KR20220025881A - 로드 로크 장치 - Google Patents

로드 로크 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220025881A
KR20220025881A KR1020227003150A KR20227003150A KR20220025881A KR 20220025881 A KR20220025881 A KR 20220025881A KR 1020227003150 A KR1020227003150 A KR 1020227003150A KR 20227003150 A KR20227003150 A KR 20227003150A KR 20220025881 A KR20220025881 A KR 20220025881A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
load lock
chamber
lock device
substrate holder
gas
Prior art date
Application number
KR1020227003150A
Other languages
English (en)
Inventor
준 미우라
나오야 후쿠다
슈지 구마가이
신지 다카기
데츠로 도다
히데토시 시모카와
사토시 네기시
사토시 노무라
준야 소에다
Original Assignee
캐논 아네르바 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 아네르바 가부시키가이샤 filed Critical 캐논 아네르바 가부시키가이샤
Publication of KR20220025881A publication Critical patent/KR20220025881A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853Hygiene
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065Plasma etching; Reactive-ion etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

로드 로크 장치는, 감압 처리 장치와 접속되는 트랜스퍼실과 접속되는 제1 반송구, 및 로더실과 접속되는 제2 반송구를 갖는 로드 로크실과, 상기 로드 로크실 내에서 기판을 보유 지지하는 기판 홀더와, 상기 기판 홀더를 승강시키도록 상기 로드 로크실의 하방에 배치되고, 연결 부재를 통해 상기 기판 홀더에 연결된 구동 기구와, 상기 로드 로크실의 하부로부터 측방으로 연장된 연장실과, 상기 연장실의 하방에 배치되고 상기 연장실을 통해 상기 로드 로크실의 가스를 배출하는 펌프를 구비한다. 상기 연장실은, 상기 기판 홀더의 연직 하방으로부터 벗어난 위치에 개구를 갖는 저면을 갖고, 상기 개구에 상기 펌프가 접속되어 있다.

Description

로드 로크 장치
본 발명은, 로드 로크 장치에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 진공 용기와, 진공 용기 내에서 승강하는 기판 테이블과, 진공 용기의 저면 중 기판 테이블의 하방에 배치된 개구를 통해 진공 용기에 접속된 고진공 펌프를 갖는 로드 로크 장치가 개시되어 있다.
진공 용기의 저면 중 기판 테이블의 하방에 배치된 개구를 통해 진공 용기에 접속된 펌프가 배치된 구성에서는, 펌프에서 발생한 파티클, 혹은 펌프에 의해 흡인되고 펌프에서 튕겨 나온 파티클이 비산되어, 기판의 상방측의 공간에 도달하여, 기판에 부착될 수 있다. 이러한 파티클은, 기판을 사용하여 제조되는 물품의 제조 불량을 야기할 수 있다. 기판의 상방의 공간으로의 파티클의 비산을 억제하기 위해 기판 테이블의 측면과 진공 용기의 내면의 간극을 작게 하면, 펌프에 의한 배기 효율이 저하될 수 있다.
일본 특허 공개 평11-217670호 공보
본 발명은, 펌프로부터의 기판의 상방의 공간으로의 파티클의 비산을 저감하기 위해 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 하나의 측면은, 로드 로크 장치에 관한 것이며, 상기 로드 로크 장치는, 감압 처리 장치와 접속되는 트랜스퍼실과 접속되는 제1 반송구, 및 로더실과 접속되는 제2 반송구를 갖는 로드 로크실과, 상기 로드 로크실 내에서 기판을 보유 지지하는 기판 홀더와, 상기 기판 홀더를 승강시키도록 상기 로드 로크실의 하방에 배치되고, 연결 부재를 통해 상기 기판 홀더에 연결된 구동 기구와, 상기 로드 로크실의 하부로부터 측방으로 연장된 연장실과, 상기 연장실의 하방에 배치되고 상기 연장실을 통해 상기 로드 로크실의 가스를 배출하는 펌프를 구비하고, 상기 연장실은, 상기 기판 홀더의 연직 하방으로부터 벗어난 위치에 개구를 갖는 저면을 갖고, 상기 개구에 상기 펌프가 접속된다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태의 로드 로크 장치를 포함하는 처리 장치의 구성을 모식적으로 도시하는 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태의 로드 로크 장치를 포함하는 처리 장치의 동작을 예시하는 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태의 로드 로크 장치를 포함하는 처리 장치의 동작을 예시하는 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태의 로드 로크 장치를 포함하는 처리 장치의 동작을 예시하는 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태의 로드 로크 장치를 포함하는 처리 장치의 동작을 예시하는 도면.
도 6은 로드 로크실, 연장실 및 가스 분산부의 배치를 도시하는 평면도.
이하, 첨부 도면을 참조하여 실시 형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태는 특허 청구의 범위에 관한 발명을 한정하는 것은 아니다. 실시 형태에는 복수의 특징이 기재되어 있지만, 이들 복수의 특징 전부가 발명에 필수적인 것만은 아니며, 또한 복수의 특징은 임의로 조합되어도 된다. 또한, 첨부 도면에 있어서는, 동일 혹은 마찬가지의 구성에 동일한 참조 번호를 붙이고 중복된 설명은 생략한다.
도 1에는, 본 발명의 일 실시 형태의 로드 로크 장치(100)를 포함하는 처리 장치의 구성이 모식적으로 도시되어 있다. 로드 로크 장치(100)는, 로더실(30)과 트랜스퍼실(20) 사이에 배치된 로드 로크실(110)을 가질 수 있다. 로더실(30)은, 대기 환경에 유지될 수 있다. 로더실(30)에서는, 예를 들어 캐리어로부터 기판(S)이 제공될 수 있다. 또는, 로더실(30)에는, 전처리 장치로부터 기판(S)이 제공될 수 있다. 로더실(30)은, 그 천장에 필터(32)를 구비할 수 있고, 필터(32)를 통해 로더실(30)의 내부 공간에 다운 플로가 공급될 수 있다. 로더실(30)에는, 반송 로봇(34)이 배치되며, 기판(S)은, 반송 로봇(34)에 의해 반송될 수 있다. 반송 로봇(34)은, 밸브(50)를 통해 기판(S)을 로더실(30)로부터 로드 로크실(110)로 반송할 수 있다. 기판(S)이 반송되어 온 로드 로크실(110)은 충분히 감압된다. 그 후, 트랜스퍼실(20)에 배치된 반송 로봇(22)은, 밸브(40)를 통해 기판(S)을 로드 로크실(110)로부터 트랜스퍼실(20)로 반송할 수 있다. 그 후, 반송 로봇(22)은, 밸브(60)를 통해 트랜스퍼실(20)로부터 감압 처리 장치(10)로 기판(S)을 반송할 수 있다. 감압 처리 장치(10)는, 예를 들어 CVD 장치, PVD 장치, 에칭 장치, 플라스마 처리 장치 및 전자선 묘화 장치 중 어느 것일 수 있다.
로드 로크실(110)은, 감압 처리 장치(10)와 접속되는 트랜스퍼실(20)과 접속되는 제1 반송구(111)와, 로더실(30)과 접속되는 제2 반송구(112)를 가질 수 있다. 일례에 있어서, 제1 반송구(111)의 높이(예를 들어, 제1 반송구(111)의 하단의 높이)는, 제2 반송구(112)의 높이(예를 들어, 제2 반송구(112)의 하단의 높이)보다 낮다. 제1 반송구(111)는, 밸브(40)를 통해 트랜스퍼실(20)의 내부 공간과 연통 가능하게 배치될 수 있다. 제2 반송구(112)는, 밸브(50)를 통해 로더실(30)의 내부 공간과 연통 가능하게 배치될 수 있다.
로드 로크 장치(100)는, 로드 로크실(110) 내에서 기판(S)을 보유 지지하는 기판 홀더(120)를 구비할 수 있다. 기판 홀더(120)는, 예를 들어 기판(S)과 접촉하여 기판(S)을 보유 지지하는 복수의 접촉부(124)를 포함할 수 있다. 로드 로크 장치(100)는, 구동 기구(130)를 구비할 수 있다. 구동 기구(130)는, 기판 홀더(120)를 승강시키도록 로드 로크실(110)의 하방에 배치될 수 있다. 구동 기구(130)는, 연결 부재(122)를 통해 기판 홀더(120)에 연결될 수 있다.
로드 로크실(110)은, 로드 로크실(110)의 하부로부터 측방으로 연장된 연장실(140)과, 연장실(140)의 하방에 배치되고 연장실(140)을 통해 로드 로크실(110)의 가스를 배출하는 펌프(150)를 구비할 수 있다. 연장실(140)은, 기판 홀더(120)의 연직 하방으로부터 벗어난 위치에 개구(142)를 갖는 저면(144)을 가질 수 있다. 펌프(150)는, 개구(142)에 접속될 수 있다. 도시되어 있지 않지만, 펌프(150)와 개구(142) 사이에는 밸브가 배치될 수 있다.
펌프(150)는, 예를 들어 로터리 펌프와, 해당 로터리 펌프와 개구(142) 사이에 배치된 터보 분자 펌프를 포함할 수 있다. 터보 분자 펌프의 터빈은, 동작 시에 고속으로 회전한다. 터보 분자 펌프에 의해 흡인된 파티클이 터빈에 충돌하면, 터빈으로부터 튕겨 날아갈 수 있다. 또한, 펌프(150)가 터보 분자 펌프인지 여부에 관계없이, 펌프(150)는 그 자체가 파티클을 발생시킬 수 있다. 따라서, 로드 로크실(110)의 하부로부터 측방으로 연장된 연장실(140)의 저면(144)에 형성된 개구(142)에 펌프(150)를 접속하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 펌프(150)로부터의 파티클이 기판 홀더(120)의 측면과 로드 로크실의 내측면의 간극(G)을 통해 기판(S)의 상방의 공간에 도달하여, 기판(S)에 부착되는 것을 저감할 수 있다.
로드 로크 장치(100)는, 로드 로크실(110)에 가스(예를 들어, 클린 드라이 에어 또는 질소 가스)를 도입하는 가스 도입부(160)를 구비할 수 있다. 가스 도입부(160)는, 예를 들어 제1 반송구(111)를 통해 기판(S)이 트랜스퍼실(20)로 반송되는 상태에 있어서의 기판 홀더(120)와 트랜스퍼실(20) 사이의 경로의 상방에 배치될 수 있다. 일례에 있어서, 가스 도입부(160)는, 제1 반송구(111)의 상방에 배치될 수 있다. 가스 도입부(160)는, 로드 로크실(110)의 내부 공간에 가스를 분산시키는 가스 분산부(162)를 포함할 수 있다. 가스 분산부(162)의 적어도 일부는, 로드 로크실(110)의 내부에 배치될 수 있다. 가스 분산부(162)는, 제2 반송구(112)에 대향하는 위치에 배치될 수 있다. 가스 도입부(160)는, 가스의 도입을 조정하는 유량 조정 밸브(164)를 포함할 수 있다.
로드 로크실(110)의 제2 반송구(112)와 로더실(30) 사이에 배치된 밸브(50)에는, 가스 배출 라인(52)이 접속될 수 있다. 가스 배출 라인(52)을 통해 제2 반송구(112)의 부근의 공간의 가스가 로드 로크실(110)의 외부 공간으로 배출될 수 있다. 가스 배출 라인(52)에는, 도시하지 않은 펌프가 접속될 수 있다.
제2 반송구(112)의 적어도 일부는, 연장실(140)의 위(연직 상방)에 배치될 수 있다. 혹은, 연장실(140)의 적어도 일부는, 제2 반송구(112)와 펌프(150) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 구성은, 로드 로크 장치(100)의 풋프린트의 축소에 유리하다.
로더실(30)의 적어도 일부는, 연장실(140)의 위(연직 상방)에 배치될 수 있다. 혹은, 연장실(140)의 적어도 일부는, 로더실(30)과 펌프(150) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 구성도, 로드 로크 장치(100)의 풋프린트의 축소에 유리하다.
도 1 내지 도 5에 예시되는 바와 같이, 기판 홀더(120)는, 로드 로크실(110)의 내부 공간에 있어서의 복수의 위치에 배치될 수 있다. 해당 복수의 위치는, 도 1에 예시되는 바와 같이, 기판 홀더(120)에 의해 보유 지지된 기판(S)의 측면의 일부가 가스 분산부(162)에 대향하는 위치를 포함할 수 있다. 여기서, 기판 홀더(120)에 의해 보유 지지된 기판(S)의 측면(외주면)의 해당 일부는, 기판(S)의 표면에 평행한 방향에 관하여, 가스 분산부(162)에 대향할 수 있다.
도 6은 로드 로크실(110), 연장실(140) 및 가스 분산부(162)의 배치를 도시하는 평면도이다. 이 평면도는, 로드 로크 장치(100)가 배치된 바닥에 대한 정사영으로서도 이해될 수 있다. 기판 홀더(120)는, 해당 평면도 혹은 해당 정사영에 있어서, 가스 분산부(162)와 연장실(140) 사이에 위치할 수 있다. 혹은, 개구(142)는, 해당 평면도 혹은 해당 정사영에 있어서, 가스 분산부(162)와 연장실(140) 사이에 위치할 수 있다.
기판 홀더(120)에 의해 보유 지지되는 기판(S)은, 직사각 형상을 가질 수 있다. 혹은, 기판 홀더(120)에 의해 보유 지지되는 기판(S)은, 기준 방위를 나타내는 노치부를 갖는 원 형상을 가질 수 있다. 단, 기판 홀더(120)에 의해 보유 지지되는 기판(S)은, 다른 형상을 가져도 된다.
기판 홀더(120)의 측면과 로드 로크실(110)의 내측면의 간극(G)의 면적은, 제2 반송구(112)의 단면적보다 작은 것이 바람직하다. 간극(G)의 면적은, 제2 반송구(112)의 단면적의 1/2, 1/3 또는 1/4보다 작은 것이 더욱 바람직하다. 이러한 구성은, 로더실(30)로부터 제2 반송구(112)를 통해 로드 로크실(110)의 내부 공간으로 기판(S)이 반송될 때, 가스 분산부(162)로부터 로드 로크실(110)의 내부 공간으로 도입된 가스가 제2 반송구(112) 및 가스 배출 라인(52)을 통해 배출되는 양을, 기판(S)의 상방의 공간으로부터 간극(G)을 통해 기판 홀더(120)의 하방의 공간으로 배출되는 양보다 크게 하므로 유리하다. 이것은, 로더실(30)로부터 제2 반송구(112)를 통해 로드 로크실(110)의 내부 공간으로 파티클이 침입하는 것을 억제하므로 효과적이다.
기판 홀더(120)의 측면과 로드 로크실(110)의 내측면의 간극(G)의 면적은, 연장실(140)의 저면(144)에 마련된 개구(142)의 단면적보다 작은 것이 바람직하다. 이러한 구성은, 펌프(150)로부터의 파티클이 간극(G)을 통해 기판(S)의 상방의 공간에 도달하여, 기판(S)에 부착되는 것을 저감하므로 유리하다. 간극(G)의 면적은, 로드 로크실(110)과 연장실(140) 사이의 접속 부분(146)의 단면적(연직면에 있어서의 단면적)보다 작은 것이 바람직하다. 이러한 구성도, 펌프(150)로부터의 파티클이 간극(G)을 통해 기판(S)의 상방의 공간에 도달하여, 기판(S)에 부착되는 것을 저감하므로 유리하다.
기판 홀더(120)의 높이 방향의 치수 Hh는, 기판 홀더(120)의 측면과 로드 로크실(110)의 내측면과의 간극(G)의 치수 Lg(기판 홀더(120)의 측면과 로드 로크실(110)의 내측면과의 거리)보다 큰 것이 바람직하다. 이러한 구성은, 펌프(150)로부터의 파티클이 간극(G)을 통과하는 것을 억제하므로 유리하다. 기판 홀더(120)의 높이 방향의 치수 Hh는, 간극(G)의 최대 치수의 3배 이상 또한 115배 이하인 것이 바람직하다. 이러한 구성은, 펌프(150)로부터의 파티클이 간극(G)을 통과하는 것을 억제하면서 로드 로크실(110)의 대형화를 억제하므로 유리하다.
연장실(140)의 높이 방향의 치수 He는, 기판 홀더(120)의 높이 방향 Hh의 치수보다 큰 것이 바람직하다. 이러한 구성은, 펌프(150)에 의한 가스 배출의 효율을 높이기 위해 유리하다. 제1 반송구(111)를 통해 로드 로크실(110)과 트랜스퍼실(20) 사이에서 기판(S)이 이동하는 상태에 있어서, 기판 홀더(120)의 하단의 높이는, 연장실(140)의 천장면(145)의 높이보다 높은 것이 바람직하다. 이러한 구성은, 당해 상태에 있어서의 펌프(150)에 의한 가스 배출의 효율을 높이므로 유리하다.
도 2, 도 3, 도 4 및 도 5에는, 도 1에 도시된 처리 장치의 동작이 예시적으로 도시되어 있다. 먼저, 가스 도입부(160)로부터 로드 로크실(110)의 내부 공간으로 가스가 도입(공급)되면서 펌프(150)에 의해 해당 내부 공간의 가스가 로드 로크실(110)의 외부 공간으로 배출될 수 있다. 이때, 해당 내부 공간의 압력이 상승하도록, 가스 도입부(160)로부터 해당 내부 공간으로의 가스의 도입량이 펌프(150)에 의한 가스의 배출량보다 많아질 수 있다. 해당 내부 공간의 압력이 대기압 이상이 되면, 도 2에 도시되는 바와 같이, 밸브(50)가 개방됨과 함께 가스 배출 라인(52)에 의한 가스의 배출이 개시될 수 있다. 그 후, 반송 로봇(34)에 의해, 로더실(30)로부터 로드 로크실(110)의 내부 공간의 기판 홀더(120)로 기판(S)이 반송될 수 있다.
그 후, 도 3에 도시되는 바와 같이, 밸브(50)가 폐쇄되고, 기판 홀더(120)가 구동 기구(130)에 의해 상방으로 구동될 수 있다. 또한, 가스 도입부(160)로부터 로드 로크실(110)의 내부 공간으로 가스가 도입된 상태에서, 펌프(150)에 의한 해당 내부 공간으로부터의 가스의 배출량이 높여져, 해당 내부 공간이 감압된다. 그 후, 가스 도입부(160)에 의한 해당 내부 공간으로의 가스의 도입이 정지되어, 펌프(150)에 의한 해당 내부 공간으로부터의 가스의 배출량이 더욱 높여질 수 있다.
로드 로크실(110)의 내부 공간의 압력이 충분히 감압되면, 도 4에 도시되는 바와 같이, 기판(S)을 트랜스퍼실(20)로 반송하기 위한 높이까지, 기판 홀더(120)가 구동 기구(130)에 의해 하방으로 구동될 수 있다. 그 후, 도 5에 도시되는 바와 같이, 밸브(40)가 개방되고, 반송 로봇(22)에 의해, 기판(S)이 로드 로크실(110)의 내부 공간으로부터 트랜스퍼실(20)로 반송되고, 또한 감압 처리 장치(10)로 반송될 수 있다. 그 후, 밸브(40)가 폐쇄됨과 함께, 감압 처리 장치(10)에 있어서 기판(S)이 처리된다.
그 후, 밸브(40)가 개방되고, 도 5에 도시되는 바와 같이, 감압 처리 장치(10)의 기판(S)이 반송 로봇(22)에 의해 로드 로크실(110)의 내부 공간으로 반송될 수 있다. 그 후, 밸브(40)가 폐쇄될 수 있다.
그 후, 가스 도입부(160)로부터 로드 로크실(110)의 내부 공간으로 가스가 도입되면서 펌프(150)에 의해 해당 내부 공간의 가스가 로드 로크실(110)의 외부 공간으로 배출될 수 있다. 이때, 해당 내부 공간의 압력이 상승하도록, 가스 도입부(160)로부터 해당 내부 공간으로의 가스의 도입량이 펌프(150)에 의한 가스의 배출량보다 많아질 수 있다. 해당 내부 공간의 압력이 대기압 이상이 되면, 도 2에 도시되는 바와 같이, 밸브(50)가 개방됨과 함께 가스 배출 라인(52)에 의한 가스의 배출이 개시될 수 있다. 그 후, 반송 로봇(34)에 의해, 로드 로크실(110)의 내부 공간의 기판 홀더(120)로부터 로더실(30)로 기판(S)이 반송될 수 있다. 그 후, 밸브(50)가 폐쇄되어, 가스 배출 라인(52)에 의한 가스의 배출이 정지될 수 있다.
발명은 상기 실시 형태에 제한되는 것은 아니며, 발명의 정신 및 범위로부터 이탈하는 일 없이 다양한 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 발명의 범위를 공개하기 위해 청구항을 첨부한다.
100: 로드 로크 장치
110: 로드 로크실
111: 제1 반송구
112: 제2 반송구
120: 기판 홀더
130: 구동 기구
140: 연장실
142: 개구
144: 저면
150: 펌프
160: 가스 도입부
162: 가스 분산부

Claims (23)

  1. 감압 처리 장치와 접속되는 트랜스퍼실과 접속되는 제1 반송구, 및 로더실과 접속되는 제2 반송구를 갖는 로드 로크실과,
    상기 로드 로크실 내에서 기판을 보유 지지하는 기판 홀더와,
    상기 기판 홀더를 승강시키도록 상기 로드 로크실의 하방에 배치되고, 연결 부재를 통해 상기 기판 홀더에 연결된 구동 기구와,
    상기 로드 로크실의 하부로부터 측방으로 연장된 연장실과,
    상기 연장실의 하방에 배치되고 상기 연장실을 통해 상기 로드 로크실의 가스를 배출하는 펌프를 구비하고,
    상기 연장실은, 상기 기판 홀더의 연직 하방으로부터 벗어난 위치에 개구를 갖는 저면을 갖고, 상기 개구에 상기 펌프가 접속되어 있는,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반송구를 통해 상기 기판이 상기 트랜스퍼실로 반송되는 상태에 있어서의 상기 기판 홀더와 상기 트랜스퍼실 사이의 경로의 상방에 배치된 가스 도입부를 더 구비하는,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 반송구의 높이는, 상기 제2 반송구의 높이보다 낮은,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 가스 도입부는, 가스를 분산시키는 가스 분산부를 포함하고,
    상기 가스 분산부는, 상기 제2 반송구에 대향하는 위치에 배치되어 있는,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 홀더의 측면과 상기 로드 로크실의 내측면의 간극의 면적이 상기 제2 반송구의 단면적보다 작은,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  6. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 홀더의 측면과 상기 로드 로크실의 내측면의 간극의 면적이 상기 제2 반송구의 단면적의 1/2보다 작은,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 홀더의 측면과 상기 로드 로크실의 내측면의 간극의 면적은, 상기 개구의 단면적보다 작은,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 홀더의 측면과 상기 로드 로크실의 내측면의 간극의 면적은, 상기 로드 로크실과 상기 연장실 사이의 접속 부분의 단면적보다 작은,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 홀더의 높이 방향의 치수는, 상기 기판 홀더의 측면과 상기 로드 로크실의 내측면의 간극의 치수보다 큰,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 홀더의 높이 방향의 치수는, 상기 기판 홀더의 측면과 상기 로드 로크실의 내측면의 간극의 최대 치수의 3배 이상 또한 115배 이하인,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연장실의 높이 방향의 치수는, 상기 기판 홀더의 높이 방향의 치수보다 큰,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 반송구를 통해 상기 로드 로크실과 상기 트랜스퍼실 사이에서 기판이 이동하는 상태에 있어서, 상기 기판 홀더의 하단의 높이가 상기 연장실의 천장면의 높이보다 높은,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 반송구의 적어도 일부는, 상기 연장실의 위에 배치되는,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  14. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연장실의 적어도 일부는, 상기 제2 반송구와 상기 펌프 사이에 배치되는,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  15. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 로더실의 적어도 일부는, 상기 연장실의 위에 배치되는,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  16. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연장실의 적어도 일부는, 상기 로더실과 상기 펌프 사이에 배치되는,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 로드 로크실의 내부 공간에 가스를 분산시키는 가스 분산부를 더 구비하고,
    상기 가스 분산부는, 상기 제2 반송구에 대향하도록 배치되고,
    상기 제2 반송구의 적어도 일부는, 상기 연장실의 위에 배치되는,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 로드 로크실의 내부 공간에 가스를 분산시키는 가스 분산부를 더 구비하고,
    상기 가스 분산부는, 상기 제2 반송구에 대향하도록 배치되고,
    상기 연장실의 적어도 일부는, 상기 제2 반송구와 상기 펌프 사이에 배치되는,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 로드 로크실의 내부 공간에 가스를 분산시키는 가스 분산부를 더 구비하고,
    상기 가스 분산부는, 상기 제2 반송구에 대향하도록 배치되고,
    상기 로더실의 적어도 일부는, 상기 연장실의 위에 배치되는,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 로드 로크실의 내부 공간에 가스를 분산시키는 가스 분산부를 더 구비하고,
    상기 가스 분산부는, 상기 제2 반송구에 대향하도록 배치되고,
    상기 연장실의 적어도 일부는, 상기 로더실과 상기 펌프 사이에 배치되는,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  21. 제17항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 홀더가 배치될 수 있는 위치는, 상기 기판 홀더에 의해 보유 지지된 상기 기판의 측면의 일부가 상기 가스 분산부에 대향하는 위치를 포함하는,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  22. 제1항에 있어서,
    상기 로드 로크실의 내부 공간에 가스를 분산시키는 가스 분산부를 더 구비하고,
    상기 로드 로크 장치가 배치된 바닥에 대한 정사영에 있어서, 상기 가스 분산부와 상기 연장실 사이에 상기 기판 홀더가 위치하는,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
  23. 제1항에 있어서,
    상기 로드 로크실의 내부 공간에 가스를 분산시키는 가스 분산부를 더 구비하고,
    상기 로드 로크 장치가 배치된 바닥에 대한 정사영에 있어서, 상기 가스 분산부와 상기 개구 사이에 상기 기판 홀더가 위치하는,
    것을 특징으로 하는 로드 로크 장치.
KR1020227003150A 2019-09-06 2020-09-02 로드 로크 장치 KR20220025881A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2019/035247 WO2021044622A1 (ja) 2019-09-06 2019-09-06 ロードロック装置
JPPCT/JP2019/035247 2019-09-06
PCT/JP2020/033160 WO2021045069A1 (ja) 2019-09-06 2020-09-02 ロードロック装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220025881A true KR20220025881A (ko) 2022-03-03

Family

ID=74164574

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227003150A KR20220025881A (ko) 2019-09-06 2020-09-02 로드 로크 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20220139729A1 (ko)
EP (1) EP4027372A4 (ko)
JP (3) JP6815554B1 (ko)
KR (1) KR20220025881A (ko)
CN (1) CN114127332B (ko)
TW (2) TWI754371B (ko)
WO (2) WO2021044622A1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11217670A (ja) 1997-11-25 1999-08-10 Japan Steel Works Ltd:The 枚葉式ロードロック装置及び基板清浄化方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06158284A (ja) * 1992-11-17 1994-06-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 真空装置
JP2932946B2 (ja) * 1993-09-17 1999-08-09 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
JPH1050802A (ja) * 1996-08-05 1998-02-20 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置
JPH11186355A (ja) * 1997-12-22 1999-07-09 Tokyo Electron Ltd ロードロック機構、基板処理装置および基板処理方法
JP3914684B2 (ja) * 2000-04-05 2007-05-16 サンデン株式会社 自動販売機
US6562141B2 (en) * 2000-07-03 2003-05-13 Andrew Peter Clarke Dual degas/cool loadlock cluster tool
JP2002075882A (ja) * 2000-09-04 2002-03-15 Anelva Corp 基板処理装置及び基板処理装置用ロードロックチャンバー並びに基板処理装置におけるロードロックチャンバーのクリーニング方法
JP4841035B2 (ja) * 2000-11-27 2011-12-21 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
US20020159864A1 (en) * 2001-04-30 2002-10-31 Applied Materials, Inc. Triple chamber load lock
JP2004087781A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置及び真空処理方法
JP4118189B2 (ja) * 2003-05-20 2008-07-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ ロードロック装置
JP4619854B2 (ja) * 2005-04-18 2011-01-26 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置及び処理方法
KR100665855B1 (ko) * 2006-02-01 2007-01-09 삼성전자주식회사 반도체 디바이스 제조설비의 진공장치 및 이를 이용한진공방법
JP4985031B2 (ja) * 2007-03-29 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置、真空処理装置の運転方法及び記憶媒体
JP5193904B2 (ja) * 2009-02-27 2013-05-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP2011049507A (ja) * 2009-08-29 2011-03-10 Tokyo Electron Ltd ロードロック装置及び処理システム
JP2011127136A (ja) * 2009-12-15 2011-06-30 Canon Anelva Corp スパッタリング装置および、該スパッタリング装置を用いた半導体デバイスの製造方法
JP5916608B2 (ja) * 2010-12-09 2016-05-11 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置
JP2012195427A (ja) 2011-03-16 2012-10-11 Ulvac Japan Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
KR101271246B1 (ko) * 2011-08-02 2013-06-07 주식회사 유진테크 에피택셜 공정을 위한 반도체 제조설비
KR101891990B1 (ko) * 2013-11-18 2018-08-28 캐논 아네르바 가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 방법
JP2016004834A (ja) 2014-06-13 2016-01-12 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
CN105789091B (zh) * 2016-03-16 2020-04-24 沈阳拓荆科技有限公司 负载腔室及其使用该负载腔室之多腔室处理系统
US11948810B2 (en) * 2017-11-15 2024-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus for processing substrates or wafers

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11217670A (ja) 1997-11-25 1999-08-10 Japan Steel Works Ltd:The 枚葉式ロードロック装置及び基板清浄化方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP4027372A4 (en) 2023-10-04
WO2021045069A1 (ja) 2021-03-11
JP6815554B1 (ja) 2021-01-20
JP2021103787A (ja) 2021-07-15
CN114127332A (zh) 2022-03-01
TW202218032A (zh) 2022-05-01
EP4027372A1 (en) 2022-07-13
TWI790094B (zh) 2023-01-11
JP2021044550A (ja) 2021-03-18
WO2021044622A1 (ja) 2021-03-11
TWI754371B (zh) 2022-02-01
JP7474219B2 (ja) 2024-04-24
JP2021044544A (ja) 2021-03-18
CN114127332B (zh) 2024-04-09
JP6861317B2 (ja) 2021-04-21
US20220139729A1 (en) 2022-05-05
TW202121573A (zh) 2021-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107039322B (zh) 微环境装置
CN105990196B (zh) 夹持装置、基板输入输出装置以及基板处理装置
KR20130135720A (ko) 반송 로봇 및 반송 로봇을 구비한 설비 전방 단부 모듈
JP5048590B2 (ja) 基板処理装置
JP2007095856A (ja) 真空処理装置
JP2010034505A (ja) 積層ロードロックチャンバおよびそれを備えた基板処理装置
KR20220025881A (ko) 로드 로크 장치
JP7081119B2 (ja) ロードポート装置
WO2021045070A1 (ja) ロードロック装置
JP2012114456A (ja) 搬送容器
TW202407793A (zh) 基板處理裝置
KR20020066087A (ko) 로드락챔버
KR20060013995A (ko) 로드락챔버를 구비한 반도체 제조장비

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal