TWM487519U - 箱體清洗治具 - Google Patents

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Description

箱體清洗治具
本創作係有關於一種箱體設備清洗工具之技術領域,特別是可調整清洗溶液輸出角度之一種箱體清洗治具。
按,薄膜沉積製程中,例如化學氣相沉積、物理氣相沉積、電鍍及光阻塗佈等,化學品或金屬粒子極有可能沉積在晶圓不具圖形之背面及側邊成為額外的污染源。晶圓背面及側邊的污染很可能在晶圓搬運過程中對操作手臂及製程設備的基座表面造成污染,在製程中成為反應室壁及晶圓表面之污染粒子來源。因此,導入新材料至晶圓製程後,必須額外清洗晶圓以除去污染物。
請參閱第6、7圖所示,係習知晶圓清洗裝置9簡圖,其至少包括一具朝上開放之清洗槽91、一選擇性蓋合於清洗槽91上之蓋體92、一設於清洗槽91內之承載座93、及一給水管件94。當上述晶圓8完成顯影後,藉由相關設備(圖中未示)傳遞晶圓8至晶圓清洗裝置9之承載座93上;清洗時,設置於承載座93上之晶圓8,會被承載座93高速旋轉所帶動, 配合給水管件94,以預定的流速引進清洗溶液95至清洗槽91內,達成清洗晶圓8之目的,待晶圓8清洗完成後,進一步將清洗溶液95及其異物排出清洗槽91外。
雖說,習知晶圓清洗裝置9可達成洗清晶圓8之目的,但是晶圓8清洗時,其高速甩出的清洗溶液95及其異物,卻飛濺至清洗槽91之槽壁上,並逐漸的積累一層殘積物911,這些殘積物911會隨著時間的累積而增厚或變質,干擾晶圓清洗裝置9的清洗能力,故每隔一定的時間就必需將晶圓清洗裝置9停機進行保養清除的動作,此為業界最為垢病之處;因為晶圓清洗裝置9一旦停機,勢必導致生產工時的浪費與停滯,甚至產線的停擺;故如何能在不停機的前題下,對晶圓清洗裝置9之清洗槽91槽壁殘積物911進行沖洗,預防殘留或延長停機保養的間距,顯為業界所期盼。
有鑑於上述習知技藝之問題與缺失,本創作之主要目的乃在提供一種箱體清洗治具,藉此提供使用者無需專業訓練即可依自身情況,自主調節訓練強度之一種箱體清洗治具。
根據本創作上述目的,提供一種箱體清洗治具,其包括:一載具及一設於載具上之揚水盤;其中,該揚水盤包含相互匹配之一上殼體及一下殼體,且上殼體具有一入水口及至少一連通入水口而分別形成於上殼外徑周緣之揚水孔;藉由 上述構件之組成,設置於清洗槽時,清洗溶液可自入水口進入揚水盤,並藉由揚水盤因外力旋轉所產生之離心力,而將揚水盤內之清洗溶液自揚水孔以一預設角度甩出,藉以沖刷清洗槽槽壁,避免清洗槽槽壁上之殘積物積累。
1‧‧‧載具
2‧‧‧揚水盤
21‧‧‧上殼體
211‧‧‧入水口
212‧‧‧揚水孔
213‧‧‧上引水道
22‧‧‧下殼體
221‧‧‧集水室
222‧‧‧下引水道
223‧‧‧揚水道
9‧‧‧晶圓清洗裝置
91‧‧‧清洗槽
92‧‧‧蓋體
93‧‧‧承載座
94‧‧‧給水管件
95‧‧‧清洗溶液
第1圖 係本創作箱體清洗治具立體示意圖。
第2圖 係第1圖所示實施例分解示意圖。
第3圖 係本創作箱體清洗治具實施例剖面示意圖。
第4圖 係第3圖所示實施例局部示意圖。
第5圖 係第3圖所示實施例另一局部示意圖。
第6圖 習知晶圓清洗裝置立體示意圖。
第7圖 係第6圖所示實施例剖面示意圖。
以下請參照相關圖式進一步說明本創作箱體清洗治具實施例。為便於理解本創作實施方式,以下相同元件係採相同符號標示說明。
請參閱第1~7圖所示,本創作之箱體清洗治具,其包括:一載具1及一設於載具1上之揚水盤2,該揚水盤2包含相互匹配之一上殼體21及一下殼體22,且上殼體21具有一入水口211及至少一連通入水口211而分別形成於上殼21外 徑周緣之揚水孔212,藉由上述構件之組成,本創作之箱體清洗治具設置於清洗槽91時,清洗溶液95可自入水口211進入揚水盤2,並藉由揚水盤2受外力旋轉所產生之離心力,而將揚水盤2內之清洗溶液95自揚水孔213以一預設角度甩出,藉以沖刷清洗槽91槽壁,以避免清洗槽91槽壁上之殘積物911積累。
上述載具1,係仿一晶圓尺寸所形成,提供晶圓清洗裝置9相關構件夾持,並容置於清洗槽91內。實施時,載具9可選擇性的省略或由晶圓片取代。
上述上殼體21,包含一貫穿上殼體21形成之入水口211、至少一設置於上殼體21外徑周緣之揚水孔212,及至少一形成於上殼體21與下殼體22相互抵接之端面,且連通入水口211與揚水孔212之上引水道213。實施時,上引水道212可選擇性的省略,其寬度更可自入水口211端朝揚水孔213端遞減。
上述下殼體22,包含形成於下殼體22,並分別與入水口211、揚水孔212、及上引水道213位置相對應之一集水室221、至少一連通集水室221之下引水道222及至少一連通下引水道222之揚水道223;其中,揚水道212具有一朝上殼體之預設揚角(界於10~90度)。實施時,下引水道222可選擇性的省略,其寬度更可自集水室221端朝揚水道223端遞減。
是以,上述即為本創作所提供一較佳實施例,箱 體清洗治具各部構件介紹,接著再將本創作之組裝方式及使用特點介紹如下:首先,於晶圓8清洗過程,可選擇性的將箱體清洗治具混入待清洗之晶圓暫存裝置中(圖中未示),使晶圓清洗裝置9作動時,會自動的由晶圓暫存裝置中,取得待清清的晶圓8至清洗槽91進行清洗的動作,當然亦會將本創作之箱體清洗治具取放於清洗槽91中進行清洗動作。
當晶圓清洗裝置9取拿箱體清洗治具至清洗槽91時,會將箱體清洗治具設置於承載座93上並被高速旋轉,而給水管件94以預定的流速引進清洗溶液95至清洗槽91,並由上殼體21之入水口211進入集水室221,由於箱體清洗治具處於高速旋轉的狀態,故集水室221的清洗溶液95會沿上、下引水道213、222朝揚水道223、揚水孔212方向運動,並受揚水道223揚角調整,而由揚水孔212沿箱體清洗治具旋轉的徑向甩出,並沖擊清洗槽91預設高度之槽壁,達到沖洗清潔的效果。
除藉由箱體清洗治具旋轉的離心力將給水管件94引入之清洗溶液95甩出外,更可藉由上、下引水道213、222寬度漸縮的變化,增加上、下引水道213、222中清洗溶液95的壓力,增強清洗溶液95甩出時的沖擊力,以強化清潔效果。
承上所述,本創作之箱體清洗治具可避免異物積累於清洗槽91之槽壁911上,並可延長清潔槽壁的保養間距,且可在不停機的前題下,依正常的晶圓8清洗工序,而對清潔 槽91進行清潔的動作,大幅降低晶圓清洗設備停機保養的損失與負擔。
以上所述說明,僅為本創作的較佳實施方式而已,意在明確本創作的特徵,並非用以限定本創作實施例的範圍,本技術領域內的一般技術人員根據本創作所作的均等變化,以及本領域內技術人員熟知的改變,仍應屬本創作涵蓋的範圍。
1‧‧‧載具
2‧‧‧揚水盤
21‧‧‧上殼體
211‧‧‧入水口
212‧‧‧揚水孔
22‧‧‧下殼體

Claims (14)

  1. 一種箱體清洗治具,其包括:一載具,係仿一預設晶圓尺寸所形成;以及一揚水盤,該揚水盤係固設於該載具預設處,其包含相互匹配之一上殼體及一下殼體:該上殼體,具有一貫穿該上殼體之入水口、至少一形成於該殼體預設端面之一揚水孔;以及該下殼體,與該上殼體匹配之端面,形成有一集水室及至少一連通該集水室之揚水道,該揚水道朝上殼體具有一預設角度,且該揚水道位置與該揚水孔相對應。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之箱體清洗治具,其中該預設角度界於10~90度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之箱體清洗治具,其中該入水口與該揚水孔之間,進一步於該上殼體與該下殼體相抵接之端面形成有一連通之上引水道。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之箱體清洗治具,其中該上引水道寬度自該入水口端朝該揚水孔端遞減。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之箱體清洗治具,其中該入水口與該揚水孔之間,進一步於該上殼體與該下殼殼相抵接之端面形成有一連通之上引水道;而該集水室與該揚水道之間,進一步於該下殼體與該上殼殼相抵接之端面形成有一連通 之下引水道。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之箱體清洗治具,其中該下引水道與該上引水道位置相對應。
  7. 如申請專利範圍第5或6項所述之箱體清洗治具,其中該下引水道寬度自該集水室端朝該揚水道端遞減。
  8. 一種箱體清洗治具,其包括一上殼體及一下殼體相互匹配組成之一揚水盤,其中:該上殼體,具有一貫穿該上殼體之入水口、至少一形成於該殼體預設端面之一揚水孔;以及該下殼體,與該上殼體匹配之端面,形成有一集水室及至少一連通該集水室之揚水道,該揚水道朝上殼體具有一預設角度。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之箱體清洗治具,其中該預設角度界於10~90度。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之箱體清洗治具,其中該入水口與該揚水孔之間,進一步於該上殼體與該下殼體相抵接之端面形成有一連通之上引水道。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之箱體清洗治具,其中該上引水道寬度自該入水口端朝該揚水孔端遞減。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之箱體清洗治具,其中該入水口與該揚水孔之間,進一步於該上殼體與該下殼殼相抵接之端面形成有一連通之上引水道;而該集水室與該揚水道之間,進一步於該下殼體與該上殼殼相抵接之端面形成有一連 通之下引水道。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之箱體清洗治具,其中該下引水道與該上引水道位置相對應。
  14. 如申請專利範圍第12或13項所述之箱體清洗治具,其中該下引水道寬度自該集水室端朝該揚水道端遞減。
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