
ル７０などが小部屋６０内に蓄積する。ただし、これら
のパーティクル７０は基板１より低い位置、つまり基板
１の下面側のみに有り、基板１の下面側から上面側への
逆流をなくすことで、基板１の上面へのパーティクルの
付着を避けることができる。
基板テーブル２４の上面には、真空容器２１と密合する
ためのアリ溝に設けられたＯリング５０が設けられ、前
記噴射ノズル４０の上流側には、パージバルブ５１、ガ
スヒータ５２及びガスをイオン化するためのイオナイザ
５３が設けられている。なお、前述の構成は３００ｍｍ
のシリコン基板に対応した構造である。さらに、基板１
外周部における基板１とノズル付きフランジ内壁４１と
の隙間は３ｍｍ以下とし、基板テーブル２４中心に排気
ポート２９Ａを設けた。ノズル付きフランジ２５の中央
部の内壁と基板の隙間は、基板周辺より大きくし、ノズ
ルからの基板１上の気流速度をほぼ一定にするようにし
ている。これにより排気およびベントの過程において、
気流がパーティクル７０を巻き上げ基板１に付着させる
ことをなくした。すなわち、小部屋６０内においてパー
ジガスは、基板１の上面において中心から外周部へ軸対
象の流れとなり、排気ガスは基板１の下面において外周
部から中心部への軸対象な流れとなる。また、基板１の
縁部では小部屋６０の内壁と基板１の隙間が狭く、基板
１の外周全体にわたり一定となっているため、気流は上
面から下面へ一様な流れとなる。装置立上げ後の初期の
状態において小部屋６０内は、清浄化されている。しか
し、装置が稼働し基板の搬送が始まると、基板１が持ち
込むパーティクル７０、基板１と基板受け３４，３５や
ロホットフィンガ３８，３９との接触によるパーティク
ル７０などが小部屋６０内に蓄積する。ただし、これら
のパーティクル７０は基板１より低い位置、つまり基板
１の下面側のみに有り、基板１の下面側から上面側への
逆流をなくすことで、基板１の上面へのパーティクルの
付着を避けることができる。
【０００９】図１の形態では、基板テーブル２４中心の
排気ポート２９Ａから吸込まれたガスは、基板テーブル
内に設けられた排気トンネル３３を通り真空容器２１に
設けられた排気管３２から粗引きバルブ３１、フィルタ
３０Ａ及び粗引きポンプ３０により外部へ排出される。
真空容器２１の排気ポート入口へは、排気トンネル３３
からのガスのほかに基板テーブル２４と真空容器２１の
隙間を通り小部屋６０から直接流れ込むガスがある。し
かし、基板テーブル２４と真空容器２１の隙間は狭くし
てあるため、大部分は排気トンネル３３からのガスとな
る。すなわち、大方のガスは基板１の上面中心から基板
１の下面中心へ向かって流れる。さらに、小部屋６０を
粗引きする過程において、噴射ノズル４０から一時的に
短時間のガスパージを行い、パージガスの気流により基
板１の表裏面および小部屋６０の底面に付着しているパ
ーティクルを粗引きポンプ３０側へ排出する。また、前
記ガスは水分を取り除いた乾燥ガスであり、また、前記
ガスは約１００℃に加熱されたガスを使用する。さら
に、小部屋６０をベントする過程で、短時間の排気を行
い、基板１に付着しているパーティクル７０を粗引きポ
ンプ３０側に排出する。さらに、前記基板１表面に付着
したパーティクル７０の何れか又は全部を剥離、除去す
るため、前記噴射ノズル４０から噴射する高温、乾燥ガ
スを噴射直前でイオン化するイオナイザ５３が前記噴射
ノズル４０の上流側に設けられている。
排気ポート２９Ａから吸込まれたガスは、基板テーブル
内に設けられた排気トンネル３３を通り真空容器２１に
設けられた排気管３２から粗引きバルブ３１、フィルタ
３０Ａ及び粗引きポンプ３０により外部へ排出される。
真空容器２１の排気ポート入口へは、排気トンネル３３
からのガスのほかに基板テーブル２４と真空容器２１の
隙間を通り小部屋６０から直接流れ込むガスがある。し
かし、基板テーブル２４と真空容器２１の隙間は狭くし
てあるため、大部分は排気トンネル３３からのガスとな
る。すなわち、大方のガスは基板１の上面中心から基板
１の下面中心へ向かって流れる。さらに、小部屋６０を
粗引きする過程において、噴射ノズル４０から一時的に
短時間のガスパージを行い、パージガスの気流により基
板１の表裏面および小部屋６０の底面に付着しているパ
ーティクルを粗引きポンプ３０側へ排出する。また、前
記ガスは水分を取り除いた乾燥ガスであり、また、前記
ガスは約１００℃に加熱されたガスを使用する。さら
に、小部屋６０をベントする過程で、短時間の排気を行
い、基板１に付着しているパーティクル７０を粗引きポ
ンプ３０側に排出する。さらに、前記基板１表面に付着
したパーティクル７０の何れか又は全部を剥離、除去す
るため、前記噴射ノズル４０から噴射する高温、乾燥ガ
スを噴射直前でイオン化するイオナイザ５３が前記噴射
ノズル４０の上流側に設けられている。
【００１０】次に、動作について述べる。まず、基板１
の搬入時の手順（図５のＡ〜Ｄ参照） １． 基板テーブル２４は上昇し真空容器２１内と大気
側を遮断している。真空容器２１は、高真空ポンプ４に
より排気され高真空を維持し、ノズル付きフランジ２５
は、上昇位置にある。 ２． 大気側から、大気側ロボット３９により基板テー
ブル２４上に基板１を搬入する。 ３． ノズル付きフランジ２５が下降し、密閉された小
部屋６０を形成する。（図５のＢ） ４． 粗引きポンプ３０により小部屋６０を粗排気す
る。粗排気の過程で一時的にパージバルブ５１を開き、
小部屋６０にガスを導入する。 ５． 粗引き完了後、基板テーブル２４が下降し、高真
空ポンプ４により本排気される。（図５のＣ） ６． ゲートバルブ８が開き、搬送チャンバ６に基板１
を搬出する。次に、搬出時の手順（図５のＣとＤ） １． 上記（６）の状態で、図示しない処理装置側から
搬送チャンバ６を経て基板テーブル２４上に基板１を搬
入する（図５のＣ） ２． 基板テーブル２４が上昇しウエハ収納室である小
部屋６０を形成する。（図５のＤ） ３． パージバルブ５１が開き小部屋６０を大気圧まで
ベントする。このベントの過程で一時的に粗引きバルブ
４ａを開き、小部屋を排気する。 ４． ノズル付きフランジ２５が上昇後、大気側へ大気
側ロボット３９で基板１を搬出する。（図５のＡ） ベントの初期段階において、真空中に大量のガスが放出
される。このガス流が基板１の中心付近に垂直に衝突す
ると基板１にダメージを与え、欠陥発生の原因になる可
能性がある。そのため、図４に示すようなノズル形状に
することによりガス流の方向を変え、基板１へのダメー
ジを減らすことができる。すなわち各ノズル４０ａはガ
スの流れ方向と一致させて並べているが、少しづつずら
せて配置してもよい。同時にこのノズル４０ａは、ベン
ト時のガスの流れを整流し、基板１上の流れを均一にす
るのにも役立つ。また、このようなノズルの代わりに周
知の拡散フイルタ（図示せず）を噴射ノズル４０位置に
配置しても、同様の効果が得られる。
の搬入時の手順（図５のＡ〜Ｄ参照） １． 基板テーブル２４は上昇し真空容器２１内と大気
側を遮断している。真空容器２１は、高真空ポンプ４に
より排気され高真空を維持し、ノズル付きフランジ２５
は、上昇位置にある。 ２． 大気側から、大気側ロボット３９により基板テー
ブル２４上に基板１を搬入する。 ３． ノズル付きフランジ２５が下降し、密閉された小
部屋６０を形成する。（図５のＢ） ４． 粗引きポンプ３０により小部屋６０を粗排気す
る。粗排気の過程で一時的にパージバルブ５１を開き、
小部屋６０にガスを導入する。 ５． 粗引き完了後、基板テーブル２４が下降し、高真
空ポンプ４により本排気される。（図５のＣ） ６． ゲートバルブ８が開き、搬送チャンバ６に基板１
を搬出する。次に、搬出時の手順（図５のＣとＤ） １． 上記（６）の状態で、図示しない処理装置側から
搬送チャンバ６を経て基板テーブル２４上に基板１を搬
入する（図５のＣ） ２． 基板テーブル２４が上昇しウエハ収納室である小
部屋６０を形成する。（図５のＤ） ３． パージバルブ５１が開き小部屋６０を大気圧まで
ベントする。このベントの過程で一時的に粗引きバルブ
４ａを開き、小部屋を排気する。 ４． ノズル付きフランジ２５が上昇後、大気側へ大気
側ロボット３９で基板１を搬出する。（図５のＡ） ベントの初期段階において、真空中に大量のガスが放出
される。このガス流が基板１の中心付近に垂直に衝突す
ると基板１にダメージを与え、欠陥発生の原因になる可
能性がある。そのため、図４に示すようなノズル形状に
することによりガス流の方向を変え、基板１へのダメー
ジを減らすことができる。すなわち各ノズル４０ａはガ
スの流れ方向と一致させて並べているが、少しづつずら
せて配置してもよい。同時にこのノズル４０ａは、ベン
ト時のガスの流れを整流し、基板１上の流れを均一にす
るのにも役立つ。また、このようなノズルの代わりに周
知の拡散フイルタ（図示せず）を噴射ノズル４０位置に
配置しても、同様の効果が得られる。
【００１１】また、図５のＢにおいては、基板テーブル
２４の中心付近に開口を持つ粗引き用の排気管３２が排
気トンネル３３に対応し、粗引き時に大部分のガスがこ
こを通って排気されるようにすることで、基板１上面中
心から裏面の中心まで基板１表面に沿う流れをつくり、
装置内壁に付着したパーティクル７０を基板１上面に巻
き上げることなくガスと一緒に速やかに排出する。すな
わち、従来のロードロック装置ではパーティクル７０は
チャンバ内に蓄積されるのみであったが、本発明の装置
ではパーティクル７０は排気により積極的に排出され、
チャンバ内には蓄積されない。粗引きの過程で一時的に
ガスでパージを行うことにより少なくとも基板１の表裏
面のパーティクル７０を図２の粗引きポンプ３０側へ排
出できる。また、ベントの過程で一時的に排気を行うこ
とにより少なくとも基板１の表裏面等のパーティクル７
０を粗引きポンプ３０側へ排出することができる。
２４の中心付近に開口を持つ粗引き用の排気管３２が排
気トンネル３３に対応し、粗引き時に大部分のガスがこ
こを通って排気されるようにすることで、基板１上面中
心から裏面の中心まで基板１表面に沿う流れをつくり、
装置内壁に付着したパーティクル７０を基板１上面に巻
き上げることなくガスと一緒に速やかに排出する。すな
わち、従来のロードロック装置ではパーティクル７０は
チャンバ内に蓄積されるのみであったが、本発明の装置
ではパーティクル７０は排気により積極的に排出され、
チャンバ内には蓄積されない。粗引きの過程で一時的に
ガスでパージを行うことにより少なくとも基板１の表裏
面のパーティクル７０を図２の粗引きポンプ３０側へ排
出できる。また、ベントの過程で一時的に排気を行うこ
とにより少なくとも基板１の表裏面等のパーティクル７
０を粗引きポンプ３０側へ排出することができる。
【００１２】また、基板１受けとして底面受け３５と基
板１の接触位置は、図７のようにロードロック装置７の
中で最もパーティクル７０の発生しやすいところの一つ
である。そのため基板１が置かれるときの微妙な位置ズ
レにより接触部で衝突や滑りが生じパーティクル７０の
発生は避けられない。そのうえ発生したパーティクル７
０は、基板１近くにあるため、その処理を間違えれば製
品に悪影響を及ぼす。図７に示すように基板１の側面を
円錐状の側面受け３４で受けることで気流の流れを乱さ
ず、生じたパーティクル７０を基板１の裏面へ速やかに
流し、少なくとも基板１上面への付着は避けることがで
きる。また、枚葉式ロードロック装置では、大気から高
真空までの排気時間をいかに短縮するかがスループット
に大きく影響する。一方、高真空領域での排気速度はポ
ンプの開口面積と流路長さで決まるため、高い排気速度
を得るためには、広い開口面積を取り、かつ流路を短く
することが重要である。真空ポンプの有効排気速度は、 １／Ｓ＝１／Ｃ＋１／Ｓ０ Ｓ ：有効排気速度 Ｓ０：実排気速度 Ｃ ：コンダクタンス で表される。一方、円管のコンダクタンスと長さとの関
係は、図１１のようになる。従って、排気開口径の長さ
と同じ長さの円管を介して排気する場合でも、ポンプの
有効排気速度は３４％に減少してしまう。これらの問題
を回避するために、図２ではヘッドバルブ２８を真空容
器２１と一体の構造としている。
板１の接触位置は、図７のようにロードロック装置７の
中で最もパーティクル７０の発生しやすいところの一つ
である。そのため基板１が置かれるときの微妙な位置ズ
レにより接触部で衝突や滑りが生じパーティクル７０の
発生は避けられない。そのうえ発生したパーティクル７
０は、基板１近くにあるため、その処理を間違えれば製
品に悪影響を及ぼす。図７に示すように基板１の側面を
円錐状の側面受け３４で受けることで気流の流れを乱さ
ず、生じたパーティクル７０を基板１の裏面へ速やかに
流し、少なくとも基板１上面への付着は避けることがで
きる。また、枚葉式ロードロック装置では、大気から高
真空までの排気時間をいかに短縮するかがスループット
に大きく影響する。一方、高真空領域での排気速度はポ
ンプの開口面積と流路長さで決まるため、高い排気速度
を得るためには、広い開口面積を取り、かつ流路を短く
することが重要である。真空ポンプの有効排気速度は、 １／Ｓ＝１／Ｃ＋１／Ｓ０ Ｓ ：有効排気速度 Ｓ０：実排気速度 Ｃ ：コンダクタンス で表される。一方、円管のコンダクタンスと長さとの関
係は、図１１のようになる。従って、排気開口径の長さ
と同じ長さの円管を介して排気する場合でも、ポンプの
有効排気速度は３４％に減少してしまう。これらの問題
を回避するために、図２ではヘッドバルブ２８を真空容
器２１と一体の構造としている。
【００１３】図１０は、本装置における基板受け渡しの
圧力変化を示したものである。圧力データは小部屋６０
内をピラニゲージで、真空容器２１内をピラニゲージお
よびＢ−Ａゲージで、さらに搬送チャンバ６内をピラニ
ゲージおよびＢ−Ａゲージで測定した値である。実線
は、大気側から真空へ搬入される基板の雰囲気圧力を、
破線は真空から大気へ搬出される基板の雰囲気圧力を示
している。このデータによると、排気時間は約２０秒、
ベント時間は約５秒となっている。ロードロックの通過
基板数は、７０〜８０枚／時程度が可能であり、１台の
装置に１台のロードロック装置であっても十分に使用す
ることが明らかである。また、基板１を大気状態から真
空状態に搬送する場合、ノズル付きフランジ２５を降下
させながら、パージバルブ５１を開いて、ガスヒータ５
２で加熱された高温、乾燥ガスをノズル４０から基板１
表面に向かって噴射を開始し、粗引き開始後０．５秒か
ら数秒のあいだ噴射を続ける。それによりガスが断熱膨
張して温度がガスの凝縮温度以下まで下がるのを防止
し、高温での基板１の水分を飛ばす効果が得られる。ま
た、前述の小部屋６０におけるガス噴流の流れ状態は、
図３の黒矢印で示すように、基板１表面から剥離、除去
された水分 及びパークティクル等の一部もしくは全て
は粗引きポンプ３０の手前に設けられた排ガスフィルタ
３０Ａによって捕集される。また、前記高真空ポンプ４
については、図１及び図２に示す配置例に限らず、図８
及び図９のように配設することもできるが、図８及び図
９の場合は基板テーブル２４が障害となってコンダクタ
ンスが減少するため、図２の取付位置が最適である。
圧力変化を示したものである。圧力データは小部屋６０
内をピラニゲージで、真空容器２１内をピラニゲージお
よびＢ−Ａゲージで、さらに搬送チャンバ６内をピラニ
ゲージおよびＢ−Ａゲージで測定した値である。実線
は、大気側から真空へ搬入される基板の雰囲気圧力を、
破線は真空から大気へ搬出される基板の雰囲気圧力を示
している。このデータによると、排気時間は約２０秒、
ベント時間は約５秒となっている。ロードロックの通過
基板数は、７０〜８０枚／時程度が可能であり、１台の
装置に１台のロードロック装置であっても十分に使用す
ることが明らかである。また、基板１を大気状態から真
空状態に搬送する場合、ノズル付きフランジ２５を降下
させながら、パージバルブ５１を開いて、ガスヒータ５
２で加熱された高温、乾燥ガスをノズル４０から基板１
表面に向かって噴射を開始し、粗引き開始後０．５秒か
ら数秒のあいだ噴射を続ける。それによりガスが断熱膨
張して温度がガスの凝縮温度以下まで下がるのを防止
し、高温での基板１の水分を飛ばす効果が得られる。ま
た、前述の小部屋６０におけるガス噴流の流れ状態は、
図３の黒矢印で示すように、基板１表面から剥離、除去
された水分 及びパークティクル等の一部もしくは全て
は粗引きポンプ３０の手前に設けられた排ガスフィルタ
３０Ａによって捕集される。また、前記高真空ポンプ４
については、図１及び図２に示す配置例に限らず、図８
及び図９のように配設することもできるが、図８及び図
９の場合は基板テーブル２４が障害となってコンダクタ
ンスが減少するため、図２の取付位置が最適である。
【００１４】
【発明の効果】本発明による枚葉仕込みロードロック装
置及び基板表面の清浄化方法は、以上のように構成され
ているため、次のような効果を得ることができる。すな
わち、半導体装置分野では基板の大型化と、基板上に形
成する電子デバイスの微細化が進む中で、製品歩留まり
向上と製造装置のスループット（時間あたりの基板処理
枚数）の向上を図る上で基板表面の汚染を除去するため
のより効果的な方法とその装置が求められているが、本
発明の枚数仕込みロードロック装置を用いることによ
り、従来のゆっくりと排気及びベントを行うことでパー
クティクルを巻き上げず基板を清浄に保つという方法に
比べて、格段に早い粗引き、昇圧を行うことが可能とな
る。また、基板が位置する小部屋内は、常時高速のガス
流により清浄化されているため、従来のロードロック装
置のように真空容器内に徐々にパーティクルが蓄積され
て行くことはないため、定期的な容器内のクリーニング
は不要となる。また、パージガスを小部屋内に噴射する
直前にイオン化することにより電荷により付着している
パーティクルを中和し付着力を減少させて気流により取
り除くことが可能になる。
置及び基板表面の清浄化方法は、以上のように構成され
ているため、次のような効果を得ることができる。すな
わち、半導体装置分野では基板の大型化と、基板上に形
成する電子デバイスの微細化が進む中で、製品歩留まり
向上と製造装置のスループット（時間あたりの基板処理
枚数）の向上を図る上で基板表面の汚染を除去するため
のより効果的な方法とその装置が求められているが、本
発明の枚数仕込みロードロック装置を用いることによ
り、従来のゆっくりと排気及びベントを行うことでパー
クティクルを巻き上げず基板を清浄に保つという方法に
比べて、格段に早い粗引き、昇圧を行うことが可能とな
る。また、基板が位置する小部屋内は、常時高速のガス
流により清浄化されているため、従来のロードロック装
置のように真空容器内に徐々にパーティクルが蓄積され
て行くことはないため、定期的な容器内のクリーニング
は不要となる。また、パージガスを小部屋内に噴射する
直前にイオン化することにより電荷により付着している
パーティクルを中和し付着力を減少させて気流により取
り除くことが可能になる。
【図１】本発明による枚葉仕込みロードロック装置を示
す一部切欠付き概略斜視図である。
す一部切欠付き概略斜視図である。
【図２】図１の要部を詳細に示す１構成図である。
【図３】図２の動作図である。
【図４】図２の要部の他の形態を示す構成図である。
【図５】図２の工程図である。
【図６】図２の要部の拡大図である。
【図７】図２の要部の拡大図である。
【図８】高真空ポンプの比較配置例である。
【図９】高真空ポンプの比較配置例である。
【図１０】本発明によるロードロック装置の動作ごとの
圧力変化を示す特性図である。
圧力変化を示す特性図である。
【図１１】コンダクタンスと管の長さの関係を示す説明
図である。
図である。
１ 基板 ４ 高真空ポンプ ６ 搬送チャンバ ８ 真空側ゲートバルブ ２１ 真空容器 ２２ アクチュエータ ２４ 基板テーブル ２５ ノズル付きフランジ ２６ ベローズ ２７ 真空ポンプ用弁板 ２８ ヘッドバルブ ２９Ａ 排気ポート ３０ 粗引きポンプ ３０Ａ フィルタ ３１ 粗引きバルブ ３２ 排気管 ３３ 排気トンネル ３４ 側面受け ３５ 底面受け ３７ 搬送チャンバ ３８ 真空側ロボット ３９ 大気側ロボット ４０ 噴射ノズル ４０ａ 小孔 ４１ ノズル付きフランジ内壁 ４２ ノズル板 ５０ Ｏリング ５１ パージバルブ ５２ ガスヒータ ５３ イオナイザ ６０ 小部屋 ７０ パーティクル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 忍谷 孝治 広島県広島市安芸区船越南１丁目６番１号 株式会社日本製鋼所内 (72)発明者 緒方 芳樹 広島県広島市安芸区船越南１丁目６番１号 株式会社日本製鋼所内 (72)発明者 武本 満樹 広島県広島市安芸区船越南１丁目６番１号 株式会社日本製鋼所内
Claims (6)
- 【請求項１】 真空容器(21)の上部に設けられた開口部
を前記真空容器(21)内側から密閉する基板テーブル(24)
と前記真空容器(21)外側から密閉するノズル付きフラン
ジ(25)とで形成された小部屋(60)に基板(1)を挿入し、
前記小部屋(60)を粗引き後基板テーブル(24)が下降し本
排気を行う枚葉式ロードロック装置において、 前記ノズル付きフランジ(25)中心から前記基板(1)外周
に向かって、ガスを吹き出す噴射ノズル(40)を有し、基
板(1)外周部における基板(1)とノズル付きフランジ内壁
(41)の隙間は３ｍｍ以下であり、基板テーブル(24)中心
に排気ポート(29A)を有していることを特徴とする枚葉
式ロードロック装置。 - 【請求項２】 真空容器(21)の上部に設けられた開口部
を前記真空容器(21)内側から密閉する基板テーブル(24)
と前記真空容器(21)外側から密閉するノズル付きフラン
ジ(25)とで形成された小部屋(60)に基板(1)を挿入し、
前記小部屋(60)を粗引き後基板テーブル(24)が下降し本
排気を行う枚葉式ロードロック装置において、前記小部
屋(60)を粗排気する過程において、前記噴射ノズル(40)
から一時的にガスパージを行い、基板(1)の表裏面およ
び小部屋(60)底面に付着しているパーティクルを粗引き
ポンプ(30)側へ排出することを特徴とする基板清浄化方
法。 - 【請求項３】 真空容器(21)の上部に設けられた開口部
を前記真空容器(21)内側から密閉する基板テーブル(24)
と前記真空容器(21)外側から密閉するノズル付きフラン
ジ(25)とで形成された小部屋(60)に基板(1)を挿入し、
前記小部屋(60)を粗引き後基板テーブル(24)が下降し本
排気を行う枚葉式ロードロック装置において、前記小部
屋(60)を粗排気する過程において、前記噴射ノズル(40)
から一時的に乾燥ガスによるパージを行い、基板(1)の
表裏面に吸着している水分子を粗引きポンプ(30)側へ排
出することを特徴とする基板清浄化方法。 - 【請求項４】 真空容器(21)の上部に設けられた開口部
を前記真空容器(21)内側から密閉する基板テーブル(24)
と前記真空容器(21)外側から密閉するノズル付きフラン
ジ(25)とで形成された小部屋(60)に基板(1)を挿入し、
前記小部屋(60)を粗引き後基板テーブル(24)が下降し本
排気を行う枚葉式ロードロック装置において、前記小部
屋(60)をベントする過程で、一時的にの排気を行い、基
板に付着しているパーティクルを粗引きポンプ側に排出
することを特徴とする基板清浄化方法。 - 【請求項５】 前記パージガス又は乾燥ガスは１００℃
程度に加熱されていることを特徴とする請求項２又は３
記載の基板清浄化方法。 - 【請求項６】 前記パージガス又は乾燥ガスを、噴射ノ
ズル(40)の上流側のイオナイザ(53)により噴射直前でイ
オン化することを特徴とする請求項２，３，５の何れか
に記載の基板清浄化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16521198A JP4116149B2 (ja) | 1997-11-25 | 1998-06-12 | 枚葉式ロードロック装置 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32338497 | 1997-11-25 | ||
| JP9-323385 | 1997-11-25 | ||
| JP32338597 | 1997-11-25 | ||
| JP9-323384 | 1997-11-25 | ||
| JP16521198A JP4116149B2 (ja) | 1997-11-25 | 1998-06-12 | 枚葉式ロードロック装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11217670A true JPH11217670A (ja) | 1999-08-10 |
| JP4116149B2 JP4116149B2 (ja) | 2008-07-09 |
Family
ID=27322456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16521198A Expired - Fee Related JP4116149B2 (ja) | 1997-11-25 | 1998-06-12 | 枚葉式ロードロック装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4116149B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001185606A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-07-06 | Tokyo Electron Ltd | 半導体処理用の載置台装置、プラズマ処理装置、及び真空処理装置 |
| JP2003168712A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Japan Steel Works Ltd:The | ロードロック装置の基板搬送方法及びその装置 |
| KR100648261B1 (ko) | 2004-08-16 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 퓸을 효과적으로 제거할 수 있는 로드락 모듈 |
| KR20070096669A (ko) * | 2006-03-27 | 2007-10-02 | 브룩스오토메이션아시아(주) | 로드락 챔버 |
| US20110293853A1 (en) * | 2009-02-13 | 2011-12-01 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd | Thin film forming apparatus and thin film forming method |
| JP2013197312A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Shibaura Mechatronics Corp | 減圧装置および減圧方法 |
| KR101483224B1 (ko) * | 2014-11-25 | 2015-01-16 | 주식회사 올루 | 다공 형성 부품의 입자 검사 장치 |
| WO2021045069A1 (ja) | 2019-09-06 | 2021-03-11 | キヤノンアネルバ株式会社 | ロードロック装置 |
-
1998
- 1998-06-12 JP JP16521198A patent/JP4116149B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001185606A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-07-06 | Tokyo Electron Ltd | 半導体処理用の載置台装置、プラズマ処理装置、及び真空処理装置 |
| JP2003168712A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Japan Steel Works Ltd:The | ロードロック装置の基板搬送方法及びその装置 |
| KR100648261B1 (ko) | 2004-08-16 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 퓸을 효과적으로 제거할 수 있는 로드락 모듈 |
| KR20070096669A (ko) * | 2006-03-27 | 2007-10-02 | 브룩스오토메이션아시아(주) | 로드락 챔버 |
| US20110293853A1 (en) * | 2009-02-13 | 2011-12-01 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd | Thin film forming apparatus and thin film forming method |
| JP2013197312A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Shibaura Mechatronics Corp | 減圧装置および減圧方法 |
| KR101483224B1 (ko) * | 2014-11-25 | 2015-01-16 | 주식회사 올루 | 다공 형성 부품의 입자 검사 장치 |
| WO2016085167A1 (ko) * | 2014-11-25 | 2016-06-02 | 주식회사 제덱스 | 다공 형성 부품의 입자 검사 장치 |
| WO2021045069A1 (ja) | 2019-09-06 | 2021-03-11 | キヤノンアネルバ株式会社 | ロードロック装置 |
| KR20220025881A (ko) | 2019-09-06 | 2022-03-03 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 로드 로크 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4116149B2 (ja) | 2008-07-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3402932B2 (ja) | 洗浄方法及びその装置 | |
| JPH0817165B2 (ja) | 工作物を洗浄し乾燥する方法 | |
| US20040171231A1 (en) | Bonding system and semiconductor substrate manufacturing method | |
| JPH11217670A (ja) | 枚葉式ロードロック装置及び基板清浄化方法 | |
| JP3012328B2 (ja) | 圧力密閉室内の基板をガス中の汚染物質から保護する方法および装置 | |
| JP5724713B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2002239441A (ja) | 減圧乾燥方法及び塗布膜形成装置 | |
| JPH07230959A (ja) | 被処理体近傍空間の気流の制御方法及び減圧装置 | |
| JP3675065B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2012138540A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH11354514A (ja) | クラスターツール装置及び成膜方法 | |
| JP2003115519A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置、ロードロック室、基板収納ケース、ストッカ | |
| JP4733856B2 (ja) | 高密度プラズマｃｖｄ装置のリモートプラズマクリーニング方法 | |
| JPH04254349A (ja) | マルチチャンバプロセス装置 | |
| JP2005268244A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2003515244A (ja) | 半導体ウェーハから汚染物を減らす方法と装置 | |
| KR100708973B1 (ko) | 유브이 램프 모듈을 구비하는 로드락 챔버를 이용한반도체 제조 장치 및 방법 | |
| JP3851154B2 (ja) | ロードロック装置の基板搬送方法及びその装置 | |
| JP3356654B2 (ja) | 半導体ウエハ成膜装置 | |
| JP2002008991A (ja) | クリーニング方法 | |
| JPH08181183A (ja) | 試料の搬送装置 | |
| JP2003282521A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JPH0536808A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP4433570B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JPH09275088A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041221 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Effective date: 20051209 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070810 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070821 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071015 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20080122 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080310 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20080401 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080417 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120425 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130425 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |